發(fā)光器件的制作方法
【專(zhuān)利摘要】公開(kāi)了一種發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括：具有多個(gè)凸部的襯底；在襯底上的第一半導(dǎo)體層；設(shè)置在第一半導(dǎo)體層的頂表面中的多個(gè)第一凹坑；設(shè)置在第一半導(dǎo)體層的頂表面中的多個(gè)第二凹坑；設(shè)置在第一凹坑中的第一金屬化合物；設(shè)置在第二凹坑中的第二金屬化合物；設(shè)置在第一半導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體層；以及設(shè)置在第二半導(dǎo)體層上的發(fā)光結(jié)構(gòu)。該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的有源層以及在有源層上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
【專(zhuān)利說(shuō)明】發(fā)光器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]實(shí)施方案涉及發(fā)光器件和具有該發(fā)光器件的照明裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]第II1-V族氮化物半導(dǎo)體由于其物理和化學(xué)特性而已經(jīng)被廣泛用作用于發(fā)光器件(如發(fā)光二極管(LED)或激光二極管(LD))的主要材料。通常，第II1-V族氮化物半導(dǎo)體包含具有InxAlyGa1^N (O≤x≤1，0≤y≤1，以及O≤x+y≤I)的組成式的半導(dǎo)體材料。
[0003]LED為通過(guò)利用化合物半導(dǎo)體的特性將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成紅外線或光來(lái)發(fā)送/接收信號(hào)的半導(dǎo)體器件。LED也被用作光源。
[0004]利用氮化物半導(dǎo)體材料的LED或LD主要用于發(fā)光器件以提供光。例如，LED或LD被用作用于各種產(chǎn)品(如移動(dòng)電話的按鍵發(fā)光部分、電子廣告牌以及照明裝置)的光源。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]實(shí)施方案提供一種發(fā)光器件，其包括具有設(shè)置在多個(gè)凹坑中的金屬化合物的半導(dǎo)體層。
[0006]實(shí)施方案提供一種發(fā)光器件，其包括:與襯底的凸部相對(duì)應(yīng)的多個(gè)第一凹坑；在第一凹坑之間的第二凹坑；以及具有金屬化合物并且設(shè)置在第一凹坑和第二凹坑中的半導(dǎo)體層。
[0007]實(shí)施方案提供一種發(fā)光器件，其中設(shè)置在半導(dǎo)體層的凹坑中的金屬化合物的頂表面被設(shè)置在與半導(dǎo)體層的 位置相同或比半導(dǎo)體層的位置深的位置。
[0008]實(shí)施方案提供一種發(fā)光器件，其包括設(shè)置在半導(dǎo)體層的具有傾斜外周表面的凹坑中的金屬化合物。
[0009]實(shí)施方案提供一種發(fā)光器件，其中在半導(dǎo)體層中的第一凹坑的體積大于第二凹坑的體積。
[0010]實(shí)施方案提供一種包括發(fā)光器件的照明裝置。
[0011]根據(jù)實(shí)施方案，提供了一種發(fā)光器件，其包括:具有多個(gè)凸部的襯底；設(shè)置在襯底的頂表面上的第一半導(dǎo)體層；設(shè)置在第一半導(dǎo)體層的頂表面中并且與凸部重疊的多個(gè)第一凹坑；設(shè)置在第一半導(dǎo)體層的頂表面中并且設(shè)置在凸部之間的區(qū)域中的多個(gè)第二凹坑；設(shè)置在第一凹坑中的與凸部的上部接觸的第一金屬化合物；設(shè)置在第二凹坑中的第二金屬化合物；設(shè)置在第一半導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體層；以及設(shè)置在第二半導(dǎo)體層上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括在第二半導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的有源層以及在有源層上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
[0012]根據(jù)另一實(shí)施方案，提供了一種發(fā)光器件，其包括:包含透光材料并且具有多個(gè)凸部的襯底；設(shè)置在襯底的頂表面上的第一半導(dǎo)體層；設(shè)置在第一半導(dǎo)體層的頂表面中并且與凸部重疊的多個(gè)第一凹坑；設(shè)置在第一半導(dǎo)體層的頂表面中并且設(shè)置在凸部之間的區(qū)域中的多個(gè)第二凹坑；設(shè)置在第一凹坑中的與凸部的上部接觸的第一金屬化合物；設(shè)置在第二凹坑中的第二金屬化合物；設(shè)置在第一半導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體層；以及設(shè)置在第二半導(dǎo)體層上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括在第二半導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的有源層以及在有源層上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，第一金屬化合物和第二金屬化合物包含與第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層的材料不同的材料，并且每個(gè)第一金屬化合物具有比每個(gè)第二金屬化合物的體積大的體積。
[0013]根據(jù)另一實(shí)施方案，提供了一種發(fā)光器件，其包括:包含透光材料并且具有多個(gè)凸部的襯底；從襯底的底表面突出的多個(gè)突起；設(shè)置在襯底的頂表面上的第一半導(dǎo)體層；設(shè)置在第一半導(dǎo)體層的頂表面中以部分變成開(kāi)放的每個(gè)凸部的多個(gè)第一凹坑；設(shè)置在第一半導(dǎo)體層的頂表面中并且設(shè)置在凸部之間的區(qū)域中的多個(gè)第二凹坑；設(shè)置在第一凹坑中的與凸部的上部接觸的第一金屬化合物；設(shè)置在第二凹坑中的第二金屬化合物；設(shè)置在第一半導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體層；以及設(shè)置在第二半導(dǎo)體層上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括在第二半導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的有源層以及在有源層上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，第一金屬化合物和第二金屬化合物包含與第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層的材料不同的材料，并且每個(gè)第一金屬化合物具有比每個(gè)第二金屬化合物的體積大的體積，并且第一金屬化合物和第二金屬化合物包括具有與第一半導(dǎo)體層的頂表面在同一水平面上對(duì)準(zhǔn)的水平表面的頂表面和以相同角度傾斜的側(cè)表面。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)視圖。
[0015]圖2是圖1的局部放大視圖。
[0016]圖3是圖1的發(fā)光器件的俯視圖。
[0017]圖4是示出在制造根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的工藝中、在襯底上形成第一半導(dǎo)體層的實(shí)例的截面圖。
[0018]圖5是示出在圖4的第一半導(dǎo)體層上形成金屬化合物層的實(shí)例的截面圖。
[0019]圖6是在對(duì)圖5的金屬化合物層進(jìn)行蝕刻之后的截面圖。
[0020]圖7是示出在圖6的第一半導(dǎo)體層和金屬化合物層上形成第二半導(dǎo)體層和發(fā)光結(jié)構(gòu)的實(shí)例的截面圖。
[0021]圖8是根據(jù)第二實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)視圖。
[0022]圖9是根據(jù)第三實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)視圖。
[0023]圖10是在圖1的發(fā)光器件上設(shè)置電極的視圖。
[0024]圖11是在圖1的發(fā)光器件上設(shè)置電極和光提取結(jié)構(gòu)的視圖。
[0025]圖12是示出設(shè)置在圖1的發(fā)光器件上的垂直電極的視圖。
[0026]圖13是示出具有圖9的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝件的立體圖。
[0027]圖14是圖13的發(fā)光器件的側(cè)視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]在實(shí)施方案的描述中，應(yīng)理解，當(dāng)層(或膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)被稱(chēng)為處于另一襯底、另一層(或膜)、另一區(qū)域、另一焊墊或另一圖案“上”或“下”時(shí)，其可以“直接地”或“間接地”在另一襯底、層(或膜)、區(qū)域、焊墊或圖案上，或者還可以存在一個(gè)或更多個(gè)中間層。已經(jīng)參照附圖描述了層的這種位置。出于方便或清楚的目的，在圖中示出的每個(gè)層的厚度和尺寸可能被放大、省略或示意性繪制。另外，元件的尺寸并不完全反映實(shí)際尺寸。
[0029]在下文中，將參照附圖來(lái)描述實(shí)施方案。
[0030]圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施方案的發(fā)光器件的立體圖。圖2是示出圖1的襯底凸部的局部放大視圖。圖3是圖1的發(fā)光器件的俯視圖。
[0031]參照?qǐng)D1至圖3，發(fā)光器件100包括:具有多個(gè)凸部113的襯底111 ;具有凹坑13和14的第一半導(dǎo)體層121 ;金屬化合物123和124 ;第二半導(dǎo)體層131 ;第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層133 ;有源層135 ;以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層137。
