一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明旨在提供一種具有封裝層結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件，該封裝層為交替層疊的有機(jī)阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層，有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺和2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲羅啉中的一種；無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為鋅、鋁、銦單質(zhì)中的一種與二氧化鈦、二氧化鋯和二氧化鉿中的一種按照質(zhì)量比1:9～3:7混合形成的混合物?？捎行У胤乐雇獠克⒀醯然钚晕镔|(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，可延長(zhǎng)有機(jī)電致發(fā)光器件的使用壽命。本發(fā)明還提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，該制備方法工藝簡(jiǎn)單，原料廉價(jià)，易于大面積制備。
【專利說(shuō)明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光器件（0LED)是一種以有機(jī)材料為發(fā)光材料，能把施加的電能轉(zhuǎn)化為 光能的能量轉(zhuǎn)化裝置。它具有超輕薄、自發(fā)光、響應(yīng)快、低功耗等突出性能，在顯示、照明等 領(lǐng)域有著極為廣泛的應(yīng)用前景。
[0003] 有機(jī)電致發(fā)光材料對(duì)氧氣及水汽侵入特別敏感。一方面因?yàn)檠鯕馐谴銣鐒?，?huì) 使發(fā)光的量子效率顯著下降，氧氣對(duì)空穴傳輸層的氧化作用也會(huì)使其傳輸能力下降；另一 方面，水汽會(huì)對(duì)有機(jī)化合物產(chǎn)生水解作用，使其穩(wěn)定性大大下降，從而導(dǎo)致器件失效，縮短 0LED器件的壽命。因此，常常需要對(duì)0LED進(jìn)行封裝保護(hù)處理，使發(fā)光器件與外界環(huán)境隔離， 以防止水分、有害氣體等的侵入，進(jìn)而提高0LED的穩(wěn)定性和使用壽命。
[0004] 對(duì)于柔性0LED產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，若使用傳統(tǒng)的0LED封裝技術(shù)，在器件背部加上封裝蓋 板，會(huì)產(chǎn)生重量大、造價(jià)高、機(jī)械強(qiáng)度差等問(wèn)題，限制了柔性0LED產(chǎn)品的性能發(fā)揮。目前，多 數(shù)柔性0LED的防水氧能力不強(qiáng)，且使用壽命較短，制備工藝復(fù)雜、成本高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明旨在提供一種具有封裝層結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件， 該封裝層結(jié)構(gòu)可有效地減少外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而對(duì)器 件有機(jī)功能材料及電極形成有效的保護(hù)，延長(zhǎng)有機(jī)電致發(fā)光器件的使用壽命。本發(fā)明還提 供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，該制備方法工藝簡(jiǎn)單，原料廉價(jià)，易于大面積制 備。
[0006] 第一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極導(dǎo)電基板、 發(fā)光功能層、陰極和封裝層，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層和電子注入層，其特征在于，所述封裝層為交替層疊的有機(jī)阻擋層和無(wú)機(jī) 阻擋層；
[0007] 所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅、N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯(lián) 苯-4, 4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、4, 4'，4''-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺和 2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉中的一種；
[0008] 所述無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為鋅、鋁、銦單質(zhì)中的一種與二氧化鈦、二氧化鋯和二氧化 鉿中的一種按照質(zhì)量比1:9?3:7混合形成的混合物。
[0009] 在陰極外側(cè)設(shè)置封裝層，封裝層為交替層疊的有機(jī)阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層。
[0010] 優(yōu)選地，封裝層為交替層疊4?6次的有機(jī)阻擋層和無(wú)機(jī)物阻擋層。
[0011] 有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅（CuPc)、N，N'_二苯基-N，N'_二（1-萘基）-1，1'-聯(lián) 苯-4, 4' -二胺（NPB)、8_羥基喹啉鋁（Alq3)、4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基） 三苯胺（m-MTDATA)和2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（BCP)中的一種。
