有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種在制造過程中顯著降低缺陷率的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置包括：基板，具有第一子像素區(qū)域、第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域；平坦化層，覆蓋第一子像素區(qū)域、第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域，使得在第一子像素區(qū)域的中心處基板與平坦化層的頂表面之間的距離比在第二子像素區(qū)域的中心處基板與平坦化層的頂表面之間的距離大，或者比在第三子像素區(qū)域的中心處基板與平坦化層的頂表面之間的距離大。還公開了一種制造該有機發(fā)光顯示裝置的方法。
【專利說明】有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
[0001]本申請要求于2013年2月28日在韓國知識產權局提交的第10-2013-0022445號韓國專利申請的優(yōu)先權和權益，該申請的內容通過引用全部包含于此。
【技術領域】
[0002]下面的描述涉及一種有機發(fā)光顯示裝置和制造該有機發(fā)光顯示裝置的方法，更具體地講，涉及一種在制造過程中缺陷率顯著降低的有機發(fā)光顯示裝置和制造該有機發(fā)光顯示裝置的方法。
【背景技術】
[0003]有機發(fā)光顯示裝置指的是具有子像素的顯示裝置，每個子像素具有有機發(fā)光器件(OLED)，OLED包括彼此面對的兩個電極和設置在電極之間的中間層，中間層包括發(fā)射層(EML)。有機發(fā)光顯示裝置通過利用薄膜晶體管(TFT)控制每個子像素的發(fā)射和從每個子像素發(fā)射的量。通常，有機發(fā)光顯示裝置具有設置在基板上的多個TFT和布置在每個TFT上并電連接到每個TFT的OLED。
[0004]然而，當形成每個子像素的中間層時，或者當必須經由復雜的過程形成每個子像素時，傳統(tǒng)的有機發(fā)光顯示裝置的制造工藝具有缺陷率高的問題。例如，為了將不同的發(fā)射材料沉積在各個子像素區(qū)域上，使用具有小貫穿孔的掩模，所述小貫穿孔對應于子像素。然而，隨著有機發(fā) 光顯示裝置的分辨率增大，掩模中的貫穿孔變得更小且設置得更密集，這使得發(fā)射材料的沉積更困難并且不能精確地執(zhí)行沉積。
【發(fā)明內容】
[0005]本發(fā)明的方面涉及一種在制造過程中顯著降低缺陷率的有機發(fā)光顯示裝置和制造該有機發(fā)光顯示裝置的方法。然而，本領域普通技術人員將理解的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在其中可以做出形式和細節(jié)上的各種改變。
[0006]根據本發(fā)明的實施例，有機發(fā)光顯示裝置包括:基板，具有第一子像素區(qū)域、第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域；平坦化層，覆蓋第一子像素區(qū)域、第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域，使得在第一子像素區(qū)域的中心處基板與平坦化層的頂表面之間的距離比在第二子像素區(qū)域的中心處基板與平坦化層的頂表面之間的距離大，或者比在第三子像素區(qū)域的中心處基板與平坦化層的頂表面之間的距離大；第一子像素電極，設置在第一子像素區(qū)域中的平坦化層上；第二子像素電極，設置在第二子像素區(qū)域中的平坦化層上；和第三子像素電極，位于第三子像素區(qū)域中的平坦化層上。
[0007]有機發(fā)光顯示裝置還可以包括像素限定層(PDL)，PDL設置在平坦化層上，并跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域并跨過第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域延伸以覆蓋第一子像素電極的邊緣、第二子像素電極的邊緣和第三子像素電極的邊緣。
[0008]基板與PDL的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸從而覆蓋第一子像素電極的邊緣和第二子像素電極的邊緣的部分的頂表面之間的距離可以等于基板與I3DL的跨過第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域延伸從而覆蓋第二子像素電極的邊緣和第三子像素電極的邊緣的部分的頂表面之間的距離。
[0009]平坦化層可以形成為使得在第一子像素區(qū)域的中心處基板與平坦化層的頂表面之間的距離可以比在第一子像素區(qū)域的邊緣處基板與平坦化層的頂表面之間的距離大。
[0010]第一子像素電極可以覆蓋平坦化層的在第一子像素區(qū)域的邊緣處的頂表面的至少一部分，并可以覆蓋平坦化層的在第一子像素區(qū)域的中心處的頂表面。
[0011 ] PDL的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸的部分可以覆蓋第一子像素電極的在第一子像素區(qū)域的邊緣處的部分。
[0012]第一子像素電極可以設置在平坦化層的在第一子像素區(qū)域的中心處的頂表面上。
[0013]在PDL的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸的部分處，PDL的頂表面與第二子像素電極的被PDL覆蓋的部分的頂表面之間的距離可以比PDL的頂表面與第一子像素電極的被PDL覆蓋的部分的頂表面之間的距離大。
[0014]有機發(fā)光顯示裝置還可以包括:第二發(fā)射層(第二 EML)，設置在TOL的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸的部分的頂表面上、在第二子像素電極的沒有被PDL覆蓋的至少一部分上、在TOL的跨過第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域延伸的部分的頂表面上；以及第一 EML，設置在PDL的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸的部分的頂表面上的第二 EML的頂表面上、在第一子像素電極的沒有被PDL覆蓋的至少一部分上、在TOL的跨過第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域延伸的部分的頂表面上的第二 EML的頂表面上。
[0015]PDL的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸的部分上的第二 EML的頂表面與第一子像素電極的中心的頂表面之間的階差可以等于TOL的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸的部分上的第二 EML的底表面與第二子像素電極的中心的頂表面之間的階差。
[0016]有機發(fā)光顯示裝置還可以包括第三EML，第三EML插入在第二 EML和PDL之間、在第二 EML和第二子像素電極之間、在第一 EML和PDL之間、在第一 EML和第一子像素電極之間，并覆蓋第三子像素電極的沒有被PDL覆蓋的至少一部分。
[0017]根據本發(fā)明的另一實施例，一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法包括:準備具有第一子像素區(qū)域、第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域的基板的操作；形成覆蓋第一子像素區(qū)域、第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域的平坦化層，使得在第一子像素區(qū)域的中心處基板與平坦化層的頂表面之間的距離比在第二子像素區(qū)域的中心處基板與平坦化層的頂表面之間的距離大，或者比在第三子像素區(qū)域的中心處基板與平坦化層的頂表面之間的距離大；以及形成第一子像素電極、第二子像素電極和第三子像素電極，第一子像素電極在第一子像素區(qū)域中設置在平坦化層上，第二子像素電極在第二子像素區(qū)域中設置在平坦化層上，第三子像素電極在第三子像素區(qū)域中設置在平坦化層上。
[0018]所述方法還可以包括形成像素限定層(TOL)的操作，PDL設置在平坦化層上，并跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域并跨過第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域延伸以覆蓋第一子像素電極的邊緣、第二子像素電極的邊緣和第三子像素電極的邊緣。