[0032]襯底111可以包括透明襯底、絕緣襯底或?qū)щ娨r底。例如，襯底111可以包含A1203、SiC、S1、GaAs、GaN、ZnO, S1、GaP、InP、Ge 以及 Ga2O3 中的至少一種。襯底 111 可以具有在120 μ m至500 μ m的范圍內(nèi)的厚度T2和2.4或更小或者例如2或更小的折射率。襯底111可以包括藍(lán)寶石襯底。藍(lán)寶石襯底可以包含透明材料。藍(lán)寶石襯底具有六菱形的對(duì)稱(chēng)晶體結(jié)構(gòu)(R3c)。藍(lán)寶石襯底在c軸方向上具有13.001 A的晶格常數(shù)，并在在a軸方向上具有4.765A的晶格常數(shù)。另外，藍(lán)寶石襯底具有C (0001)面、A (1120)面以及R (1102)面。由于藍(lán)寶石襯底的C (0001)面允許容易地生長(zhǎng)氮化物薄膜并且在高溫下是穩(wěn)定的，所以主要使用藍(lán)寶石襯底作為用于生長(zhǎng)氮化物材料的襯底，但實(shí)施方案不限于此。
[0033]襯底111的相鄰側(cè)的長(zhǎng)度可以彼此相同或不同。相鄰側(cè)可以形成0.3mmX0.3mm或更大的面積，或者例如ImmX Imm或更大的大面積。當(dāng)從頂部觀察時(shí)，襯底111可以具有多邊形形狀，如矩形形狀或六邊形形狀，或者作為另一實(shí)例，具有圓形形狀或彎曲形狀。
[0034]襯底111包括多個(gè)凸部113。凸部113可以設(shè)置在襯底111上。凸部113可以沿著有源層135的方向突出并且可以形成為三維結(jié)構(gòu)。
[0035]每個(gè)凸部113的側(cè)剖面可以具有半球形狀、凸球頂透鏡形狀或凸透鏡形狀，并且作為另一實(shí)例，可以具有多邊形形狀，但實(shí)施方案不限于此。每個(gè)凸部113的平面形狀可以包括圓形形狀、多邊形形狀、點(diǎn)形狀或條紋形狀，但實(shí)施方案不限于此。另外，凸部113的周邊可以形成為包括傾斜表面或彎曲表面，使得可以改變?nèi)肷涔獾呐R界角。
[0036]凸部113可以布置為晶格或矩陣的形式?？梢栽谕共?13之間規(guī)則地、不規(guī)則地或隨機(jī)地形成間隙Tl，但實(shí)施方案不限于此。凸部113允許改變?nèi)肷涔獾呐R界角，使得可以提聞光提取效率。
[0037]凸部113的每個(gè)底寬Dl可以是其最大寬度并且可以與凸部113的高度Hl不同。例如，每個(gè)凸部113的底寬Dl可以大于該凸部113的高度H1。每個(gè)凸部113的底寬Dl可以與形成在相鄰?fù)共?13之間的凹形區(qū)域112的長(zhǎng)度Gl不同，例如，每個(gè)凸部113的底寬Dl可以小于長(zhǎng)度Gl。
[0038]凸部113的底寬Dl可以形成為其相對(duì)于凹形區(qū)域112的長(zhǎng)度Gl的比率在0.25倍至4倍的范圍內(nèi)。當(dāng)凸部113的底寬Dl在該比率之外時(shí)，光提取效率未提高。此外，當(dāng)凹形區(qū)域112的長(zhǎng)度Gl過(guò)短時(shí)，在凹形區(qū)域112上不形成半導(dǎo)體層或者可能難以形成每個(gè)凸部113。另外，當(dāng)凹形區(qū)域112的長(zhǎng)度Gl過(guò)長(zhǎng)時(shí)，光提取效率的提高可能不充分。
[0039]凸部113的高度Hl可以形成為其相對(duì)于凹形區(qū)域112的長(zhǎng)度Gl的比率在0.3倍至8倍的范圍內(nèi)，并且可以根據(jù)該比率來(lái)改變光提取效率。當(dāng)凸部113的高度Hl在以上比率之外時(shí)，光提取效率的提聞可能不足。
[0040]凸部113的底寬Dl可以在Iym至4μπι的范圍內(nèi)，并且凹形區(qū)域112的距離Gl可以在1“111至44 111的范圍內(nèi)。另外，凸部113的高度Hl可以在0.5μπι至3.5μπι的范圍內(nèi)。凸部113的底寬Dl和高度Hl的范圍以及凹形區(qū)域112的長(zhǎng)度Gl的范圍是為防止無(wú)法形成凹形區(qū)域112以及使光提取效率最大化而提出的。
[0041]凸部113可以由與襯底111的材料相同的材料形成。例如，凸部113可以由藍(lán)寶石(Al2O3)形成。對(duì)于另一實(shí)例，凸部113可以由與襯底111的材料不同的材料形成，但實(shí)施方案不限于此。襯底111的厚度Τ2可以比凸部113的高度Hl厚，但實(shí)施方案不限于此。
[0042]通過(guò)選擇性地使用第II至VI族化合物半導(dǎo)體，可以在襯底11上形成第一半導(dǎo)體層121。第一半導(dǎo)體層121可以通過(guò)使用第II至VI族化合物半導(dǎo)體而形成為至少一層。例如，第一半導(dǎo)體層121可以通過(guò)使用具有AlyInxGa(1_x_y)N (O ^ x ^ I, O ^ y ^ I,O ^ x+y ^ I)的組成式的化合物半導(dǎo)體材料而形成。通常，第一半導(dǎo)體層121可以包含GaN, InN, AIN, InGaN, AlGaN, InAlGaN 以及 AlInN 中的至少一種。
[0043]第一半導(dǎo)體層121可以被制備成未摻雜的半導(dǎo)體層。未摻雜的半導(dǎo)體層可以具有比η型半導(dǎo)體層的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率。第一半導(dǎo)體層121可以包含η型雜質(zhì)。
[0044]第一半導(dǎo)體層121可以形成為包括交替設(shè)置的第一層和第二層的超晶格結(jié)構(gòu)。第一層可以具有與第二層的折射率和厚度不同的折射率和厚度。
[0045]由于凸部113的周邊可以包括傾斜或彎曲表面，所以第一半導(dǎo)體層不能正常生長(zhǎng)。因而，如果第一半導(dǎo)體層121以預(yù)定厚度或更大厚度生長(zhǎng)，則第一半導(dǎo)體層121在生長(zhǎng)的同時(shí)堆疊在凸部113的周邊上。第一半導(dǎo)體層121的厚度可以比凸部113的高度Hl厚。例如，第一半導(dǎo)體層121可以具有在0.7 μ m至5.3 μ m的范圍內(nèi)的厚度。當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體層121的厚度等于或小于凸部113的高度Hl時(shí)，難以形成金屬氧化物。當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體層121的厚度可以等于或小于凸部113的高度Hl時(shí)，可能在凸部113的最高點(diǎn)處不形成金屬氧化物并且可能生成新的位錯(cuò)。因此，第一半導(dǎo)體層121可以從凸部113的最高點(diǎn)起進(jìn)一步形成在0.2μπι至3.5μπι的范圍內(nèi)的厚度。
[0046]可以在第一半導(dǎo)體層121中形成位錯(cuò)11和12。由于在襯底111的表面與第一半導(dǎo)體層之間的晶格常數(shù)差，可能生成位錯(cuò)11和12。所生成的位錯(cuò)11和12可以沿著半導(dǎo)體生長(zhǎng)方向(例如，沿著垂直方向)延伸。另外，位錯(cuò)11和12的一部分可以在其已經(jīng)沿著垂直方向形成之后沿著水平方向延伸。位錯(cuò)11和12的路徑可以改變。位錯(cuò)11和12的沿著垂直方向延伸的部分可以被稱(chēng)為垂直位錯(cuò)，而位錯(cuò)11和12的從垂直方向發(fā)展至水平方向的剩余部分可以被稱(chēng)為水平位錯(cuò)。位錯(cuò)可以被定義為穿透位錯(cuò)或缺陷(位錯(cuò))。
[0047]當(dāng)位錯(cuò)11和12被轉(zhuǎn)移到有源層135的頂表面時(shí)，靜電放電(ESD)特性可能由于位錯(cuò)11和12而劣化，因此這是降低發(fā)光器件的可靠性的一個(gè)因素。根據(jù)實(shí)施方案，防止了將位錯(cuò)11和12轉(zhuǎn)移到有源層135中，使得提高了 ESD特性并且提高了發(fā)光器件的電可靠性。
[0048]第一半導(dǎo)體層121包括相互具有不同體積的凹坑13和14。凹坑13和14為從第一半導(dǎo)體層121的頂表面凹進(jìn)的凹進(jìn)區(qū)域。凹坑13和14在其中位錯(cuò)11和12延伸的區(qū)域中形成。
[0049]凹坑13和14中的第一凹坑13設(shè)置在每個(gè)凸部113上，而第二凹坑14與延伸至凸部113之間的凹進(jìn)區(qū)域112的第一位錯(cuò)11連接。第一凹坑13使凸部113的每個(gè)部分能夠變成開(kāi)放的。第一凹坑13的體積可以大于第二凹坑14的體積，并且第一凹坑13的深度可以大于第二凹坑14的深度。第一凹坑13中的每一個(gè)第一凹坑13可以在每個(gè)凸部113上形成，并且可以具有比每個(gè)凸部113的頂點(diǎn)位置深的深度。第二凹坑14的底部可以設(shè)置在比每個(gè)凸部113的頂點(diǎn)或最高點(diǎn)高的位置處。在此情況下，由于在凸部113上設(shè)置有第一凹坑13，所以從凸部113的表面未引起任何位錯(cuò)。
[0050]如圖3所示，第一凹坑13在從頂部觀察時(shí)具有多邊形形狀，并且具有V形或U形的側(cè)剖面。第二凹坑14具有多邊形形狀，并且包括V形或U形的側(cè)剖面。第一凹坑13和第二凹坑14的體積和深度可以根據(jù)第一半導(dǎo)體層121的厚度而改變。
[0051]第一凹坑13可以以使得可以露出凸部113的一部分的深度形成。第一凹坑13可以具有能夠露出凸部113的高度Hl的三分之一或更多的深度。第一半導(dǎo)體層121可以以比第一凹坑13的深度厚的厚度形成。當(dāng)?shù)谝话伎?3的深度過(guò)深時(shí)，可能難以形成第二半導(dǎo)體層131。當(dāng)?shù)谝话伎?3的深度過(guò)淺時(shí)，可能在凸部113的最高點(diǎn)處引起不同的位錯(cuò)。因此，第一凹坑13具有比凸部113的最高點(diǎn)深的深度，并且該深度可以與凸部113的高度Hl的三分之一至三分之二相對(duì)應(yīng)。
[0052]當(dāng)在第一半導(dǎo)體層121上未形成第一凹坑13時(shí)，凸部113被第一半導(dǎo)體層121封閉。在此情況下，在第一半導(dǎo)體層121中的第二位錯(cuò)12再次在凸部113上形成為位錯(cuò)群，并且該位錯(cuò)群被轉(zhuǎn)移至另一層。換言之，在第一半導(dǎo)體層121與凸部113的最高點(diǎn)之間的界面中引起新位錯(cuò)，并且該新位錯(cuò)與任何其它位錯(cuò)組成群且被轉(zhuǎn)移至任何其它層。在與其它位錯(cuò)相比的情況下，如上所述生成的位錯(cuò)可能使ESD特性更為劣化。
