一種基于板級(jí)功能基板的封裝工藝及封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種基于板級(jí)功能基板的封裝工藝及封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝工藝其包括，形成次級(jí)封裝組件；自所述次級(jí)封裝組件的第一主面和第二主面對(duì)應(yīng)所述凸點(diǎn)進(jìn)行盲孔開(kāi)窗口并鉆盲孔至所述凸點(diǎn)處；在所述次級(jí)封裝組件上開(kāi)設(shè)通孔，所述通孔貫穿所述次級(jí)封裝組件；在所述盲孔以及所述通孔內(nèi)進(jìn)行化金屬作為種子層，然后進(jìn)行填孔電鍍；進(jìn)行第一外層線路層的制作。本發(fā)明在一定程度上解決了該封裝技術(shù)在后期量產(chǎn)中所預(yù)期遇到的問(wèn)題，進(jìn)一步推進(jìn)了該技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。
【專利說(shuō)明】一種基于板級(jí)功能基板的封裝工藝及封裝結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種基于板級(jí)功能基板的封裝工藝及其封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著信息技術(shù)的不斷發(fā)展，手機(jī)和各種電子產(chǎn)品越來(lái)越向輕薄短小的方向發(fā)展，手機(jī)電腦的性能越來(lái)越高，體積變得越來(lái)越小，對(duì)芯片和器件的集成度要求也越來(lái)越高。隨著大規(guī)模集成電路的不斷發(fā)展和革新，線寬已經(jīng)接近22納米，集成度達(dá)到空前的水平。對(duì)于技術(shù)和設(shè)備的要求也達(dá)到了一個(gè)全新的高度。線寬進(jìn)一步變小的難度越來(lái)越大，技術(shù)和設(shè)備的加工能力的提升難度更大，技術(shù)和設(shè)備水平的發(fā)展趨于減緩。
[0003]這種情況下，3D高密度封裝受產(chǎn)業(yè)界廣泛的重視，一個(gè)器件中的芯片不再是一個(gè)，而是多個(gè)，并且不再是只在一層排列，而是堆疊成三維高密度微組裝芯片。芯片三維堆疊有效減少了器件的三維尺寸，芯片間的堆疊方式也在不斷的改進(jìn)。從FLIP CHIP到硅基TSV(Through Silicon Via)通孔互聯(lián)技術(shù),器件的三維尺寸變得越來(lái)越小。封裝工藝也從原來(lái)的鍵合、貼片、塑封，演變成引入前段工藝的RDL、Flip Chip、晶圓鍵合、TSV等等關(guān)鍵工藝技術(shù)，使得更芯片密度更大、尺寸更小的封裝結(jié)構(gòu)不斷涌現(xiàn)。
[0004]現(xiàn)有的電路板和有機(jī)封裝基板的制造方法中，在有機(jī)基板埋入有源器件芯片并不是適用于所有的芯片，一方面受到其芯片本身功能上限制，另外還有一個(gè)重要的原因是現(xiàn)有的很多芯片上結(jié)構(gòu)不能很好的兼容其基板工藝，比如有源埋入的器件要求其pad的材料是金或銅，而現(xiàn)有的芯片多數(shù)是打線用的Al凸點(diǎn)，而Al凸點(diǎn)上盲孔制作以及后續(xù)的化銅電鍍等工藝均不能在基板線中的開(kāi)展制作。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本部分的目的在于概述本發(fā)明的實(shí)施例的一些方面以及簡(jiǎn)要介紹一些較佳實(shí)施例。在本部分以及本申請(qǐng)的說(shuō)明書(shū)摘要和發(fā)明名稱中可能會(huì)做些簡(jiǎn)化或省略以避免使本部分、說(shuō)明書(shū)摘要和發(fā)明名稱的目的模糊，而這種簡(jiǎn)化或省略不能用于限制本發(fā)明的范圍。
