具微細(xì)導(dǎo)電柱的半導(dǎo)體元件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種具微細(xì)導(dǎo)電柱的半導(dǎo)體元件及其制造方法。半導(dǎo)體元件包括：一基板，一導(dǎo)電圖案形成于基板上，和至少具一預(yù)定高度的一導(dǎo)電柱形成于導(dǎo)電圖案上。其中，導(dǎo)電柱可在具有一聚焦離子束(FIB)或一電子束的系統(tǒng)中形成。一實(shí)施例中，導(dǎo)電柱的徑寬不超過10μm。
【專利說明】具微細(xì)導(dǎo)電柱的半導(dǎo)體元件及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件及其制造方法，且特別是涉及具有至少一微細(xì)的導(dǎo)電柱的半導(dǎo)體元件及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來應(yīng)用于電子產(chǎn)品的半導(dǎo)體元件其尺寸持續(xù)縮小。對半導(dǎo)體業(yè)界來說，持續(xù)縮小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的尺寸、改善集成電路的速率、效能、密度及降低成本等，都是半導(dǎo)體元件重要的發(fā)展目標(biāo)。在元件尺寸縮小的情況下，元件的電子特性仍必須維持甚至更加地進(jìn)步，以符合商業(yè)產(chǎn)品的需要和市場期待。若元件的層體和/或組件有所損壞，將會對元件的電性造成影響。為符合高分辨率需求，相關(guān)業(yè)者無不希望能在不損傷元件的層體和/或組件，而且也能與縮小的元件尺寸相容的情況下，發(fā)展出一種更有效率的電連接方式(如在電路編輯上的應(yīng)用)和/或相關(guān)的特征結(jié)構(gòu)(如在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上的應(yīng)用)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體元件及其制造方法。實(shí)施例的半導(dǎo)體元件具有一或多個微細(xì)的導(dǎo)電柱。實(shí)施例可提供一更有效率和更精確方式以建立電連接。
[0004]為達(dá)上述目的，本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體元件，其包括一基板、一導(dǎo)電圖案形成于基板上、和具一預(yù)定高度的至少一導(dǎo)電柱形成于導(dǎo)電圖案上，其中導(dǎo)電柱的一徑寬不超過10 μ m0
[0005]根據(jù)實(shí)施例，提出一種半導(dǎo)體元件的制造方法，包括:提供一基板；形成一導(dǎo)電圖案于基板上；和在具有一聚焦離子束(FIB)或一電子束的環(huán)境下形成具一預(yù)定高度的至少一導(dǎo)電柱于導(dǎo)電圖案上，其中導(dǎo)電柱的一徑寬不超過10 μ m。
[0006]為了對本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下:

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的具有一導(dǎo)電柱的一半導(dǎo)體元件的部分側(cè)視圖；
[0008]圖2A繪示本發(fā)明一實(shí)施例的一能量源和一放置基板的平臺的一種設(shè)置方式的示意圖；
[0009]圖2B繪示本發(fā)明一實(shí)施例的一能量源和一放置基板的平臺的另一種設(shè)置方式的示意圖；
[0010]圖3為本發(fā)明一應(yīng)用例中，具有相互連接的兩個實(shí)施例的導(dǎo)電柱的另一半導(dǎo)體元件的部分側(cè)視圖；
[0011]圖4為本發(fā)明一實(shí)施例的具有微導(dǎo)電柱的倒裝元件的部分示意圖；
[0012]圖5為應(yīng)用本發(fā)明一實(shí)施例于一倒裝元件的接合墊設(shè)計的示意圖。
[0013]符號說明