[0053]第二凹坑14可以具有從第一半導(dǎo)體層121的頂表面起的預(yù)定深度，并且可以凹形地凹進(jìn)。第二凹坑14可以以比第一凹坑13的深度小的深度形成。第二凹坑14可以具有不露出凸部113的最高點(diǎn)或頂峰的深度。另外，第二凹坑14可以在未與每個(gè)凸部113的區(qū)域沿著垂直方向重疊的區(qū)域中形成。此外，多個(gè)第二凹坑14可以以相互不同的深度形成。
[0054]根據(jù)本實(shí)施方案，在第一半導(dǎo)體層121中形成有第一凹坑13和第二凹坑14。在第一凹坑13和第二凹坑14中設(shè)置有金屬化合物123和124，使得可以通過(guò)第一凹坑13和第二凹坑14來(lái)生成新位錯(cuò)，可以抑制位錯(cuò)的轉(zhuǎn)移。金屬化合物123和124可以包含絕緣材料、透光材料、金屬材料以及金屬氧化物中的至少一種。金屬化合物123和124可以包含氮化硅或氧化硅。氮化硅包括SixNy，如SiN或Si3N4。氧化硅可以包括SiOx，如Si02。由于設(shè)置有金屬化合物123和124，所以可以通過(guò)ELO (外延橫向過(guò)生長(zhǎng))來(lái)生長(zhǎng)第二半導(dǎo)體層131以減小晶體缺陷。金屬化合物123和124可以包含具有與氮化物半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)類(lèi)似的晶格常數(shù)的材料，如ZnO。
[0055]金屬化合物123和124可以由與第一半導(dǎo)體層121和第二半導(dǎo)體層131的材料不同的材料形成，并且包含絕緣的和光傳輸材料。
[0056]第一金屬化合物123設(shè)置在第一凹坑13中，并且與凸部113的表面和第一半導(dǎo)體層121的內(nèi)側(cè)接觸。第一金屬化合物123包括與第一半導(dǎo)體層121接觸的多個(gè)傾斜側(cè)表面和與凸部113接觸的凹形底表面。
[0057]第一金屬化合物123的底表面與凸部113的彎曲表面相對(duì)應(yīng)，并且朝向有源層135凹形地彎曲。第一金屬化合物123的側(cè)表面可以以與第一凹坑13的傾斜表面的角度相同的角度θ I傾斜。從第一半導(dǎo)體層121的頂表面起傾斜的角度Θ I可以形成為處于10°至80°的范圍內(nèi)。第一金屬化合物123可以與設(shè)置在第一凹坑13上的位錯(cuò)12接觸。第一金屬化合物123的傾斜表面可以以與第一凹坑13的傾斜表面的角度相同的角度Θ I形成。第一金屬化合物123的傾斜表面可以以與第二凹坑14的傾斜表面的角度相同的角度形成。
[0058]第一凹坑13的下部寬度D3與凸部113的露出區(qū)域的直接長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)，并且例如可以形成為處于0.5 μ m至I μ m的范圍內(nèi)。第一金屬化合物123的寬度可以窄于或等于第一凹坑13的下部寬度D3，并且可以等于或窄于第一凹坑的上寬D2。第一凹坑13被填充有下表面可以為凹形的第一金屬化合物123。
[0059]如圖3所示，第一金屬化合物123可以分別沿著垂直方向與凸部113重疊。例如，第一金屬化合物123中的每一個(gè)第一金屬化合物123可以被設(shè)置在凸部113的區(qū)域中或部分在凸部113的區(qū)域之外。第一金屬化合物123的中心可以與凸部113的中心在同一條線上對(duì)準(zhǔn)。
[0060]第二金屬化合物124設(shè)置在第二凹坑14中。第二金屬化合物124可以與第一半導(dǎo)體層121和設(shè)置在第二凹坑14中的第一位錯(cuò)11接觸。第二金屬化合物124可以與凸部113和第一金屬化合物123間隔開(kāi)。第二凹坑14的傾斜表面可以以與第一凹坑13的傾斜表面的角度相同的角度形成。第二金屬化合物124的傾斜側(cè)表面可以以與第一金屬化合物123的側(cè)表面的角度相同的角度形成。
[0061]第一金屬化合物123和第二金屬化合物124的頂表面可以形成在比第一半導(dǎo)體層121的頂表面的位置深的位置處。例如，第一金屬化合物123和第二金屬化合物124的頂表面可以形成在與第一半導(dǎo)體層121的頂表面相同的水平面上，或者形成在比第一半導(dǎo)體層121的頂表面深的位置處。
[0062]第一金屬化合物123覆蓋其中聚集有凸部113的最高點(diǎn)和第二位錯(cuò)12的第一凹坑13的側(cè)表面，使得可以防止在生長(zhǎng)半導(dǎo)體層的同時(shí)將位錯(cuò)轉(zhuǎn)移到任何其它層中并且可以提高氮化物半導(dǎo)體的結(jié)晶度，因此可以提高電可靠性和內(nèi)部量子效率。與凸部113的最高點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的第一金屬化合物123可以具有以較薄厚度形成的中央?yún)^(qū)域，并且第一金屬化合物123的厚度可以隨著遠(yuǎn)離凸部113的最高點(diǎn)而逐漸加厚。此外，第二金屬化合物124形成在第一位錯(cuò)11上使得可以防止第二凹坑14被轉(zhuǎn)移。第一金屬化合物123可以阻擋轉(zhuǎn)移至第一凹坑13的第二位錯(cuò)12，并且第二金屬化合物124可以阻擋轉(zhuǎn)移至第二凹坑14的至少一個(gè)位錯(cuò)11。
[0063]由于第一金屬化合物123和第二金屬化合物124具有與襯底111和氮化物半導(dǎo)體的折射率不同的折射率，所以可以提高外部量子效率。還可以在第一金屬化合物123與凸部113之間形成間隔。在該間隔中可以填充介質(zhì)如空氣。另外，可以在第一金屬化合物123下方形成間隔，但實(shí)施方案不限于此。
[0064]在此情況下，第一半導(dǎo)體層121的位錯(cuò)密度減小。第一半導(dǎo)體層121的頂表面的位錯(cuò)密度減小為比第一半導(dǎo)體層121的底表面的位錯(cuò)密度低。例如，第一半導(dǎo)體層121的頂表面的位錯(cuò)密度相對(duì)于第一半導(dǎo)體層121的底表面的位錯(cuò)密度減小了 70%或更多。另外，第一半導(dǎo)體層121的頂表面的位錯(cuò)密度減小為比第一半導(dǎo)體層121中的位錯(cuò)密度低。因而，從第一半導(dǎo)體層121轉(zhuǎn)移到有源層135中的位錯(cuò)減少，使得可以提高內(nèi)部量子效率。另夕卜，由于第一金屬化合物123和第二金屬化合物124填充在第一半導(dǎo)體層121的所有凹坑13和14中，所以可以阻擋通過(guò)凹坑13和14轉(zhuǎn)移的位錯(cuò)，使得可以提高第二半導(dǎo)體層131
的表面結(jié)晶度。
[0065]由于第一金屬化合物123與襯底11的凸部113接觸，所以阻擋位錯(cuò)的效率比阻擋在第一半導(dǎo)體層121與第二半導(dǎo)體層131之間的區(qū)域中的位錯(cuò)的結(jié)構(gòu)的效率高。例如，當(dāng)阻擋來(lái)自在第一半導(dǎo)體層121與第二半導(dǎo)體層131之間的區(qū)域中的位錯(cuò)時(shí)，可能未完全抑制從凸部113傳播的位錯(cuò)。另外，由于執(zhí)行第一半導(dǎo)體層121的平面化工藝，所以發(fā)光器件的厚度可能會(huì)增加并且電阻可能會(huì)增加。
[0066]根據(jù)實(shí)施方案，通過(guò)設(shè)置在第二半導(dǎo)體層131與襯底111之間的第一金屬化合物123和第一凹坑13，可以防止從襯底111生成的位錯(cuò)通過(guò)凸部113傳播至第二半導(dǎo)體層131?；旧?，在與凸部113相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的位錯(cuò)幾乎均被阻擋。也就是說(shuō)，在第一金屬化合物123上不存在位錯(cuò)。
[0067]在第一半導(dǎo)體層121和第一金屬化合物123上形成有第二半導(dǎo)體層131。第二半導(dǎo)體層131的底表面可以通過(guò)第一凹坑13的彎曲部分而形成為凹凸結(jié)構(gòu)，而頂表面可以是平坦的。第二半導(dǎo)體層131可以防止存在于第一半導(dǎo)體層121中的第一凹坑13和第二凹坑14的延伸，并且可以抑制或阻擋存在于第一半導(dǎo)體層121中的位錯(cuò)11和12的延伸。因而，第二半導(dǎo)體層131的頂表面中的缺陷密度降低至比第一半導(dǎo)體層121中的缺陷密度低。例如，第二半導(dǎo)體層131的頂表面中的缺陷密度降低至IXlO6CnT2至IXlO8CnT2的范圍內(nèi)?？梢蕴岣叩诙雽?dǎo)體層131和發(fā)光結(jié)構(gòu)130的晶體質(zhì)量，并且可以提高發(fā)光器件的光學(xué)功率和電可靠性。
[0068]第二半導(dǎo)體層131可以通過(guò)添加第一導(dǎo)電雜質(zhì)來(lái)形成,或者可以是未摻雜有任何導(dǎo)電雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。第二半導(dǎo)體層131可以包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層如N型半導(dǎo)體層，但實(shí)施方案不限于此。例如，第二半導(dǎo)體層131可以通過(guò)使用具有AlyInxGa(1_x_y)N (O≤x≤1，
l,0≤x+y≤ I)的組成式的化合物半導(dǎo)體材料而形成。通常，第二半導(dǎo)體層131可以包含 GaN、InN, AIN, InGaN, AlGaN, InAlGaN 以及 AlInN 中的至少一種。
[0069]第二半導(dǎo)體層131可以形成為包括彼此不同且交替進(jìn)行設(shè)置的第一層和第二層的超晶格結(jié)構(gòu)。該超晶格結(jié)構(gòu)有效阻擋凹坑和位錯(cuò)。
[0070]可以在第二半導(dǎo)體層131上形成有發(fā)光結(jié)構(gòu)130。發(fā)光結(jié)構(gòu)130可以包含第II1-V族化合物半導(dǎo)體。例如，發(fā)光結(jié)構(gòu)130可以包含具有InxAlyGai_x_yN(0≤x≤1，0≤y≤1，O ^ x+y ^ I)的組成式的半導(dǎo)體，使得發(fā)光結(jié)構(gòu)130可以發(fā)射具有在紫外線波段至可見(jiàn)射線波段的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的預(yù)定峰值波長(zhǎng)的光。
[0071]發(fā)光結(jié)構(gòu)130包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層133、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層137以及在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層133和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層137之間的有源層135。