[0019] 可以執(zhí)行形成TOL的操作，使得基板與TOL的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸以覆蓋第一子像素電極的邊緣和第二子像素電極的邊緣的部分的頂表面之間的距離可以等于基板與TOL的跨過第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域延伸以覆蓋第二子像素電極的邊緣和第三子像素電極的邊緣的部分的頂表面之間的距離。
[0020]可以執(zhí)行形成平坦化層的操作，使得在第一子像素區(qū)域的中心處基板與平坦化層的頂表面之間的距離可以比在第一子像素區(qū)域的邊緣處基板與平坦化層的頂表面之間的距離大。
[0021]第一子像素電極可以覆蓋平坦化層的在第一子像素區(qū)域的邊緣處的頂表面的至少一部分，并可以覆蓋平坦化層的在第一子像素區(qū)域的中心處的頂表面。
[0022]可以執(zhí)行形成TOL的操作，使得TOL的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸的部分可以覆蓋第一子像素電極的在第一子像素區(qū)域的邊緣處的部分。
[0023]所述方法還可以包括:形成第二發(fā)射層(第二 EML)的操作，第二 EML設置在I3DL的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸的部分的頂表面上、在第二子像素電極的沒有被PDL覆蓋的至少一部分上、在TOL的跨過第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域延伸的部分的頂表面上；以及形成第一 EML的操作，EML設置在PDL的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸的部分的頂表面上的第二 EML的頂表面上、在第一子像素電極的沒有被PDL覆蓋的至少一部分上、在TOL的跨過第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域延伸的部分的頂表面上的第二 EML的頂表面上。
[0024]PDL的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸的部分上的第二 EML的頂表面與第一子像素電極的中心的頂表面之間的階差可以等于TOL的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸的 部分上的第二 EML的底表面與第二子像素電極的中心的頂表面之間的階差。
[0025]所述方法還可以包括形成第三EML的操作，第三EML覆蓋第一子像素電極的沒有被PDL覆蓋的部分、第二子像素電極的沒有被PDL覆蓋的部分、第三子像素電極的沒有被PDL覆蓋的部分以及PDL的頂表面。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0026]通過參照附圖更詳細地描述本發(fā)明的示例實施例，本發(fā)明的上述和其他特征和優(yōu)點將變得更加清楚，其中:
[0027]圖1至圖8是示出根據本發(fā)明的實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的工藝的各個操作的剖視圖；
[0028]圖9是根據本發(fā)明的實施例的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖；
[0029]圖10是根據本發(fā)明的另一實施例的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖；
[0030]圖11是根據本發(fā)明的另一實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的工藝的剖視圖；以及
[0031]圖12是根據本發(fā)明的另一實施例的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
【具體實施方式】
[0032]現在將參照附圖更詳細地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例實施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實施，不應被解釋為限制于這里闡述的實施例；相反，提供這些實施例，使得本公開將是徹底的和完整的，并且向本領域普通技術人員充分傳達本發(fā)明的構思。在附圖中，為清晰起見，會夸大或減小層和區(qū)域的厚度。例如，為了便于描述，任意地示出了附圖中元件的厚度和尺寸，因此，本發(fā)明的精神和范圍未必由附圖限定。
[0033]在整個說明書中，還將理解的是，當諸如層、膜、區(qū)域或基板的元件被稱為“在”另一元件“上”時，該元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在中間元件。
[0034]如這里所使用的，術語“和/或”包括一個或多個相關列出項目的任意和所有組
合。當諸如“......中的至少一個(種)”的表述放在一系列元件(要素)之后時，其修飾整個系
列的元件(要素)，而不是修飾所述系列中的單個元件(要素)。
[0035]圖1至圖8是示出根據本發(fā)明的實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的工藝的各個操作的剖視圖。
[0036]根據制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，首先，提供基板110。基板110具有第一子像素區(qū)域Al、第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3。一組第一子像素區(qū)域Al、第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3可以構成一個像素區(qū)域?；?10可以具有多個像素區(qū)域。在一個實施例中，第一子像素區(qū)域Al是將形成有發(fā)射紅光的子像素的區(qū)域，第二子像素區(qū)域A2是將形成有發(fā)射綠光的子像素的區(qū)域，第三子像素區(qū)域A3可以是將形成有發(fā)射藍光的子像素的區(qū)域。這里，根據有機發(fā)光顯示裝置的結構，第一子像素區(qū)域Al和第二子像素區(qū)域A2可以是將形成有發(fā)射混合藍光的子像素的區(qū)域。
[0037]基板110可以由諸如玻璃材料、金屬材料或包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亞胺等的塑料材料的各種合適的材料形成。薄膜晶體管(TFT) 200可以設置在基板110上。在一個實施例中，在形成TFT200之前在基板110上形成諸如緩沖層115的另外的層。如圖所示，緩沖層115可以形成在基板110的整個表面上，或者可以通過被圖案化來形成。
[0038]緩沖層115可以具有包括PET、PEN、聚丙烯酸酯和/或聚酰亞胺等的各種合適的材料以單層或多層布置堆疊在其中的結構。這里，緩沖層115可以由氧化硅或氮化硅形成，或者可以形成為包括有機材料和/或無機材料的復合層。
[0039]TFT200可以控制每個子像素的發(fā)射，或者可以控制當每個子像素發(fā)射光時發(fā)射的量。TFT200可以包括半導體層210、柵電極220和源電極/漏電極230。
[0040]半導體層210可以由非晶硅層、氧化硅層或多晶硅層形成，或者可以由有機半導體材料形成。在一個實施例中，半導體層210包括溝道區(qū)和摻雜有摻雜劑的源區(qū)與漏區(qū)。
[0041]可以利用柵極絕緣層130覆蓋半導體層210，柵電極220可以設置在柵極絕緣層130上。大體上，柵極絕緣層130可以覆蓋基板110的整個表面。在一個實施例中，通過圖案化來形成柵極絕緣層130?？紤]到與相鄰層的粘合、堆疊目標層的可成形性和表面平整性，柵極絕緣層130可以由氧化硅、氮化硅或其他絕緣有機或無機材料形成。柵電極220可以由包括鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)或其合適的合金中的至少一種材料的單一材料層或復合材料層形成。
[0042]柵電極220和柵極絕緣層130可以被由氧化硅、氮化硅和/或其他合適的絕緣有機或無機材料形成的層間絕緣層140覆蓋。在這方面，可以去除柵極絕緣層130和層間絕緣層140的一部分，在去 除之后形成接觸孔以暴露半導體層210的預定區(qū)域。源電極/漏電極230可以經由接觸孔接觸半導體層210?？紤]到導電性，源電極/漏電極230可以由包括鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)或其合適的合金中的至少一種材料的單一材料層或復合材料層形成。