[0014]10、30:基板
[0015]12、32:導(dǎo)電圖案
[0016]121:節(jié)點(diǎn)
[0017]321:第一節(jié)點(diǎn)/導(dǎo)線
[0018]322:第二節(jié)點(diǎn)/導(dǎo)線
[0019]14、34:介電層
[0020]16、46:導(dǎo)電柱
[0021]161:導(dǎo)電柱的一端
[0022]162:導(dǎo)電柱的另一端
[0023]361:第一導(dǎo)電柱
[0024]362:第二導(dǎo)電柱
[0025]17:接墊
[0026]171:接墊的頂表面
[0027]172:連接部
[0028]173:平坦部
[0029]20:平臺
[0030]21:能量源
[0031]22:氣體噴管
[0032]51:接合墊
[0033]53:阻焊層
[0034]55:管芯接墊開口
[0035]d:徑寬
[0036]dl:第一徑寬
[0037]d2:第二徑寬
[0038]H:預(yù)定高度
[0039]Θ:角度
[0040]Θ 1:第一角度
[0041]Θ 2:第二角度
[0042]M:試料
[0043]P:兩導(dǎo)電柱的連接點(diǎn)
[0044]A:列和列之間的間距
[0045]B:接合墊寬度
[0046]C:走線間距

【具體實(shí)施方式】
[0047]本發(fā)明是關(guān)于一種半導(dǎo)體元件及其制造方法。實(shí)施例提出具有至少一導(dǎo)電柱的半導(dǎo)體元件。再者，實(shí)施例中之一或多個導(dǎo)電柱可利用具有一聚焦離子束(FIB)或一電子束的系統(tǒng)而形成。一種半導(dǎo)體元件包括一基板，一導(dǎo)電圖案形成于基板上，和至少具一預(yù)定高度的一導(dǎo)電柱形成于導(dǎo)電圖案上。一實(shí)施例中，導(dǎo)電柱的徑寬不超過10 μ m。
[0048]本發(fā)明的實(shí)施例可適用于多種不同應(yīng)用。例如，實(shí)施例的導(dǎo)電柱可應(yīng)用于連接半導(dǎo)體元件的基板上的任兩個節(jié)點(diǎn)/導(dǎo)線(nodes/lines)，且其連接是可懸空地跨越(crossing over)其他金屬或?qū)щ娍?vias)。實(shí)施例也可應(yīng)用于一倒裝(flip chip)型態(tài)的元件，將元件中的導(dǎo)電凸塊(conductive bumps),如銅柱凸塊(Copper Pillar Bump ；CPB)，以實(shí)施例的尺寸微細(xì)的導(dǎo)電柱取代。實(shí)施例的導(dǎo)電柱可在具有一聚焦離子束(FIB)或一電子束(electron beam)的系統(tǒng)中形成。倒裝元件的其它導(dǎo)電部分，例如接合墊(bonding pads)和金屬球也可以省略,而將實(shí)施例的微細(xì)的導(dǎo)電柱直接形成在該些導(dǎo)電部分(如接合墊)的位置，以提供電連接。實(shí)施例的制造方法可能會有些許不同，依實(shí)際應(yīng)用的程序而對步驟做適當(dāng)?shù)剡x擇和變化。
[0049]以下實(shí)施例參照所附附圖敘述本發(fā)明的相關(guān)結(jié)構(gòu)與制作工藝，然而本發(fā)明并不僅限于此。實(shí)施例中相同或類似的標(biāo)號用以標(biāo)示相同或類似的部分。
[0050]再者，以下說明并不代表本發(fā)明所有可能的實(shí)施例。該領(lǐng)域中通常知識者可以依實(shí)施例公開內(nèi)容和實(shí)際應(yīng)用所需，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，進(jìn)行適當(dāng)?shù)匦揎椇妥兓?。因此，未于本發(fā)明提出的其他實(shí)施態(tài)樣也可能可以應(yīng)用。需注意的是，附圖已簡化以利清楚說明實(shí)施例的內(nèi)容，附圖上的尺寸比例并不一定按照實(shí)際產(chǎn)品做等比例繪制，因此附圖和說明書內(nèi)容作為敘述說明之用，并非作為限縮本發(fā)明保護(hù)范圍之用。
