光刻膠的去除方法、曝光裝置以及顯示基板的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及光刻膠的去除方法、曝光裝置以及顯示基板的制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)光刻膠進(jìn)行剝離處理時(shí)，需要配置剝離設(shè)備，對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化處理時(shí)，需要配置高功率設(shè)備以及化學(xué)氣體，增加了設(shè)備投入，提高了生產(chǎn)成本的問題。本發(fā)明實(shí)施例采用對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理；通過顯影處理去除曝光處理后的光刻膠；避免了現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)光刻膠進(jìn)行剝離處理時(shí)，需要配置剝離設(shè)備，對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化處理時(shí)，需要配置高功率設(shè)備以及化學(xué)氣體的問題，節(jié)約了設(shè)備成本，同時(shí)也降低了生產(chǎn)成本。
【專利說明】光刻膠的去除方法、曝光裝置以及顯示基板的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及光刻膠的去除方法、曝光裝置以及顯示基板的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]Array基板的制作過程通常采用光刻技術(shù)，具體制作過程如下:在基板上涂覆一層光刻膠；對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理，形成所需圖形；根據(jù)形成的圖形對(duì)基板進(jìn)行刻蝕處理；通過剝離設(shè)備對(duì)剩余的光刻膠進(jìn)行剝離處理，形成Array基板。剝離設(shè)備對(duì)基板上光刻膠的剝離原理是，通過剝離設(shè)備的剝離液對(duì)光刻膠進(jìn)行溶解，以達(dá)到剝離光刻膠的目的。因此在實(shí)際生產(chǎn)過程中，需要單獨(dú)配備剝離設(shè)備對(duì)光刻膠進(jìn)行剝離處理。
[0003]在TFT陣列基板的制作過程中，溝道主要采用灰化工藝進(jìn)行制作，灰化工藝流程如下:在基板上涂覆一層光刻膠；對(duì)光刻膠進(jìn)行半曝光處理和顯影處理，去除設(shè)定厚度的溝道圖形位置對(duì)應(yīng)的光刻膠；然后采用高功率設(shè)備使化學(xué)氣體與溝道圖形位置對(duì)應(yīng)的剩余光刻膠反應(yīng)，去除溝道圖形位置對(duì)應(yīng)的剩余光刻膠，形成所需的溝道圖形；通過剝離設(shè)備對(duì)溝道圖形以外的光刻膠進(jìn)行剝離處理，形成TFT陣列基板的溝道。因此在灰化工藝中，需要配置高功率設(shè)備，并需要通過高功率設(shè)備將化學(xué)氣體與光刻膠反應(yīng)，去除所需厚度的光刻膠，使設(shè)備投入成本升高，并且高功率設(shè)備耗能較大,增加了生產(chǎn)成本。
[0004]因此現(xiàn)有技術(shù)中，需要配置剝離設(shè)備對(duì)光刻膠進(jìn)行剝離處理，配置高功率設(shè)備進(jìn)行灰化工藝處理時(shí)，增加了設(shè)備投入，提高了生產(chǎn)成本。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種光刻膠的剝離方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)光刻膠進(jìn)行剝離處理時(shí)，需要配置剝離設(shè)備，對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化處理時(shí)，需要配置高功率設(shè)備以及化學(xué)氣體，增加了設(shè)備投入，提高了生產(chǎn)成本的問題。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種光刻膠的剝離方法，用于對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行去除，該方法包括:
[0007]對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理；
[0008]通過顯影處理去除曝光處理后的光刻膠。
[0009]上述實(shí)施例中由于對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理，無需配置剝離設(shè)備，或高功率設(shè)備對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行剝離或灰化處理,節(jié)約了設(shè)備成本。
[0010]較佳地，根據(jù)需要去除的光刻膠的厚度，確定對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光處理的曝光能量；根據(jù)所述確定的曝光處理的曝光能量，對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理。
