一種制作半導(dǎo)體器件的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種制作半導(dǎo)體器件的方法，包括下列步驟，提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成墊氧化層和氮化物層；圖案化所述墊氧化層和所述氮化物層，以形成露出所述半導(dǎo)體襯底的開口；根據(jù)所述開口刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，以形成淺溝槽；在所述淺溝槽的底部和側(cè)壁上形成襯墊層；采用回蝕刻工藝處理所述氮化物層，以露出位于所述淺溝槽頂部附近的部分所述墊氧化層；氧化露出的所述墊氧化層。綜上所示，根據(jù)本發(fā)明的制造工藝可以優(yōu)化半導(dǎo)體襯底中淺溝槽的形態(tài)，使得形成的STI的邊角更加的圓化和平滑，以改善由STI邊角區(qū)域的晶體管較早打開后引起的雙峰效應(yīng)（double hump），提高了半導(dǎo)體器件的性能，也有助于半導(dǎo)體器件寬度方向尺寸的減小，也有利于后續(xù)對(duì)淺溝槽的填充。
【專利說明】一種制作半導(dǎo)體器件的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，尤其涉及一種制作半導(dǎo)體器件的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著微電子工藝進(jìn)入深亞微米階段后，為實(shí)現(xiàn)高密度、高性能的大規(guī)模集成電路，半導(dǎo)體器件之間的隔離工藝變得越來越重要?，F(xiàn)有技術(shù)一般采用淺溝槽隔離技術(shù)(STI，Shallow Trench Isolat1n)來實(shí)現(xiàn)有源器件的隔離,如互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件中，NMOS (N型金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管和PMOS (P型金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管之間的隔離層均采用淺溝槽隔離技術(shù)工藝形成。
[0003]淺溝槽隔離技術(shù)已經(jīng)逐漸取代了傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件制造所采用的如局部硅氧化法等其他隔離方法。淺溝槽隔離技術(shù)與其他隔離方法相比具有:可以獲得較窄的半導(dǎo)體器件隔離寬度，從而提高其器件密度，還可以提升表面平坦度，因而可在光刻時(shí)有效控制最小線寬。然而，隨著半導(dǎo)體器件寬度尺寸的不斷縮小，STI的邊角(corner)是影響半導(dǎo)體器件性能的重要因素之一，尤其對(duì)于具有較窄隔離寬度的半導(dǎo)體器件，淺溝槽隔離的淺溝槽邊角(頂部邊角)的圓滑程度與漏電流之間有很強(qiáng)的相關(guān)性，越是圓滑的邊角，越容易阻止漏電流的產(chǎn)生。同時(shí)，淺溝槽頂部邊角的圓滑程度對(duì)周圍的晶體管的性能有很大的影響，STI的形狀決定了器件有源區(qū)的形狀和大小，當(dāng)這些有源區(qū)被加上一定電壓后，在它的邊角部位就會(huì)產(chǎn)生很強(qiáng)的區(qū)域電場(chǎng)，影響和改變晶體管等小器件的工作特性，比如MOS管的雙峰效應(yīng)、反窄溝道效應(yīng)等。因而如何使淺溝槽的頂部邊角更加圓滑，改善淺溝槽隔離的電學(xué)性能表現(xiàn)，從而減少淺溝槽隔離的漏電，是半導(dǎo)體工藝中的一個(gè)重要問題。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中公開了一種制作半導(dǎo)體器件淺溝槽隔離的方法，采用pull-back(回刻蝕)工藝和在STI中形成襯墊層工藝來改善STI的邊角形狀，如圖1所示，為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)制作淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的相關(guān)步驟所獲得的器件的剖視圖。在圖1A中，在提供一具有源區(qū)的半導(dǎo)體襯底100，在所述半導(dǎo)體襯底100上采用熱氧化法形成墊氧化層101，用化學(xué)氣相沉積法在該墊氧化層101上形成氮化硅層102，在氮化硅層102上依次形成電介質(zhì)抗反射涂層(DARC)、圖案化的光刻膠層。根據(jù)圖案化的光刻膠層依次刻蝕電介質(zhì)抗反射涂層、氮化硅層和墊氧化層，然后，采用灰化工藝去除光刻膠層、電介質(zhì)抗反射涂層和硬掩膜層，以形成開口 103，開口 103在氮化硅層102和墊氧化層101中露出半導(dǎo)體襯底100。