[0051][應(yīng)用例一:傾斜的導(dǎo)電柱]
[0052]在此應(yīng)用例中，實(shí)施例的導(dǎo)電柱可用于連接半導(dǎo)體元件的基板上的任兩個節(jié)點(diǎn)/導(dǎo)線(nodes/lines),且利用懸空跨越(crossing over)其他導(dǎo)電線部分(例如其他節(jié)點(diǎn)/導(dǎo)線，第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層..等等)或?qū)щ娍?vias)的方式連接。因此，不需要在導(dǎo)電柱下方額外形成一絕緣層或一絕緣部分來避免不希望出現(xiàn)的短路情形。
[0053]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的具有一導(dǎo)電柱的一半導(dǎo)體元件的部分側(cè)視圖。圖1中，一半導(dǎo)體元件包括一基板10、一導(dǎo)電圖案(conductive pattern) 12形成于基板10上,和至少具一預(yù)定高度(predetermined height)H 的一導(dǎo)電柱(conductive pillar) 16 形成于導(dǎo)電圖案12上。半導(dǎo)體元件還包括一介電層14形成于基板10上。圖1中，導(dǎo)電柱16傾斜于基板10 —角度0。一實(shí)施例中，導(dǎo)電柱的徑寬d不超過10 μ m。另一實(shí)施例中，導(dǎo)電柱的徑寬d不超過5 μ m。
[0054]實(shí)施例中，導(dǎo)電柱16可在具有一聚焦離子束(FIB)或一電子束的環(huán)境(系統(tǒng))下形成。
[0055]圖2A繪示一實(shí)施例的一能量源和一放置基板的平臺的一種設(shè)置方式的示意圖。圖2B繪示一實(shí)施例的一能量源和一放置基板的平臺的另一種設(shè)置方式的示意圖。請同時參照圖1、圖2A和圖2B。如圖2A所示,平臺(stage) 20傾斜于垂直設(shè)置的能量源(energysource) 21。另一種設(shè)置方式是如圖2B所示，使能量源21傾斜于水平設(shè)置的平臺20。兩種設(shè)置方式都可以在半導(dǎo)體元件中形成傾斜的導(dǎo)電柱16。能量源21例如是一聚焦離子束(FIB)或一電子束(electron beam)。也可應(yīng)用同時具有聚焦離子束與電子束的雙重能量源的系統(tǒng)，以形成實(shí)施例的導(dǎo)電柱16。在圖2A和圖2B中，系統(tǒng)的真空腔體里的試料配合氣體噴管(gas injector) 22所提供一反應(yīng)氣體，假設(shè)以一聚焦離子束(FIB)協(xié)助材料蒸鍍。通過高能量的離子束撞擊至試片表面的局部區(qū)域，而在所選擇的局部區(qū)域使反應(yīng)氣體分解為揮發(fā)性成份和非揮發(fā)性成份，其中非揮發(fā)性成份M沉積于局部區(qū)域的表面上；常見的金屬例如鶴(Tungstun, W)、鉬(Platinum, Pt)、鈷(cobalt, Co)、金(gold, Au)等。
[0056]請?jiān)賲⒄請D1。在一實(shí)施例中，傾斜導(dǎo)電柱16的一端161沉積于導(dǎo)電圖案12的第一位置，例如節(jié)點(diǎn)121 ;而導(dǎo)電柱16的另一端162連接一接墊(pad) 17。接墊17形成于介電層14上，且接墊17的高度高于導(dǎo)電圖案12，導(dǎo)電柱16的另一端162實(shí)質(zhì)上連接于接墊17的一頂表面171。
[0057]一實(shí)施例中，接墊17可以是一完整的塊體(如圖中包括連接部172、平坦部173和虛線所圍繞的部分)。根據(jù)一實(shí)施例的制作方式，首先通過如圖2A和圖2B所示的具有聚焦離子束(FIB)/電子束的環(huán)境，形成傾斜的一導(dǎo)電柱16，在聚焦離子束(FIB)/電子束的環(huán)境下一層一層的沉積材料而形成接墊17，接墊17的沉積直到達(dá)到預(yù)定高度H為止。一實(shí)施例中，接墊17的預(yù)定高度H接近導(dǎo)電柱16的另一端162。之后，完成接墊17與導(dǎo)電柱16的另一端162的連接(例如以沉積接墊17的方式同樣進(jìn)行連接部分的沉積)。另一實(shí)施例中，接墊17可以是包括一連接部(joint port1n) 172和一平坦部(flat port1n) 173,其中連接部172高于平坦部173，且直接連接導(dǎo)電柱16的另一端162 (制作方法類似上述方式并作適當(dāng)調(diào)整即可)。