[0011]對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行去除，是對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行整體剝離處理，需要去除的光刻膠的厚度為構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠的最大厚度。
[0012]對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行去除，是對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行灰化處理，需要去除的光刻膠的厚度為構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠厚度的一部分。
[0013]根據(jù)不同的工藝要求，確定對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光處理的曝光能量，使去除的光刻膠的厚度達(dá)到設(shè)定的厚度，工藝調(diào)整靈活，能適應(yīng)不同的工藝要求。
[0014]較佳地，根據(jù)需要去除的光刻膠的厚度，確定對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光處理的曝光強(qiáng)度；根據(jù)所述確定的曝光處理的曝光強(qiáng)度，對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理；或根據(jù)需要去除的光刻膠的厚度，確定對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光處理的時(shí)間長度；根據(jù)所述確定的曝光處理的時(shí)間長度，對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理。
[0015]本發(fā)明實(shí)施例中，根據(jù)需要去除的光刻膠的厚度確定對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光處理的能量，其中曝光能量可以根據(jù)曝光強(qiáng)度確定，也可以根據(jù)曝光時(shí)間時(shí)長進(jìn)行確定，去除相同厚度的光刻膠，曝光強(qiáng)度越大，曝光時(shí)間越短，曝光強(qiáng)度越小，曝光時(shí)長越長，曝光的強(qiáng)度和曝光的時(shí)長與光刻膠的成分也有一定的關(guān)系。
[0016]進(jìn)一步的，通過曝光光源對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理。曝光光源包括:白光光源，紫外光源。
[0017]當(dāng)所述光源為條狀光源時(shí)，所述條狀光源沿與基板平行的方向勻速照射基板，使所述基板上的光刻膠的曝光程度相同。當(dāng)所述光源為平面狀光源時(shí)，所述光源垂直照射在基板上，使所述基板上的光刻膠的曝光程度相同。通過短波光源對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光處理，得到所需厚度的曝光后的光刻膠。
[0018]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示基板的制造方法，包括利用光刻膠通過構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成器件圖形，以及對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行去除的步驟，該方法包括:對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行去除的步驟包括上述任意一種光刻月父去除方法。
[0019]上述實(shí)施例中由于對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理，無需配置剝離設(shè)備，或高功率設(shè)備對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行剝離或灰化處理,節(jié)約了設(shè)備成本。
[0020]利用光刻膠通過構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成器件圖形，包括:在襯底基板上形成所述器件的材料膜層；在器件的材料膜層上形成光刻膠膜層；對(duì)光刻膠膜層進(jìn)行掩膜曝光、顯影，除去一部分光刻膠，剩余構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠，并露出所述材料膜層的一部分；對(duì)材料膜層的一部分進(jìn)行刻蝕，形成器件圖形。
[0021]上述實(shí)施例能夠根據(jù)不同的工藝要求，確定對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光處理的時(shí)間，并且可以根據(jù)工藝要求，調(diào)整曝光處理的時(shí)間，或調(diào)整曝光處理的曝光強(qiáng)度，使去除的光刻膠的厚度達(dá)到設(shè)定的厚度，工藝調(diào)整靈活，能適應(yīng)不同的工藝要求。