[0012] 優(yōu)選地，有機(jī)阻擋層的厚度為200?300nm。
[0013] 無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為鋅（Zn)、鋁（A1)、銦（In)單質(zhì)中的一種與二氧化鈦（Ti02)、 二氧化鋯（Zr02)和二氧化鉿（Hf02)中的一種按照質(zhì)量比1:9?3:7混合形成的混合物。其 中，二氧化鈦、二氧化鋯或二氧化鉿為主體材料，鋅、鋁或銦單質(zhì)為客體材料。單質(zhì)與氧化物 在有機(jī)阻擋層的表面形成的鹽分子密度增大，結(jié)構(gòu)致密，增強(qiáng)了防水氧能力。
[0014] 無(wú)機(jī)阻擋層中客體材料與主體材料的質(zhì)量比為1:9?3:7。
[0015] 優(yōu)選地，無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為100?150nm。
[0016] 有機(jī)阻擋層表面平整，可以吸收和分散各層間的應(yīng)力，無(wú)機(jī)阻擋層有良好的水氧 阻隔性，通過(guò)有機(jī)與無(wú)機(jī)結(jié)合的方式，能形成性能良好的濕氣隔離層，防止產(chǎn)生裂痕。
[0017] 優(yōu)選地，陽(yáng)極導(dǎo)電基板的材質(zhì)為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)薄膜基板。更優(yōu)選地，陽(yáng) 極導(dǎo)電基板為銦錫氧化物（IT0)。
[0018] 優(yōu)選地，陽(yáng)極導(dǎo)電基板的厚度為100nm。
[0019] 發(fā)光功能層設(shè)置在陽(yáng)極導(dǎo)電基板上。
[0020] 發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子 注入層。
[0021] 優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為M〇03與NPB按照質(zhì)量比3:7混合形成的混合物。
[0022] 優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為10nm。
[0023] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)。
[0024] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為30nm。
[0025] 優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為三（2-苯基吡啶）合銥（Ir(ppy)3)與1，3,5_三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)按照質(zhì)量比5:95混合形成的混合物。
[0026] 優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為20nm。
[0027] 優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)
[0028] 優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為l〇nm。
[0029] 優(yōu)選地，電子注入層的材質(zhì)為疊氮化銫（CsN3)與Bphen按照質(zhì)量比3:7混合形成 的混合物。
[0030] 優(yōu)選地，電子注入層的厚度為20nm。
[0031] 陰極設(shè)置在發(fā)光功能層上。
[0032] 優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為鋁（A1)。
[0033] 優(yōu)選地，陰極的厚度為lOOnm。
[0034] 第二方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0035] S1、提供清潔的陽(yáng)極導(dǎo)電基板，并對(duì)所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板進(jìn)行活化處理；
[0036] S2、在所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板表面真空蒸鍍制備發(fā)光功能層和陰極，所述發(fā)光功能層 包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0037] S3、在所述陰極表面采用真空蒸鍍的方式制備有機(jī)阻擋層，所述有機(jī)阻擋層的材 質(zhì)為酞菁銅、N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、8-羥基喹啉鋁、 4, 4'，4''-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺和2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲 羅啉中的一種；
[0038] S4、在所述有機(jī)阻擋層表面采用磁控濺射方法制備無(wú)機(jī)阻擋層，所述無(wú)機(jī)阻擋層 的材質(zhì)為鋅、鋁、銦單質(zhì)中的一種與二氧化鈦、二氧化鋯和二氧化鉿中的一種按照質(zhì)量比 1:9?3:7混合形成的混合物，所述磁控濺射條件為加速電壓300?800V，磁場(chǎng)50?200G， 功率密度1?40W/cm2,本底真空度1 X 10_5?1 X 10_3Pa ;