[0006]鑒于上述和/或現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝中存在的問(wèn)題，提出了本發(fā)明。
[0007]因此，本發(fā)明的目的是提出一種基于板級(jí)功能基板的封裝工藝，解決目前芯片的制作工藝與功能基板的制作工藝不兼容的問(wèn)題。
[0008]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案:一種基于板級(jí)功能基板的封裝工藝，包括，提供兩個(gè)初級(jí)封裝組件，每個(gè)初級(jí)封裝組件其一側(cè)形成有單面線路圖形，所述單面線路圖形包括凸點(diǎn)，且與待封裝的芯片的主側(cè)的圖形位置相對(duì)應(yīng)，所述芯片的主側(cè)安裝于所述凸點(diǎn)上；將兩個(gè)初級(jí)封裝組件相向的壓合形成次級(jí)封裝組件，壓合后兩個(gè)初級(jí)封裝組件中的兩個(gè)有機(jī)基板夾持安裝于所述有機(jī)基板上的芯片，所述次級(jí)封裝組件具有第一主面和與第一主面相對(duì)的第二主面；自所述次級(jí)封裝組件的第一主面和第二主面對(duì)應(yīng)所述凸點(diǎn)進(jìn)行盲孔開(kāi)窗口并鉆盲孔至所述凸點(diǎn)處；在所述次級(jí)封裝組件上開(kāi)設(shè)通孔，所述通孔貫穿所述次級(jí)封裝組件；在所述盲孔以及所述通孔內(nèi)進(jìn)行化金屬作為種子層，然后進(jìn)行填孔電鍍；進(jìn)行第一外層線路層的制作。
[0009]作為本發(fā)明所述基于板級(jí)功能基板的封裝工藝的一種優(yōu)選方案，其中:所述提供兩個(gè)初級(jí)封裝組件，其中每個(gè)初級(jí)封裝組件的制作工藝包括，提供一有機(jī)基板；在所述有機(jī)基板一側(cè)形成單面線路圖形，所述單面線路圖形包括凸點(diǎn)，且與待封裝的芯片的主側(cè)的圖形位置相對(duì)應(yīng)；將所述芯片的主側(cè)的與所述凸點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的圖形位置通過(guò)導(dǎo)電材料黏結(jié)安裝于所述凸點(diǎn)上，并填充所述有機(jī)基板一側(cè)的單面線路圖形與所述芯片的主側(cè)之間的空隙得到初級(jí)封裝組件。
[0010]作為本發(fā)明所述基于板級(jí)功能基板的封裝工藝的一種優(yōu)選方案，其中:在進(jìn)行第一外層線路層的制作后，還包括，在所述第一外層線路層的兩個(gè)表面進(jìn)行外層線路介質(zhì)層的壓合；在外層線路介質(zhì)層進(jìn)行介質(zhì)層盲孔的制作；進(jìn)行外層線路介質(zhì)層的介質(zhì)層盲孔填孔電鍍；進(jìn)行第二外層線路層的制作。
[0011]作為本發(fā)明所述基于板級(jí)功能基板的封裝工藝的一種優(yōu)選方案，其中:在進(jìn)行第二外層線路層的制作后，還包括，在所述第二外層線路層進(jìn)行外層阻焊層的制作；進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球。
[0012]作為本發(fā)明所述基于板級(jí)功能基板的封裝工藝的一種優(yōu)選方案，其中:所述有機(jī)基板包括有機(jī)層以及夾持所述有機(jī)層的分別位于所述有機(jī)層的兩個(gè)金屬層，在有機(jī)基板一側(cè)形成單面線路圖形之前，其還包括，對(duì)所述有機(jī)基板的兩個(gè)金屬層進(jìn)行增金屬工藝，使得增金屬后所述有機(jī)基板的兩個(gè)金屬層增厚。
[0013]作為本發(fā)明所述基于板級(jí)功能基板的封裝工藝的一種優(yōu)選方案，其中:所述將兩個(gè)初級(jí)封裝組件相向的壓合形成次級(jí)封裝組件后，其還包括，將所述次級(jí)封裝組件的第一主面和第二主面上的金屬進(jìn)行減薄。
[0014]作為本發(fā)明所述基于板級(jí)功能基板的封裝工藝的一種優(yōu)選方案，其中:所述在所述次級(jí)封裝組件上開(kāi)設(shè)通孔后，其還包括，蝕刻所述次級(jí)封裝組件的第一主面和第二主面上的金屬。