[0022]顯示基板為薄膜晶體管陣列基板，薄膜晶體管陣列基板包括薄膜晶體管、像素電極、柵線以及數(shù)據(jù)線；器件圖形為薄膜晶體管中的柵極、有源層、源漏電極、像素電極、柵線或數(shù)據(jù)線的圖形。
[0023]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種曝光裝置，包括曝光光源，曝光光源包括掩膜曝光光源和光刻膠去除曝光光源，其中，掩膜曝光光源用于在利用掩膜版對(duì)基板上的膜層進(jìn)行掩膜曝光處理時(shí)對(duì)膜層進(jìn)行照射；光刻膠去除曝光光源用于在利用光刻膠去除方法或顯示基板的制造方法中的任意一種方法中，對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行去除時(shí)對(duì)所述構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行照射。
[0024]本發(fā)明實(shí)施例采用對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理；通過顯影處理去除曝光處理后的光刻膠；由于采用對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理和顯影處理的方式去除光刻膠，因此對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行剝離處理，不需要配置剝離設(shè)備，或灰化處理時(shí)，不需要配置高功率設(shè)備以及化學(xué)氣體，節(jié)約了設(shè)備成本，同時(shí)也降低了生產(chǎn)成本。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0025]圖1為本發(fā)明實(shí)施例中一種光刻膠的剝離方法的流程示意圖；
[0026]圖201為本發(fā)明實(shí)施例中構(gòu)圖工藝處理后的基板的示意圖；
[0027]圖202為本發(fā)明實(shí)施例中構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠全部被曝光的示意圖；
[0028]圖203為本發(fā)明實(shí)施例中構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠剝離后的示意圖；
[0029]圖3為本發(fā)明實(shí)施例中一種基板的制作方法的流程示意圖；
[0030]圖401為本發(fā)明實(shí)施例中涂覆光刻膠的基板的示意圖；
[0031]圖402為本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)基板上的光刻膠薄膜進(jìn)行曝光處理后的基板的示意圖；
[0032]圖403為本發(fā)明實(shí)施例中在光刻膠薄膜上形成所需圖案后的基板的示意圖；
[0033]圖404為本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)基板上的金屬薄膜進(jìn)行刻蝕處理后形成所需圖形的基板的不意圖；
[0034]圖405為本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)未曝光的光刻膠薄膜曝光處理后的基板的示意圖；
[0035]圖406為本發(fā)明實(shí)施例中利用顯影液去除光刻膠的基板的示意圖；
[0036]圖501為本發(fā)明實(shí)施例中在構(gòu)圖工藝處理后的基板上形成第一溝道圖案后的基板的不意圖；
[0037]圖502為本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠第一次曝光處理后的基板的不意圖；
[0038]圖503為本發(fā)明實(shí)施例中在構(gòu)圖工藝處理后的基板上形成第二溝道圖案后的基板的不意圖；
[0039]圖504為本發(fā)明實(shí)施例中根據(jù)第二溝道圖案對(duì)基板進(jìn)行刻蝕處理形成溝道圖形的基板的不意圖；
[0040]圖6為本發(fā)明實(shí)施例中一種含有溝道的基板的制作方法的流程示意圖；
[0041]圖701為本發(fā)明實(shí)施例中一種制作含有溝道的基板中涂覆光刻膠的基板的示意圖；
[0042]圖702為本發(fā)明實(shí)施例中一種制作含有溝道的基板中含有第一溝道圖案的基板的不意圖；
[0043]圖703為本發(fā)明實(shí)施例中一種制作含有溝道的基板中對(duì)含有第一溝道圖案的基板上的光刻膠進(jìn)行第二次曝光處理后的基板的示意圖；[0044]圖704為本發(fā)明實(shí)施例中一種制作含有溝道的基板中含有第二溝道圖案的基板的不意圖；
[0045]圖705為本發(fā)明實(shí)施例中一種制作含有溝道的基板中對(duì)基板進(jìn)行刻蝕處理形成所需圖形后的基板的示意圖；
[0046]圖706為本發(fā)明實(shí)施例中一種制作含有溝道的基板中對(duì)未曝光的光刻膠薄膜曝光處理后的基板的不意圖；
[0047]圖707為本發(fā)明實(shí)施例中一種制作含有溝道的基板中去除光刻膠的基板的示意圖；
[0048]圖8為本發(fā)明實(shí)施例中含有短波光線的光源為條狀光源時(shí)，對(duì)基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理的示意圖；