[0058]一實(shí)施例中，導(dǎo)電柱16和接墊17 (包括連接部172和平坦部173)可以用相同導(dǎo)電材料制成。
[0059]除了如圖1所示的連接到接墊17，導(dǎo)電柱16的另一端162也可能與另一導(dǎo)電柱連接。圖3為本發(fā)明一應(yīng)用例中，具有相互連接的兩個實(shí)施例的導(dǎo)電柱的另一半導(dǎo)體元件的部分側(cè)視圖。
[0060]圖3中，一半導(dǎo)體兀件包括一基板30、一導(dǎo)電圖案32形成于基板30上,和兩個導(dǎo)電柱(第一導(dǎo)電柱361和第二導(dǎo)電柱362)形成于導(dǎo)電圖案32上。傾斜的第一導(dǎo)電柱361其一端沉積于導(dǎo)電圖案32的第一位置(例如第一節(jié)點(diǎn)/導(dǎo)線321);而第一導(dǎo)電柱361的另一端362連接至另一個傾斜的導(dǎo)電柱，如第二導(dǎo)電柱362。第二導(dǎo)電柱362的一端沉積于導(dǎo)電圖案32的第二位置(例如第二節(jié)點(diǎn)/導(dǎo)線322)，第二位置與第一位置相隔一距離。雖然，圖3中以相鄰的第一節(jié)點(diǎn)/導(dǎo)線321和第二節(jié)點(diǎn)/導(dǎo)線322作舉例說明，但本發(fā)明并不特別限制分別沉積第一導(dǎo)電柱361和第二導(dǎo)電柱362的第一位置與第二位置之間的距離。特別指出的是，第一導(dǎo)電柱361和第二導(dǎo)電柱362可連接成如一橋狀物而跨越過多個節(jié)點(diǎn)/導(dǎo)線和/或?qū)Э?，可視?shí)際應(yīng)用的需求而決定第一導(dǎo)電柱361和第二導(dǎo)電柱362的沉積位置。應(yīng)用本發(fā)明的實(shí)施例，可無需在導(dǎo)電柱下方，即導(dǎo)電柱和導(dǎo)電圖案32之間，額外形成絕緣物或絕緣層來避免不希望出現(xiàn)的短路情形。
[0061]一實(shí)施例中，第一導(dǎo)電柱361的第一徑寬dl不超過ΙΟμπι。另一實(shí)施例中，第一導(dǎo)電柱361的第一徑寬dl不超過5 μ m。一實(shí)施例中，第二導(dǎo)電柱362的第二徑寬d2不超過ΙΟμπι。另一實(shí)施例中，第二導(dǎo)電柱362的第二徑寬d2不超過5 μ m。第一徑寬dl和第二徑寬d2可實(shí)質(zhì)上相等，或不相等，視實(shí)際應(yīng)用的設(shè)計需求做決定。
[0062]再者,傾斜的第一導(dǎo)電柱361和第二導(dǎo)電柱362沉積時朝上方斜向延伸，且其連接點(diǎn)(linking point)P與導(dǎo)電圖案32相隔一距離,如圖3所示。第一導(dǎo)電柱361傾斜于基板30—第一角度Θ I,而第二導(dǎo)電柱36傾斜于基板30—第二角度Θ 2。第一角度Θ1和第二角度Θ 2可實(shí)質(zhì)上相等(ex: Θ1=Θ2)，或不相等(Θ1古Θ2)。
[0063]其他實(shí)施例，其具有不同于上述結(jié)構(gòu)配置的導(dǎo)電柱的半導(dǎo)體元件，也可實(shí)施和應(yīng)用，其結(jié)構(gòu)配置視應(yīng)用的實(shí)際需求而可作適當(dāng)變化。因此，如圖1和圖3所示的導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)配置僅為舉例說明之用，并非用以限制本發(fā)明的實(shí)施態(tài)樣。該領(lǐng)域中通常知識者可依實(shí)際應(yīng)用的需求，對結(jié)構(gòu)、配置和制作步驟等進(jìn)行適當(dāng)?shù)匦揎椇驼{(diào)整。
