外圍溝槽傳感器陣列封裝的制作方法
【專利摘要】外圍溝槽傳感器陣列封裝的一個實施例可以包括減薄襯底器件，減薄襯底器件包括在所述器件的邊緣附近形成的可以被配置為比減薄襯底器件的中央部分薄的外圍溝槽。外圍溝槽可以包括可以耦連到包括在減薄襯底器件中的電元件的接合焊盤。減薄襯底器件可以被附著到核心層，核心層又可以支撐一個或多個樹脂層。核心層和樹脂層可以形成印刷電路板裝配件、柔性電纜裝配件或獨立模塊。
【專利說明】外圍溝槽傳感器陣列封裝
【技術(shù)領域】
[0001]所描述的實施例一般地涉及電子模塊，更具體地說，涉及包括具有外圍邊緣溝槽的減薄襯底(thinned substrate)的電子模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]集成電路早已成為許多電子設計的中流砥柱。包括特定應用集成電路(ASIC)JI場可編程門陣列和傳感器的許多產(chǎn)品，諸如處理器、存儲器、定制電子設計，使用集成電路器件技術(shù)來制造這些產(chǎn)品。集成電路技術(shù)可以批量地生產(chǎn)器件，該生產(chǎn)通常在一般被稱為晶片(wafer)的襯底上進行?？蓮木蛛x各個單獨器件，以形成包括該器件的管芯。
[0003]典型的晶片厚度可介于500到750微米之間。對于一些應用，可能需要更小的厚度，所以晶片可被減薄以減少相關器件的最終厚度。由于傳統(tǒng)的安裝方法可能要使用相對大的體積，所以安裝減薄器件可能是有問題的，通過使用減薄襯底器件而獲得的任何尺寸優(yōu)勢會被失去。此外，安裝方法需要在不增加過多厚度的情況下高效地提供向減薄器件以及從減薄器件耦合電力和信號的方法。
[0004]因此，需要一種用于支撐和安裝減薄襯底器件并向減薄器件以及從減薄器件耦合電力和信號的具有高空間效率的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本文描述涉及減薄襯底器件和被配置來支撐減薄襯底器件的模塊的各種實施例。
[0006]用于減薄器件的電路模塊可以包括核心層、包括中央?yún)^(qū)域和至少一個外圍邊緣溝槽的減薄襯底器件，所述至少一個外圍邊緣溝槽比中央?yún)^(qū)域薄，并且可以包括接合焊盤(bond pad)。減薄襯底器件可以被接合到核心層。第一樹脂層可以靠近減薄襯底器件被放置在核心層上，并可以具有與減薄襯底器件的頂表面在一個平面上的表面。第二樹脂層可以在減薄襯底器件的相反側(cè)被放置在核心層上。焊盤層可以被設置在第二樹脂層上。
[0007]在另一個實施例中，用于形成減薄襯底的模塊的方法可以包括以下步驟:接收減薄襯底器件，將所述器件接合到核心層，將樹脂層靠近減薄襯底器件而放置在核心層上以使得樹脂層的一個表面與減薄襯底器件的表面在一個平面上，將外圍溝槽區(qū)域上的接合焊盤耦連到第一層上的導電跡線，將第二層放置在核心層上與減薄襯底器件相反的一側(cè)，以及將導電跡線耦連到電接觸部。
[0008]在另一個實施例中，低剖面(low-profile)電路模塊可以包括具有中央?yún)^(qū)域和至少一個外圍溝槽區(qū)域的減薄襯底器件，所述至少一個外圍溝槽比中央?yún)^(qū)域薄，并且包括接合焊盤。電路模塊可以進一步包括具有被配置為在尺寸和形狀上與減薄襯底器件相符合的階梯狀開口的支撐襯底。支撐襯底可以包括與外圍溝槽區(qū)域耦連的表面。通孔可以將外圍溝槽區(qū)域上的接合焊盤耦連到導電跡線。
[0009]通過下面結(jié)合附圖的詳細描述，本發(fā)明的其他方面和優(yōu)點將變得明晰。附圖通過示例的方式描述了所描述的實施例的原理。【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]通過下面結(jié)合附圖的詳細描述，實施例將很容易地被理解，附圖中，相同的標號表示相同的結(jié)構(gòu)元件。
[0011]圖1是示出了根據(jù)說明書中所描述的一個實施例的減薄器件的頂視圖的簡化示意圖。
[0012]圖2示出了減薄器件的側(cè)視圖。
[0013]圖3是安裝在腔體內(nèi)的減薄器件的剖視圖。