[0049]圖9為本發(fā)明實(shí)施例中含有短波光線的光源為面狀光源時(shí)，對(duì)基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理的示意圖；
[0050]圖10為本發(fā)明實(shí)施例中顯示基板利用光刻膠通過構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成器件圖形的方法的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0051]本發(fā)明實(shí)施例采用對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理；通過顯影處理去除曝光處理后的光刻膠；避免了現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)光刻膠進(jìn)行剝離處理時(shí)，需要配置剝離設(shè)備，對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化處理時(shí)，需要配置高功率設(shè)備以及化學(xué)氣體的問題，節(jié)約了設(shè)備成本，同時(shí)也降低了生產(chǎn)成本。
[0052]如圖1所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供了一種光刻膠的剝離方法，用于對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行去除，該方法包括:
[0053]步驟101:對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理；
[0054]步驟102:通過顯影處理去除曝光處理后的光刻膠，即，利用顯影液等顯影制品對(duì)曝光處理后的光刻膠進(jìn)行去除。
[0055]本發(fā)明實(shí)施例中構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠是指經(jīng)過構(gòu)圖工藝中的曝光、顯影和刻蝕處理之后的、已經(jīng)具有圖形結(jié)構(gòu)的光刻膠，如在襯底基板上形成柵極圖形時(shí)，在襯底基板上涂覆形成柵極材料薄膜，在柵極材料薄膜上涂覆一層光刻膠，形成光刻膠薄膜，根據(jù)預(yù)期的柵極圖形對(duì)光刻膠薄膜進(jìn)行曝光和顯影處理，形成柵極圖形形狀的光刻膠，然后再對(duì)露出的柵極材料進(jìn)行刻蝕，形成柵極的圖形；其中，根據(jù)柵極圖形對(duì)光刻膠薄膜進(jìn)行曝光和顯影處理的步驟后，剩余的未曝光的光刻膠就是本發(fā)明實(shí)施例中構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠。
[0056]構(gòu)圖工藝通?？砂ㄔ谝r底基板上形成圖形材料薄膜、在圖形材料薄膜上涂覆光刻膠、根據(jù)所需圖形對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光處理、顯影處理、根據(jù)曝光和顯影處理后形成的光刻膠圖案對(duì)所述圖形材料薄膜進(jìn)行刻蝕等工藝中的一種或幾種。
[0057]需說明的是，以上所例舉的構(gòu)圖工藝所包括的內(nèi)容僅為優(yōu)選的實(shí)施例，本發(fā)明實(shí)施方式中所述的構(gòu)圖工藝并不限于這些實(shí)施例，還可以包括其他任意類型的可以形成圖形結(jié)構(gòu)的構(gòu)圖方式，例如通過3D打印等技術(shù)形成圖形結(jié)構(gòu)的構(gòu)圖方式，也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。[0058]本發(fā)明實(shí)施例中所述的顯影處理是指:對(duì)于正性光刻膠來說，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光處理后，利用顯影液將被曝光的光刻膠溶解，去除了被曝光的光刻膠，未被曝光的光刻膠被留下；負(fù)性光刻膠與之相反，即對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光處理后，利用顯影液將未曝光的光刻膠去除，曝光的光刻膠被留下。
[0059]其中，步驟101中對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理具體包括:根據(jù)需要去除的光刻膠的厚度，確定對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光處理的曝光能量；根據(jù)確定的進(jìn)行曝光處理的曝光能量，對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理；其中影響曝光能量的因素包括但不限于下列因素:曝光強(qiáng)度，曝光時(shí)長。也就是說，可以根據(jù)需要去除的光刻膠的厚度，確定對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光處理的曝光強(qiáng)度；根據(jù)確定的曝光處理的曝光強(qiáng)度，對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理；或根據(jù)需要去除的光刻膠的厚度，確定對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光處理的時(shí)間長度；根據(jù)確定的曝光處理的時(shí)間長度，對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理。