[0064]除了如圖3所示沉積第一導(dǎo)電柱361和第二導(dǎo)電柱362的第一位置與第二位置在同一水平面上的實(shí)施例之外，其他可應(yīng)用的實(shí)施例還包括以傾斜導(dǎo)電柱連接位于不同水平面的兩個導(dǎo)電物，此傾斜導(dǎo)電柱如同一橋狀物跨越過兩個導(dǎo)電物間下方的多個元件(如金屬/導(dǎo)孔/層)。例如，導(dǎo)電柱的一端沉積于導(dǎo)電圖案的第一位置(如位于第一金屬層)，導(dǎo)電柱的另一端連接至導(dǎo)電圖案的第二位置(如位于第二或第三金屬層)，其中第一位置和第二位置位于不同水平面。
[0065]根據(jù)上述實(shí)施例，在具有一聚焦離子束(FIB)或一電子束的系統(tǒng)中形成的導(dǎo)電柱16/361/362傾斜于基板10/30—角度Θ。傾斜導(dǎo)電柱的一端可沉積于一導(dǎo)電節(jié)點(diǎn)/線，另一端則可連接至一接墊或另一傾斜導(dǎo)電柱。導(dǎo)電柱的兩端可位于相同水平面的金屬層、或不同水平面的金屬層(如兩端分別位于第一金屬層和第二/第三金屬層)。上述實(shí)施例可應(yīng)用于電路修補(bǔ)(circuit repair),通過截斷或增加導(dǎo)通路徑以改變原電路設(shè)計或修正電路瑕疵。再者，上述實(shí)施例也可應(yīng)用于一半導(dǎo)體元件中達(dá)到電連接的目的。本發(fā)明對應(yīng)用范疇并沒有特別限制。
[0066][應(yīng)用例二-倒裝的細(xì)微導(dǎo)電柱fine conductive pillar of flip chip]
[0067]在另一應(yīng)用例中,本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)電柱可應(yīng)用于一倒裝(flip chip)型態(tài)的元件，例如一細(xì)間距倒裝(fine pitch flip chip, FPFC)。
[0068]細(xì)間距倒裝(FPFC)封裝(指間距小于100 μ m)是近年來發(fā)展的趨勢可應(yīng)用于多種元件，例如同時可轉(zhuǎn)換數(shù)字和模擬信號的關(guān)鍵驅(qū)動器，其包括了具小尺寸封裝型態(tài)的因素和低成本等優(yōu)點(diǎn)。現(xiàn)今的細(xì)間距倒裝封裝其相關(guān)尺寸可下降至線寬約50μπι，和各項(xiàng)狹小間距，例如圖5中的列和列之間的間距(row to row pitch) “A”約80 μ m,走線間距“C，，(trace pitch)約 40 μ m,接合墊寬度 “B” (bond pad width)約 20 μ m。其中設(shè)置金凸塊(gold studs)或銅柱凸塊(Copper Pillar Bump ；CPB)于接合墊處。
[0069]在此應(yīng)用例中，可利用實(shí)施例的微細(xì)的導(dǎo)電柱(如在具有一聚焦離子束或一電子束的系統(tǒng)中形成)取代倒裝元件中的金凸塊或銅柱凸塊。圖4為本發(fā)明一實(shí)施例的具有微細(xì)的導(dǎo)電柱的倒裝元件的部分示意圖。一實(shí)施例中，微細(xì)的導(dǎo)電柱46的徑寬d不超過10 μ m,甚至不超過5 μ m。
[0070]圖5為應(yīng)用本發(fā)明一實(shí)施例于一倒裝元件的接合墊設(shè)計的示意圖。一般在阻焊層(solder mask) 53之間延伸有多個接合塾(bond pad) 51,且每個接合塾51具有一管芯接塾開口(die pad opening) 55以做電連接。如圖5所示，這些管芯接墊開口 55交錯設(shè)置。在此應(yīng)用例中，可利用實(shí)施例的微細(xì)的導(dǎo)電柱(如在具有一聚焦離子束或一電子束的系統(tǒng)中形成)取代倒裝元件中的接合墊51，因而省略傳統(tǒng)倒裝元件中的接合墊51，且實(shí)施例的微細(xì)的導(dǎo)電柱可利用如聚焦離子束或電子束而直接形成于接合墊處(例如開口 55的位置)以達(dá)到電連接。