[0039] 最終得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0040] 步驟S1中，通過(guò)對(duì)陽(yáng)極導(dǎo)電基板的清洗，除去陽(yáng)極導(dǎo)電基板表面的有機(jī)污染物。 [0041] 具體地，陽(yáng)極導(dǎo)電基板的清潔操作為：將陽(yáng)極導(dǎo)電基板依次用丙酮、乙醇、去離子 水、乙醇在超聲波清洗機(jī)中清洗，然后用氮?dú)獯蹈?，烘箱烤干，得到清潔的?yáng)極導(dǎo)電基板。 [0042] 對(duì)洗凈后的陽(yáng)極導(dǎo)電基板進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高 導(dǎo)電層表面的功函數(shù)。
[0043] 優(yōu)選地，陽(yáng)極導(dǎo)電基板的材質(zhì)為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)薄膜基板。更優(yōu)選地，陽(yáng) 極導(dǎo)電基板為銦錫氧化物（IT0)。
[0044] 優(yōu)選地，陽(yáng)極導(dǎo)電基板的厚度為100nm。
[0045] 步驟S2中，發(fā)光功能層通過(guò)真空蒸鍍?cè)O(shè)置在陽(yáng)極導(dǎo)電基板上。
[0046] 優(yōu)選地，真空蒸鍍發(fā)光功能層時(shí)條件為真空度3X l(T5Pa，蒸發(fā)速度 0.1A ?0.2A/s。
[0047] 發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子 注入層。
[0048] 優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為M〇03與NPB按照質(zhì)量比3:7混合形成的混合物。
[0049] 優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為10nm。
[0050] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)。
[0051] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為30nm。
[0052] 優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為三（2-苯基吡啶）合銥（Ir(ppy)3)與1，3,5_三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)按照質(zhì)量比5:95混合形成的混合物。
[0053] 優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為20nm。
[0054] 優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)
[0055] 優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為l〇nm。
[0056] 優(yōu)選地，電子注入層的材質(zhì)為疊氮化銫（CsN3)與Bphen按照質(zhì)量比3:7混合形成 的混合物。
[0057] 優(yōu)選地，電子注入層的厚度為20nm。
[0058] 陰極通過(guò)真空蒸鍍?cè)O(shè)置在發(fā)光功能層上。
[0059] 優(yōu)選地，真空蒸鍍陰極時(shí)條件為真空度3X l(T5Pa，蒸發(fā)速度5A/S。
[0060] 優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為鋁（A1)。
[0061] 優(yōu)選地，陰極的厚度為l〇〇nm。
[0062] 步驟S3中，有機(jī)阻擋層通過(guò)真空蒸鍍?cè)O(shè)置在陰極表面。
[0063] 采用真空蒸鍍的方式制備有機(jī)阻擋層。優(yōu)選地，制備工藝條件為真空度 1 X 10_5Pa ?1 X 10_3Pa，蒸發(fā)速度0.5A?5A/S。
[0064] 有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅、N，N'_二苯基_N，N'_二（1-萘基聯(lián) 苯-4, 4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、4, 4'，4'' -三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺和 2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉中的一種。
[0065] 優(yōu)選地，有機(jī)阻擋層的厚度為200?300nm。
[0066] 步驟S4中，無(wú)機(jī)阻擋層采用磁控濺射方法設(shè)置在有機(jī)阻擋層表面。
[0067] 磁控濺射制備混合阻擋層時(shí)條件為加速電壓300?800V，磁場(chǎng)50?200G，功率密 度1?40W/cm2,本底真空度1 X 1(T5?1 X l(T3Pa。
[0068] 無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為鋅、鋁、銦單質(zhì)中的一種與二氧化鈦、二氧化鋯和二氧化鉿中 的一種按照質(zhì)量比1:9?3:7混合形成的混合物。其中，二氧化鈦、二氧化鋯或二氧化鉿為 主體材料，鋅、鋁或銦單質(zhì)為客體材料。
[0069] 無(wú)機(jī)阻擋層中客體材料與主體材料的質(zhì)量比為1:9?3:7。
[0070] 優(yōu)選地，無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為100?150nm。
[0071] 優(yōu)選地，封裝層為交替層疊4?6次的有機(jī)阻擋層和無(wú)機(jī)物阻擋層。
[0072] 本發(fā)明具有如下有益效果：
[0073] (1)本發(fā)明提供的一種具有封裝層結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件，可有效地防止外部 水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，具有較好的密封性和較長(zhǎng)的使用壽命。