[0005]在圖1B中，根據(jù)開口 103刻蝕半導(dǎo)體襯底100，以形成淺溝槽104。刻蝕半導(dǎo)體襯底100氣體可以為溴化氫和三氟甲烷(CHF3)的混合氣體。
[0006]為了使得粗糙的淺溝槽(淺溝槽104)側(cè)壁變得平滑，即STI的頂部的邊角變得圓滑。采用溝道內(nèi)側(cè)壁隔離氧化(liner Oxidat1n)和pull-back (回刻蝕)工藝以改善淺溝槽隔離的邊角形狀。
[0007]在圖1C中，用一掩膜層定義出需要被保護(hù)的區(qū)域，對(duì)不被保護(hù)的區(qū)域進(jìn)行pull-back工藝以改善淺溝槽104的邊角形狀，可以采用磷酸溶液或者稀釋氫氟酸進(jìn)行pull-back工藝。然后,去除所述掩膜層。
[0008]在圖1D中，采用溝道內(nèi)側(cè)壁隔離氧化法在淺溝槽104中形成襯墊層105，其厚度為110 埃。
[0009]隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷升級(jí)換代，淺溝槽隔離的工藝方法也在不斷地改進(jìn)和發(fā)展，當(dāng)大量的晶體管等器件集成到越來越小的芯片上的時(shí)候，需要淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)能很好的把每個(gè)微小的器件絕緣隔離，又不影響這些器件的工作特性。而事實(shí)上晶體管器件對(duì)淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形狀非常敏感，尤其精密的晶體管對(duì)淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形狀更加敏感，很容易產(chǎn)生窄寬效應(yīng)。當(dāng)有源區(qū)被加上一定的電壓之后，在淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的邊角部分就會(huì)產(chǎn)生很強(qiáng)的區(qū)域電場(chǎng)，從而影響和改變相關(guān)晶體管等小器件的工作特性。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)對(duì)淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的邊角的圓化工藝具有局限性，同時(shí)已不能滿足日益發(fā)展的技術(shù)要求。
[0010]因此，提出了一種新的制作淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的方法，使得形成的STI的邊角更加的圓化(rounding)和平滑(smoothly)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0012]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明提出了一種制作半導(dǎo)體器件的方法，包括下列步驟，提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成墊氧化層和氮化物層；圖案化所述墊氧化層和所述氮化物層，以形成露出所述半導(dǎo)體襯底的開口 ；根據(jù)所述開口刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，以形成淺溝槽；在所述淺溝槽的底部和側(cè)壁上形成襯墊層；采用回蝕刻工藝處理所述氮化物層，以露出位于所述淺溝槽頂部附近的部分所述墊氧化層；氧化露出的所述墊氧化層。
[0013]優(yōu)選地，采用濕法氧化工藝執(zhí)行所述氧化步驟。
[0014]優(yōu)選地，所述開口定義了淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)區(qū)域和有源區(qū)域。
[0015]優(yōu)選地，所述回刻蝕工藝和所述濕法氧化工藝均用以改善所述淺溝槽的邊角形狀。
[0016]優(yōu)選地，所述襯墊層為氮氧化硅。
[0017]優(yōu)選地，還包括在所述淺溝槽中填充隔離材料，進(jìn)而形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的步驟。
[0018]綜上所示，根據(jù)本發(fā)明的制造工藝可以優(yōu)化半導(dǎo)體襯底中淺溝槽的形態(tài)，使得形成的STI的邊角更加的圓化和平滑，以改善由STI邊角區(qū)域的晶體管較早打開后引起的雙峰效應(yīng)(double hump),提高了半導(dǎo)體器件的性能,也有助于半導(dǎo)體器件寬度方向尺寸的減小，也有利于后續(xù)對(duì)淺溝槽的填充。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中，