[0071 ] 一實(shí)施例中，應(yīng)用于圖5中的微細(xì)的導(dǎo)電柱(如設(shè)置于管芯接墊開口 55的位置)，其徑寬d不超過10 μ m，或甚至不超過5 μ m。相較于現(xiàn)今的細(xì)間距倒裝封裝的一般設(shè)計原則(如:圖5中的“A”約為80 μ m, “B”約為20 μ m和“C”約為40 μ m)，此應(yīng)用例很明顯地顯示:應(yīng)用實(shí)施例的微細(xì)的導(dǎo)電柱于一細(xì)間距倒裝(FPFC)封裝，將有助于應(yīng)用的FPFC封裝尺寸的縮小。
[0072]根據(jù)上述實(shí)施例，應(yīng)用實(shí)施例的微細(xì)的導(dǎo)電柱于倒裝封裝的凸塊連接，例如將導(dǎo)電柱有次序地設(shè)置在導(dǎo)電圖案的一周邊區(qū)域(peripheral reg1n)或是一中央?yún)^(qū)域(central reg1n)，可取代現(xiàn)有的金屬凸塊，將可大幅增加縮減倒裝元件尺寸的機(jī)會。
[0073]因此，實(shí)施例的導(dǎo)電柱可形成于一半導(dǎo)體元件的導(dǎo)電圖案的走線(traces)上，而達(dá)到選擇性和局部性的電連接。
[0074]至于實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的制造方法，可根據(jù)應(yīng)用的實(shí)際需求而做改變或調(diào)整相關(guān)步驟。例如，當(dāng)需要制作傾斜的導(dǎo)電柱以達(dá)到電連接(如應(yīng)用例一中所述)，聚焦離子束(FIB)或電子束的一能量供應(yīng)方向(energy-supplying direct1n)傾斜于導(dǎo)電圖案/基板一角度。當(dāng)需要于倒裝元件形成導(dǎo)電柱，則聚焦離子束(FIB)或電子束的一能量供應(yīng)方向垂直于導(dǎo)電圖案/基板。該領(lǐng)域中通常知識者，可在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，對步驟進(jìn)行適當(dāng)?shù)匦揎椇妥兓苑蠈?shí)際應(yīng)用的需求。
[0075]根據(jù)上述，本發(fā)明提出具有至少一導(dǎo)電柱的一半導(dǎo)體元件及其制造方法。實(shí)施例的導(dǎo)電柱可在具有一聚焦離子束或一電子束的系統(tǒng)中形成，且可選擇性的進(jìn)行局部位置的沉積。實(shí)施例的導(dǎo)電柱的結(jié)構(gòu)，如高度、傾斜角、和徑寬等，可依據(jù)實(shí)際應(yīng)用所需而被良好地控制或做相應(yīng)的變化。實(shí)施例的導(dǎo)電柱具有一微細(xì)徑寬(如小于10 μ m,甚至小于5 μ m),可相容于具有狹窄線寬和間距的小尺寸元件，實(shí)施例也提供了一個更快速和更精確的方式來達(dá)到電連接。
[0076]綜上所述，雖然已結(jié)合以上實(shí)施例公開了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作各種的更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體元件，包括: 基板； 導(dǎo)電圖案形成于該基板上；和 具一預(yù)定高度的至少一導(dǎo)電柱形成于該導(dǎo)電圖案上，其中該導(dǎo)電柱的一徑寬不超過10 μ m。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該導(dǎo)電柱以具有一聚焦離子束或一電子束的環(huán)境制作而成。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該導(dǎo)電柱傾斜于該基板。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件，其中該導(dǎo)電柱的一端沉積于該導(dǎo)電圖案的一第一位置，該導(dǎo)電柱的另一端連接一接墊。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件，其中該接墊的一高度高于該導(dǎo)電圖案，該導(dǎo)電柱的另該端實(shí)質(zhì)上連接該接墊的一頂表面。