[0074] (2)本發(fā)明提出的0LED器件封裝層結(jié)構(gòu)適用于以玻璃基底制備的0LED器件以及 塑料或金屬為基底制備的柔性0LED器件，該技術(shù)特別適用于柔性0LED器件的應(yīng)用。
[0075] (3)本發(fā)明提供的一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，該制備方法工藝簡(jiǎn)單，原料 廉價(jià)，易于大面積制備。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0076] 為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0077] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例6提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)圖。

【具體實(shí)施方式】
[0078] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0079] 實(shí)施例1 :
[0080] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，通過(guò)以下操作步驟制得：
[0081] ( 1)提供清潔的陽(yáng)極導(dǎo)電基板：
[0082] 將IT0玻璃基板依次用丙酮、乙醇、去離子水、乙醇在超聲波清洗機(jī)中清洗，單項(xiàng) 洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，烘箱烤干待用；?duì)洗凈后的IT0玻璃進(jìn)行表面活化處理； IT0厚度為100nm ;
[0083] (2)在IT0玻璃基板上真空蒸鍍發(fā)光功能層：
[0084] 具體地，發(fā)光功能層包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注 入層；
[0085] 空穴注入層的制備：將M〇03與NPB按照質(zhì)量比3:7混合得到的混合物作為空穴注 入層的材質(zhì)，厚度l〇nm，真空度3 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度〇.丨A/s;
[0086] 空穴傳輸層的制備：采用4, 4'，4' 三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)作為空穴傳輸 材料，真空度3 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度〇.丨A/s,蒸發(fā)厚度30nm ;
[0087] 發(fā)光層的制備：采用Ir (ppy)3與TPBi按照質(zhì)量比5:95混合形成的混合物作為發(fā) 光層的材質(zhì)，真空度3X l(T5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S，蒸發(fā)厚度20nm ;
[0088] 電子傳輸層的制備：蒸鍍一層4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)作為電子傳輸 材料，真空度3 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度〇.丨A/s，蒸發(fā)厚度l〇nm ;
[0089] 電子注入層的制備：將CsN3與Bphen按照質(zhì)量比3:7混合形成的混合物作為電子 注入層的材質(zhì)，真空度3X l(T5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S，蒸發(fā)厚度20nm ;
[0090] (3)在發(fā)光功能層表面制備陰極：
[0091] 金屬陰極采用鋁（A1)，厚度為lOOnm，真空度3Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度5A/S;
[0092] (4)在陰極外側(cè)制備封裝層：
[0093] 封裝層為交替層疊6次的有機(jī)阻擋層和無(wú)機(jī)物阻擋層；
[0094] 有機(jī)阻擋層的制作：采用真空蒸鍍的方式在陰極上制備一層CuPc，真空度 1 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度 5 A /S,厚度 300nm ;
[0095] 無(wú)機(jī)阻擋層的制作：將Zn與Ti02按照質(zhì)量比1:4混合形成的混合物作為無(wú)機(jī)阻 擋層的材質(zhì)，采用磁控濺射方法制作，加速電壓450V，磁場(chǎng)150G，功率密度25W/cm2,本底真 空度 lX10_5Pa，厚度 150nm ;
[0096] 最終制得有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0097] 實(shí)施例2 :
[0098] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，通過(guò)以下操作步驟制得：
[0099] (1)、（2)、（3)同實(shí)施例 1 ;
[0100] (4)在陰極外側(cè)制備封裝層：
[0101] 封裝層為交替層疊6次的有機(jī)阻擋層和無(wú)機(jī)物阻擋層；
[0102] 有機(jī)阻擋層的制作：采用真空蒸鍍的方式在陰極上制備一層NPB，真空度 5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度 2 A /S,厚度 250nm ;
[0103] 無(wú)機(jī)阻擋層的制作：將A1與Zr02按照質(zhì)量比3:7混合形成的混合物作為無(wú)機(jī)阻 擋層的材質(zhì)，采用磁控濺射方法制作，加速電壓300V，磁場(chǎng)200G，功率密度lW/cm2,本底真空 度 1 X 10 5Pa，厚度 150nm ;