[0043]由氧化硅、氮化硅和/或其他合適的絕緣有機或無機材料形成的保護層150可以覆蓋TFT200。保護層150覆蓋基板110的全部或局部部分。如圖所示，由于具有復雜的層結構的TFT200設置在保護層150下方，因此保護層150的頂表面可能不是足夠平坦的。因此，如圖所示，有必要在保護層150上形成平坦化層160，使得保護層150可以具有足夠平坦的頂表面。
[0044]平坦化層160覆蓋第一子像素區(qū)域Al、第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3。這里，形成平坦化層160，使得平坦化層160的在第一子像素區(qū)域Al的中心處的頂表面比平坦化層160的在第二子像素區(qū)域A2的中心處的頂表面和平坦化層160的在第三子像素區(qū)域A3的中心處的頂表面距離基板110更遠。即，如圖所示，形成平坦化層160，使得在第一子像素區(qū)域Al的中心處基板110的頂表面和平坦化層160的頂表面之間的距離dl比在第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3中的一個子像素區(qū)域的中心處基板110的頂表面和平坦化層160的頂表面之間的距離d2大。
[0045]可以通過利用各種合適的方法形成平坦化層160。例如，可以形成平坦化層，同時使得基板110的頂表面與第一子像素區(qū)域Al、第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3的中心之間的距離相等，然后可以在第一子像素區(qū)域Al的中心上形成用于平坦化層的附加材料層。可選擇地，可以使平坦化層160形成為使得基板110的頂表面與第一子像素區(qū)域Al、第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3的中心之間的距離相等，然后可以暴露并去除除了第一子像素區(qū)域Al的中心之外的部分。這里，當通過利用半色調掩模(halftonemask)執(zhí)行一次沉積來形成平坦化層160時，可以形成平坦化層160，同時使得基板110的頂表面與第一子像 素區(qū)域Al的中心之間的距離dl大于基板110的頂表面與第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3中的一個子像素區(qū)域的中心之間的距離d2，如圖1中所示。
[0046]在形成平坦化層160之后，可以在保護層150和平坦化層160中形成通孔，以暴露TFT200的源電極/漏電極230中的一個，如圖1中所示。
[0047]然后，如圖2中所示，在平坦化層160上形成第一子像素電極311、第二子像素電極312和第三子像素電極313。第一子像素電極311形成在第一子像素區(qū)域Al中，第二子像素電極312形成在第二子像素區(qū)域A2中，第三子像素電極313形成在第三子像素區(qū)域A3中。這里，第一子像素電極311、第二子像素電極312和第三子像素電極313可以同時地或同步地形成。第一子像素電極311、第二子像素電極312和第三子像素電極313中的每個可以經由通孔電連接到TFT200。
[0048]第一子像素電極311、第二子像素電極312和第三子像素電極313中的每個可以形成為透明(透反射式)電極或反射電極。當第一子像素電極311、第二子像素電極312和第三子像素電極313形成為透明(透反射式)電極時，它們可以由氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(Ιη203)、氧化銦鎵(IGO)或氧化鋁鋅(AZO)形成。當第一子像素電極311、第二子像素電極312和第三子像素電極313形成為反射電極時，它們可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr或這些中的任何材料的混合材料形成的反射層和由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的層。這里，第一子像素電極311、第二子像素電極312和第三子像素電極313的結構和材料不限于此，并且可以變化。[0049]根據本實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，如上所述，形成平坦化層160，使得在第一子像素區(qū)域Al的中心處基板110的頂表面和平坦化層160的頂表面之間的距離dl比在第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3中的一個子像素區(qū)域的中心處基板110的頂表面和平坦化層160的頂表面之間的距離d2大。因此，基板110與形成在第一子像素區(qū)域Al中的第一子像素電極311的中心區(qū)域的頂表面之間的距離大于基板110與形成在第二子像素區(qū)域A2中的第二子像素電極312的中心區(qū)域的頂表面之間的距離，或者大于基板110與形成在第三子像素區(qū)域A3中的第三子像素電極313的中心區(qū)域的頂表面之間的距離。如隨后將描述的，當形成發(fā)射層(EML)或形成包括EML的中間層時，前述的特征可以是減少在第一子像素區(qū)域Al和第二子像素區(qū)域A2中出現缺陷的基礎。
[0050]在形成第一子像素電極311、第二子像素電極312和第三子像素電極313之后，如圖2和圖3中所示形成像素限定層(PDL)170。形成TOL170，同時覆蓋第一子像素電極311、第二子像素電極312和第三子像素電極313的邊緣。在平坦化層160上形成TOL170，同時PDL170跨過第一子像素區(qū)域Al和第二子像素區(qū)域A2并跨過第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3延伸。這里，可以形成TOL170，同時TOL170跨過第三子像素區(qū)域A3和另一第一子像素區(qū)域Al延伸。
[0051]TOL170可以通過具有對應于每個子像素的開口(即，暴露每個子像素的中心部分的開口)來用于限定像素。另外，TOL170可以增加每個子像素的端部與其上的對電極330(參照圖9)之間的距離，因此可以防止在子像素的端部出現電弧(arc)。TOL170可以由包括諸如聚丙烯酸酯或聚酰亞胺等的合適的有機材料或包括合適的無機材料的單一材料層或復合材料層形成。
[0052]PDL170可以以下面的方式形成，即，在基板110的整個表面上通過利用用于PDL的材料形成用于TOL的層，從而覆蓋第一子像素電極311、第二子像素電極312和第三子像素電極313，然后將用于TOL的層圖案化以暴露第一子像素電極311、第二子像素電極312和第三子像素電極313的中心部分。
[0053]這里，如圖2中所示，圖案化的TOL170’的頂表面可以不是平坦的。即，由于平坦化層160的頂表面與第一子像素電極311和第二子像素電極312的頂表面中的一個頂表面之間的階差，圖案化的TOL170’的跨過第一子像素區(qū)域Al和第二子像素區(qū)域A2延伸的部分1712’的頂表面可以不是平坦的；由于平坦化層160的頂表面與第二子像素電極312和第三子像素電極313的頂表面中的一個頂表面之間的階差，圖案化的TOL170’的跨過第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3延伸的部分1723’的頂表面可以不是平坦的；由于平坦化層160的頂表面與第三子像素電極313和第一子像素電極311的頂表面中的一個頂表面之間的階差，圖案化的TOL170’的跨過第三子像素區(qū)域A3和另一第一子像素區(qū)域Al延伸的部分1731’的頂表面可以不是平坦的。
[0054]此外，根據平坦化層160的形狀，基板110與圖案化的TOL170’的跨過第三子像素區(qū)域A3和另一第一子像素區(qū)域Al延伸的部分1731’的頂表面之間的距離可以不同于基板110與圖案化的H)L170’的跨過第一子像素區(qū)域Al和第二子像素區(qū)域A2延伸的部分1712’的頂表面之間的距離。在隨后利用激光誘導熱成像(LITI)方法形成第二 EML322 (參照圖5和圖6)或第一 EML321 (參照圖7和圖8)時，這個不同會導致在施主膜(donor film)和PDL170之間不規(guī)則的接觸。[0055]因此，在這種情況下，通過蝕刻圖案化的TOL170’的頂表面的至少一部分，使PDL170形成為使得基板110與TOL170的頂表面之間的距離是恒定的，如圖3中所示。在圖3中，基板110的頂表面與圖案化的TOL170’的跨過第一子像素區(qū)域Al和第二子像素區(qū)域A2延伸的部分1712的頂表面之間的距離dl2、基板110的頂表面與圖案化的H)L170’的跨過第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3延伸的部分1723的頂表面之間的距離d23、和基板110的頂表面與圖案化的TOL170’的跨過第三子像素區(qū)域A3和另一第一子像素區(qū)域Al延伸的部分1731的頂表面之間的距離d31彼此相等。蝕刻圖案化的H)L170’的頂表面的至少一部分的步驟可以通過利用包括機械研磨方法的各種合適的方法中的一種方法來執(zhí)行。
