半導(dǎo)體器件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了半導(dǎo)體器件及其制造方法。在形成該半導(dǎo)體器件的方法中，蝕刻停止圖案和分開的間隔物能夠形成在位線接觸的側(cè)壁上，其中蝕刻停止圖案和分開的間隔物的每個包括相對于氧化物具有蝕刻選擇性的材料。能夠形成存儲節(jié)點接觸插塞孔，使得蝕刻停止圖案和分開的間隔物形成存儲節(jié)點接觸插塞孔的與位線接觸間隔開的一部分側(cè)壁。清潔存儲節(jié)點接觸插塞孔以去除形成在存儲節(jié)點接觸插塞孔中的自然氧化物。本發(fā)明還公開了與該方法有關(guān)的器件。
【專利說明】半導(dǎo)體器件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]發(fā)明構(gòu)思總體而言涉及電子裝置領(lǐng)域，更具體地，涉及半導(dǎo)體器件。
【背景技術(shù)】
[0002]更高集成度的半導(dǎo)體存儲器件可有助于滿足消費者對于優(yōu)越性能和低價格的需求。在半導(dǎo)體存儲器件的情況下，會期望增大的集成度，因為集成度在確定價格方面是重要的。然而，以期望的尺寸圖案化器件會需要昂貴的設(shè)備，該期望的尺寸會限制集成度。近來已經(jīng)開展了對于新技術(shù)的各種研究，以增大半導(dǎo)體存儲器件的密度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式，一種半導(dǎo)體器件可以包括:基板；第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，在基板上彼此間隔開設(shè)置；存儲節(jié)點接觸插塞，與第一摻雜區(qū)接觸；位線，電連接到第二摻雜區(qū)；位線節(jié)點接觸插塞，設(shè)置在位線與第二摻雜區(qū)之間；和間隔物，插置在位線與存儲節(jié)點接觸插塞之間以及位線節(jié)點接觸插塞與存儲節(jié)點接觸插塞之間。間隔物可以包括:蝕刻停止圖案，設(shè)置在存儲節(jié)點接觸插塞與位線節(jié)點接觸插塞之間以至少與存儲節(jié)點接觸插塞接觸；和第一子間隔物，設(shè)置在存儲節(jié)點接觸插塞與位線之間以與存儲節(jié)點接觸插塞和蝕刻停止圖案接觸。
[0004]在示例實施方式中，蝕刻停止圖案可以由與第一子間隔物相同的材料形成。
[0005]在示例實施方式中，蝕刻停止圖案填充存儲節(jié)點接觸插塞與位線節(jié)點接觸插塞之間的空間。
[0006]在示例實施方式中，蝕刻停止圖案具有鄰近于第一子間隔物的彎曲的頂表面。
[0007]在示例實施方式中，間隔物可以還包括空氣間隙區(qū)。
[0008]在示例實施方式中，空氣間隙區(qū)暴露位線的側(cè)壁。
[0009]在示例實施方式中，間隔物可以還包括第二子間隔物，其可以與位線、位線節(jié)點接觸插塞、蝕刻停止圖案和存儲節(jié)點接觸插塞全部接觸。
[0010]在示例實施方式中，空氣間隙區(qū)可以設(shè)置在第一子間隔物和第二子間隔物之間。
[0011]在示例實施方式中，第二子間隔物、第一子間隔物和蝕刻停止圖案可以由相同的材料形成。
[0012]在示例實施方式中，間隔物可以還包括插置在第一子間隔物和第二子間隔物之間的第三子間隔物，第三子間隔物可以由關(guān)于第一子間隔物、第二子間隔物和蝕刻停止圖案具有蝕刻選擇性的材料形成。
[0013]在示例實施方式中，間隔物可以還包括插置在蝕刻停止圖案和第二子間隔物之間的第三子間隔物，第三子間隔物可以由關(guān)于第一子間隔物、第二子間隔物和蝕刻停止圖案具有蝕刻選擇性的材料形成。
[0014]在示例實施方式中，蝕刻停止圖案具有與存儲節(jié)點接觸插塞接觸的側(cè)壁，其可以對準(zhǔn)第一子間隔物的側(cè)壁。[0015]在示例實施方式中，間隔物可以還包括插置在第一子間隔物和位線之間的第二子間隔物，第一子間隔物和第二子間隔物的總寬度可以基本等于蝕刻停止圖案的最大寬度。此處，第二子間隔物可以由關(guān)于蝕刻停止圖案和第一子間隔物具有蝕刻選擇性的材料形成。