[0104] 最終制得有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0105] 實(shí)施例3 :
[0106] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，通過(guò)以下操作步驟制得：
[0107] (1)、（2)、（3)同實(shí)施例 1 ;
[0108] (4)在陰極外側(cè)制備封裝層：
[0109] 封裝層為交替層疊6次的有機(jī)阻擋層和無(wú)機(jī)物阻擋層；
[0110] 有機(jī)阻擋層的制作：采用真空蒸鍍的方式在陰極上制備一層Alq3，真空度 5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度〇.5人/S,厚度200nm ;
[0111] 無(wú)機(jī)阻擋層的制作：將In與Hf02按照質(zhì)量比1:9混合形成的混合物作為無(wú)機(jī)阻 擋層的材質(zhì)，采用磁控濺射方法制作，加速電壓800V，磁場(chǎng)50G，功率密度40W/cm2,本底真空 度 5 X 10 5Pa，厚度 100nm ;
[0112] 最終制得有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0113] 實(shí)施例4:
[0114] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，通過(guò)以下操作步驟制得：
[0115] (1)、（2)、（3)同實(shí)施例 1 ;
[0116] (4)在陰極外側(cè)制備封裝層：
[0117] 封裝層為交替層疊5次的有機(jī)阻擋層和無(wú)機(jī)物阻擋層；
[0118] 有機(jī)阻擋層的制作：采用真空蒸鍍的方式在陰極上制備一層m-MTDATA，真空度 5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度 2 A /S，厚度 250nm ;
[0119] 無(wú)機(jī)阻擋層的制作：將Zn與Hf02按照質(zhì)量比1:4混合形成的混合物作為無(wú)機(jī)阻 擋層的材質(zhì)，采用磁控濺射方法制作，加速電壓600V，磁場(chǎng)120G，功率密度15W/cm2,本底真 空度 5X10_5Pa，厚度 120nm;
[0120] 最終制得有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0121] 實(shí)施例5:
[0122] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，通過(guò)以下操作步驟制得：
[0123] (1)、（2)、（3)同實(shí)施例 1 ;
[0124] (4)在陰極外側(cè)制備封裝層：
[0125] 封裝層為交替層疊5次的有機(jī)阻擋層和無(wú)機(jī)物阻擋層；
[0126] 有機(jī)阻擋層的制作：采用真空蒸鍍的方式在陰極上制備一層BCP，真空度 5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度 1 A /S,厚度 250nm ;
[0127] 無(wú)機(jī)阻擋層的制作：將A1與Hf02按照質(zhì)量比3:17混合形成的混合物作為無(wú)機(jī)阻 擋層的材質(zhì)，采用磁控濺射方法制作，加速電壓450V，磁場(chǎng)150G，功率密度25W/cm2,本底真 空度 5X10_5Pa，厚度 130nm;
[0128] 最終制得有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0129] 實(shí)施例6
[0130] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，通過(guò)以下操作步驟制得：
[0131] (1)、（2)、（3)同實(shí)施例 1 ;
[0132] (4)在陰極外側(cè)制備封裝層：
[0133] 封裝層為交替層疊4次的有機(jī)阻擋層和無(wú)機(jī)物阻擋層；
[0134] 有機(jī)阻擋層的制作：采用真空蒸鍍的方式在陰極上制備一層CuPc，真空度 1 X 10_3Pa，蒸發(fā)速度2 A /S，厚度 250nm ;
[0135] 無(wú)機(jī)阻擋層的制作：將In與Hf02按照質(zhì)量比3:17混合形成的混合物作為無(wú)機(jī)阻 擋層的材質(zhì)，采用磁控濺射方法制作，加速電壓450V，磁場(chǎng)150G，功率密度25W/cm2,本底真 空度 lX10_3Pa，厚度 120nm ;
[0136] 最終制得有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0137] 圖1是本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該有機(jī)電致發(fā) 光器件的結(jié)構(gòu)包括依次層疊的陽(yáng)極導(dǎo)電基板10、發(fā)光功能層20、陰極30、封裝層40 (包括 有機(jī)阻擋層401、無(wú)機(jī)阻擋層402、有機(jī)阻擋層403、無(wú)機(jī)阻擋層404、有機(jī)阻擋層405、無(wú)機(jī)阻 擋層406、有機(jī)阻擋層407、無(wú)機(jī)阻擋層408)。
[0138] 效果實(shí)施例