[0015]本發(fā)明的另目的是提供一種新型封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)中均采用了基板中應(yīng)用的常規(guī)的材料進(jìn)行制作，具有更好的可靠性以及材料兼容性。
[0016]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案:一種封裝結(jié)構(gòu)，包括，次級(jí)封裝組件，所述次級(jí)封裝組件包括兩個(gè)相對(duì)壓合的初級(jí)封裝組件，所述初級(jí)封裝組件包括有機(jī)基板以及安裝于所述有機(jī)基板一側(cè)的單面線路圖形上的芯片；盲孔，所述盲孔自所述次級(jí)封裝組件的第一主面和第二主面對(duì)應(yīng)的凸點(diǎn)進(jìn)行設(shè)置且所述盲孔內(nèi)填充有第一電鍍介質(zhì)，所述有機(jī)基板一側(cè)的單面線路圖形包括所述凸點(diǎn)；通孔，所述通孔貫穿所述次級(jí)封裝組件且所述通孔內(nèi)填充有第一電鍍介質(zhì)；第一外層線路層，所述第一外層線路層能夠進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球。
[0017]作為本發(fā)明所述封裝結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，其中:該封裝結(jié)構(gòu)還包括，外層線路介質(zhì)層，所述外層線路介質(zhì)層壓合在所述第一外層線路層的兩個(gè)表面上；介質(zhì)層盲孔，所述介質(zhì)層盲孔設(shè)置于所述外層線路介質(zhì)層且所述介質(zhì)層盲孔內(nèi)填充有第二電鍍介質(zhì)；第二外層線路層，所述第二外層線路層能夠進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球。
[0018]作為本發(fā)明所述封裝結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，其中:該封裝結(jié)構(gòu)還包括，阻焊層，所述阻焊層設(shè)置于所述第二外層線路層上。
[0019]本發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言主要優(yōu)勢(shì)有以下幾點(diǎn):
[0020](I)可以適用于除功能限制之外的所有的芯片的埋入，能夠更大范圍的應(yīng)用于有源埋芯片的埋入，同時(shí)該工藝方法能夠更好與現(xiàn)在的晶圓制作工藝相兼容；
[0021](2)該方案采用了多層多芯片的功能基板制作技術(shù)，更好的滿足了系統(tǒng)微型化，集成化等要求；
[0022](3)在該封裝結(jié)構(gòu)中均采用了基板中應(yīng)用的常規(guī)的材料進(jìn)行制作，具有更好的可靠性以及材料兼容性；
[0023](4)基于有機(jī)基板工藝開(kāi)展的埋入技術(shù)具有成本低，可適用于大規(guī)模生產(chǎn)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。其中:
[0025]圖1?圖12為本發(fā)明所述一種基于板級(jí)功能基板的封裝工藝的各步驟得到的產(chǎn)品的不意圖；
[0026]圖13為本發(fā)明中的基于板級(jí)功能基板的封裝工藝在一個(gè)實(shí)施方式中的流程示意圖；
[0027]圖14為本發(fā)明中的基于板級(jí)功能基板的封裝工藝在另一個(gè)實(shí)施方式中的流程示意圖；
[0028]圖15為本發(fā)明中的基于板級(jí)功能基板的封裝工藝在再一個(gè)實(shí)施方式中的流程示意圖；
[0029]同時(shí)，其中，
[0030]圖6為本發(fā)明所述基于板級(jí)功能基板的封裝工藝制作的封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的剖面示意圖；