[0020]圖1A-1D為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)制作淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的相關(guān)步驟所獲得的器件的剖視圖；
[0021]圖2A-2E為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式制作淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的相關(guān)步驟所獲得的器件的剖視圖；
[0022]圖3為具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的電流-柵極電壓的特性曲線；
[0023]圖4為具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的開關(guān)損耗的特性曲線；
[0024]圖5為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方式制作淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的工藝流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0025]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0026]為了徹底了解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟，以便說明本發(fā)明是如何改善淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)頂部邊角的圓滑程度，以避免漏電流的產(chǎn)生和減小晶體管對(duì)淺溝槽隔離形狀的敏感度。顯然本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)的描述如下，然而去除這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0027]為了改善淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)頂部邊角的圓滑程度，本發(fā)明提出了一種制作淺溝隔離結(jié)構(gòu)的方法。參照?qǐng)D2A至圖2E，示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的實(shí)施例的相關(guān)步驟的剖視圖。
[0028]如圖2A所示，提供一包括有源區(qū)的半導(dǎo)體硅襯底200，在半導(dǎo)體襯底200上形成墊氧化層201，其主要材料為二氧化硅。該墊氧化層201可通過熱氧化法形成，一般厚度為100?160埃，其主要作為隔離層以保護(hù)有源區(qū)在去除氮化物層時(shí)不受化學(xué)沾污(即作為隔離氧化層)。在墊氧化層201上形成氮化物層302，氮化物層的材料優(yōu)選氮化硅，可以采用爐管沉積方法或者低壓化學(xué)氣相沉積法形成氮化硅層202，其厚度一般為600?1200埃，該氮化物層202主要用于在淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中沉積氧化物過程中保護(hù)有源區(qū)，而且在化學(xué)機(jī)械研磨所填充的氧化硅時(shí)可用作研磨的阻擋材料。墊氧化層201和氮化物層202作為定義STI的掩膜。
[0029]采用光刻工藝在氮化物層202和墊氧化層201上定義出淺溝槽區(qū)域和有源區(qū)區(qū)域，以在氮化物層202和墊氧化層201中形成開口 203。
[0030]在本發(fā)明的一具體實(shí)施例中，在氮化硅層202上形成硬掩膜層，其材料為無定型碳，可以采用化學(xué)氣相沉積、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積來形成無定型碳層，在硬掩膜層上形成電介質(zhì)抗反射涂層(DARC)，其材料為氮氧化硅，可以采用化學(xué)氣沉積的方法制備電介質(zhì)抗反射涂層，沉積形成電介質(zhì)抗反射涂層的目的是為了降低氮化硅層的反射率，在電介質(zhì)抗反射涂層上形成圖案化的光刻膠層。