[0014]圖4是安裝在腔體內(nèi)的減薄器件的另一個實施例的剖視圖。
[0015]圖5是減薄器件模塊的一個實施例的剖視圖。
[0016]圖6是減薄器件模塊的另一個實施例的剖視圖。
[0017]圖7是減薄器件模塊的又一個實施例的剖視圖。
[0018]圖8是低剖面的減薄器件模塊的剖視圖。
[0019]圖9是用于減薄襯底器件電路模塊的方法步驟的流程圖900。
【具體實施方式】
[0020]本節(jié)中描述了根據(jù)本申請的方法和裝置的代表性應用。提供這些示例僅為了增加上下文并輔助對所描述的實施例的理解。因此，對本領域的技術(shù)人員來說明顯的是，所描述的實施例可以在沒有一些或所有這些特定細節(jié)的情況下實踐。在其他情況下，沒有詳細描述公知的工藝步驟，以避免不必要地模糊所描述的實施例。其他應用是可能的，因此下面的示例不應該被理解為限制。
[0021]在下面的詳細描述中，參考了附圖，這些附圖構(gòu)成了描述的一部分，并且在附圖中以說明的方式示出了根據(jù)所描述的實施例的特定實施例。雖然足夠詳細地描述了這些實施例，以使本領域的技術(shù)人員可以實踐所描述的實施例，但應當理解的是，這些實施例并非限制；因此，也可以使用其他的實施例，并且可以在不脫離所描述的實施例的精神和范圍的情況下做出變型。
[0022]使用眾所周知的集成電路技術(shù)而制造的電器件是在晶片上生產(chǎn)的，晶片厚度通常介于500到750微米之間。對于一些應用，這可能是過厚的，電器件可被減薄以提供更理想的厚度。然而，安裝減薄的器件可能是有問題的，而且當使用傳統(tǒng)的印刷電路板安裝技術(shù)時，由減薄襯底而來的任何體積收益可能會失去。
[0023]空間效率更高的減薄襯底方案的一個方法在減薄襯底器件的邊緣附近形成一個或多個外圍溝槽區(qū)域。外圍溝槽區(qū)域可以比減薄器件的其他區(qū)域薄，并可以容納可提供到減薄器件和來自減薄器件的電連接的接合焊盤(bond pad)。減薄器件然后可以被安裝在樹脂層的疊層內(nèi)，樹脂層的疊層可以支撐可耦連到外圍溝槽區(qū)域中的接合焊盤的導電元件，諸如跡線。
[0024]圖1是示出了根據(jù)說明書中所描述的一個實施例的減薄的器件102的頂視圖的簡化示意圖100。減薄器件102可以是形成在襯底上的諸如傳感器或集成電路的電部件，襯底稍后可以被減薄。普通的襯底可以是硅和砷化鎵，然而任何其他技術(shù)上可行的襯底都可以被使用。減薄器件102可以包括中央?yún)^(qū)域106。中央?yún)^(qū)域106可以構(gòu)成減薄器件102的大部分區(qū)域。減薄器件102也可以包括一個或多個外圍溝槽區(qū)域104。所示的減薄器件102包括設置在減薄器件102的邊緣上的四個外圍溝槽區(qū)域104。外圍溝槽區(qū)域可以是相對于減薄襯底102的其他區(qū)域在高度上較低的襯底區(qū)域。
[0025]如圖1所示，中央?yún)^(qū)域106可以包括接合焊盤110。接合焊盤110可以被耦連到減薄器件102內(nèi)的電節(jié)點和電路來控制與包括在中央?yún)^(qū)域106中的電路的電力和數(shù)據(jù)傳送。外圍溝槽區(qū)域104可以被用來將外部信號耦合到減薄器件102以及從減薄器件102耦合外部信號。在一個實施例中，諸如激光焊盤114的焊盤可以被設置到外圍溝槽區(qū)域104上。激光焊盤114可以被用來將來自諸如其他印刷電路或柔性電路板的其他源的信號耦合到減薄器件102。如圖所示，接合焊盤110可以相對接近激光焊盤114，并允許接合跡線116相對垂直于外圍溝槽區(qū)域104而被布線。在其他實施例中，接合跡線116可以穿越中央?yún)^(qū)域106和/或外圍溝槽區(qū)域104，來將接合焊盤110耦連到激光焊盤114。
[0026]減薄器件102還可以包括設置在外圍溝槽區(qū)域104中的導線接合焊盤112。類似于激光焊盤114，導線接合焊盤112可以通過接合跡線116來將信號耦合到減薄器件102以及從減薄器件102耦合信號。如圖所示，接合跡線116可以相對垂直地被布線；然而，在其他實施例中，接合跡線116也可以以任何技術(shù)上可行的角度穿越中央?yún)^(qū)域106和外圍溝槽區(qū)域104。