[0031]圖10為本發(fā)明所述基于板級(jí)功能基板的封裝工藝制作的封裝結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的剖面示意圖；
[0032]圖11為本發(fā)明所述基于板級(jí)功能基板的封裝工藝制作的封裝結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例的剖面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說(shuō)明。
[0034]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。
[0035]其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0036]本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式中提出了一種基于板級(jí)功能基板的封裝工藝700，請(qǐng)參考圖13所示，該封裝工藝包括如下步驟:
[0037]步驟710，如圖1f所示，并參見(jiàn)圖1，在這一事實(shí)方式中，首先需要提供兩個(gè)初級(jí)封裝組件，每個(gè)初級(jí)封裝組件其一側(cè)形成有單面線路圖形，所述單面線路圖形包括凸點(diǎn)103，且與待封裝的芯片102的主側(cè)的圖形位置相對(duì)應(yīng)，所述芯片102的主側(cè)M安裝于所述凸點(diǎn)103 上。
[0038]步驟720，如圖1所示，將兩個(gè)初級(jí)封裝組件相向的壓合形成次級(jí)封裝組件100，壓合后兩個(gè)初級(jí)封裝組件中的兩個(gè)有機(jī)基板101夾持安裝于所述有機(jī)基板101上的芯片102，所述次級(jí)封裝組件100具有第一主面SI和與第一主面SI相對(duì)的第二主面S2。
[0039]具體的，參見(jiàn)圖1a?圖1f以及圖1，所述次級(jí)封裝組件100的形成方法包括:
[0040]步驟一，結(jié)合圖1c和圖ld，在有機(jī)基板101—側(cè)形成單面線路圖形，所述單面線路圖形包括凸點(diǎn)103，且與待封裝的芯片102的主側(cè)M的圖形位置相對(duì)應(yīng)。這一實(shí)施方式是基于有機(jī)基板101上的金屬層厚度足夠，例如，所述金屬層的厚度能夠滿足在有機(jī)基板101 —側(cè)形成單面線路圖形，那么，可以直接在所述有機(jī)基板101的一側(cè)形成單面線路圖形，以安裝芯片102。
[0041]在另一個(gè)實(shí)施方式中，若有機(jī)基板101上的金屬層厚度不足以形成所需的單面線路圖形，那么，如圖1 a所示，本實(shí)施例中所采用的有機(jī)基板IOI可以為雙面覆銅芯(Cor e )板或者是半固化片和銅箔壓合形成的雙面覆銅板。然后，參見(jiàn)圖lb，圖1b為對(duì)雙面覆銅芯(Core)板或者是半固化片和銅箔壓合形成的雙面覆銅板進(jìn)行雙面的全板電鍍，電鍍的厚度能夠滿足在有機(jī)基板101 —側(cè)形成單面線路圖形，并且要求具有比較好的均勻性。如圖1a和圖1b所示，圖1b相對(duì)于圖la，所述有機(jī)基板101進(jìn)行增金屬工藝后，覆金屬層明顯加厚。
[0042]步驟二，結(jié)合圖1d?圖1f，將所述芯片102的主側(cè)M的與所述凸點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的圖形位置通過(guò)導(dǎo)電材料黏結(jié)安裝于所述凸點(diǎn)上，并填充所述有機(jī)基板101 —側(cè)的單面線路圖形與所述芯片102的主側(cè)M之間的空隙得到初級(jí)封裝組件。