[0016]在示例實施方式中，該器件可以還包括:字線，設(shè)置在第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)之間并且在基板中；和數(shù)據(jù)存儲元件，電連接到存儲節(jié)點接觸插塞。
[0017]根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式，一種制造半導(dǎo)體器件的方法可以包括:在基板中形成第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)彼此間隔開；在基板上形成絕緣層以限定暴露出第二摻雜區(qū)的開口 ；去除通過開口暴露的一部分基板以形成位線節(jié)點接觸孔；形成位線和位線節(jié)點接觸插塞，該位線和位線節(jié)點接觸插塞分別設(shè)置在絕緣層上和位線節(jié)點接觸孔中；形成間隔物以覆蓋位線的側(cè)壁和位線節(jié)點接觸孔的側(cè)壁；和形成存儲節(jié)點接觸插塞以與間隔物和第一摻雜區(qū)接觸。間隔物可以形成為包括設(shè)置在位線節(jié)點接觸孔中的蝕刻停止圖案。
[0018]在示例實施方式中，形成間隔物可以包括:形成蝕刻停止圖案以填充位線節(jié)點接觸孔；形成第一子間隔物以覆蓋位線的側(cè)壁；和形成第二子間隔物以覆蓋第一子間隔物的側(cè)壁并與蝕刻停止圖案的頂表面接觸。
[0019]在示例實施方式中，該方法可以還包括選擇性地去除第一子間隔物以形成空氣間隙區(qū)。
[0020]在示例實施方式中，形成存儲節(jié)點接觸插塞可以包括:去除鄰近于間隔物的至少一部分絕緣層以形成暴露出第一摻雜區(qū)的存儲節(jié)點接觸孔；和形成存儲節(jié)點接觸插塞以填充存儲節(jié)點接觸孔。存儲節(jié)點接觸孔可以形成為暴露蝕刻停止圖案與第二子間隔物之間的側(cè)表面，而沒有暴露第一子間隔物。
[0021]在示例實施方式中，該方法可以還包括從存儲節(jié)點接觸孔去除自然氧化物層。第二子間隔物和蝕刻停止圖案的每個可以由關(guān)于自然氧化物層具有蝕刻選擇性的材料形成。
[0022]在又一實施方式中，蝕刻停止圖案和分開的間隔物可以形成在位線接觸的側(cè)壁上，其中蝕刻停止圖案和分開的間隔物的每個包括相對于氧化物具有蝕刻選擇性的材料?？梢孕纬纱鎯?jié)點接觸插塞孔，使得蝕刻停止圖案和分開的間隔物形成存儲節(jié)點接觸插塞孔的與位線接觸間隔開的一部分側(cè)壁。存儲節(jié)點接觸插塞孔可以被清潔以去除形成在存儲節(jié)點接觸插塞孔中的自然氧化物。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1A是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的半導(dǎo)體器件的平面圖。
[0024]圖1B是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的圖1A的一部分的透視圖。
[0025]圖2是示出位線和蝕刻停止圖案的透視圖。
[0026]圖3A和3B是示范地示出圖1B的部分“P1”的放大截面圖。
[0027]圖4A至9A是示出圖1A和IB的半導(dǎo)體器件的形成方法的平面圖。
[0028]圖4B至9B是示出圖1A和IB的半導(dǎo)體器件的形成方法的透視圖。
[0029]圖1OA至圖1OL是截面圖，示出具有沿圖1B的截面B_B’獲得的截面圖的半導(dǎo)體器件的形成方法。[0030]圖11是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施方式的圖1A的一部分的透視圖。
[0031]圖12A和12B是示范地示出圖11的部分“P1”的放大截面圖。
[0032]圖13A和13B是截面圖，示出具有沿圖11的截面B_B’獲得的截面圖的半導(dǎo)體器件的形成方法。
[0033]圖14是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的其它一些示例實施方式的圖1A的一部分的透視圖。
[0034]圖15A和15B是示范地示出圖14的部分“P1”的放大截面圖。
[0035]圖16A和16B是截面圖，示出具有沿圖14的截面B_B’獲得的截面圖的半導(dǎo)體器件的形成方法。