[0060]其中曝光處理的時(shí)間長度和曝光處理的曝光強(qiáng)度與被曝光的光刻膠的厚度成正t匕，組成成分相同的光刻膠，曝光處理的時(shí)間越長，曝光強(qiáng)度越大，被曝光的光刻膠的厚度越厚。組成成分不同的光刻膠光感度不同，曝光處理的時(shí)間相同，或曝光強(qiáng)度相同，被曝光的光刻膠的厚度可能不同。因此，需要根據(jù)光刻膠的組成成分，以及需要曝光的光刻膠的厚度，共用確定曝光處理的時(shí)間長度或曝光強(qiáng)度。
[0061]根據(jù)需要去除的光刻膠的厚度，可以將曝光處理分為兩種情況，一種情況是需要對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行剝離處理，另一種情況是需要對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行灰化處理，下面對(duì)兩種情況分別進(jìn)行介紹。
[0062]情況一、需要對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行剝離處理。
[0063]如圖201所示為構(gòu)圖工藝處理后的基板，其中21為基板，22為金屬膜，23為待去除的光刻膠；通過曝光光源對(duì)基板上的光刻膠23進(jìn)行曝光處理，如圖202所示基板上的光刻膠受到曝光光源照射后全部被曝光，24為曝光處理后的待去除的光刻膠，將曝光處理后的基板例如浸入顯影液中，進(jìn)行顯影處理，去除構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠24，形成如圖203所示的基板，實(shí)現(xiàn)了光刻膠的剝離，避免了為剝離光刻膠而專門配置光刻膠剝離設(shè)備。
[0064]優(yōu)選地，當(dāng)對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行整體剝離處理，且基板上不同位置的光刻膠厚度不相同時(shí)，需要去除的光刻膠的厚度為構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠的最大厚度；此時(shí)曝光處理的時(shí)間長度或曝光強(qiáng)度，可以根據(jù)基板上的光刻膠的最大厚度進(jìn)行設(shè)定，也可以根據(jù)基板上不同位置的光刻膠的厚度進(jìn)行調(diào)節(jié)。
[0065]圖3所示，為本發(fā)明實(shí)施例中一種基板的制作方法，該方法包括:
[0066]步驟301:在基板上涂覆一層光刻膠，形成光刻膠薄膜，涂覆光刻膠的基板如圖401所不,其中41為基板,42為金屬薄膜,43為光刻膠；
[0067]步驟302:根據(jù)設(shè)定的圖案通過掩膜工藝對(duì)基板上的光刻膠薄膜進(jìn)行曝光處理，曝光處理后的基板如圖402所示，其中，43為未曝光的光刻膠，44為根據(jù)設(shè)定的圖案在構(gòu)圖工藝中需曝光的光刻膠；
[0068]步驟303:通過顯影處理去除被曝光的光刻膠，在光刻膠薄膜上形成所需圖案，在光刻膠薄膜上形成所需圖案的基板如圖403所示；[0069]步驟304:根據(jù)光刻膠薄膜上形成的圖案對(duì)基板上的金屬薄膜進(jìn)行刻蝕處理，在基板上形成所需圖形，形成所需圖形后的基板如圖404所示；
[0070]以下的步驟為本實(shí)施方式所提供的去除光刻膠的方法步驟:
[0071]步驟305:通過曝光光源對(duì)未曝光的光刻膠進(jìn)行曝光處理，使被曝光的光刻膠薄膜的厚度為基板上光刻膠薄膜的最大厚度，對(duì)未曝光的光刻膠薄膜曝光處理后的基板如圖405所示，其中45為曝光后的光刻膠；
[0072]步驟306:利用顯影液，例如通過將曝光處理后的基板浸入顯影液中或向基本噴灑顯影液的方式，去除基板上的光刻膠，去除光刻膠的基板如圖406所示。
[0073]情況二、對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行灰化處理。
[0074]本發(fā)明實(shí)施例以對(duì)形成溝道圖形的基板上的光刻膠進(jìn)行灰化處理為例，如圖501所示為構(gòu)圖工藝處理后，在光刻膠上形成第一溝道圖案的基板，其中，51為基板，52為金屬薄膜，53為光刻膠，54為第一溝道圖案；此時(shí)第一溝道圖案54處，還留有一定厚度的光刻膠，傳統(tǒng)工藝去除第一溝道圖案54處剩余的光刻膠的方法如下:通過高效率的設(shè)備噴發(fā)化學(xué)氣體，使化學(xué)氣體刻蝕掉第一溝道圖案54處剩余的光刻膠，以及基板上未形成第一溝道圖案的其他區(qū)域的光刻膠，其中刻蝕掉的基板上未形成第一溝道圖案的其他區(qū)域的光刻膠的厚度，與刻蝕掉第一溝道圖案54處剩余的光刻膠的厚度相同；本發(fā)明實(shí)施例中去除第一溝道圖案54處剩余的光刻膠的方法如下:通過曝光光源對(duì)基板上的光刻膠進(jìn)行第一次曝光處理，使基板上的光刻膠曝光的厚度為第一溝道圖案54處剩余的光刻膠的厚度，圖502中55為第一次曝光處理后曝光的光刻膠。
[0075]對(duì)第一次曝光處理后的基板進(jìn)行顯影處理，去除曝光的光刻膠，在基板的光刻膠上形成第二溝道圖案56，形成第二溝道圖案的基板如圖503所示；根據(jù)形成的第二溝道圖案對(duì)基板進(jìn)行刻蝕處理，在基板上形成溝道圖形，形成溝道圖形的基板如圖504所示。
