發(fā)光二極管的制造方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管的制造方法，包括如下步驟：提供導(dǎo)線架，所述導(dǎo)線架包括基板以及嵌設(shè)在基板內(nèi)的多個間隔設(shè)置的電極結(jié)構(gòu)；在所述基板的一側(cè)表面形成環(huán)繞所述電極結(jié)構(gòu)的多個收容框，每個收容框在基板的表面圍成一個片區(qū)；提供多個發(fā)光二極管芯片，并將所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置在所述收容框圍成的片區(qū)內(nèi)且分別電性連接至收容框內(nèi)的電極結(jié)構(gòu)；分別在各個所述收容框圍成的所述片區(qū)內(nèi)形成覆蓋發(fā)光二極管芯片的熒光層；快速固化熒光層后，沿各個片區(qū)的邊緣切割所述收容框、熒光層及基板形成多個單個的發(fā)光二極管。
【專利說明】發(fā)光二極管的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體的制造方法，特別涉及一種發(fā)光二極管的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有的發(fā)光二極管的制造方法通常包括：提供一基板，并在該基板上形成電極結(jié) 構(gòu)；提供發(fā)光二極管芯片，并將所述發(fā)光二極管芯片電性連接至所述電極結(jié)構(gòu)；提供一模 具，并將所述模具的模穴與所述電極結(jié)構(gòu)相對應(yīng)；在所述模具的模穴內(nèi)填充形成覆蓋發(fā)光 二極管芯片的熒光膠；待所述熒光膠固化后，移除所述模具形成發(fā)光二極管。
[0003] 然而，所述熒光膠與所述模具直接接觸，導(dǎo)致熒光膠易于黏連在所述模具的表面。 因此，在移除模具時，部分熒光膠隨著模具一起被移除，從而導(dǎo)致熒光膠分布不均，進而影 響發(fā)光二極管的發(fā)光效果。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，有必要提供一種出光效果好的發(fā)光二極管的制造方法。
[0005] -種發(fā)光二極管的制造方法，包括如下步驟： 提供導(dǎo)線架，所述導(dǎo)線架包括基板以及嵌設(shè)在基板內(nèi)的多個間隔設(shè)置的電極結(jié)構(gòu)； 在所述基板的一側(cè)表面形成環(huán)繞所述電極結(jié)構(gòu)的多個收容框，每個收容框在基板的表 面圍成一個片區(qū)； 提供多個發(fā)光二極管芯片，并將所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置在所述收容框圍成的片區(qū)內(nèi) 且分別電性連接至收容框內(nèi)的電極結(jié)構(gòu)； 分別在各個所述收容框圍成的片區(qū)內(nèi)形成覆蓋發(fā)光二極管芯片的熒光層； 快速固化熒光層后，沿各個片區(qū)的邊緣切割所述收容框、熒光層及基板形成多個單個 的發(fā)光二極管。
[0006] 與傳統(tǒng)的技術(shù)相比，本發(fā)明的發(fā)光二極管的制造方法中，由于并未采用向模具的 模穴內(nèi)注入膠體的方式形成熒光層，從而避免了熒光膠易于黏連至模具表面而導(dǎo)致形成的 熒光層各處分布不均的問題，進而提高了發(fā)光二極管的發(fā)光效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007] 圖1為本發(fā)明的發(fā)光二極管制造方法的步驟流程示意圖。
[0008] 圖2至圖8為本發(fā)明的發(fā)光二極管制造方法的制造步驟示意圖。
[0009] 主要元件符號說明

【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光二極管的制造方法，包括如下步驟： 51 :提供導(dǎo)線架，所述導(dǎo)線架包括基板以及嵌設(shè)在基板內(nèi)的多個間隔設(shè)置的電極結(jié) 構(gòu)； 52 :在所述基板的一側(cè)表面形成環(huán)繞所述電極結(jié)構(gòu)的多個收容框，每個收容框在基板 的表面圍成一個片區(qū)； 53 :提供多個發(fā)光二極管芯片，并將所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置在所述收容框圍成的片 區(qū)內(nèi)且分別電性連接至收容框內(nèi)的電極結(jié)構(gòu)； 54 :分別在各個所述收容框圍成的所述片區(qū)內(nèi)形成覆蓋發(fā)光二極管芯片的熒光層； 55 :快速固化熒光層后，沿各個片區(qū)的邊緣切割所述收容框、熒光層及基板形成多個單 個的發(fā)光二極管。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述多個收容框相互間 隔設(shè)置。
3. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述收容框為一內(nèi)空的 框體，其包括二長邊及自該二長邊延伸形成的二短邊，相鄰的收容框之間通過收容框的長 邊或短邊直接連接。
4. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述收容框的長邊的高 度等于所述收容框短邊的高度，且均大于所述發(fā)光二極管芯片的厚度。
5. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：在步驟S5中，所述熒光 層采用烘烤的方式固化。
6. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述熒光層固化后，其表 面中部凹陷形成一凹杯，且所述凹杯的最大深度與所述熒光層的最大高度之間的比值小于 0? 03。
7. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述電極結(jié)構(gòu)包括一第 一電極以及一第二電極，所述第一電極的上表面及第二電極的上表面均與所述基板的上表 面平齊且外露于所述基板的上表面，所述第一電極的下表面與第二電極的下表面均與所述 基板的下表面平齊且外露于所述基板的下表面。
8. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：在步驟S4中，所述熒光 層采用印刷的方式形成。
9. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述基板內(nèi)的電極結(jié)構(gòu) 的數(shù)目為18個，所述收容框的數(shù)目為3個，所述收容框內(nèi)收容的電極結(jié)構(gòu)的數(shù)目為6個。
10. 如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述電極結(jié)構(gòu)沿著基板 的縱向排列成3排，每一排的電極結(jié)構(gòu)的數(shù)目為6個，所述收容框沿著基板的縱向排列成1 排。
【文檔編號】H01L33/50GK104518071SQ201310450496
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2013年9月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月29日
【發(fā)明者】林厚德, 葉輔湘, 張超雄, 陳濱全, 陳隆欣 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司