[0031]根據(jù)圖案化的光刻膠依次刻蝕電介質(zhì)抗反射涂層、硬掩膜層、氮化物層202和墊氧化層201。其中，刻蝕氣體可以采用基于氯氣的氣體或者基于溴化氫的氣體或者兩者的混合氣體。采用干法刻蝕工藝，干法蝕刻工藝包括但不限于:反應(yīng)離子蝕刻(RIE)、離子束蝕刻、等離子體蝕刻或者激光切割。最好通過一個(gè)或者多個(gè)RIE步驟進(jìn)行干法蝕刻?？涛g氣體的流量范圍可為O?200立方厘米/分鐘(sccm),反應(yīng)室內(nèi)壓力可為5?20暈暈米汞柱(mTorr)。接著，去除圖案化的光刻膠層、電介質(zhì)抗反射涂層和硬掩膜層，以形成開口 203。其中，使用原位灰化工藝(In-situ Asher)去除圖案化的光刻膠、電介質(zhì)抗反射涂層和硬掩膜層，灰化工藝采用的氣體優(yōu)選為氧氣，具體的，將硅半導(dǎo)體襯底置入反應(yīng)刻蝕裝置中，通過附加的加熱裝置例如鹵素?zé)簦苯蛹訜岱磻?yīng)刻蝕裝置的腔室內(nèi)，加熱的溫度范圍為60°C?250°C，然后，使用含氧氣體供給加熱過的反應(yīng)刻蝕裝置的腔室內(nèi)，所述含氧氣體為02、O3> H2O, N2O, CH3OH或其任意組合。含氧氣體的流量問4000?8000立方厘米/分鐘(sccm)，灰化功率為300瓦?1200瓦，同時(shí)還通入有氮?dú)夂蜌錃狻?br> [0032]如圖2B所示，根據(jù)氮化物層202和墊氧化層201中形成的開口 203刻蝕半導(dǎo)體襯底，以形成淺溝槽204。通常采用的刻蝕劑為含氟的氣體，例如CF4或者CHF3?？梢圆捎酶煞涛g，例如反應(yīng)離子刻蝕、離子束刻蝕、等離子刻蝕、激光燒蝕或者這些方法的任意組合?？梢允褂脝我坏目涛g方法，或者也可以使用多于一個(gè)的刻蝕方法。刻蝕氣體包括HBr、Cl2,CH2F2> O2的一種或者幾種氣體,和一些添加氣體如氮?dú)?、IS氣。所述刻蝕氣體的流量范圍可為O?150立方厘米/分鐘(sccm)，反應(yīng)室內(nèi)壓力可為3?50毫托(mTorr)，在射頻功率為600W?1500W的條件下進(jìn)行等離子體刻蝕。
[0033]在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述開口 203定義了淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)區(qū)域和有源區(qū)域。
[0034]如圖2C所示，在淺溝槽204內(nèi)形成襯墊層205，襯墊層可以包括數(shù)種襯墊材料的任何一種，包括但不限于:氧化娃襯墊材料和氮化娃襯墊材料，襯墊層優(yōu)選包括氮化娃襯墊材料?？梢允褂冒ǖ幌抻?化學(xué)汽相沉積方法和物理汽相沉積方法的方法形成襯墊層。通常，襯墊層具有從大約200到大約1000埃的厚度。
[0035]在本發(fā)明的一具體實(shí)施例中，在淺溝槽204內(nèi)生長(zhǎng)一層襯墊層205，襯墊層的材料優(yōu)選氮氧化硅。
[0036]如圖2D所示，對(duì)半導(dǎo)體襯底200上的氮化物層202進(jìn)行pull-back工藝，以露出氮化物層下方的墊氧化層201，具體的，露出位于淺溝槽204頂部附近的部分墊氧化層。
[0037]可以采用稀釋的氫氟酸和磷酸執(zhí)行pull-back工藝，在本發(fā)明的一具體實(shí)施例中，采用稀釋的氫氟酸對(duì)氮化物層實(shí)施pull-back工藝，稀釋的氫氟酸的濃度比為2%，反應(yīng)的時(shí)間為I分鐘，可以將半導(dǎo)體襯底浸入氫氟酸溶液中。
[0038]需要說明的是，上述執(zhí)行pull-back工藝處理氮化物層的方法均為示例性的，并不局限于所述方法，本領(lǐng)域其他方法只要能夠?qū)崿F(xiàn)所述目的，均可以應(yīng)用于本發(fā)明，在此不再贅述。
[0039]如圖2E所示，采用濕法氧化(WET)工藝氧化露出的墊氧化層201，以使露出的墊氧化層的邊角邊的平滑和圓化，進(jìn)一步使溝槽204頂部的邊角變的圓滑，以改善淺溝槽邊角的形狀。有利于后續(xù)工藝的進(jìn)行。
[0040]需要說明的是，上述氧化露出的墊氧化層的方法均為示例性的，并不局限于所述方法，本領(lǐng)域其他方法只要能夠?qū)崿F(xiàn)所述目的，均可以應(yīng)用于本發(fā)明，在此不再贅述。
[0041]在本發(fā)明的一具體實(shí)施例中,所述pull-back工藝和所述濕法氧化工藝均用以改善所述淺溝槽的邊角形狀
[0042]接著，采用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDP)的方法在淺溝槽204中填充隔離材料層，所述隔離材料層的材料優(yōu)選絕緣氧化層；采用平坦化工藝處理絕緣氧化層，如采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝，以露出氮化硅層；去除氮化物層202和部分的墊氧化層201，以形成具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底。
[0043]圖3為具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的電流-柵極電壓的特性曲線，其中曲線301為圖1所示實(shí)施例具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的特性曲線，曲線302為圖2所示實(shí)施例具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的特性曲線。對(duì)比曲線301和曲線302，根據(jù)本發(fā)明制作的半導(dǎo)體器件與現(xiàn)有技術(shù)制作的半導(dǎo)體器件相比，根據(jù)本發(fā)明制作的半導(dǎo)體器件改善了器件的雙峰效應(yīng)和提高了半導(dǎo)體器件的性能。