[0056]然后，如圖4中所示，形成第三EML323，第三EML323覆蓋第一子像素電極311的沒有被TOL170覆蓋的一部分、第二子像素電極312的沒有被H)L170的覆蓋的一部分、第三子像素電極313的沒有被H)L170覆蓋的一部分以及TOL170的頂表面。即，形成第三EML323，同時覆蓋第一子像素區(qū)域Al、第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3中的全部。第三EML323可以包括發(fā)射藍光的材料。在一個實施例中，當第三EML323由小分子材料形成時，第三EML323可以通過真空沉積形成；當第三EML323由聚合物材料形成時，第三EML323可以通過利用絲網印刷方法形成。
[0057]在形成第三EML323之后，形成第二 EML322。第二 EML322可以包括發(fā)射綠光的材料。第二 EML322可以通過利用LITI方法形成。即，如圖5和圖6中所示，可以將施主膜(在施主膜的結構中，用于第二 EML的材料層322a形成在基體膜322b上)布置在TOL170上，同時用于第二 EML的材料層322a面對H)L170，然后可以將與第二子像素區(qū)域A2相對應的位置處的激光束照射到施主膜，使得用于第二 EML的材料層322a的激光束所照射到的部分可以從基體膜322b轉移到第二子像素電極312上。在一個實施例中，施主膜在基體膜322b和用于第二 EML的材料層322a之間還包括諸如光熱轉換層的各種合適的層。 [0058]通過利用激光束照射的前述工藝，第二 EML322形成在第二子像素電極312的沒有被TOL170覆蓋的至少一部分上，更具體地講，第二 EML322形成在第三EML323的布置在第二子像素電極312上方的一部分上。在此過程中，由于TOL170的跨過第一子像素區(qū)域Al和第二子像素區(qū)域A2延伸的部分1712的頂表面和TOL170的跨過第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3延伸的部分1723的頂表面接觸施主膜的用于第二 EML的材料層322a，因此第二 EML322還可以形成在接觸部分上，而與激光束照射無關。
[0059]此外，TOL170的接觸施主膜的用于第二 EML的材料層322a的另一部分卿，PDL170的跨過第三子像素區(qū)域A3和另一第一子像素區(qū)域Al延伸的部分1731的頂表面)也可以接觸施主膜的用于第二 EML的材料層322a，使得虛設的第二 EML322’也可以形成在接觸部分上。
[0060]然后，如圖7和圖8中所示，形成第一 EML321。第一 EML321可以包括發(fā)射紅光的材料。第一 EML321也可以通過利用LITI方法形成。即，如圖7中所示，可以將施主膜(在施主膜的結構中，用于第一 EML的材料層321a形成在基體膜321b上)布置在TOL170上，同時用于第一 EML的材料層321a面對TOL170，然后可以將與第一子像素區(qū)域Al相對應的位置處的激光束照射到施主膜，使得用于第一 EML的材料層321a的激光束所照射到的部分可以從基體膜321b轉移到第一子像素電極311上。這里，當需要時，施主膜在基體膜321b和用于第一 EML的材料層321a之間還可以包括諸如光熱轉換層的各種合適的層。
[0061]通過利用激光束照射的前述工藝，第一 EML321形成在第一子像素電極311的沒有被TOL170覆蓋的至少一部分上，更具體地講，第一 EML321形成在第三EML323的布置在第一子像素電極311上方的一部分上。在此過程中，由于TOL170的跨過第三子像素區(qū)域A3和另一第一子像素區(qū)域Al延伸的部分1731的頂表面和TOL170的跨過第一子像素區(qū)域Al和第二子像素區(qū)域A2延伸的部分1712的頂表面接觸施主膜的用于第一 EML的材料層321a，因此第一 EML321還可以形成在接觸部分上，而與激光束照射無關。這里，由于第二 EML322或虛設的第二 EML322’形成在TOL170的接觸部分上，因此第一 EML321可以形成在接觸部分上的第二 EML322或虛設的第二 EML322’上。
[0062]此外，TOL170的接觸施主膜的用于第一 EML的材料層321a的另一部分卿，PDL170的跨過第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3延伸的部分1723的頂表面)也可以接觸施主膜的用于第一 EML的材料層321a，使得虛設的第一 EML321’也可以形成在接觸部分上。由于第二 EML322形成在TOL170的相對應的部分上，因此虛設的第一 EML321’可以形成在形成于相對應部分上的第二 EML322上。
[0063]然后，當形成覆蓋第一子像素區(qū)域Al、第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3的對電極330時，可以完成對如圖9中所示的有機發(fā)光顯示裝置的制造。對電極330可以相對于多個子像素一體地形成，從而覆蓋整個顯示區(qū)域(即，有效區(qū)域)。這里，顯示區(qū)域指的是有機發(fā)光顯示裝置的可以發(fā)射光的所有區(qū)域，例如，顯示區(qū)域可以指除了有機發(fā)光顯示裝置的邊緣之外的所有區(qū)域。這里，如果在有機發(fā)光顯示裝置的整個表面上不存在無效區(qū)域(dead area)，則有機發(fā)光顯示裝置的整個表面可以是顯示區(qū)域。
[0064]對電極330接觸顯示區(qū)域外側的電極供電線，因此從電極供電線接收電信號。對電極330可以形成為透明(透反射式)電極或反射電極。當對電極330形成為透明(透反射式)電極時，對電極330可以包括通過沿朝著EML321、322或323的方向沉積L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或這些材料中的任何材料的混合材料而形成的層以及由包括ΙΤΟ、ΙΖ0、ZnO或In2O3的透明(透反射式)材料形成的輔助電極或匯流電極線。當對電極330形成為反射電極時，對電極330可以具有包括從L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag和Mg中選擇的一種或多種材料的層。然而，對電極330的構造和材料不限于此，因此可以改變。
[0065]與根據現有技術的制造方法相比較，根據本發(fā)明的實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法提供了改進，使得每個子像素的中間層可以簡單地形成，并可以顯著地減小缺陷率。
[0066]如上所述，為了在子像素區(qū)域上分別沉積不同的發(fā)射材料，制造有機發(fā)光顯示裝置的對照方法使用具有小貫穿孔的掩模，所述小貫穿孔與子像素相對應。然而，隨著有機發(fā)光顯示裝置的分辨率增大，掩模中的貫穿孔變得更小并且更密集地設置，這使得發(fā)射材料的沉積更困難并且不能精確地執(zhí)行沉積。
[0067]然而，根據制造有機發(fā)光顯示裝置的方法的實施例，由于第三EML323形成在第一子像素區(qū)域Al、第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3中的所有子像素區(qū)域中，因此可以使用開口掩模而不使用具有小貫穿孔的掩模，并且由于照射高精確度的激光束以形成第二EML322和第一 EML321，因此第二 EML322和第一 EML321可以準確地形成在它們的指定的位置處。[0068]同時，將施主膜的用于第二 EML的材料層322a的底表面與第二 EML322將形成在其上的表面(在圖5中，在第二子像素電極312上第三EML323的頂表面)之間的距離定義為hi。然后，在形成第二 EML322之后形成第一 EML321時，將施主膜的用于第一 EML的材料層321a的底表面和第一 EML321將形成在其上的表面(在圖7中，在第一子像素電極311上第三EML323的頂表面)之間的距離定義為h2。