6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體兀件,其中該導(dǎo)電柱的一端沉積于該導(dǎo)電圖案的一第一位置，該導(dǎo)電柱的另一端連接一第二位置，其中該第一位置和該第二位置在不同水平面。
7.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件，其中該導(dǎo)電柱的一端沉積于該導(dǎo)電圖案的一第一位置，該導(dǎo)電柱的另一端與另一導(dǎo)電柱連接。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其中另該導(dǎo)電柱沉積于該導(dǎo)電圖案的一第二位置，且該第二位置和該第一位置相隔一間距。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其中該導(dǎo)電柱和另該導(dǎo)電柱斜向上方延伸，且其一連接點(diǎn)與該導(dǎo)電圖案相隔一距離。
10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其中該導(dǎo)電柱傾斜于該基板一第一角度Θ1，另該導(dǎo)電柱傾斜于該基板一第二角度Θ 2。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，包括多個該些導(dǎo)電柱，且該些導(dǎo)電柱相隔距離設(shè)置。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件，包括多個該些導(dǎo)電柱，有次序地設(shè)置在該導(dǎo)電圖案的一周邊區(qū)域。
13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件，包括多個該些導(dǎo)電柱，有次序地設(shè)置在該導(dǎo)電圖案的一中央?yún)^(qū)域。
14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件，其中該導(dǎo)電圖案包括多條走線，多個該些導(dǎo)電柱分別形成于該些走線上。
15.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件，為一倒裝元件。
16.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件，其中該導(dǎo)電柱以具有一聚焦離子束或一電子束的環(huán)境制作而成。
17.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，包括: 提供一基板； 形成一導(dǎo)電圖案于該基板上；和 在具有一聚焦離子束或一電子束的環(huán)境下形成具一預(yù)定高度的至少一導(dǎo)電柱于該導(dǎo)電圖案上，其中該導(dǎo)電柱的一徑寬不超過ΙΟμπι。
18.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其中該聚焦離子束或該電子束的一能量供應(yīng)方向傾斜于該導(dǎo)電圖案一角度。
19.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其中該聚焦離子束或該電子束的一能量供應(yīng)方向垂直于該導(dǎo)電圖案。
【文檔編號】H01L23/498GK104517928SQ201310460491
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2013年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月30日
【發(fā)明者】蔡俊明, 黃乙軒, 鐘月萍, 呂雅惠 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司