[0072]第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層133可以在第二半導(dǎo)體層131上形成。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層133可以包含摻雜有第一導(dǎo)電摻雜劑的第II1-V族化合物半導(dǎo)體。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層133可以包含一種化合物半導(dǎo)體，如GaN、InN, AIN、InGaN, AlGaN, InAlGaN或Al InN。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層133可以形成為具有InxAlyGanyN (O ^ x ^ I,O ^ y ^ I,O ^ x+y ^ I)的組成式的N型半導(dǎo)體層，并且第一導(dǎo)電摻雜劑為N型摻雜劑，其包括S1、Ge、Sn、Se或Te。
[0073]可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層133和第二半導(dǎo)體層131之間形成包括在彼此上交替堆疊的各種半導(dǎo)體層的超晶格結(jié)構(gòu)。超晶格結(jié)構(gòu)可以減少晶格缺陷。超晶格結(jié)構(gòu)的每一層可以具有在3A至IOOA的范圍內(nèi)的厚度。
[0074]可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層133和有源層135之間形成覆層(未示出)。覆層可以包含GaN基半導(dǎo)體，并且具有比有源層135的帶隙高的帶隙。覆層可以包括N型半導(dǎo)體層并且限制載流子。
[0075]有源層135在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115之下形成。有源層135選擇性地包括單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)或量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)，并且可以具有阱層和勢(shì)壘層的周期。阱層可以具有InxAlyGanyN (O≤x≤1，O≤y≤1，O≤x+y ( I)的組成式，并且勢(shì)魚(yú)層可以具有InxAlyGa1IyN (0^x^l,0^y^l,0^ x+y ( I)的組成式。講層/勢(shì)魚(yú)層可以通過(guò)使用 InGaN/GaN、GaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、InAlGaN/InAlGaN 或AlInN/InGaN的堆疊結(jié)構(gòu)而具有至少一個(gè)周期。勢(shì)壘層可以包含具有比阱層的帶隙高的帶隙的半導(dǎo)體材料。
[0076]可以在有源層135和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層137之間形成電子阻擋層。電子阻擋層可以包含AlGaN基半導(dǎo)體。電子阻擋層可以具有比勢(shì)壘層的能帶隙高的能帶隙。電子阻擋層可以形成為單層或多層的結(jié)構(gòu)。多層的結(jié)構(gòu)可以包括超晶格結(jié)構(gòu)。
[0077]第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層137可以包含摻雜有第二導(dǎo)電摻雜劑的半導(dǎo)體。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層137可以包含諸如GaN、InN、AIN、InGaN、AlGaN、InAlGaN或AlInN等化合物半導(dǎo)體中的一種。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層137可以形成為具有InxAlyGai_x_yN (O≤x≤1，
1,0^ x+y ^ I)的組成式的P型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體摻雜劑為P型摻雜劑，其包括Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。
[0078]第二導(dǎo)電半導(dǎo) 體層137可以包括超晶格結(jié)構(gòu)，如InGaN/GaN或AlGaN/GaN。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層137的超晶格結(jié)構(gòu)可以使在電壓內(nèi)異常包含的電流擴(kuò)散，從而保護(hù)有源層135。
[0079]另外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層133可以被制備為P型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層137可以被制備為N型半導(dǎo)體層?？梢栽诘诙?dǎo)電半導(dǎo)體層137之下形成具有與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層137的極性相反的極性的第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
[0080]發(fā)光結(jié)構(gòu)130可以由第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層133、有源層135以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層137定義。發(fā)光結(jié)構(gòu)130可以實(shí)現(xiàn)為N-P結(jié)結(jié)構(gòu)、P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、N-P-N結(jié)結(jié)構(gòu)以及P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu)中的一種結(jié)構(gòu)。在此情況下，符號(hào)“N”和“P”分別表示N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層，并且符號(hào)表示兩個(gè)層在彼此上直接或間接地堆疊。在下文中，出于便于說(shuō)明的目的，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層137將被稱(chēng)為發(fā)光結(jié)構(gòu)130的最上層。
[0081]通過(guò)將電極連接至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層133和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層137，可以向第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層133和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層137提供電功率。
[0082]根據(jù)實(shí)施方案，可以減少有源層中的缺陷。實(shí)施方案可以提供對(duì)靜電放電(ESD)具有更大抵抗力的器件。根據(jù)本實(shí)施方案，可以使半導(dǎo)體中的光吸收最小化并且產(chǎn)生漫反射，使得可以提高光提取效率。根據(jù)實(shí)施方案，提供了一種阻擋在凸部上引起的位錯(cuò)的發(fā)光器件，使得可以提高電可靠性。
[0083]圖4至圖7是示出制造發(fā)光器件的工藝的視圖。雖然基于單個(gè)器件做出以下描述以便于說(shuō)明，但是發(fā)光器件是以晶片級(jí)別制造的，并且該單個(gè)器件通過(guò)后面描述的工藝來(lái)制造。然而，該單個(gè)器件的制造并不限于后面描述的工藝，但可以增加或減少工藝步驟以制造該單個(gè)器件。[0084]參照?qǐng)D4，襯底111被裝載到生長(zhǎng)裝備中，并且可以選擇性地使用包含第II至VI族元件的化合物半導(dǎo)體以在襯底111上形成為層或圖案的形式。襯底111用作生長(zhǎng)襯底。
[0085]可以在襯底111上生長(zhǎng)多個(gè)化合物半導(dǎo)體層。用于生長(zhǎng)化合物半導(dǎo)體多層的生長(zhǎng)裝備包括電子束蒸鍍機(jī)、PVD (物理氣相沉積)裝備、CVD (化學(xué)氣相沉積)裝備、PLD (等離子體激光沉積)裝備、雙型熱蒸發(fā)器、濺射裝備、或MOCVD (金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)裝備，但實(shí)施方案不限于此。
[0086]襯底111可以包括透明襯底、絕緣襯底或?qū)щ娨r底。例如，襯底111可以包含選自Al203、GaN、SiC、Zn0、S1、GaP、InP、Ga2O3以及GaAs中的一種。在襯底111上形成有凸部113。凸部113可以通過(guò)使用設(shè)置在襯底111上的預(yù)定掩模圖案對(duì)襯底111進(jìn)行蝕刻而形成。
[0087]在襯底111上生長(zhǎng)第一半導(dǎo)體層121。由于晶格常數(shù)差而在襯底111和第一半導(dǎo)體層121之間的界面上引起應(yīng)變。在生長(zhǎng)第一半導(dǎo)體層121并且位錯(cuò)11和12沿著第一半導(dǎo)體層121的生長(zhǎng)方向延伸時(shí)，由位錯(cuò)11和12引起該應(yīng)變。在此情況下，第一半導(dǎo)體層121從襯底的平面表面(0001)起通過(guò)凸部113的表面進(jìn)行生長(zhǎng)。在凸部113上形成第一凹坑13，并且通過(guò)控制第一半導(dǎo)體層121的生長(zhǎng)溫度來(lái)調(diào)節(jié)第一凹坑13的體積和尺寸。因?yàn)榈诙诲e(cuò)12延伸，所以可以露出第一凹坑13。
[0088]可以在位錯(cuò)11和12中的第一位錯(cuò)11上形成第二凹坑14。第二凹坑14可以具有比第一凹坑13的體積小的體積。
[0089]在以比凸部113的高度大的厚度形成第一半導(dǎo)體層121之后，第一凹坑13中的凸部113的上部變成開(kāi)放的。
[0090]參照?qǐng)D5,可以在第一半導(dǎo)體層121上形成金屬化合物層123A。金屬化合物層123A可以從第一半導(dǎo)體層層121的頂表面起以預(yù)定厚度形成。金屬化合物層123A可以包含氮化硅或氧化硅。氮化硅包括SixNy，如SiN或Si3N4。氧化硅可以包括SiOx，如Si02。在此情況下，第一凹坑13和第二凹坑14可以填充有金屬化和物層123A。