[0069]如上所述，形成平坦化層160，使得在第一子像素區(qū)域Al的中心處基板110的頂表面與平坦化層160的頂表面之間的距離dl (參照圖1)大于在第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3中的一個子像素區(qū)域的中心處基板110的頂表面和平坦化層160的頂表面之間的距離d2(參照圖1)。因此，在第一子像素區(qū)域Al中基板110與第一子像素電極311的中心部分的頂表面之間的距離大于在第二子像素區(qū)域A2中基板110與第二子像素電極312的中心部分的頂表面之間的距離，并且大于在第三子像素區(qū)域A3中基板110與第三子像素電極313的中心部分的頂表面之間的距離。
[0070]在上述情況下，當通過利用LITI方法形成第二 EML322和第一 EML321時，施主膜的用于第二 EML的材料層322a的底表面與第二 EML322將形成在其上的表面(在圖5中，在第二子像素電極312上第三EML323的頂表面)之間的距離hi可以等于或非常類似于施主膜的用于第一 EML的材料層321a的底表面和第一 EML321形成在其上的表面(在圖7中，在第一子像素電極311上第三EML323的頂表面)之間的距離h2。這意味著，被照射以形成第二EML322的激光束的強度和被照射以形成第一EML321的激光束的強度可以彼此相等或相似。
[0071]距離hi和距離h2彼此相等或非常相似的事實是因為，平坦化層160形成為使得在第一子像素區(qū)域Al的中心處基板110的頂表面與平坦化層160的頂表面之間的距離dl比在第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3中的一個子像素區(qū)域的中心處基板110的頂表面與平坦化層160的頂 表面之間的距離d2大。
[0072]當形成第二 EML322時，在PDL170上僅存在第三EML323，從而僅有第三EML323插入在roL170和施主膜之間以形成第二 EML322。然而，當形成第一 EML321時，不僅第三EML323存在于PDL170上，而且第二 EML322或虛設的第二 EML322’存在于PDL170上，使得第二 EML322或虛設的第二 EML322’以及第三EML323都插入在H)L170和施主膜之間，以形成第一 EML321。因此，如果以下面這樣的方式形成平坦化層160，即，在第一子像素區(qū)域Al的中心處基板110的頂表面與平坦化層160的頂表面之間的距離dl (參照圖1)等于在第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3中的一個子像素區(qū)域的中心處基板110的頂表面和平坦化層160的頂表面之間的距離d2 (參照圖1)，則這意味著關于第一 EML321的形成的距離h2變得比關于第二 EML322的形成的距離hi大。由于這個差異，被照射以形成第二EML322的激光束的強度必須與被照射以形成第一 EML321的激光束的強度不同。如果被照射以形成第二 EML322的激光束的強度與被照射以形成第一 EML321的激光束的強度不同，則第二 EML322的耐久性與第一 EML321的耐久性不同，因此產生有缺陷的有機發(fā)光顯示裝置或壽命短的有機發(fā)光顯示裝置。
[0073]然而，根據本發(fā)明的實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，即使當形成第二EML322時，在H)L170上也僅存在第三EML323，從而僅有第三EML323插入在H)L170和施主膜之間以形成第二 EML322，并且即使當形成第一 EML321時，不僅第三EML323存在于PDL170上，而且第二 EML322或虛設的第二 EML322’存在于PDL170上，使得第二 EML322或虛設的第二 EML322’以及第三EML323都插入在H)L170和施主膜之間，以形成第一 EML321，關于第二 EML322的形成的距離hi和關于第一 EML321的形成的距離h2可以彼此相等或非常相似。這是因為，因第二 EML322或虛設的第二 EML322’的存在而導致的距離差可以以下面這樣的方式抵消，即，形成平坦化層160使得在第一子像素區(qū)域Al的中心處基板110的頂表面與平坦化層160的頂表面之間的距離dl比在第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3中的一個子像素區(qū)域的中心處基板110的頂表面和平坦化層160的頂表面之間的距離d2大。因此，被照射以形成第二 EML322的激光束的強度和被照射以形成第一 EML321的激光束的強度可以彼此相等。
[0074]在通過利用根據本實施例的實施例的方法制造的有機發(fā)光顯示裝置中，PDL170的跨過第一子像素區(qū)域Al和第二子像素區(qū)域A2延伸的部分1712上的第二 EML322的頂表面與第一子像素電極311的中心的頂表面之間的階差與TOL170的跨過第一子像素區(qū)域Al和第二子像素區(qū)域A2延伸的部分1712上的第二 EML322的底表面與第二子像素電極312的中心的頂表面之間的 階差相等。
[0075]在上面，在形成第三EML323之后形成第二 EML322和第一 EML321，但是本發(fā)明的一個或多個實施例不限于此。即，由于第三EML323幾乎等同地形成在第一子像素區(qū)域Al、第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3中，因此可以在形成第二 EML322和第一EML321之后形成第三EML323，或者可選擇地，可以首先形成第二 EML322，然后可以在形成第一 EML321之前形成第三EML323。
[0076]在附圖中，為了便于描述，僅示出了插入在像素電極和對電極之間的EML。然而，除了 EML以外，當需要時，在像素電極和對電極之間可以插入空穴注入層(HIL)、層間層或底層(primer layer)、電子傳輸層(ETL)和/或電子注入層(EIL)等。這里,可以通過使用LITI方法使前述的層中的一些在一個操作(步驟)中與EML —起同時形成，或者前述的層中的一些可以通過諸如沉積的單獨的工藝形成。
[0077]例如，第一子像素區(qū)域Al的第一子像素301可以發(fā)射藍和紅混合的光，第二子像素區(qū)域A2的第二子像素302可以發(fā)射藍和綠混合的光，第三子像素區(qū)域A3的第三子像素303可以發(fā)射藍光。通過調整來自前述子像素中的每個子像素的發(fā)射量，能夠實現全彩色的有機發(fā)光顯示裝置。
[0078]圖10是根據本發(fā)明的另一實施例的通過利用制造有機發(fā)光顯示裝置的方法制造的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖。根據本實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，形成平坦化層160，使得在第一子像素區(qū)域Al的中心處基板110與平坦化層160的頂表面之間的距離比在第一子像素區(qū)域Al的邊緣處基板110與平坦化層160的頂表面之間的距離大。即，形成平坦化層160，使得平坦化層160在第一子像素區(qū)域Al的中心部分處突出。
[0079]形成第一子像素電極311，以覆蓋平坦化層160的在第一子像素區(qū)域Al的邊緣處的頂表面的至少一部分和平坦化層160的在第一子像素區(qū)域Al的中心處的頂表面。然后，以下面這樣的方式形成H)L170，g卩，TOL170的跨過第一子像素區(qū)域Al和第二子像素區(qū)域A2延伸的部分1712的頂表面覆蓋第一子像素電極311的布置在第一子像素區(qū)域Al的邊緣中的一部分。這里，如圖10中所示，可以形成TOL170的跨過第三子像素區(qū)域A3和第一子像素區(qū)域Al延伸的部分1731，以覆蓋第一子像素電極311的布置在第一子像素區(qū)域Al的邊緣處的部分311’。
[0080]根據前述實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，如圖2中示出的圖案化的PDL170’的頂表面可以不是平坦的。具體地說，當如圖2中所示的圖案化的PDL170’的跨過第三子像素區(qū)域A3和另一第一子像素區(qū)域Al延伸的部分1731’覆蓋第一子像素電極311的平坦化層160的突出部分時，與圖案化的TOL170’的跨過第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3延伸的部分1723’覆蓋第三子像素電極313的情況相比，基板110和TOL170’的覆蓋第一子像素電極311的突出部分的頂表面之間的距離與基板110和TOL170’的覆蓋第三子像素電極313的一部分的頂表面之間的距離不同。距離上的這個不同會導致圖案化的PDL170’的部分1731’的頂表面和圖案化的H)L170’的部分1723’的頂表面之間的高度差，并且當蝕刻圖案化的H)L170’的頂表面時，該高度差會導致執(zhí)行不規(guī)則的蝕刻。