[0076]如圖6所示，為本發(fā)明實(shí)施例中一種含有帶有溝道區(qū)域的薄膜晶體管的陣列基板的制作方法，該方法包括:
[0077]步驟601:在基板上涂覆一層光刻膠，形成光刻膠薄膜，涂覆光刻膠的基板如圖701所示，其中71為基板，72為金屬薄膜，73為光刻膠；
[0078]步驟602:根據(jù)設(shè)定的溝道圖案對(duì)基板上的光刻膠薄膜進(jìn)行第一次曝光和顯影處理處理，形成第一溝道圖案74，含有第一溝道圖案74的基板如圖702所示；
[0079]步驟603:對(duì)含有第一溝道圖案74的基板上的光刻膠進(jìn)行第二次曝光處理，曝光的光刻膠的厚度為基板上第一溝道圖案處剩余的光刻膠的厚度，如圖703所示，75為曝光處理后的光刻膠，73為未曝光的光刻膠；
[0080]步驟604:去除基板上第一溝道圖案74處剩余的光刻膠，以及其他區(qū)域曝光處理后的光刻膠，在基板的光刻膠薄膜上形成第二溝道圖案76，含有第二溝道圖案的基板如圖704所示；
[0081]步驟605:根據(jù)光刻膠薄膜上形成的第二溝道圖案76對(duì)基板進(jìn)行刻蝕處理，在基板上形成所需圖形，形成所需圖形后的基板如圖705所示；
[0082]步驟606:通過曝光光源對(duì)未曝光的光刻膠薄膜進(jìn)行曝光處理，使被曝光的光刻膠薄膜的厚度與基板上剩余的光刻膠薄膜的厚度相同，對(duì)未曝光的光刻膠薄膜曝光處理后的基板如圖706所不；[0083]步驟607:將曝光處理后的基板浸入顯影液中，去除基板上的光刻膠，去除光刻膠的基板如圖707所示。
[0084]本發(fā)明實(shí)施例中的曝光光線的光源是指能夠?qū)饪棠z進(jìn)行曝光處理的光源，優(yōu)選的是短波光源，本發(fā)明實(shí)施方式中所述的曝光光源并不限于本發(fā)明實(shí)施例，還可以包括其他任意類型的可以對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光處理的光源，也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0085]本發(fā)明實(shí)施例中的曝光光源包括但不限于下列光源:白光光源、紫外光光源。其中含有短波光線的光源可以是條狀光源，也可以是面狀光源，或者其他任意形狀的光源，使基板上的光刻膠受到的光照強(qiáng)度相同。如圖8所示，當(dāng)曝光光源為條狀光源時(shí)，使光源沿著與基板平行的方向勻速照射基板，使基板上的光刻膠的曝光程度相同；其中81為曝光光源，82為光刻膠，83為基板。當(dāng)曝光光源為面狀光源，且面狀短波光源的面積與基板面積相同時(shí)，光源與基板平行，光源發(fā)出的光垂直照射在基板上，使基板上的光刻膠的曝光程度相同；當(dāng)面狀曝光光源的面積小于基板面積時(shí)，曝光光源對(duì)基板上不同區(qū)域的光刻膠分別進(jìn)行曝光，使基板上的光刻膠的曝光程度相同。如圖9所示，為曝光光源為面狀光源，曝光光源對(duì)基板上的光刻膠進(jìn)行曝光的示意圖，其中91為曝光光源，92為光刻膠，93為基板。
[0086]本發(fā)明實(shí)施例中以4mask工藝為例，但本發(fā)明不局限于上述實(shí)施例，任何次數(shù)的構(gòu)圖工藝，只要涉及到光刻膠的去除方法，都可以應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例。
[0087]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示基板的制造方法，該方法包括利用光刻膠通過構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成器件圖形，以及對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行去除的步驟，其中對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行去除的步驟包括上述任意一種光刻膠去除方法。顯示基板的制造方法中具體包括:對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理；通過顯影處理去除曝光處理后的光刻膠。
[0088]其中，顯示基板為薄膜晶體管陣列基板，薄膜晶體管陣列基板包括薄膜晶體管、像素電極、柵線以及數(shù)據(jù)線；
[0089]器件圖形為薄膜晶體管中的柵極、有源層、源漏電極、像素電極、柵線或數(shù)據(jù)線的圖形。
[0090]對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理具體包括:根據(jù)需要去除的光刻膠的厚度，確定對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光處理的曝光能量；根據(jù)確定的進(jìn)行曝光處理的曝光能量，對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理；其中影響曝光能量的因素包括但不限于下列因素:曝光強(qiáng)度，曝光時(shí)長。也就是說，可以根據(jù)需要去除的光刻膠的厚度，確定對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光處理的曝光強(qiáng)度；根據(jù)確定的曝光處理的曝光強(qiáng)度，對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理；或根據(jù)需要去除的光刻膠的厚度，確定對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光處理的時(shí)間長度；根據(jù)確定的曝光處理的時(shí)間長度，對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理。