[0091]可以在同一室中形成金屬化和物層123A。形成金屬化和物層123A的溫度在900°C至1100°C的范圍內(nèi)，并且向氨(NH3)氣氛中提供硅前體。硅前體可以包括SiH4、Si2H6或DTBSi (二叔丁基硅烷)。凹坑13和14可以填充有金屬化合物層123A。前體的提供稍后被中斷。金屬化合物層123A可以包括在凹坑13和14中形成金屬化合物層123A時(shí)所生成的孔。該孔可以使在半導(dǎo)體中引起的光吸收最小化并且產(chǎn)生漫反射，使得可以增加光輸出。
[0092]參照?qǐng)D5和圖6，對(duì)金屬化合物層123A進(jìn)行蝕刻。通過(guò)利用干法蝕刻和濕法蝕刻中的至少一種將金屬化合物層123A蝕刻至第一半導(dǎo)體層121的頂表面。干法蝕刻可以通過(guò)使用準(zhǔn)分子(Cl2+ArF)、T1:藍(lán)寶石、或Nd-YAG激光來(lái)執(zhí)行。濕法蝕刻可以通過(guò)使用王水、KOH、HNO3> HCL、CH3COOH, H3PO4, H2SO4, H2O 中的 Κ0Η、乙二醇(Ch2OH2OH)中的 KOH、H2O 中的NaOH、或乙二醇中的NaOH來(lái)執(zhí)行。盡管蝕刻溫度根據(jù)蝕刻方案改變，但是蝕刻溫度可以被設(shè)定在I°C至200°C的范圍內(nèi)。
[0093]通過(guò)蝕刻工藝，在第一凹坑13中設(shè)置了第一金屬化合物123并且在第二凹坑14中設(shè)置了第二金屬化合物124。通過(guò)對(duì)金屬化合物層123A進(jìn)行蝕刻而露出第一半導(dǎo)體層121的頂表面,使得第一金屬化合物123和第二金屬化合物124的頂表面可以設(shè)置在與第一半導(dǎo)體層121相同的平面上，或者可以設(shè)置為處于比第一半導(dǎo)體層121更深的深度。[0094]參照?qǐng)D7，在第一半導(dǎo)體層121和第一金屬化合物123上形成第二半導(dǎo)體層131。第二半導(dǎo)體層131可以由與第一半導(dǎo)體層121的化合物半導(dǎo)體相同或不同的化合物半導(dǎo)體形成。通過(guò)控制垂直和水平生長(zhǎng)速度，第二半導(dǎo)體層131可以在生長(zhǎng)的同時(shí)填充第一凹坑13和第二凹坑14。生長(zhǎng)速度可以受控于前體的流量、壓力和生長(zhǎng)溫度，并且生長(zhǎng)溫度可以為100°C或更高。
[0095]在第二半導(dǎo)體層131上形成包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層133、有源層135和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層137的發(fā)光結(jié)構(gòu)130。發(fā)光結(jié)構(gòu)130可以形成為三個(gè)半導(dǎo)體層或更多層，但實(shí)施方案不限于此。另外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層133和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層137中的一個(gè)層或其相鄰層可以包括具有AlGaN/GaN/InGaN或AlGaN/GaN/InGaN中的一種的超晶格結(jié)構(gòu)，但實(shí)施方案不限于此。
[0096]因而，第一金屬化合物123可以在第一半導(dǎo)體層121的形成在襯底111的凸部113上的第一凹坑13上形成，使得可以有效地阻擋通過(guò)襯底111的凸部113的區(qū)域轉(zhuǎn)移至另一層的位錯(cuò)。
[0097]圖8是示出根據(jù)第二實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)視圖。在第二實(shí)施方案的描述中，與第一實(shí)施方案的構(gòu)造相同的構(gòu)造將參考第一實(shí)施方案的描述。
[0098]參照?qǐng)D8，在第一半導(dǎo)體層121與襯底111之間設(shè)置有發(fā)光器件的緩沖層120，使得緩沖層120減弱襯底111與第一半導(dǎo)體層121之間的晶格失配。因而，可以減少轉(zhuǎn)移至第一半導(dǎo)體層121的位錯(cuò)。緩沖層120可以具有幾nm或更小的厚度，并且例如可以包含具有InxAlyGanyN (O≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤I)的組成式的材料，但實(shí)施方案不限于此。在此情況下，當(dāng)凸部113具有半球形狀時(shí)，緩沖層120可能不能在彎曲部分處正常生長(zhǎng)。
[0099]設(shè)置在第一半導(dǎo)體層121與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層133之間的第二半導(dǎo)體層132可以形成為具有多層的超晶格結(jié)構(gòu)體。第二半導(dǎo)體層132可以包括相互具有不同反射率或相互具有不同材料和厚度的多個(gè)層。第二半導(dǎo)體層132可以包括至少兩對(duì)交替堆疊的層。可以阻擋通過(guò)第二半導(dǎo)體層132的超晶格結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層133的位錯(cuò)。第一層和第二層中的一個(gè)層可以包含具有InxAlyGa1IyN (O≤x≤I,O≤y≤I,O≤x+y ≤ I)的組成式的化合物半導(dǎo)體，而另一層可以包含其中X和I的值與上述一個(gè)層的X和I的值不同的另一化合物半導(dǎo)體。例如，第一 /第二層可以包含GaN/AlGaN、GaN/AIN、AlN/AlGaN和AlGaN/InGaN中的至少一種。另外，第二半導(dǎo)體層132的第一 /第二層的配對(duì)中的與第一半導(dǎo)體層121相鄰的一個(gè)配對(duì)可以具有通過(guò)第一和第二金屬化合物形成的粗糙表面。另外，第二半導(dǎo)體層132的第一 /第二層的配對(duì)中的與第一半導(dǎo)體層121相鄰的一個(gè)配對(duì)可以具有平面表面。
[0100]圖9是示出根據(jù)第三實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)視圖。在第三實(shí)施方案的描述中，與第一和第二實(shí)施方案的構(gòu)造相同的構(gòu)造將參考第一和第二實(shí)施方案的描述。
[0101]參照?qǐng)D9，發(fā)光器件包括在襯底111上的緩沖層120和第一半導(dǎo)體層121。
[0102]緩沖層120可以由減弱襯底111與第一半導(dǎo)體層之間的晶格失配的半導(dǎo)體材料形成。因而，可以減少轉(zhuǎn)移至第一半導(dǎo)體層121的位錯(cuò)。緩沖層120可以具有幾nm或更小的厚度，并且例如可以包含具有InxAlyGa^N (O≤x≤1，O≤y≤1，O≤x+y≤I)的組成式的材料，但實(shí)施方案不限于此。在此情況下，當(dāng)凸部113具有半球形狀時(shí)，緩沖層120可能不能在彎曲部分處正常生長(zhǎng)。
[0103]可以在襯底111的凸部113上且在凸部113的最高點(diǎn)區(qū)域中形成具有比緩沖層120的厚度小的厚度的緩沖層120的部分21。緩沖層120的部分21可以設(shè)置在比緩沖層120的頂表面和凸部113的最高點(diǎn)高的位置處。
[0104]緩沖層120的部分21與第一凹坑13中的第一金屬化合物123接觸。緩沖層120的部分21可以以嵌入形式設(shè)置在第一金屬化合物123中。第一金屬化合物123可以與緩沖層120的部分21和第一凹坑13的側(cè)表面接觸，并且可以有效地阻擋可以通過(guò)凸部113轉(zhuǎn)移的位錯(cuò)。第一金屬化合物123與緩沖層120的部分21的周邊接觸。第一金屬化合物123的下周邊可以在在緩沖層120的部分21與第一半導(dǎo)體層121之間的區(qū)域中。第一金屬化合物123的下周邊可以設(shè)置在比緩沖層120的部分21的位置低的位置處。因而，第一半導(dǎo)體層121、緩沖層120以及第一金屬化合物123可以在凸部113的表面上彼此接觸，使得可以提聞光提取效率。
[0105]還可以在第一金屬化合物123與凸部113之間形成孔。該孔可以與緩沖層120的部分21接觸或與該部分21間隔開(kāi)。
[0106]圖10是示出設(shè)置第一發(fā)光器件的實(shí)例的視圖。將描述在圖1的發(fā)光器件上設(shè)置電極的實(shí)例，但將省略圖1的構(gòu)造的描述。在圖10的描述中，將省略在圖8和圖9的發(fā)光器件上設(shè)置電極的實(shí)例。
[0107]參照?qǐng)D10，發(fā)光器件101包括襯底111、第一半導(dǎo)體層121和第二半導(dǎo)體層131、金屬化合物123、發(fā)光結(jié)構(gòu)130、在發(fā)光結(jié)構(gòu)130上的電流擴(kuò)散層141、在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層133上的第一電極142以及在電極層141上的第二電極143。
[0108]在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層137的頂表面上形成可以形成為透明電流擴(kuò)散層的電極層141。電極層141可以由選自ITO (氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)、IZTO (氧化銦鋅錫)、IAZO (氧化銦鋁鋅)、IGZO (氧化銦鎵鋅)、IGTO (氧化銦鎵錫)、AZO (氧化鋁鋅)、ATO (氧化銻錫)、GZO (氧化鎵鋅)、ZnO、IrOx、RuOx以及NiO中的材料形成，并且可以包括至少一個(gè)層。電極層141可以包括反射電極層。電極層141可以包含選自Al、Ag、Pd、Rh、Pt、Ir以及具有上述元件中的至少兩種的合金中的一種。
[0109]第二電極143可以在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層137和/或電極層141上形成，并且可以包括電極焊墊。第二電極143可以形成臂狀結(jié)構(gòu)或指狀結(jié)構(gòu)的電流擴(kuò)散圖案。第二電極143可以由具有歐姆接觸性質(zhì)的金屬、粘合層以及接合層形成，并且可以具有非透明性質(zhì)，但實(shí)施方案不限于此。
[0110]第二電極可以占第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層137的頂表面積的40%或更少，例如20%或更少，但實(shí)施方案不限于此。
[0111]第一電極142在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層133上形成。第一電極142和第二電極143可以包含選自 T1、Ru、Rh、Ir、Mg、Zn、Al、In、Ta、Pd、Co、N1、S1、Ge、Ag、Au 及其合金中的一種。通過(guò)抑制發(fā)光結(jié)構(gòu)130中的位錯(cuò)或凹坑可以降低ESD特性。