[0081]然而，參照圖10，根據本實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，PDL170的部分1731和第一子像素電極311的接觸部分與基板110之間的距離dlOl、PDL170的部分1712和第二子像素電極312的接觸部分與基板110之間的距離dl02、PDL170的部分1723和第三子像素電極313的接觸部分與基板110之間的距離dl03彼此相等。因此，可在相同的條件下形成TOL170，使得可以根據期望設置的高度或預定的高度精確地形成TOL170，另外，當需要機械研磨操作來形成TOL170時，可以精確地執(zhí)行研磨工藝。
[0082]此外，盡管當形成H)L170時PDL170的頂表面不是平坦的，但是基板110與TOL170的部分1712、1723和1731的不平坦頂表面之間的形狀或距離彼此相同，即使不對H)L170的頂表面進行蝕刻。因此，當隨后利用LITI方法形成第二 EML322或第一 EML321時不會存在問題。
[0083]圖11是根據本發(fā)明的另一實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法的工藝的剖視圖。圖12是通過利用圖 11的方法制造的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
[0084]根據本實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，形成平坦化層160，使得在第一子像素區(qū)域Al的中心處基板110與平坦化層160的頂表面之間的距離比在第一子像素區(qū)域Al的邊緣處基板110與平坦化層160的頂表面之間的距離大。即，形成平坦化層160，使得平坦化層160的頂表面在第一子像素區(qū)域Al的中心部分處突出。
[0085]然后，在第一子像素區(qū)域Al的中心中在平坦化層160的頂表面上形成第一子像素電極311。即，第一子像素電極311形成在平坦化層160的頂表面中的突出部分上。
[0086]根據本實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，第一子像素電極311、第二子像素電極312和第三子像素電極313全都形成在平坦的表面上。因此，可以減小在形成子像素電極時的缺陷率，可以平穩(wěn)地執(zhí)行每個子像素電極對EML的空穴注入或電子注入，空穴注入或電子注入可以均勻地或相似地形成在子像素電極中。
[0087]上面已經描述了制造有機發(fā)光顯示裝置的方法的實施例；然而，本發(fā)明不限于此。例如，在本發(fā)明的范圍內還包括有機發(fā)光顯示裝置。
[0088]例如，根據本發(fā)明的實施例的圖9中的有機發(fā)光顯示裝置包括基板110、平坦化層160、第一子像素電極311、第二子像素電極312和第三子像素電極313。這里，如圖所示，有機發(fā)光顯示裝置還可以包括PDL170、第一 EML321、第二 EML322、第三EML323和對電極330。
[0089]基板110具有第一子像素區(qū)域Al、第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3。平坦化層160以下面這樣的方式覆蓋第一子像素區(qū)域Al、第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3，即，在第一子像素區(qū)域Al的中心處基板110的頂表面與平坦化層160的頂表面之間的距離比在第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3中的一個子像素區(qū)域的中心處基板110的頂表面與平坦化層160的頂表面之間的距離大。子像素電極設置在平坦化層160上，例如，第一子像素電極311設置在第一子像素區(qū)域Al中，第二子像素電極312設置在第二子像素區(qū)域A2中，第三子像素電極313設置在第三子像素區(qū)域A3中。
[0090]在根據本實施例的有機發(fā)光顯示裝置中，如上所述，在第一子像素區(qū)域Al的中心處基板110的頂表面與平坦化層160的頂表面之間的距離dl比在第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3中的一個子像素區(qū)域的中心處基板110的頂表面與平坦化層160的頂表面之間的距離d2大。因此，基板110與形成在第一子像素區(qū)域Al中的第一子像素電極311的中心區(qū)域的頂表面之間的距離比基板110與形成在第二子像素區(qū)域A2中的第二子像素電極312的中心區(qū)域的頂表面之間的距離大，或者比基板110與形成在第三子像素區(qū)域A3中的第三子像素電極313的中心區(qū)域的頂表面之間的距離大。當形成EML或包括EML的中間層時，前述特征可以是用于減少第一子像素區(qū)域Al和第二子像素區(qū)域A2中出現的缺陷的基礎，如隨后將描述的。
[0091]第三EML323可以設置成同時覆蓋第一子像素電極311的沒有被H)L170覆蓋的一部分、第二子像素電極312的沒有被TOL170覆蓋的一部分、第三子像素電極313的沒有被TOL170覆蓋的一部分以及TOL170的頂表面。即，第三EML323可以設置成同時覆蓋第一子像素區(qū)域Al、第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3中的全部。第三EML323可以包括發(fā)射藍光的材料。
[0092]第二 EML322可以包括發(fā)射綠光的材料。如上所述，可以通過利用LITI方法形成第二 EML322。第二 EML322形成在第二子像素電極312的沒有被H)L170覆蓋的至少一部分上，更詳細地說，第二 EML322形成在第三EML323的布置在第二子像素電極312上方的一部分上。
[0093]當如上所述通過利用LITI方法形成第二 EML322時，第二 EML322可以形成在PDL170的跨過第一子像素區(qū)域Al和第二子像素區(qū)域A2延伸的部分1712的頂表面與PDL170的跨過第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3延伸的部分1723的頂表面上。這里，在通過利用LITI方法形成第二 EML322的同時，虛設的第二 EML322 ’可以形成在TOL170的另一部分(例如，PDL170的跨過第三子像素區(qū)域A3和另一第一子像素區(qū)域Al延伸的部分1731的頂表面)上。
[0094]第一 EML321可以包括發(fā)射紅光的材料。第一 EML321也可以通過利用LITI方法形成，如上所述。第一 EML321可以布置在第一子像素電極311的沒有被TOL170覆蓋的至少一部分上，更具體地說，第一 EML321可以布置在第三EML323的位于第一子像素電極311上的一部分上。
[0095]如上所述，第一 EML321可以形成在TOL170的跨過第三子像素區(qū)域A3和第一子像素區(qū)域Al延伸的部分1731的頂表面上，并且可以形成在TOL170的跨過第一子像素區(qū)域Al和第二子像素區(qū)域A2延伸的部分1712的頂表面上。這里，由于第二 EML322和/或虛設的第二 EML322’形成在TOL170上的相應的部分上，所以第一 EML321可以形成在相應部分上的第二 EML322和/或虛設的第二 EML322’上。
[0096]此外，虛設的第一 EML321’可以形成在TOL170的跨過第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3延伸的部分1723的頂表面上。這里，由于第二 EML322形成在TOL170上的相應的部分上，因此虛設的第一 EML321’可以形成在相應部分上的第二 EML322上。
[0097]設置在前述EML上的對電極330與上面描述的相同。
[0098]根據本實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，可以簡單地形成每個子像素的中間層，并且可以顯著地降低缺陷率。
[0099]即，在根據本實施例的有機發(fā)光顯示裝置中，由于第三EML323形成在第一子像素區(qū)域Al、第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3中的全部子像素區(qū)域中，因此可以使用開口掩模，而不使用具有小貫穿孔的掩模，并且由于照射精確度高的激光束來形成第二EML322和第一 EML321，因此第二 EML322和第一 EML321可以形成在精確的位置，從而可以顯著地提高制造良率。