[0036]圖17是框圖，示意地示出包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的半導(dǎo)體器件的電
子裝置。
[0037]圖18是框圖，示意地示出包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的半導(dǎo)體器件的存儲系統(tǒng)。
【具體實施方式】
[0038]應(yīng)當(dāng)注意到這些圖形旨在示出在某些示范示例實施方式中使用的方法、結(jié)構(gòu)和/或材料的一般特性并對書面描述進行補充。然而，這些附圖不是按比例的且可能沒有精確地反映任意給出的實施方式的精確結(jié)構(gòu)特性或性能特性，并且不應(yīng)被解釋為限定或限制示例實施方式所包括的數(shù)值或者性能的范圍。例如，為了清晰，可以縮小或夸大層、區(qū)域和/或結(jié)構(gòu)元件的相對厚度和位置。在不同附圖中使用的相似或相同的參考數(shù)字旨在表明存在相似或相同的元件或特征。
[0039]應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)元件被稱為“連接到”或“耦接到”另一元件時，它能夠直接連接或耦接到另一元件或者可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱為“直接連接到”或“直接耦接到”另一元件時，不存在中間元件。如這里所用，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)列舉項目的一種或多種的任意和所有組合。用于描述元件或?qū)又g的關(guān)系的其他詞語應(yīng)該以類似的方式解釋(例如，“在...之間”與“直接在...之間”、“相鄰”與“直接相鄰”、“在...上”與“直接在...上”)。
[0040]可以理解雖然術(shù)語第一、第二等可以用于此來描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分應(yīng)不受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語只用于區(qū)分一個元件、部件、區(qū)域、層或部分與其他元件、部件、區(qū)域、層或部分。因此，以下討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分，而不背離示例實施方式的教導(dǎo)。
[0041]在這里為了描述的方便，可以使用空間相對術(shù)語，諸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等，來描述一個元件或特征和其他元件或特征如圖中所示的關(guān)系?？梢岳斫饪臻g相對術(shù)語旨在包含除了在圖中所繪的方向之外的裝置在使用或操作中的不同方向。例如，如果在圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，被描述為在其他元件或特征的“下方”或“下面”的元件則應(yīng)取向在所述其他元件或特征的“上方”。因此，示范性術(shù)語“下方”可以包含下方和上方兩個方向。裝置也可以有其它取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)且相應(yīng)地解釋這里所使用的空間相對描述語。
[0042]這里所使用的術(shù)語是只為了描述特別的實施例的目的且不旨在限制示例實施方式。如這里所用，單數(shù)形式“一”和“該”也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非內(nèi)容清楚地指示另外的意思。可以進一步理解當(dāng)在此說明書中使用時術(shù)語“包括”和/或“包含”說明所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組分的存在，但是不排除存在或添加一個或更多其他特征、整體、步驟、操作、元件、組分和/或其組。