[0139] 采用Ca膜電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率（WVTR)，并測(cè)試 有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命（T70@1000cd/m2)，從初始亮度lOOOcd/m2衰減到70%所需的時(shí)間。 本發(fā)明實(shí)施例1?6制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的WVTR和壽命如表1所示。從表中可以看 出，WVTR均保持在l(T4g/(m2 ? day)數(shù)量級(jí)，最低可達(dá)到5. 4X l(T4g/(m2 ? day)，可以滿足柔 性0LED的實(shí)用要求。有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命時(shí)間最長(zhǎng)可達(dá)到4711小時(shí)。這說(shuō)明，本發(fā) 明制備的具有封裝層結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件可有效地防止外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī) 電致發(fā)光器件的侵蝕，具有較好的密封性和較長(zhǎng)的使用壽命。
[0140] 表 1
[0141]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極導(dǎo)電基板、發(fā)光功能層、陰極和封裝 層，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子 注入層，其特征在于，所述封裝層為交替層疊的有機(jī)阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層； 所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅、N，N'_二苯基-N，N'_二（1-萘基）-l，r-聯(lián) 苯-4, 4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、4, 4'，4''-三（Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺和 2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉中的一種； 所述無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為鋅、鋁、銦單質(zhì)中的一種與二氧化鈦、二氧化鋯和二氧化鉿中 的一種按照質(zhì)量比1:9?3:7混合形成的混合物。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝層為交替層疊4?6 次的有機(jī)阻擋層和無(wú)機(jī)物阻擋層。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)阻擋層的厚度為 200 ?300nm〇
4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為 100 ?150nm。
5. -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 51、 提供清潔的陽(yáng)極導(dǎo)電基板，并對(duì)所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板進(jìn)行活化處理； 52、 在所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板表面真空蒸鍍制備發(fā)光功能層和陰極，所述發(fā)光功能層包括 依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層； 53、 在所述陰極表面采用真空蒸鍍的方式制備有機(jī)阻擋層，所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì) 為酞菁銅、Ν，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、 4, 4'，4''-三（Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺和2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲 羅啉中的一種； 54、 在所述有機(jī)阻擋層表面采用磁控濺射方法制備無(wú)機(jī)阻擋層，所述無(wú)機(jī)阻擋層的材 質(zhì)為鋅、鋁、銦單質(zhì)中的一種與二氧化鈦、二氧化鋯和二氧化鉿中的一種按照質(zhì)量比1:9? 3:7混合形成的混合物，所述磁控濺射條件為加速電壓300?800V，磁場(chǎng)50?200G，功率密 度1?40W/cm 2,本底真空度I X KT5?I X KT3Pa ; 最終得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
6. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述有機(jī)阻擋層 制備工藝條件為真空度I X KT5Pa?I X KT3Pa,蒸發(fā)速度0.5A?5A/S。
7. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述封裝層為交 替層疊4?6次的有機(jī)阻擋層和無(wú)機(jī)物阻擋層。
8. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述有機(jī)阻擋層 的厚度為200?300nm。
9. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述無(wú)機(jī)阻擋層 的厚度為100?150nm。
【文檔編號(hào)】H01L51/54GK104518132SQ201310449545
【公開(kāi)日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 張振華 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司