具體為，如圖1d所示，先在凸點(diǎn)103上印刷或以其他的方式制作導(dǎo)電的介質(zhì)膠104，然后，如圖1e所示，將芯片102倒扣到有機(jī)基板101上的凸點(diǎn)103上，即將所述芯片102的主側(cè)M的與所述凸點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的圖形位置通過(guò)導(dǎo)電材料黏結(jié)安裝于所述單面線路圖形上，此處所述通過(guò)導(dǎo)電材料黏結(jié)安裝于所述單面線路圖形上，可以通過(guò)導(dǎo)電的介質(zhì)膠膠合或通過(guò)具有導(dǎo)電性能的材質(zhì)焊接或粘接于所述單面線路圖形上，進(jìn)行固化等處理將芯片102粘結(jié)到有機(jī)基板101的凸點(diǎn)103上，最后，如圖1f所示，應(yīng)用其有機(jī)基板101的底部填充劑105，如塞孔樹(shù)脂或其他的底部填充劑(underfill)，將芯片102的下方(即有機(jī)基板101 —側(cè)的單面線路圖形與芯片102的主側(cè)M之間的空隙)進(jìn)行填充。
[0043]步驟三，結(jié)合圖1，將將兩個(gè)初級(jí)封裝組件相向的壓合形成次級(jí)封裝組件100。具體為，將同樣的初級(jí)封裝組件應(yīng)用半固化片或ABF (Ajinomoto BondFilm)板等進(jìn)行壓合，并且要求其上下兩層的芯片102能都完好的對(duì)準(zhǔn)，精度控制在后續(xù)的加工能力范圍之內(nèi)。
[0044]步驟730，如圖2和圖3所示，自所述次級(jí)封裝組件100的第一主面SI和第二主面S2對(duì)應(yīng)所述凸點(diǎn)103進(jìn)行盲孔開(kāi)窗口 201并鉆盲孔202至所述凸點(diǎn)103處。這一實(shí)施方式是基于次級(jí)封裝組件100上的金屬層厚度在所需要的范圍之內(nèi)，一般金屬層厚度需要在2.5 μ m?3.5 μ m之間。此時(shí)，先對(duì)應(yīng)有機(jī)基板101上的凸點(diǎn)103的位置通過(guò)激光為盲孔開(kāi)窗口 201，如圖2所示。然后，參見(jiàn)圖3，在其開(kāi)窗口 201的位置應(yīng)用激光鉆孔機(jī)鉆盲孔202至凸點(diǎn)103層。
[0045]在另一個(gè)實(shí)施方式中，若次級(jí)封裝組件100上的金屬層厚度超出所需要的范圍，那么，如圖2a所示，將所述次級(jí)封裝組件100的第一主面SI和第二主面S2上的金屬進(jìn)行減薄。然后，再自所述次級(jí)封裝組件100的第一主面SI和第二主面S2對(duì)應(yīng)所述凸點(diǎn)103進(jìn)行盲孔開(kāi)窗口 201并鉆盲孔202至所述凸點(diǎn)103處，參見(jiàn)圖2和圖3。如圖2a和圖1所示，圖2a相對(duì)于圖1，所述次級(jí)封裝組件100進(jìn)行減薄工藝后，覆金屬層明顯變薄。
[0046]步驟740，如圖4所示，在所述次級(jí)封裝組件100上開(kāi)設(shè)通孔301，所述通孔301貫穿所述次級(jí)封裝組件100。具體為，應(yīng)用機(jī)械鉆孔機(jī)鉆穿所述次級(jí)封裝組件100的第一主面SI和第二主面S2得到通孔301。
[0047]步驟750，如圖5a和圖5b所示，在所述盲孔202以及所述通孔301內(nèi)進(jìn)行化金屬作為種子層，然后進(jìn)行填孔電鍍。
[0048]這一工藝過(guò)程包括兩步:
[0049]第一步，刻蝕掉所述次級(jí)封裝組件100上的金屬層。也即在所述盲孔202以及所述通孔301內(nèi)進(jìn)行化金屬作為種子層，如圖5a所示。
[0050]第二步，參見(jiàn)圖5a和圖5b，將所述盲孔202以及所述通孔301內(nèi)非導(dǎo)電的基材上，通過(guò)金屬化處理來(lái)完成雙面或多層印制線路板各層間導(dǎo)線的連接，即通過(guò)PTH (platedthrough hole，鍍通孔工藝)進(jìn)行填孔電鍍。填孔電鍍后，盲孔202以及通孔301內(nèi)皆填充有第一電鍍介質(zhì)401。