[0091]其中曝光處理的時(shí)間長度和曝光處理的曝光強(qiáng)度與被曝光的光刻膠的厚度成正t匕，組成成分相同的光刻膠，曝光處理的時(shí)間越長，曝光強(qiáng)度越大，被曝光的光刻膠的厚度越厚。組成成分不同的光刻膠光感度不同，曝光處理的時(shí)間相同，或曝光強(qiáng)度相同，被曝光的光刻膠的厚度可能不同。因此，需要根據(jù)光刻膠的組成成分，以及需要曝光的光刻膠的厚度，共用確定曝光處理的時(shí)間長度或曝光強(qiáng)度相同。
[0092]根據(jù)需要去除的光刻膠的厚度，可以將曝光處理分為兩種情況，一種情況是需要對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行剝離處理，另一種情況是需要對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行灰化處理；上述兩種情況已在光刻膠的去除方法中詳細(xì)介紹，在此不再贅述。
[0093]如圖10所示，為本發(fā)明實(shí)施例中顯示基板利用光刻膠通過構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成器件圖形的方法，該方法包括:
[0094]步驟1001:在襯底基板上形成所需器件的材料膜層；
[0095]步驟1002:在器件的材料膜層上形成光刻膠膜層；
[0096]步驟1003:對(duì)光刻膠膜層進(jìn)行掩膜曝光、顯影處理，除去一部分光刻膠，剩余構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠，并露出器件的材料膜層的一部分；
[0097]步驟1004:對(duì)材料膜層的一部分進(jìn)行刻蝕，形成所需的器件圖形。
[0098]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種曝光裝置，可用于在上述方法中對(duì)光刻膠進(jìn)行去除，所述裝置包括曝光光源，曝光光源包括掩膜曝光光源和光刻膠去除曝光光源，其中，掩膜曝光光源用于在利用掩膜版對(duì)基板上的膜層進(jìn)行掩膜曝光處理時(shí)對(duì)膜層進(jìn)行照射；光刻膠去除曝光光源用于在利用光刻膠去除方法或顯示基板制造方法對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行去除時(shí)對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行照射。
[0099]其中光刻膠去除曝光光源是指能夠?qū)饪棠z進(jìn)行曝光處理的光源，優(yōu)選的是短波光源，本發(fā)明實(shí)施方式中所述的曝光光源并不限于本發(fā)明實(shí)施例，還可以包括其他任意類型的可以對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光處理的光源，也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0100]本發(fā)明實(shí)施例中的曝光光源包括但不限于下列光源:白光光源、紫外光光源。其中光刻膠去除曝光光源可以是條狀光源，也可以是面狀光源，或者其他任意形狀的光源，使基板上的光刻膠受到的光照強(qiáng)度相同。如圖8所示，當(dāng)曝光光源為條狀光源時(shí)，使光源沿著與基板平行的方向勻速照射基板，使基板上的光刻膠的曝光程度相同；其中81為曝光光源，82為光刻膠，83為基板。當(dāng)曝光光源為面狀光源，且面狀短波光源的面積與基板面積相同時(shí)，光源與基板平行，光源發(fā)出的光垂直照射在基板上，使基板上的光刻膠的曝光程度相同；當(dāng)面狀曝光光源的面積小于基板面積時(shí)，曝光光源對(duì)基板上不同區(qū)域的光刻膠分別進(jìn)行曝光，使基板上的光刻膠的曝光程度相同。如圖9所示，為曝光光源為面狀光源，曝光光源對(duì)基板上的光刻膠進(jìn)行曝光的示意圖，其中91為曝光光源，92為光刻膠，93為基板。
[0101]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種光刻膠去除方法，用于對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行去除，其特征在于，該方法包括: 對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理； 通過顯影處理去除曝光處理后的光刻膠。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理，包括: 根據(jù)需要去除的光刻膠的厚度，確定對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光處理的曝光能量； 根據(jù)所述確定的曝光處理的曝光能量，對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行去除，是對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行整體剝離處理，所述需要去除的光刻膠的厚度為所述構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠的最大厚度。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行去除，是對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行灰化處理，所述需要去除的光刻膠的厚度為所述構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠厚度的一部分。