[0112]還可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)130的表面上形成絕緣層，使得絕緣層可以防止在發(fā)光結(jié)構(gòu)130的層與水分滲透之間的電短路。
[0113]圖11是示出設(shè)置第一發(fā)光器件的另一實(shí)例的視圖。關(guān)于圖11的若干元件的描述將參考圖10的描述。在圖11的描述中，將省略在圖8和圖9的發(fā)光器件上設(shè)置電極的實(shí)例。
[0114]參照?qǐng)D11，在發(fā)光器件102中，在發(fā)光結(jié)構(gòu)130下方設(shè)置電極層141。電極層141可以通過(guò)使用金屬而用作反射電極層。第一電極142和第二電極143可以向下突出，并且可以通過(guò)連接構(gòu)件如凸點(diǎn)而安裝在襯底上。
[0115]襯底111可以具有在30 μ m至70 μ m的范圍內(nèi)的厚度T3，但實(shí)施方案不限于此。襯底111在其頂部和底部包括多個(gè)凸部113和多個(gè)突起114。設(shè)置在底部上的凸部113可以具有與設(shè)置在頂部上的突起114的中心相對(duì)應(yīng)或偏移的中心。突起114可以具有半球形狀或多邊形形狀。沿著光提取方向設(shè)置這樣的結(jié)構(gòu)，使得可以提高光提取效率。
[0116]突起114可以具有與凸部113的形狀相同或不同的形狀。另外，突起114可以具有粗糙結(jié)構(gòu)，但實(shí)施方案不限于此。
[0117]圖12是示出設(shè)置在圖1的發(fā)光器件上的垂直電極的側(cè)視圖。
[0118]參照?qǐng)D12,發(fā)光器件103包括在發(fā)光結(jié)構(gòu)130上方的第一電極151和在發(fā)光結(jié)構(gòu)130下方的第二電極150。第二半導(dǎo)體層131可以設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)130上，并且第一電極151可以設(shè)置在第二半導(dǎo)體層131上。
[0119]通過(guò)物理和化學(xué)方案將圖1的襯底111和設(shè)置在第二半導(dǎo)體層131上的第一半導(dǎo)體層121移除。第二半導(dǎo)體層131包括導(dǎo)電半導(dǎo)體層如N型半導(dǎo)體層。
[0120]圖1的襯底被移除。生長(zhǎng)襯底可以通過(guò)物理方案(例如，激光剝離方案)和/或化學(xué)方案(例如，濕法蝕刻方案)進(jìn)行移除，使得可以通過(guò)移除第一半導(dǎo)體層來(lái)露出第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層131。通過(guò)在移除生長(zhǎng)襯底的方向上執(zhí)行隔離蝕刻工藝，在第二半導(dǎo)體層131上形成第一電極151。因而,可以制造出包括處于垂直電極結(jié)構(gòu)的在發(fā)光結(jié)構(gòu)130上的第一電極151和在發(fā)光結(jié)構(gòu)130下方的第二電極150的發(fā)光器件。
[0121]第一電極151可以設(shè)置在相互不同的區(qū)域中并且可以具有臂狀圖案或橋狀圖案，但實(shí)施方案不限于此。第一電極151的區(qū)域可以用作焊墊。
[0122]設(shè)置在第二半導(dǎo)體層131上的多個(gè)第一金屬化合物123可以彼此間隔開(kāi)。第一金屬化合物123可以提高提取通過(guò)第二半導(dǎo)體層131入射的光的效率。第一金屬化合物123可以比第二半導(dǎo)體層131的頂表面突出地更高，并且可以具有下部寬度和比下部寬度窄的上寬。另外，第一金屬化合物123的側(cè)表面可以?xún)A斜，并且頂表面可以凹形地彎曲。因而，由于第一金屬化合物123具有傾斜側(cè)表面和凹形頂表面，所以第一金屬化合物123可以提高提取入射光的效率。
[0123]此夕卜，由于第一金屬化合物123以預(yù)定間隙彼此間隔開(kāi),所以第一金屬化合物123可以用作光提取結(jié)構(gòu)。另外，第一電極151的圖案可以連接至金屬化合物123之間的區(qū)域。
[0124]第一電極151的一部分可以與第一金屬化合物123中至少之一的頂表面和側(cè)表面接觸。在第一電極151的該部分下方設(shè)置透明的第一金屬化合物123，使得可以提高光提取效率。
[0125]第二電極150可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)的下方，即第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層137的下方形成。第二電極150可以包括多個(gè)導(dǎo)電層，例如接觸層153、反射層155、接合層157以及導(dǎo)電支承構(gòu)件 159。
[0126]接觸層153可以包含可透過(guò)導(dǎo)電材料或金屬材料。例如，接觸層153可以由低導(dǎo)電材料(如 ΙΤ0, ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGTO、AZO 或 ΑΤ0)或金屬(如 Ni 或 Ag)形成?？梢栽诮佑|層153下方形成反射層155。反射層155可以由具有至少一個(gè)如下層的結(jié)構(gòu)形成:該層包含選自Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其組合中的材料。反射層155可以與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層137的下表面接觸。反射層155可以通過(guò)使用金屬或低導(dǎo)電材料如ITO而與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層137歐姆接觸，但實(shí)施方案不限于此。
[0127]可以在反射層155下方形成接合層157。接合層157可以通過(guò)使用阻擋金屬或接合金屬而形成。接合層157可以包含T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag、Ta及其合金中的至少一種。
[0128]可以在接合層157下方形成導(dǎo)電支承構(gòu)件159。導(dǎo)電支承構(gòu)件159可以由導(dǎo)電材料(如Cu、Au、N1、Mo、Cu-W)或具有摻雜劑的載體晶片(例如S1、Ge、GaAs, ZnO、SiC等)形成。作為另一實(shí)例，支承構(gòu)件159可以通過(guò)使用導(dǎo)電片來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0129]可以在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層131的頂表面上形成光提取結(jié)構(gòu)如凹凸體。光提取結(jié)構(gòu)可以由與第一金屬化合物123的材料相同或不同的材料形成?？梢栽诎雽?dǎo)體層131至135的表面上形成絕緣層?？梢栽诮^緣層上形成光提取結(jié)構(gòu)如凹凸體。
[0130]圖13是示出具有發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝件的立體圖。圖14是圖13的發(fā)光器件的側(cè)視圖。
[0131]參照?qǐng)D13和圖14,發(fā)光器件封裝件600包括:具有凹部660的本體610 ;第一引線框621和第二引線框631 ;連接框646 ;發(fā)光器件603至606 ;模制構(gòu)件651 ;以及粘貼構(gòu)件681和682。凹部660可以包括第一腔625和第二腔635。
[0132]本體610可以包含絕緣材料、導(dǎo)電材料以及金屬材料中的至少一種。本體610可以包含樹(shù)脂材料(如聚鄰苯二甲酰胺(PPA))、硅(Si)、金屬材料、感光玻璃(PSG)、藍(lán)寶石(Al2O3)以及印刷電路板(PCB)中的至少一種。例如,本體610可以包含樹(shù)脂材料如聚鄰苯二甲酰胺(PPA)。
[0133]本體610包括多個(gè)側(cè)表面611至614。第一側(cè)表面611或第二側(cè)表面612的長(zhǎng)度可以與在第三側(cè)表面613和第四側(cè)表面614之間的長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)，并且縱向方向可以經(jīng)過(guò)第一腔625和第二腔635的中心。
[0134]第一引線框621和第二引線框631可以設(shè)置在本體610的下表面上以安裝在電路板上。第一引線框621和第二引線框631可以具有0.2mm±0.05mm的厚度。
[0135]本體610包括具有上部開(kāi)放部、側(cè)表面616A和底部616的凹部660。凹部660的側(cè)表面616A可以相對(duì)于底部616傾斜,使得可以沿著光發(fā)射方向反射入射光。
[0136]第一引線框621設(shè)置在凹部660的第一區(qū)域下方。具有比凹部660的底部616低的深度的第一腔625被設(shè)置在第一引線框621的中央部中。第一腔625的側(cè)表面和底部622由第一引線框621形成。第二引線框631設(shè)置在與第一區(qū)域間隔開(kāi)的第二區(qū)域中。具有比凹部660的底部616低的深度的第二腔635被設(shè)置在第二引線框631的中央部中。第二腔635的側(cè)表面和底部632由第二引線框631形成。
[0137]第一引線框621和第二引線框631的中央部可以在本體610的下部處露出，并且可以被設(shè)置在與本體610的下表面相同或不同的平面上。
[0138]第一引線框621可以包括第一引線部分623，其可以從本體610的第三側(cè)表面613突出。第二引線框631可以包括第二引線部分633，其可以從面向本體610的第三側(cè)表面613的第四側(cè)表面614突出。第一引線框621和第二引線框631以及連接框646可以包含金屬材料，例如鈦(Ti)、銅(Cu)、鎳(Ni)、金(Au)、鉻(Cr)、鉭(Ta) JS(Pt)Ji(Sn)銀(Ag)以及磷(P)中的至少一種，并且可以被構(gòu)造成為單個(gè)金屬層或多層。連接框646設(shè)置在凹部660的底部616上。另外，連接框646設(shè)置在第一引線框621和第二引線框631之間并且用作中間連接端子。
[0139]在第一引線框621的第一腔625中設(shè)置有第一發(fā)光器件671，并且在第二引線框631的第二腔635中設(shè)置有第二發(fā)光器件672。
[0140]第一發(fā)光器件671通過(guò)連接構(gòu)件603和604連接至第一引線框621和連接框646。第二發(fā)光器件672通過(guò)連接構(gòu)件605和606連接至第二引線框621和連接框646。連接構(gòu)件可以被制備為導(dǎo)線。可以在第一引線框621或第二引線框631的部分上設(shè)置保護(hù)器件。