[0027]圖2示出了減薄器件102的側(cè)視圖200。更清楚地示出了接合跡線116在外圍溝槽區(qū)域104與中央?yún)^(qū)域106之間穿越。外圍溝槽區(qū)域104可以被以任何在技術(shù)上可行的方法來形成。在一個實施例中，外圍溝槽區(qū)域可以以深反應離子蝕刻(DRIE)來形成。側(cè)視圖200可以更清楚地說明外圍溝槽區(qū)域104與中央?yún)^(qū)域106之間的高度差。這個高度差可以有利地被用于支撐減薄器件102，同時還將信號耦合到減薄器件102以及從減薄器件102耦合信號。
[0028]圖3是安裝在腔體內(nèi)的減薄器件102的剖視圖300。在一個實施例中，腔體可以被形成在印刷電路板(PCB) 310內(nèi)。腔體可以通過將減薄器件102附著(attach)到第一層，并接著在減薄器件102周圍布置一個或多個層而形成。在這個示例中，減薄器件102用粘接劑304被耦連到核心層302。
[0029]在一個實施例中，另一個層可以被布置為鄰近核心層302，以使得該附加層的至少一個表面可以與減薄器件102的頂部在一個平面上。在其他實施例中，多于一個的層可以被設置在核心層302之上。返回到圖3，第一層306和第二層308被設置在核心層302之上。如圖所示，第二層308被配置以使得第二層308的一個表面與減薄器件102的頂部在一個平面上。這些層可以由樹脂、樹脂復合材料、印刷電路板的預浸潰(預浸料坯)材料或任何其他技術(shù)上可行的材料組成。
[0030]第一層306和第二層308可以包括設置在每個層的每個表面上的導電層。導電跡線可以形成在導電層上，導電層又可以將電力和信號傳送到減薄硅片102以及從減薄硅片102傳送電力和信號。激光通孔320可以被形成并可以接觸激光焊盤114。激光通孔320可以將激光焊盤114耦連到導電跡線322，從而將信號從激光通孔320路由到印刷電路板310上的其他位置。導電跡線和跡線層可以是銅、鋁、錫或任何其他導電材料。任何技術(shù)上可行的技術(shù)可以被用來將激光焊盤114、導線接合焊盤112 (未示出)或包括在減薄器件102中的其他接觸部放置、布線以及耦連到印刷電路板310中的其他區(qū)域。如圖所示，附加層可以鄰近核心層302的第二側(cè)而布置。導電跡線層也可以被設置在這些附加層的表面上。
[0031]由于減薄器件102有利地是貼附在PCB310內(nèi)，因此電信號可以容易地耦合到諸如激光焊盤114的適當?shù)慕雍虾副P。在一個實施例中，PCB310可以是剛性PCB、剛?cè)峤Y(jié)合PCB、柔性PCB或任何其他技術(shù)上可行的疊層結(jié)構(gòu)?？梢愿鶕?jù)需要使用公知的PCB制造技術(shù)來添加附加的樹脂層。在這個示例中，示出了附加層被設置為鄰近核心層302的(相對于第一和第二層306和308的)相反側(cè)。
[0032]圖4是安裝在腔體內(nèi)的減薄器件102的另一個實施例的剖視圖400。圖4所示的裝配件的構(gòu)造基本上與圖3的類似，其中減薄器件102用粘接劑304接合到核心302。此外，可以用粘接劑404將蓋402附著在減薄器件102之上。在一個實施例中，蓋402可以是透明的、相對透明的、或半透明的。透明的蓋402可以允許中央?yún)^(qū)域106至少部分地暴露在環(huán)境中，當減薄器件102是傳感器時，這會是有用的配置。
[0033]圖5是減薄器件模塊510的一個實施例的剖視圖500。減薄器件102可以被布置為與諸如樹脂層的一個或多個層配合以形成模塊，該模塊又可以被安裝到PCB或其他適當?shù)囊r底。在其他實施例中，減薄器件102可以如上所描述地被安裝在PCB內(nèi)。層可以由樹月旨、樹脂復合物、預浸料坯或任何其他技術(shù)上可行的材料組成。如前面所描述的，減薄器件102已經(jīng)用粘接劑304安裝到核心層302。減薄器件102可以包括一個或多個外圍邊緣溝槽區(qū)域104，外圍邊緣溝槽區(qū)域104又可以包括用溝槽跡線116耦連到減薄器件102內(nèi)的電元件的諸如激光接合焊盤114的接合焊盤。諸如第一層306和第二層308的附加層可以被設置在核心層302之上，以使得一個層(在本例中是第二層308)可以被配置為使得至少一個表面與減薄器件102的頂部基本在一個平面上。諸如第三層506和第四層508的附加層可以鄰近核心層302的第二側(cè)。