5.如權(quán)利要求1或2任一所述的方法，其特征在于，所述對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理，包括: 根據(jù)需要去除的光刻膠的厚 度，確定對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光處理的曝光強(qiáng)度；根據(jù)所述確定的曝光處理的曝光強(qiáng)度，對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理；或 根據(jù)需要去除的光刻膠的厚度，確定對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光處理的時(shí)間長度；根據(jù)所述確定的曝光處理的時(shí)間長度，對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理，包括: 通過曝光光源對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行曝光處理。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述曝光光源為條狀光源，所述條狀光源沿與基板平行的方向勻速照射基板，使所述基板上的光刻膠的曝光程度相同。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述曝光光源為平面狀光源，所述光源垂直照射在基板上，使所述基板上的光刻膠的曝光程度相同。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述曝光光源包括:白光光源，紫外光源。
10.一種顯示基板的制造方法，包括利用光刻膠通過構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成器件圖形，以及對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行去除的步驟，其特征在于，所述對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行去除的步驟包括如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的光刻月父去除方法。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述利用光刻膠通過構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成器件圖形，包括: 在所述襯底基板上形成所述器件的材料膜層； 在所述器件的材料膜層上形成光刻膠膜層； 對(duì)所述光刻膠膜層進(jìn)行掩膜曝光、顯影，除去一部分光刻膠，剩余所述構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠，并露出所述材料膜層的一部分；對(duì)所述材料膜層的一部分進(jìn)行刻蝕，形成所述器件圖形。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述顯示基板為薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括薄膜晶體管、像素電極、柵線以及數(shù)據(jù)線； 所述器件圖形為所述薄膜晶體管中的柵極、有源層、源漏電極、所述像素電極、所述柵線或所述數(shù)據(jù)線的圖形。
13.—種曝光裝置,包括曝光光源，其特征在于，所述曝光光源包括掩膜曝光光源和光刻膠去除曝光光源，其中，所述掩膜曝光光源用于在利用掩膜版對(duì)基板上的膜層進(jìn)行掩膜曝光處理時(shí)對(duì)所述膜層進(jìn)行照射；所述光刻膠去除曝光光源用于在利用權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述方法對(duì)構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行去除時(shí)對(duì)所述構(gòu)圖工藝處理后的基板上的光刻膠進(jìn)行照射。
【文檔編號(hào)】H01L21/027GK103472694SQ201310446586
【公開日】2013年12月25日 申請(qǐng)日期:2013年9月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月26日
【發(fā)明者】張治超, 郭總杰, 劉正 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司