[0044]圖4為具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的開關(guān)損耗的特性曲線，其中曲線401為圖1所示實(shí)施例具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的特性曲線，曲線402為圖2所示實(shí)施例具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的特性曲線。對(duì)比曲線401和曲線402，根據(jù)本發(fā)明制作的半導(dǎo)體器件與現(xiàn)有技術(shù)制作的半導(dǎo)體器件相比，根據(jù)本發(fā)明制作的半導(dǎo)體器件的開關(guān)能損耗較小。
[0045]參照?qǐng)D5，示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式制作淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的工藝流程圖，用于簡(jiǎn)要示出整個(gè)制造工藝的流程。
[0046]在步驟501中，提供一包括有源區(qū)半導(dǎo)體硅襯底，在半導(dǎo)體襯底上形成墊氧化層，在墊氧化層上形成氮化物層，圖案化所述氮化物層和所述墊氧化層，以在所述氮化物層和所述墊氧化層中形成開口。
[0047]在步驟502中，根據(jù)在所述氮化物層和所述墊氧化層中開口刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，以形成淺溝槽。
[0048]在步驟503中，在所述淺溝槽的底部和側(cè)壁上形成襯墊層；
[0049]在步驟504中，采用pull-back工藝處理氮化物層，以露出墊氧化層。
[0050]在步驟505中，采用濕法氧化工藝處理露出的墊氧化層，以使墊氧化層的邊角圓滑。
[0051]綜上所示，本發(fā)明提出了一種制作淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的方法，根據(jù)本發(fā)明的制造工藝可以優(yōu)化半導(dǎo)體襯底中淺溝槽的形態(tài)，使得形成的STI的邊角更加的圓化和平滑，以改善由STI邊角區(qū)域的晶體管較早打開后引起的雙峰效應(yīng)(double hump)，提高了半導(dǎo)體器件的性能，也有助于半導(dǎo)體器件寬度方向尺寸的減小，也有利于后續(xù)對(duì)淺溝槽的填充。
[0052]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【權(quán)利要求】
1.一種制作半導(dǎo)體器件的方法，包括: 提供半導(dǎo)體襯底； 在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成墊氧化層和氮化物層； 圖案化所述墊氧化層和所述氮化物層，以形成露出所述半導(dǎo)體襯底的開口 ； 根據(jù)所述開口刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，以形成淺溝槽； 在所述淺溝槽的底部和側(cè)壁上形成襯墊層； 采用回蝕刻工藝處理所述氮化物層，以露出位于所述淺溝槽頂部附近的部分所述墊氧化層； 氧化露出的所述墊氧化層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用濕法氧化工藝執(zhí)行所述氧化步驟。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述開口定義了淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)區(qū)域和有源區(qū)域。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述回刻蝕工藝和所述濕法氧化工藝均用以改善所述淺溝槽的邊角形狀。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯墊層為氮氧化硅。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在所述淺溝槽中填充隔離材料，進(jìn)而形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的步驟。
【文檔編號(hào)】H01L21/762GK104517887SQ201310459542
【公開日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】蒲月皎, 宋化龍, 董金珠 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司