[0051]步驟760，如圖6所示，進(jìn)行第一外層線路層的制作。形成能夠進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球的第一外層線路層。
[0052]本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中提出了另一種基于板級(jí)功能基板的封裝工藝800，請(qǐng)參考圖14所示，該封裝工藝除了包括了上一實(shí)施方式封裝工藝700外還包括如下步驟:
[0053]步驟810，如圖7所示，在所述第一外層線路層的兩個(gè)表面進(jìn)行外層線路介質(zhì)層501的壓合。具體為，應(yīng)用半固化片或ABF (Ajinomoto Bond Film)板等進(jìn)行壓合。
[0054]步驟820，如圖8所示，在外層線路介質(zhì)層501進(jìn)行介質(zhì)層盲孔601的制作。具體為，通過(guò)激光鉆外層線路介質(zhì)層501的介質(zhì)層盲孔601。結(jié)合圖5a和圖5b，所述介質(zhì)層盲孔601與所述盲孔202內(nèi)的電鍍介質(zhì)401相連通。
[0055]步驟830，如圖9所示，進(jìn)行外層線路介質(zhì)層501的介質(zhì)層盲孔601填孔電鍍。填孔電鍍后，參見(jiàn)圖8，介質(zhì)層盲孔601內(nèi)以及外層線路介質(zhì)層501表面上皆填充有第二電鍍介質(zhì)701。
[0056]步驟840，如圖10所示，進(jìn)行第二外層線路層的制作。形成能夠進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球的第二外層線路層。
[0057]本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中提出了另一種基于板級(jí)功能基板的封裝工藝900，請(qǐng)參考圖15所示，該封裝工藝除了包括了上一實(shí)施方式封裝工藝700以及封裝工藝800外還包括如下步驟:
[0058]步驟910，如圖11所示，在所述第二外層線路層進(jìn)行外層阻焊層801的制作。具體為，進(jìn)行外層阻焊層801綠油的制作，該綠油可以為油墨也可以為干膜型的綠油阻焊。[0059]步驟920，如圖12所示，進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球。即進(jìn)行微組裝，以上述步驟制作的功能基板作為封裝基板進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球等。
[0060]第一實(shí)施例，通過(guò)封裝工藝700制作的封裝結(jié)構(gòu)，參見(jiàn)圖6并結(jié)合圖1?圖5，該封裝結(jié)構(gòu)包括了次級(jí)封裝組件100、盲孔202、通孔301以及第一外層線路層，而次級(jí)封裝組件100包括兩個(gè)相對(duì)壓合的初級(jí)封裝組件，所述初級(jí)封裝組件包括有機(jī)基板101以及安裝于所述有機(jī)基板101 —側(cè)的單面線路圖形上的芯片102 ;所述盲孔202自所述次級(jí)封裝組件100的第一主面SI和第二主面S2對(duì)應(yīng)的凸點(diǎn)103進(jìn)行設(shè)置且所述盲孔202內(nèi)填充有第一電鍍介質(zhì)401，所述有機(jī)基板101 —側(cè)的單面線路圖形包括所述凸點(diǎn)103 ;所述通孔301貫穿所述次級(jí)封裝組件100且所述通孔301內(nèi)填充有第一電鍍介質(zhì)401，同時(shí)第一電鍍介質(zhì)401覆蓋所述次級(jí)封裝組件100的第一主面SI和第二主面S2 ;所述第一外層線路層能夠進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球。