[0034]在一個實施例中，減薄器件模塊510可以包括設置在任何層的任何表面之上的導電材料?？梢允褂脤щ姴牧蟻硇纬煽梢员慌渲脕韺㈦娦盘柡碗娏魉偷綔p薄器件102以及從減薄器件102傳送電信號和電力的跡線或跡線層。減薄器件模塊510可以包括通孔，諸如激光通孔320，其可以被配置來將設置在外圍溝槽區(qū)域104上的接合焊盤耦連到導電跡線322或跡線層。通孔還可以被用來將信號從第一跡線或跡線層耦合到第二跡線或跡線層。例如，如果減薄器件模塊510被配置為使得導電跡線或跡線層只是放置在外表面上(兩導電層的設計)，則穿透式通孔512可以被用來在外表面之間耦連跡線或跡線層。另選地，如果減薄器件模塊510包括多于兩個的導電層(多層設計)，則其他類型的通孔可以被用來耦連導電跡線或跡線層。例如，堆疊的微通孔514、堆疊的激光通孔、隱藏通孔或任何其他可行的技術(shù)可以被用來在導電元件之間耦合信號。
[0035]圖6是減薄器件模塊510的另一個實施例的剖視圖600。在這個實施例中，可以用粘接劑404將透明的蓋402附著到減薄器件模塊510。形成連接盤網(wǎng)格陣列(land gridarray>602的諸如焊盤的一個或多個電接觸部可以被設置在外表面上。連接盤網(wǎng)格陣列焊盤602可以被耦連到一個或多個導電層或跡線，該一個或多個導電層或跡線被進一步耦連到設置在外圍溝槽區(qū)域104上的接合焊盤。在另一個實施例中，導電球604可以被設置在外表面上以形成電接觸部。導電球604可以是金屬球或覆蓋有導電涂層或外殼的樹脂球。在又一個實施例中，導電球604可以是芯片級封裝(CSP)球。在又一個實施例中，導電球604可以是導電接觸凸塊。在一個實施例中，重分布(redistribution)層606可以被用來將特定的信號路由到特定的焊盤602或球604。雖然重分布層606被示出為外層，其可以被實現(xiàn)在減薄器件模塊510內(nèi)的任何其他層上。
[0036]圖7是減薄器件模塊510的又一個實施例的剖視圖700。在這個實施例中，腔體706可以形成在外圍溝槽區(qū)域104附近的區(qū)域中。在腔體706中，接合導線702可以將諸如激光接合焊盤114的接合焊盤耦連到導電層704。在圖7所示的例子中，導電層704被設置在核心層302的第一側(cè)上，但在其他實施例中，接合導線702可以將接合焊盤114耦連到減薄器件模塊510內(nèi)的任何層。在接合導線702被附著到激光接合焊盤114和導電層704之后，腔體706可以被以諸如環(huán)氧樹脂、熱固性樹脂、熱塑性材料或硅的任何技術(shù)上合適的填充料來填充。導電層704可以如之前在圖5和圖6中描述的通過通孔而被耦連到任何其他導電層。雖然未示出，但是蓋402也可以附著到減薄器件模塊510的這個實施例中。
[0037]圖8是低剖面的減薄器件模塊810的剖視圖800。減薄器件102可以貼附到形成在襯底802中的開口。在一個實施例中，襯底802可以是柔性電纜、剛?cè)峤Y(jié)合電纜、單層或多層PCB或者任何其他技術(shù)上合適的襯底。開口可以在尺寸和形狀上與減薄器件102基本相符合。在一個實施例中，襯底802的表面804可以被配置來接觸并貼附到減薄器件102的外圍溝槽區(qū)域104。通孔806可以將外圍溝槽104上的接合焊盤耦連到一個或多個導電層808。在一些實施例中，諸如導電球604或連接盤圖案(land pattern)(未示出)的電接觸部可以被設置在襯底802的一個表面上來為減薄器件102提供電接觸。在一個實施例中，襯底802可以被配置為具有與減薄器件102類似的厚度。這樣的布置可以為減薄器件102提供低剖面的安裝方案，該安裝方案在豎直空間有限的情況下可能是有用的。