[0100]此外，由于平坦化層160具有前述形狀，因此當形成第二 EML322時，施主膜322a的底表面與第二 EML322將形成在其上的第三EML323的頂表面之間的距離hi (參照圖5)與當形成第一 EML321時，施主膜321a的底表面和第一 EML321將形成在其上的第三EML323的頂表面之間的距離h2 (參照圖7)可以彼此相等或非常相似。這是因為，因第二 EML322或虛設的第二 EML322’的存在而導致的距離差可以以下面這樣的方式來抵消，即，形成平坦化層160，使得在第一子像素區(qū)域Al的中心處基板110的頂表面和平坦化層160的頂表面之間的距離dl比在第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3中的一個子像素區(qū)域的中心處基板110的頂表面和平坦化層160的頂表面之間的距離d2大。因此，照射以形成第二EML322的激光束的強度和照射以形成第一 EML321的激光束的強度可以彼此相等。 [0101]在根據本實施例制造的有機發(fā)光顯示裝置中，在TOL170的跨過第一子像素區(qū)域Al和第二子像素區(qū)域A2延伸的部分1712上的第二EML322的頂表面與第一子像素電極311的中心的頂表面之間的階差與TOL170的跨過第一子像素區(qū)域Al和第二子像素區(qū)域A2延伸的部分1712上的第二 EML322的底表面與第二子像素電極312的中心的頂表面之間的階差相等。
[0102]在上面中，描述了第一 EML321在第一子像素301中形成在第三EML323上，第二EML322在第二子像素302中形成在第三EML323上，但是本發(fā)明的一個或多個實施例不限于此。即，第三EML323覆蓋基板110的第一子像素區(qū)域Al、第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3，關于這點，第三EML323在第一子像素301中設置在第一 EML321上，第三EML323在第二子像素302中設置在第二 EML322上。另外，第三EML323幾乎同樣地形成在第一子像素區(qū)域Al、第二子像素區(qū)域A2和第三子像素區(qū)域A3中。因此，可選擇地，第二 EML322可以設置在TOL170的跨過第一子像素區(qū)域Al和第二子像素區(qū)域A2延伸的部分1712上，第三EML323可以形成在其上，且第一 EML321可以形成在其上方。
[0103]在圖9中，為了便于描述，僅示出了插入在像素電極和對電極330之間的EML。然而，除了 EML以外，當需要時，在像素電極和對電極330之間可以插入HIL、層間層(或底層)、ETL和/或EIL等。
[0104]圖10是根據本發(fā)明的另一實施例的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖。在根據本實施例的有機發(fā)光顯示裝置中，在第一子像素區(qū)域Al的中心部分處基板110與平坦化層160的頂表面之間的距離比在第一子像素區(qū)域Al的邊緣處基板110與平坦化層160的頂表面之間的距離大。即，平坦化層160的頂表面在第一子像素區(qū)域Al的中心部分中突出。[0105]此外，第一子像素電極311覆蓋平坦化層160的在第一子像素區(qū)域Al的邊緣中的頂表面的至少一部分和平坦化層160的在第一子像素區(qū)域Al的中心部分中的頂表面。TOL170涵蓋TOL170的跨過第一子像素區(qū)域Al和第二子像素區(qū)域A2延伸的部分1712的一部分，其中，所述一部分設置在第一子像素區(qū)域Al的邊緣處的第一子像素電極311處。這里，如圖所示，PDL170的跨過第三子像素區(qū)域A3和另一第一子像素區(qū)域Al延伸的部分1731可以在第一子像素區(qū)域Al的邊緣處覆蓋第一子像素電極311。
[0106]在根據本實施例制造的有機發(fā)光顯示裝置中，TOL170的部分1731和第一子像素電極311的接觸部分與基板110之間的距離、PDL170的部分1712和第二子像素電極312的接觸部分與基板110之間的距離、PDL170的部分1723和第三子像素電極313的接觸部分與基板110之間的距離彼此相等。因此，可在相同的條件下形成TOL170，使得可以根據期望設置的高度或預定的高度精確地形成TOL170，另外，當需要機械研磨操作來形成TOL170時，可以精確地執(zhí)行研磨工藝。
[0107]此外，盡管當形成TOL170時PDL170的頂表面不是平坦的，但是基板110與TOL170的部分1712、1723和1731的不平坦頂表面之間的形狀或距離彼此相同，即使不對H)L170的頂表面進行蝕刻。因此，當隨后利用LITI方法形成第二 EML322或第一 EML321時不會存在問題。
[0108]圖12是根據本發(fā)明的另一實施例的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
[0109]在根據本實施例的有機發(fā)光顯示裝置中，在第一子像素區(qū)域Al的中心部分中基板110與平坦化層160的頂表面之間的距離比在第一子像素區(qū)域Al的邊緣中基板110與平坦化層160的頂表面之間的距離大。即，平坦化層160的頂表面在第一子像素區(qū)域Al的中心部分中突出。第 一子像素電極311在第一子像素區(qū)域Al的中心部分中設置在平坦化層160的頂表面上。即，第一子像素電極311設置在平坦化層160的頂表面中的突出部分上。
[0110]在根據本實施例的有機發(fā)光顯示裝置中，第一子像素電極311、第二子像素電極312和第三子像素電極313都形成在平坦的表面上。因此，可以降低在形成子像素電極過程中的缺陷率，可以平穩(wěn)地執(zhí)行每個子像素電極對EML的空穴注入或電子注入，空穴注入或電子注入可以均勻地或相似地形成在子像素電極中。
[0111]這里，在TOL170的跨過第一子像素區(qū)域Al和第二子像素區(qū)域A2延伸的部分1712處，PDL170的頂表面和第二子像素電極312的沒有被TOL170覆蓋的部分的頂表面之間的距離可以比TOL170的頂表面和第一子像素電極311的沒有被TOL170覆蓋的部分的頂表面之間的距離大。通過這樣做，在形成第二 EML322之后形成第一 EML321時，可以根據與關于第二 EML322的形成條件相同或非常相似的形成條件來形成第一 EML321。
[0112]根據本發(fā)明的一個或多個實施例，能夠實現在制造過程中缺陷率顯著降低的有機發(fā)光顯示裝置和制造該有機發(fā)光顯示裝置的方法。
[0113]盡管已經參照本發(fā)明的示例實施例具體地示出并描述了本發(fā)明，但是本領域普通技術人員將理解的是，在不脫離權利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對其在形式和細節(jié)上進行各種改變。
【權利要求】
1.一種有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置包括: 基板，具有第一子像素區(qū)域、第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域； 平坦化層，覆蓋第一子像素區(qū)域、第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域，使得在第一子像素區(qū)域的中心處基板與平坦化層的頂表面之間的距離比在第二子像素區(qū)域的中心處基板與平坦化層的頂表面之間的距離大，或者比在第三子像素區(qū)域的中心處基板與平坦化層的頂表面之間的距離大；以及 第一子像素電極，位于第一子像素區(qū)域中的平坦化層上；第二子像素電極，位于第二子像素區(qū)域中的平坦化層上；和第三子像素電極，位于第三子像素區(qū)域中的平坦化層上。
2.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括位于平坦化層上的像素限定層，像素限定層跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域并跨過第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域延伸以覆蓋第一子像素電極的邊緣、第二子像素電極的邊緣和第三子像素電極的邊緣。
3.如權利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，基板與像素限定層的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸從而覆蓋第一子像素電極的邊緣和第二子像素電極的邊緣的部分的頂表面之間的距離等于基板與像素限定層的跨過第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域延伸從而覆蓋第二子像素電極的邊緣和第三子像素電極的邊緣的部分的頂表面之間的距離。