[0061]第二實(shí)施例，通過(guò)封裝工藝700和封裝工藝800制作的封裝結(jié)構(gòu)，參見(jiàn)圖10并結(jié)合圖1?圖9，該封裝結(jié)構(gòu)除了包括根據(jù)封裝工藝700制作的相應(yīng)封裝結(jié)構(gòu)外，還包括，外層線路介質(zhì)層501、介質(zhì)層盲孔601以及第二外層線路層，所述外層線路介質(zhì)層501壓合在所述第一外層線路層的兩個(gè)表面上；所述介質(zhì)層盲孔601設(shè)置于所述外層線路介質(zhì)層501且所述介質(zhì)層盲孔601內(nèi)以及外層線路介質(zhì)層501表面上皆填充有第二電鍍介質(zhì)701 ;所述第二外層線路層能夠進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球。
[0062]第三實(shí)施例，通過(guò)封裝工藝700、封裝工藝800以及封裝工藝900制作的封裝結(jié)構(gòu)，參見(jiàn)圖11并結(jié)合圖1?圖12，該封裝結(jié)構(gòu)除了包括根據(jù)封裝工藝700和封裝工藝800制作的相應(yīng)封裝結(jié)構(gòu)外，還包括，阻焊層801，所述阻焊層801設(shè)置于所述第二外層線路層上。
[0063]不難看出，本發(fā)明主要是解決了目前芯片的制作工藝與功能基板的制作工藝不兼容的問(wèn)題。在有機(jī)基板埋入有源器件芯片并不是適用于所有的芯片，一方面受到其芯片本身功能上限制，另外還有一個(gè)重要的原因是現(xiàn)有的很多芯片上結(jié)構(gòu)不能很好的兼容其基板工藝，比如有源埋入的器件要求其pad的材料是金或銅，而現(xiàn)有的芯片多數(shù)是打線用的凸點(diǎn)，而凸點(diǎn)上盲孔制作以及后續(xù)的化銅電鍍等工藝均不能在基板線中的開(kāi)展制作，而本發(fā)明則是針對(duì)這樣的限制而發(fā)明的一種結(jié)構(gòu)和工藝方法，具有簡(jiǎn)單可行以及一定意義上可以使用于所有的芯片等特點(diǎn)。
[0064]應(yīng)說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
【權(quán)利要求】
1.一種基于板級(jí)功能基板的封裝工藝，其特征在于:包括， 提供兩個(gè)初級(jí)封裝組件，每個(gè)初級(jí)封裝組件其一側(cè)形成有單面線路圖形，所述單面線路圖形包括凸點(diǎn)，且與待封裝的芯片的主側(cè)的圖形位置相對(duì)應(yīng)，所述芯片的主側(cè)安裝于所述凸點(diǎn)上； 將兩個(gè)初級(jí)封裝組件相向的壓合形成次級(jí)封裝組件，壓合后兩個(gè)初級(jí)封裝組件中的兩個(gè)有機(jī)基板夾持安裝于所述有機(jī)基板上的芯片，所述次級(jí)封裝組件具有第一主面和與第一主面相對(duì)的第二主面； 自所述次級(jí)封裝組件的第一主面和第二主面對(duì)應(yīng)所述凸點(diǎn)進(jìn)行盲孔開(kāi)窗口并鉆盲孔至所述凸點(diǎn)處； 在所述次級(jí)封裝組件上開(kāi)設(shè)通孔，所述通孔貫穿所述次級(jí)封裝組件； 在所述盲孔以及所述通孔內(nèi)進(jìn)行化金屬作為種子層，然后進(jìn)行填孔電鍍； 進(jìn)行第一外層線路層的制作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于板級(jí)功能基板的封裝工藝，其特征在于:所述提供兩個(gè)初級(jí)封裝組件，其中每個(gè)初級(jí)封裝組件的制作工藝包括， 提供一有機(jī)基板； 在所述有機(jī)基板一側(cè)形成單面線路圖形，所述單面線路圖形包括凸點(diǎn)，且與待封裝的芯片的主側(cè)的圖形位置相對(duì)應(yīng)； 將所述芯片的主側(cè)的與所述凸點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的圖形位置通過(guò)導(dǎo)電材料黏結(jié)安裝于所述凸點(diǎn)上，并填充所述有機(jī)基板一側(cè)的單面線路圖形與所述芯片的主側(cè)之間的空隙得到初級(jí)封裝組件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于板級(jí)功能基板的封裝工藝，其特征在于:在進(jìn)行第一外層線路層的制作后，還包括， 在所述第一外層線路層的兩個(gè)表面進(jìn)行外層線路介質(zhì)層的壓合； 在外層線路介質(zhì)層進(jìn)行介質(zhì)層盲孔的制作； 進(jìn)行外層線路介質(zhì)層的介質(zhì)層盲孔填孔電鍍； 進(jìn)行第二外層線路層的制作。