[0038]圖9是用于減薄襯底器件電路模塊的方法步驟的流程圖900。本領域的技術(shù)人員會理解，被配置來以任何順序執(zhí)行這些方法步驟的任何系統(tǒng)都落入該描述的范圍。該方法可以在步驟902開始，在步驟902中接收減薄襯底器件102。在步驟904中，可以將減薄襯底器件102接合到或附著到核心層302。在一個實施例中，可以用粘接劑304將減薄襯底器件102附著到核心層。在步驟906中，將第一樹脂層設置在核心層302的第一側(cè)之上并圍繞減薄襯底器件102。在一個實施例中，第一樹脂層可以包括可以與減薄器件102的上表面基本在一個平面上的第一表面。在步驟908中，可以在減薄襯底器件102包括的接合焊盤與一個或多個導電層之間形成電連接。在一個實施例中，可以使用通孔來將接合焊盤耦連到所述一個或多個導電層。在步驟910中，可以緊鄰核心層302的第二側(cè)來設置第二樹脂層。在步驟912中，可以將所述一個或多個導電層上的信號耦合到一個或多個電接觸部。
[0039]所描述的實施例的各個方面、實施例、實施方式或特征可以被單獨使用或以任何組合使用。所描述的實施例的各個方面可以由軟件、硬件或硬件和軟件的組合來實施。所描述的實施例還可以被具體實現(xiàn)為用于控制制造操作的計算機可讀介質(zhì)上的計算機可讀代碼，或者被具體實現(xiàn)為用于控制制造線的計算機可讀介質(zhì)上的計算機可讀代碼。計算機可讀介質(zhì)是可以存儲其后可以由計算機系統(tǒng)讀取的數(shù)據(jù)的任何數(shù)據(jù)存儲設備。計算機可讀介質(zhì)的示例包括只讀存儲器、隨機存取存儲器、CD-ROM、HDD、DVD、磁帶和光學數(shù)據(jù)存儲設備。計算機可讀介質(zhì)也可以分布在網(wǎng)絡耦合的計算機系統(tǒng)上，以使得計算機可讀代碼以分布式方式來存儲和執(zhí)行。
[0040]出于解釋的目的，前面的描述使用了特定的術(shù)語來提供對所描述的實施例的透徹理解。然而，對本領域的技術(shù)人員來說明顯的是，為了實踐所描述的實施例，不需要這些特定的細節(jié)。因此，給出前面的特定實施例的描述是出于說明和描述的目的。它們并非旨在窮舉或?qū)⑺枋龅膶嵤├拗茷樗_的精確形式。對本領域的普通技術(shù)人員明顯的是，根據(jù)上述教導，許多修改和變型是可能的。
【權(quán)利要求】
1.一種電路模塊,包括: 核心層； 包括至少一個電子部件的減薄襯底器件，其中所述減薄襯底包括中央?yún)^(qū)域和被配置為比中央?yún)^(qū)域薄且包括至少一個接合焊盤的至少一個外圍邊緣溝槽區(qū)域，所述減薄襯底被耦連到核心層的第一側(cè)； 被配置為具有與減薄襯底的外圍邊緣溝槽區(qū)域基本在一個平面上的第一表面的第一樹脂層，其中所述第一樹脂層被耦連到核心層的第一側(cè)； 設置在第一樹脂層之上的第二樹脂層，所述第二樹脂層具有與減薄襯底的中央?yún)^(qū)域基本在一個平面上的頂表面；以及 設置在第二樹脂層上并被配置來為所述至少一個接合焊盤提供電接觸的導電跡線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路模塊，進一步包括: 被配置為將所述導電跡線耦連到所述至少一個接合焊盤的通孔； 被配置為將所述導電跡線耦連到位于第二樹脂層的表面上的第二導電跡線的穿透式通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路模塊，其中所述第二導電跡線設置在重分布層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路模塊，進一步包括設置在面朝外的表面上并耦連到所述第二導電跡線的連接盤圖案 。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路模塊，其中所述連接盤圖案用激光通孔耦連到所述第二導電跡線。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路模塊，進一步包括設置在面朝外的表面上的導電球，所述導電球耦連到所述第二導電跡線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路模塊，其中所述導電球通過通孔耦連到所述第二導電跡線。