4.如權利要求3所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，平坦化層被形成為使得在第一子像素區(qū)域的中心處基板與平坦化層的頂表面之間的距離比在第一子像素區(qū)域的邊緣處基板與平坦化層的頂表面之間的距離大。
5.如權利要求4所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，第一子像素電極覆蓋平坦化層的在第一子像素區(qū)域的邊緣處的頂表面的至少一部分，并覆蓋平坦化層的在第一子像素區(qū)域的中心處的頂表面。
6.如權利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，像素限定層的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸的部分覆蓋第一子像素電極的在第一子像素區(qū)域的邊緣處的部分。
7.如權利要求4所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，第一子像素電極位于平坦化層的在第一子像素區(qū)域的中心處的頂表面上。
8.如權利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，在像素限定層的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸的部分處，像素限定層的頂表面與第二子像素電極的被像素限定層覆蓋的部分的頂表面之間的距離比像素限定層的頂表面與第一子像素電極的被像素限定層覆蓋的部分的頂表面之間的距離大。
9.如權利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括: 第二發(fā)射層，位于像素限定層的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸的部分的頂表面上、位于第二子像素電極的沒有被像素限定層覆蓋的至少一部分上、位于像素限定層的跨過第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域延伸的部分的頂表面上；以及 第一發(fā)射層，位于像素限定層的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸的部分的頂表面上的第二發(fā)射層的頂表面上、位于第一子像素電極的沒有被像素限定層覆蓋的至少一部分上、位于像素限定層的跨過第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域延伸的部分的頂表面 上的第二發(fā)射層的頂表面上。
10.如權利要求9所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，像素限定層的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸的部分上的第二發(fā)射層的頂表面與第一子像素電極的中心的頂表面之間的階差等于像素限定層的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸的部分上的第二發(fā)射層的底表面與第二子像素電極的中心的頂表面之間的階差。
11.如權利要求9所述的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括第三發(fā)射層，第三發(fā)射層位于第二發(fā)射層和像素限定層之間、位于第二發(fā)射層和第二子像素電極之間、位于第一發(fā)射層和像素限定層之間、位于第一發(fā)射層和第一子像素電極之間，并覆蓋第三子像素電極的沒有被像素限定層覆蓋的至少一部分。
12.一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括: 準備具有第一子像素區(qū)域、第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域的基板； 形成平坦化層，以覆蓋第一子像素區(qū)域、第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域，使得在第一子像素區(qū)域的中心處基板與平坦化層的頂表面之間的距離比在第二子像素區(qū)域的中心處基板與平坦化層的頂表面之間的距離大，或者比在第三子像素區(qū)域的中心處基板與平坦化層的頂表面之間的距離大；以及 在第一子像素區(qū)域中在平坦化層上形成第一子像素電極，在第二子像素區(qū)域中在平坦化層上形成第二子像素電極，在第三子像素區(qū)域中在平坦化層上形成第三子像素電極。
13.如權利要求12所述的方法，所述方法還包括:在平坦化層上形成像素限定層，像素限定層跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域并跨過第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域延伸以覆蓋第一子像素 電極的邊緣、第二子像素電極的邊緣和第三子像素電極的邊緣。
14.如權利要求13所述的方法，其中，執(zhí)行形成像素限定層的步驟，使得基板與像素限定層的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸以覆蓋第一子像素電極的邊緣和第二子像素電極的邊緣的部分的頂表面之間的距離等于基板與像素限定層的跨過第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域延伸以覆蓋第二子像素電極的邊緣和第三子像素電極的邊緣的部分的頂表面之間的距離。
15.如權利要求14所述的方法，其中，執(zhí)行形成平坦化層的步驟，使得在第一子像素區(qū)域的中心處基板與平坦化層的頂表面之間的距離比在第一子像素區(qū)域的邊緣處基板與平坦化層的頂表面之間的距離大。
16.如權利要求15所述的方法，其中，第一子像素電極覆蓋平坦化層的在第一子像素區(qū)域的邊緣處的頂表面的至少一部分，并覆蓋平坦化層的在第一子像素區(qū)域的中心處的頂表面。
17.如權利要求16所述的方法，其中，執(zhí)行形成像素限定層的步驟，使得像素限定層的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸的部分覆蓋第一子像素電極的在第一子像素區(qū)域的邊緣處的部分。
18.如權利要求16所述的方法，所述方法還包括: 在像素限定層的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸的部分的頂表面上、在第二子像素電極的沒有被像素限定層覆蓋的至少一部分上、在像素限定層的跨過第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域延伸的部分的頂表面上形成第二發(fā)射層；以及 在像素限定層的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸的部分的頂表面上的第二發(fā)射層的頂表面上、在第一子像素電極的沒有被像素限定層覆蓋的至少一部分上、在像素限定層的跨過第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域延伸的部分的頂表面上的第二發(fā)射層的頂表面上形成第一發(fā)射層。
19.如權利要求18所述的方法，其中，像素限定層的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸的部分上的第二發(fā)射層的頂表面與第一子像素電極的中心的頂表面之間的階差等于像素限定層的跨過第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域延伸的部分上的第二發(fā)射層的底表面與第二子像素電極的中心的頂表面之間的階差。
20.如權利要求18所述的方法，所述方法還包括:形成第三發(fā)射層，以覆蓋第一子像素電極的沒有被像素限定層覆蓋的部分、第二子像素電極的沒有被像素限定層覆蓋的部分、第三子像素電 極的沒有被像素限定層覆蓋的部分以及像素限定層的頂表面。
【文檔編號】H01L27/32GK104022137SQ201310471223
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2013年10月10日 優(yōu)先權日:2013年2月28日
【發(fā)明者】金正訓 申請人:三星顯示有限公司