[0141]可以在凹部660、第一腔625和第二腔635中形成模制構(gòu)件651。模制構(gòu)件651可以由透明樹(shù)脂材料(如硅樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂)形成，并且可以形成為單層或多層。
[0142]在第一發(fā)光器件671與第一腔625的底部622之間設(shè)置有第一粘貼構(gòu)件681，使得第一發(fā)光器件671和第一腔625的底部622彼此粘合并且電連接。在第二發(fā)光器件672與第二腔635的底部632之間設(shè)置有第二粘貼構(gòu)件682，使得第二發(fā)光器件672和第二腔635的底部632是粘合的并且彼此電連接。第一粘貼構(gòu)件681和第二粘貼構(gòu)件682包含絕緣粘合劑如環(huán)氧樹(shù)脂?？梢韵颦h(huán)氧樹(shù)脂添加填料，但實(shí)施方案不限于此。
[0143]模制構(gòu)件651可以包括磷光體以用于轉(zhuǎn)換從發(fā)光器件671和672發(fā)射的光的波長(zhǎng)?？梢韵蛐纬稍诘谝磺?25和第二腔635中的至少一個(gè)區(qū)域中的模制構(gòu)件651添加磷光體，但實(shí)施方案不限于此。磷光體激發(fā)從發(fā)光器件671和672發(fā)射的光的一部分以發(fā)射具有另一波長(zhǎng)的光。磷光體可以包含選自釔鋁石榴石(YAG)、TAG、硅酸鹽、氮化物以及氧氮化物材料中的一種。磷光體可以包括紅色磷光體、黃色磷光體以及綠色磷光體中的至少一種，但實(shí)施方案不限于此。模制構(gòu)件651的頂表面可以具有平坦形狀、凹形形狀以及凸形形狀中的至少一種。例如，模制構(gòu)件651的頂表面可以形成為可以用作出光面的凹形形狀。
[0144]盡管當(dāng)前實(shí)施方案示出并且描述了頂部發(fā)光型發(fā)光器件封裝件，但發(fā)光器件封裝件可以通過(guò)側(cè)發(fā)光型發(fā)光器件封裝件來(lái)實(shí)現(xiàn)，以提供在熱釋放特性、導(dǎo)電率以及反射特性方面的改進(jìn)功效。在頂部發(fā)光型或側(cè)發(fā)光型發(fā)光器件封裝件中，在由樹(shù)脂材料形成樹(shù)脂層之后，可以在樹(shù)脂層上形成或附接透鏡，但本發(fā)明不限于此。
[0145]〈照明系統(tǒng)〉
[0146]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件能夠應(yīng)用于照明系統(tǒng)。照明系統(tǒng)包括其中排列有多個(gè)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)。照明系統(tǒng)包括:在圖15和圖16中示出的顯示裝置；在圖17中示出的照明裝置；照明燈；閃光燈；信號(hào)燈；用于車(chē)輛的前燈；以及電子顯示器。
[0147]圖15是示出根據(jù)實(shí)施方案的具有發(fā)光器件的顯示裝置的分解立體圖。
[0148]參照?qǐng)D15，根據(jù)實(shí)施方案的顯示裝置1000包括:導(dǎo)光板1041 ;給導(dǎo)光板1041提供光的光源模塊1031 ;在導(dǎo)光板1041下方的反射構(gòu)件1022 ;在導(dǎo)光板1041上的光學(xué)片1051 ；在光學(xué)片1051上的顯示面板1061 ;以及容置導(dǎo)光板1041、光源模塊1031和反射構(gòu)件1022的底蓋1011，但實(shí)施方案并不限于此。
[0149]底蓋1011、反射片1022、導(dǎo)光板1041、光學(xué)片1051和光單元1050可以被定義為背
光單元。
[0150]導(dǎo)光板1041使從光源模塊1033提供的光擴(kuò)散以提供表面光。導(dǎo)光板1041可以包含透明材料。例如，導(dǎo)光板1041可以包含丙烯?；鶚?shù)脂(如PMMA (聚甲基丙烯酸甲酯))、PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)、PC (聚碳酸酯)、COC (環(huán)烯烴共聚物)和PEN (聚萘二甲酸乙二醇酯)樹(shù)脂中的一種。
[0151]光源模塊1031設(shè)置在導(dǎo)光板1041的至少一側(cè)上以向?qū)Ч獍?041的至少一側(cè)提供光。光源模塊1031用作顯不器件的光源。
[0152]至少一個(gè)光源模塊1031被設(shè)置為直接或間接地從導(dǎo)光板1041的一側(cè)提供光。光源模塊1031可以包括板1033和根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件或發(fā)光器件1035。發(fā)光器件或發(fā)光器件1035可以在板1033上排列，同時(shí)以預(yù)定間隔彼此間隔開(kāi)。
[0153]板1033可以包括具有電路圖案(未示出)的印刷電路板(PCB)。另外，板1033還可以包括金屬芯PCB (MCPCB)或柔性PCB (FPCB)以及典型的PCB，但實(shí)施方案不限于此。如果發(fā)光器件1035被安裝在底蓋1011的側(cè)面上或散熱板上，則可以略去板1033。散熱板與底蓋1011的頂表面局部接觸。
[0154]另外，在板1033上,發(fā)光器件1035被布置為使得發(fā)光器件1035的排出光的出光面與導(dǎo)光板1041間隔開(kāi)預(yù)定距離，但實(shí)施方案不限于此。發(fā)光器件1035可以直接或間接地向作為導(dǎo)光板1041的一側(cè)的入光面提供光，但實(shí)施方案不限于此。
[0155]在導(dǎo)光板1041下方設(shè)置反射構(gòu)件1022。反射構(gòu)件1022將通過(guò)導(dǎo)光板1041的底表面向下行進(jìn)的光反射為朝向顯示面板1061，從而提高光單元1050的亮度。例如，反射構(gòu)件1022可以包括PET、PC或PVC樹(shù)脂，但實(shí)施方案不限于此。反射構(gòu)件1022可以用作底蓋1011的頂表面,但實(shí)施方案不限于此。
[0156]底蓋1011可以在其中容置導(dǎo)光板1041、光源模塊1031以及反射構(gòu)件1022。為此，底蓋1011具有如下容置部1012:其具有開(kāi)放的頂表面的盒形狀，但實(shí)施方案不限于此。底蓋1011可以與頂蓋(未示出)耦接，但實(shí)施方案不限于此。
[0157]底蓋1011可以通過(guò)使用金屬材料或樹(shù)脂材料、經(jīng)由壓制工藝或者擠出工藝來(lái)制造。另外，底蓋1011可以包含具有優(yōu)異熱導(dǎo)率的金屬或非金屬材料，但實(shí)施方案不限于此。
[0158]顯示面板1061例如為液晶顯示(IXD)面板，其包括彼此相對(duì)的第一和第二透明襯底以及在第一和第二襯底之間的液晶層?？梢詫?duì)顯示面板1061的至少一個(gè)表面附接起偏振片，但實(shí)施方案不限于此。顯示面板1061通過(guò)允許光經(jīng)過(guò)其來(lái)顯示信息。顯示器件1000可以應(yīng)用于各種便攜式終端、筆記本式計(jì)算機(jī)的顯示器、膝上型計(jì)算機(jī)的顯示器以及電視。
[0159]光學(xué)片1051設(shè)置在顯不面板1061和導(dǎo)光板1041之間，并且包括至少一個(gè)透射片。例如，光學(xué)片1051包括選自擴(kuò)射片、水平和垂直棱鏡片以及亮度增強(qiáng)片中至少之一。擴(kuò)散片使入射光擴(kuò)射，水平和/或垂直棱鏡片將入射光集中到顯示面板1061上，以及亮度增強(qiáng)片通過(guò)重新使用損失的光來(lái)提高亮度。另外，可以在顯示面板1061上設(shè)置保護(hù)片，但實(shí)施方案不限于此。
[0160]導(dǎo)光板1041和光學(xué)片1051可以設(shè)置在光源模塊1031的光路中作為光學(xué)構(gòu)件,但實(shí)施方案不限于此。
[0161]圖16是示出根據(jù)實(shí)施方案的顯示裝置的截面圖。
[0162]參照?qǐng)D16，顯示裝置1100包括底蓋1152、其上排列有發(fā)光器件1124的板1120、光學(xué)構(gòu)件1154以及顯示面板1155。
[0163]板1020和發(fā)光器件1124可以構(gòu)成光源模塊1160。另外,底蓋1152、至少一個(gè)光源模塊1160以及光學(xué)構(gòu)件1154可以構(gòu)成光單元1150。底蓋1152可以設(shè)置有容置部1153，但實(shí)施方案不限于此。光源模塊1160包括板1120、布置在板1120上的多個(gè)發(fā)光器件或發(fā)光器件1124。
[0164]光學(xué)構(gòu)件1154可以包括選自透鏡、導(dǎo)光板、擴(kuò)散片、水平和垂直棱鏡片以及亮度增強(qiáng)片中的至少一種。導(dǎo)光板可以包括PC或PMMA (聚甲基丙烯酸甲酯)。可以略去導(dǎo)光板。擴(kuò)散片使入射光擴(kuò)散，水平和垂直棱鏡片將入射光集中到顯示區(qū)域上，以及亮度增強(qiáng)片通過(guò)重新使用損失的光來(lái)提高亮度。
[0165]光學(xué)構(gòu)件1154設(shè)置在光源模塊1160上方，以將從光源模塊1160發(fā)射的光轉(zhuǎn)換為
表面光。
[0166]圖17是示出根據(jù)實(shí)施方案的具有發(fā)光器件的照明裝置的分解立體視圖。
[0167]參照?qǐng)D17，根據(jù)實(shí)施方案的照明裝置可以包括蓋2100、光源模塊2200、散熱構(gòu)件2400、電源部2600、內(nèi)殼體2700以及插座2800。另外，根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件還可以包括構(gòu)件2300和保持器2500中至少之一。光源模塊2200可以包括根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件。
[0168]例如，蓋2100可以具有球泡形狀或半球形狀。蓋2100可以具有中空結(jié)構(gòu)，并且蓋2100的一部分可以變成開(kāi)放的。蓋2100可以光學(xué)連接至光源模塊2200，并且可以與散熱構(gòu)件2400耦接。蓋2100可以具有與散熱構(gòu)件2400耦接的凹進(jìn)部。
[0169]蓋2100的內(nèi)表面可以涂覆有用作擴(kuò)散劑的象牙白涂料。通過(guò)使用象牙白涂料可以使從光源模塊2200發(fā)射的光散射或擴(kuò)散，使得光可以被排出到外部。
[0170]蓋2100可以包括玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)或聚碳酸酯(PC)。在此情況下，PC表現(xiàn)出優(yōu)異的耐光性、優(yōu)異的耐熱性和優(yōu)異的強(qiáng)度。蓋2100可以是透明的使得可以在外部識(shí)別光源模塊2200。另外，蓋2100可以是不透明的。蓋2100可以通過(guò)吹塑方案形成。
