一種固晶材料與共晶互連的方法
【專利摘要】一種固晶材料與共晶互連的方法，該方法的步驟為：首先，將錫銀銅焊料通過(guò)點(diǎn)膠機(jī)點(diǎn)在清洗過(guò)的封裝基板上；然后將大功率的LED芯片放置在錫銀銅焊料上；在將陶瓷基板放置于共晶平臺(tái)上進(jìn)行共晶加熱；最后將散熱片與LED器件進(jìn)行互連裝配。本發(fā)明將錫銀銅焊料通過(guò)點(diǎn)膠機(jī)點(diǎn)在清洗過(guò)的封裝基板上，利用其導(dǎo)熱效率較普通銀膠和傳統(tǒng)的絕緣膠高1倍甚至數(shù)倍，是一種具有潛力的大功率LED低熱阻固晶互連材料，由于固晶互連工藝是LED封裝中最關(guān)鍵的工藝，LED芯片產(chǎn)生的熱量要通過(guò)固晶傳導(dǎo)熱基板，固晶互連層熱阻的大小，直接影響到LED芯片產(chǎn)生的熱量能否及時(shí)傳導(dǎo)至封裝基板，所以利用錫銀銅焊料完全可以滿足照明對(duì)大功率LED的要求。
【專利說(shuō)明】—種固晶材料與共晶互連的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種光電【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是一種固晶材料與共晶互連的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]共晶是指在相對(duì)較低的溫度下共晶焊料發(fā)生共晶物熔合的現(xiàn)象，共晶合金直接從固態(tài)變到液態(tài)，而不經(jīng)過(guò)塑性階段，是一個(gè)液態(tài)同時(shí)生成兩個(gè)固態(tài)的平衡反應(yīng)。目前，應(yīng)用較多的固晶材料主要為以小功率LED芯片固晶為主的絕緣膠，但隨著照明對(duì)大功率LED的需求，LED模塊功率越來(lái)越高，熱量越來(lái)越集中，對(duì)散熱的要求也越來(lái)越高，此時(shí)，傳統(tǒng)的絕緣膠已無(wú)法滿足對(duì)熱量的傳導(dǎo)要求，從而影響了 LED模塊的性能。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種可滿足大功率LED需求，提高LED模塊性能的固晶材料與共晶互連的方法。
[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的，一種固晶材料與共晶互連的方法，該方法的步驟為:首先，將錫銀銅焊料通過(guò)點(diǎn)膠機(jī)點(diǎn)在清洗過(guò)的封裝基板上，所述封裝基板為陶瓷基板，在陶瓷基板的上表面鍍銀處理；然后將大功率的LED芯片放置在錫銀銅焊料上；在將陶瓷基板放置于共晶平臺(tái)上進(jìn)行共晶加熱，加熱的最高溫度為260° C以實(shí)現(xiàn)LED封裝基板的溫度達(dá)到230° C ;最后將散熱片與LED器件進(jìn)行互連裝配。
[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題還可以通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)，所述散熱片包括絕緣層和設(shè)置在絕緣層底部的鋁片。
[0006]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題還可以通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)，所述陶瓷基板的厚度為0.8-lmm。
[0007]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題還可以通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)，所述陶瓷基板上表面鍍銀的厚度為0.005-0.015mm。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明將錫銀銅焊料通過(guò)點(diǎn)膠機(jī)點(diǎn)在清洗過(guò)的封裝基板上，利用其導(dǎo)熱效率較普通銀膠和傳統(tǒng)的絕緣膠高I倍甚至數(shù)倍，是一種具有潛力的大功率LED低熱阻固晶互連材料，由于固晶互連工藝是LED封裝中最關(guān)鍵的工藝，LED芯片產(chǎn)生的熱量要通過(guò)固晶傳導(dǎo)熱基板，固晶互連層熱阻的大小，直接影響到LED芯片產(chǎn)生的熱量能否及時(shí)傳導(dǎo)至封裝基板，所以利用錫銀銅焊料完全可以滿足照明對(duì)大功率LED的要求。

【具體實(shí)施方式】
[0009]一種固晶材料與共晶互連的方法，首先，將錫銀銅焊料通過(guò)點(diǎn)膠機(jī)點(diǎn)在清洗過(guò)的封裝基板上，所述封裝基板為陶瓷基板，在陶瓷基板的上表面鍍銀處理；然后將大功率的LED芯片放置在錫銀銅焊料上；在將陶瓷基板放置于共晶平臺(tái)上進(jìn)行共晶加熱，加熱的最高溫度為260° C以實(shí)現(xiàn)LED封裝基板的溫度達(dá)到230° C ;最后將散熱片與LED器件進(jìn)行互連裝配。
[0010]所述散熱片包括絕緣層和設(shè)置在絕緣層底部的鋁片；所述陶瓷基板的厚度為0.8-lmm ;所述陶瓷基板上表面鍍銀的厚度為0.005-0.015mm。
【權(quán)利要求】
1.一種固晶材料與共晶互連的方法，該方法步驟為:首先，將錫銀銅焊料通過(guò)點(diǎn)膠機(jī)點(diǎn)在清洗過(guò)的封裝基板上，所述封裝基板為陶瓷基板，在陶瓷基板的上表面鍍銀處理；然后將大功率的LED芯片放置在錫銀銅焊料上；在將陶瓷基板放置于共晶平臺(tái)上進(jìn)行共晶加熱，加熱的最高溫度為260° C以實(shí)現(xiàn)LED封裝基板的溫度達(dá)到230° C ;最后將散熱片與LED器件進(jìn)行互連裝配。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固晶材料與共晶互連的方法，其特征在于:所述散熱片包括絕緣層和設(shè)置在絕緣層底部的鋁片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固晶材料與共晶互連的方法，其特征在于:所述陶瓷基板的厚度為0.8-lmm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固晶材料與共晶互連的方法，其特征在于:所述陶瓷基板上表面鍍銀的厚度為0.005-0.015mm。
【文檔編號(hào)】H01L33/64GK104465971SQ201310440592
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2013年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月25日
【發(fā)明者】劉淑娟, 何雷 申請(qǐng)人:江蘇尚明光電有限公司