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路模塊，其中所述減薄襯底器件是傳感器。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8的任何一項所述的電路模塊，進一步包括: 鄰近外圍邊緣溝槽區(qū)域設置并從核心層的第一側(cè)延伸到與減薄襯底的中央?yún)^(qū)域基本在一個平面上的區(qū)域的腔體； 將設置在外圍溝槽區(qū)域上的接合焊盤耦連到鄰近核心層的導電跡線的至少一個接合導線；以及 被配置為填充所述腔體并包封所述至少一個接合導線的填充材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路模塊，進一步包括設置在面朝外的表面上并耦連到鄰近核心層的第二導電跡線的導電球。
11.一種用于形成具有減薄襯底器件的減薄襯底電路模塊的方法，所述減薄襯底器件包括至少一個外圍溝槽區(qū)域，所述方法包括: 將減薄襯底器件接合到核心層的第一側(cè)； 將第一樹脂層緊鄰核心層的第一側(cè)設置，其中第一樹脂層的頂表面與減薄襯底器件的表面基本在一個平面上； 將設置在所述至少一個外圍溝槽區(qū)域上的接合焊盤通過通孔耦連到設置在第一樹脂層的表面上的第一導電跡線；將第二樹脂層緊鄰核心層的第二側(cè)設置，其中第二樹脂層的一個表面是外表面；以及 將第一導電跡線耦連到設置在第二樹脂層的外表面上的電接觸部。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中將第一導電跡線耦連到電接觸部包括: 在第二樹脂層中形成通孔； 以連接盤網(wǎng)格圖案形成電接觸部；并且其中 將第一導電跡線耦連到電接觸部包括將第一導電跡線耦連 到導電球。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，進一步包括:在核心層的第一側(cè)與第一樹脂層之間設置第三樹脂層。
14.根據(jù)權(quán)利要求11-13中的任何一項所述的方法，進一步包括:在減薄襯底上形成透明的蓋。
15.一種用于支撐減薄器件的低剖面電路模塊，所述模塊包括: 包括至少一個電子部件的減薄襯底器件，其中減薄襯底包括中央?yún)^(qū)域和被配置為比中央?yún)^(qū)域薄且包括至少一個接合焊盤的至少一個外圍邊緣溝槽區(qū)域； 包括第一層的支撐襯底，第一層包括被配置為在尺寸和形狀上與減薄襯底器件相符合的階梯狀開口，其中所述至少一個外圍邊緣溝槽區(qū)域的表面耦連到階梯狀開口的表面；以及 被配置為將外圍邊緣溝槽區(qū)域上的接合焊盤耦連到設置在支撐襯底的第一表面上的導電跡線的通孔。`
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的模塊，進一步包括將導電跡線耦連到設置在支撐襯底上的電接合焊盤的通孔。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的模塊，其中電接合焊盤進一步包括導電球。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的模塊，其中所述支撐襯底是剛?cè)峤Y(jié)合電纜；并且 所述支撐襯底包括第二表面，該第二表面包括第二導電跡線；其中所述設置在支撐襯底的第一表面上的導電跡線和所述第二導電跡線中的至少之一被形成為連接盤圖案。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的模塊，其中所述階梯狀開口被配置為在尺寸和形狀上與所述減薄襯底器件的中央?yún)^(qū)域相符合。
20.根據(jù)權(quán)利要求15-19中的任何一項所述的模塊，其中所述支撐襯底的厚度基本等于所述減薄器件的厚度。
【文檔編號】H01L23/31GK103715149SQ201310447398
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月27日
【發(fā)明者】S·X·阿諾德, M·E·拉斯特 申請人:蘋果公司