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于板級(jí)功能基板的封裝工藝，其特征在于:在進(jìn)行第二外層線路層的制作后，還包括， 在所述第二外層線路層進(jìn)行外層阻焊層的制作； 進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于板級(jí)功能基板的封裝工藝，其特征在于: 所述有機(jī)基板包括有機(jī)層以及夾持所述有機(jī)層的分別位于所述有機(jī)層的兩個(gè)金屬層，在有機(jī)基板一側(cè)形成單面線路圖形之前，其還包括， 對(duì)所述有機(jī)基板的兩個(gè)金屬層進(jìn)行增金屬工藝，使得增金屬后所述有機(jī)基板的兩個(gè)金屬層增厚。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于板級(jí)功能基板的封裝工藝，其特征在于: 所述將兩個(gè)初級(jí)封裝組件相向的壓合形成次級(jí)封裝組件后，其還包括， 將所述次級(jí)封裝組件的第一主面和第二主面上的金屬進(jìn)行減薄。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于板級(jí)功能基板的封裝工藝，其特征在于:所述在所述次級(jí)封裝組件上開(kāi)設(shè)通孔后，其還包括， 蝕刻所述次級(jí)封裝組件的第一主面和第二主面上的金屬。
8.—種封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:包括， 次級(jí)封裝組件，所述次級(jí)封裝組件包括兩個(gè)相對(duì)壓合的初級(jí)封裝組件，所述初級(jí)封裝組件包括有機(jī)基板以及安裝于所述有機(jī)基板一側(cè)的單面線路圖形上的芯片； 盲孔，所述盲孔自所述次級(jí)封裝組件的第一主面和第二主面對(duì)應(yīng)的凸點(diǎn)進(jìn)行設(shè)置且所述盲孔內(nèi)填充有第一電鍍介質(zhì)，所述有機(jī)基板一側(cè)的單面線路圖形包括所述凸點(diǎn)； 通孔，所述通孔貫穿所述次級(jí)封裝組件且所述通孔內(nèi)填充有第一電鍍介質(zhì)； 第一外層線路層，所述第一外層線路層能夠進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:該封裝結(jié)構(gòu)還包括， 外層線路介質(zhì)層，所述外層線路介質(zhì)層壓合在所述第一外層線路層的兩個(gè)表面上；介質(zhì)層盲孔，所述介質(zhì)層盲孔設(shè)置于所述外層線路介質(zhì)層且所述介質(zhì)層盲孔內(nèi)填充有第二電鍍介質(zhì)； 第二外層線路層，所述第二外層線路層能夠進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:該封裝結(jié)構(gòu)還包括， 阻焊層，所述阻焊層設(shè)置于所述第二外層線路層上。
【文檔編號(hào)】H01L21/60GK103646880SQ201310457012
【公開(kāi)日】2014年3月19日 申請(qǐng)日期:2013年9月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月29日
【發(fā)明者】郭學(xué)平, 于中堯, 謝慧琴 申請(qǐng)人:華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司