[0171]光源模塊2200可以設(shè)置在散熱構(gòu)件2400的一個(gè)表面處。因此，從光源模塊2200發(fā)射的熱量被傳導(dǎo)至散熱構(gòu)件2400。光源模塊2200可以包括發(fā)光器件2210、連接板2230以及連接器2250。
[0172]構(gòu)件2300設(shè)置在散熱構(gòu)件2400的頂表面上，并且具有使多個(gè)發(fā)光器件2210和連接器2250插入到其中的導(dǎo)向凹槽2310。導(dǎo)向凹槽2310與發(fā)光器件2210和連接器2250的襯底相對(duì)應(yīng)。
[0173]可以在構(gòu)件2300的表面施加或涂覆白色涂料。構(gòu)件2300將被蓋2100的內(nèi)表面反射回光源模塊2200的光反射為朝向蓋2100。因此，可以提高根據(jù)實(shí)施方案的照明裝置的光效率。
[0174]構(gòu)件2300可以包含絕緣材料。光源模塊2200的連接板2230可以包含導(dǎo)電材料。因此，散熱構(gòu)件2400可以電連接至連接板2230。構(gòu)件2300包含絕緣材料，以防止連接板2230與散熱構(gòu)件2400之間的電短路。散熱構(gòu)件2400接收來(lái)自光源模塊2200的熱量和來(lái)自電源部2600的熱量并且耗散熱量。
[0175]保持器2500擋住設(shè)置在內(nèi)殼體2700中的的絕緣部2710的容置凹槽2719。因此，使容置在內(nèi)殼體2700的絕緣部2710中的電源部2600密封。保持器2500具有導(dǎo)向突起部2510。導(dǎo)向突起部2510可以包括允許電源部2600的突起部2610穿過(guò)的孔。[0176]電源部2600對(duì)從外部接收的電信號(hào)進(jìn)行處理和轉(zhuǎn)換，并且將電信號(hào)提供給光源模塊2200。電源部2600被容置在內(nèi)殼體2700的容置凹槽2719中，并且通過(guò)保持器2500被密封在內(nèi)殼體2700中。
[0177]電源部2600可以包括突起部2610、導(dǎo)向部2630、基部2650以及延伸部2670。
[0178]導(dǎo)向部2630從基部2650的一側(cè)向外部突出。導(dǎo)向部2630可以插入到保持器2500中。可以在基部2650的一個(gè)表面上設(shè)置多個(gè)部件。例如，該部件包括DC轉(zhuǎn)換器、驅(qū)動(dòng)光源模塊2200的驅(qū)動(dòng)芯片以及保護(hù)光源模塊2200的靜電放電(ESD)保護(hù)裝置，但實(shí)施方案不限于此。
[0179]延伸部2670從基部2650的另一側(cè)向外部突出。延伸部2670插入到內(nèi)殼體2700的連接部2750中，并且接收來(lái)自外部的電信號(hào)。例如，延伸部2670的寬度可以等于或小于內(nèi)殼體2700的連接部2750的寬度。延伸部2670可以通過(guò)導(dǎo)線電連接至插座2800。
[0180]內(nèi)殼體2700可以在其中設(shè)置有模制部和電源部2600。模制部通過(guò)硬化模制液體而形成，使得電源部2600可以固定到內(nèi)殼體2700內(nèi)部。
[0181]本說(shuō)明書(shū)中對(duì)“一個(gè)實(shí)施方案”、“實(shí)施方案”、“示例性實(shí)施方案”等的任何引用均意味著結(jié)合實(shí)施方案所描述的具體的特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施方案中。在本說(shuō)明書(shū)的不同地方出現(xiàn)的這類(lèi)短語(yǔ)不一定都指相同的實(shí)施方案。此外，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施方案描述具體的特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，認(rèn)為其在本領(lǐng)域的技術(shù)人員結(jié)合實(shí)施方案中的其他實(shí)施方案來(lái)實(shí)現(xiàn)這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光器件，包括: 襯底，所述襯底包括多個(gè)凸部； 第一半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層設(shè)置在所述襯底的頂表面上； 多個(gè)第一凹坑，所述多個(gè)第一凹坑設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層的頂表面中并且與所述凸部重疊； 多個(gè)第二凹坑，所述多個(gè)第二凹坑設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層的所述頂表面中并且設(shè)置在所述凸部之間的區(qū)域中； 第一金屬化合物，所述第一金屬化合物設(shè)置在所述第一凹坑中并且與所述凸部的上部接觸； 第二金屬化合物，所述第二金屬化合物設(shè)置在所述第二凹坑中； 第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上；以及 發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體層上， 其中所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括在所述第二半導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的有源層、以及在所述有源層上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一半導(dǎo)體層包括分別連接至所述第一凹坑和所述第二凹坑的多個(gè)位錯(cuò)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中連接至所述第一凹坑的所述位錯(cuò)從垂直方向發(fā)展至水平方向。`
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述第一金屬化合物和所述第二金屬化合物包含絕緣材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中所述第一金屬化合物和所述第二金屬化合物包含含有硅的氮化物或氧化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中所述第一金屬化合物的下部包括凹曲面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述第一金屬化合物的側(cè)表面以與所述第二金屬化合物的側(cè)表面的傾角相同的傾角傾斜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述第一金屬化合物具有比每個(gè)凸部的下部寬度窄的下部寬度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中每個(gè)凸部具有半球形狀，并且每個(gè)凸部的下部寬度大于每個(gè)凸部的高度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層中至少之一包含η型摻雜劑并且具有多層結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述第二凹坑具有比所述第一凹坑的深度小的深度，并且被置于比所述凸部的位置高的位置處。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述第一金屬化合物和所述第二金屬化合物的頂表面與所述第一半導(dǎo)體層的所述頂表面在同一水平面上對(duì)準(zhǔn)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，還包括在所述襯底和所述第一半導(dǎo)體層之間的緩沖層， 其中所述緩沖層的一部分設(shè)置在所述第一金屬化合物和所述凸部之間，以及 所述第一金屬化合物接觸所述緩沖層的所述一部分的周邊。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，還包括在所述凸部中的至少一個(gè)凸部與所述第一金屬化合物之間的孔。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中所述第二半導(dǎo)體層的頂表面的位錯(cuò)密度比在所述第一半導(dǎo)體層中的位錯(cuò)密度小，并且在I X IO6CnT2至IXlO8CnT2的范圍內(nèi)。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中所述襯底包含透光材料， 其中多個(gè)突起與在所述襯底的下表面之下的所述襯底的所述凸部中的每個(gè)凸部相對(duì)應(yīng)，以及 每個(gè)第一金屬化合物具有比每個(gè)第二金屬化合物的體積大的體積。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中所述第一金屬化合物包括與所述第一半導(dǎo)體層接觸的多個(gè)傾斜側(cè)表面和與所述凸部的表面接觸的凹形底表面。
18.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中所述第一金屬化合物的所述側(cè)表面以與所述第一凹坑的側(cè)表面的傾角相同的傾角傾斜。
19.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述第一金屬化合物的頂表面具有比每個(gè)凸部的下部寬度窄的寬度。
20.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述凸部中的每個(gè)凸部和所述第一金屬化合物包含透光材料。
21.根據(jù)權(quán)利要求1 至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述第一金屬化合物和所述第二金屬化合物包含與所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層的材料不同的材料。
【文檔編號(hào)】H01S5/30GK103779469SQ201310484911
【公開(kāi)日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2013年10月16日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月17日
【發(fā)明者】李善均 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司