[0043]除非另有界定，這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員共同理解的相同的意思。還可以理解諸如那些在共同使用的字典中定義的術(shù)語應(yīng)解釋為與在相關(guān)技術(shù)和本公開的背景中的涵義一致的涵義，而不應(yīng)解釋為理想化或過度正式的意義，除非在這里明確地如此界定。
[0044]雖然在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施方式中描述了 “空氣間隙”，但是間隙可以限定為例如任意空的空間或空洞，并且可以是用空氣填充的間隙(例如，空氣間隙)、用一種或多種惰性氣體填充的間隙(例如，惰性氣體間隙)、真空限定的間隙(例如,真空間隙)等。如本發(fā)明實體所理解的，“空氣間隙”可以是促進寄生電容減小的任意類型的間隙，該寄生電容是由于直接緊鄰的結(jié)構(gòu)的耦合所導(dǎo)致的。
[0045]圖1A是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的半導(dǎo)體器件的平面圖，圖1B是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的圖1A的一部分的透視圖。
[0046]參考圖1A和1B，器件隔離層3可以提供在基板I中以限定有源區(qū)AR。從平面圖上看，每個有源區(qū)AR可以成形為沿著第一方向Dl伸長的類似桿狀，有源區(qū)AR可以彼此平行。每個有源區(qū)AR可具有鄰近于其他有源區(qū)AR的端部分定位的中心。多條字線WL可以設(shè)置在基板I中以沿著第二方向D2延伸，并且交叉有源區(qū)AR和器件隔離層3。字線WL可包括從由多晶硅、金屬硅化物和金屬構(gòu)成的組中選擇出的至少一個層。在此，第二方向D2可以是與第一方向Dl交叉的方向。字線WL的頂表面可以低于基板I的頂表面。柵絕緣層5可以插置在基板I和字線WL之間。第一摻雜區(qū)6s可以設(shè)置在位于字線WL的一側(cè)的一部分基板I中，而第二摻雜區(qū)6d可以設(shè)置在位于字線WL的另一側(cè)的另一部分基板I中。第一蓋圖案7可以設(shè)置在字線WL上。第一蓋圖案7可以由例如硅氮化物層和/或硅氮氧化物層形成。
[0047]根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式，在高度集成的半導(dǎo)體器件中，由于字線WL設(shè)置在基板I中，單元晶體管可具有凹入的溝道區(qū)，其可解決短溝道效應(yīng)和漏電流。
[0048]圖2是示出位線和蝕刻停止圖案的透視圖，圖3A和3B是示范地示出圖1B的部分“P1”的放大截面圖。
[0049]參考圖1A、1B、2和3A，第一絕緣層9可以設(shè)置在基板I上。第一絕緣層9可以由硅氧化物層、硅氮化物層或硅氮氧化物層中至少一個形成。位線BL可以提供在第一絕緣層9上以沿著第三方向D3延伸，該第三方向D3與第一方向Dl和第二方向D2兩者交叉。位線BL可以是含金屬層。第二蓋圖案13可以設(shè)置在位線BL上。第二蓋圖案13可以由與第一蓋圖案7相同的材料形成。
[0050]位線BL可以通過位線節(jié)點接觸插塞DC電連接到第二摻雜區(qū)6d,該位線節(jié)點接觸插塞DC可以形成為穿透第一絕緣層9。位線節(jié)點接觸插塞DC可包括從由金屬硅化物、多晶硅、金屬氮化物和金屬構(gòu)成的組中選擇出的至少一個層。位線BL可具有與位線節(jié)點接觸插塞DC相同的寬度。位線BL的側(cè)壁可以對準(zhǔn)位線節(jié)點接觸插塞DC的側(cè)壁。位線節(jié)點接觸插塞DC可以設(shè)置在位線節(jié)點接觸孔DH中。位線節(jié)點接觸孔DH (或位線節(jié)點接觸插塞DC)的底表面可以低于基板I的頂表面。當(dāng)沿著第二方向D2測量寬度時，位線節(jié)點接觸孔DH的寬度可以大于位線節(jié)點接觸插塞DC的寬度。存儲節(jié)點接觸插塞BC可以設(shè)置在位線BL之間并分別連接到第一摻雜區(qū)6s。存儲節(jié)點接觸插塞BC可包括從由金屬硅化物、多晶硅、金屬氮化物和金屬構(gòu)成的組中選擇出的至少一個層。存儲節(jié)點接觸插塞BC的底表面可以低于基板I的頂表面。
[0051]參考圖ΙΑ、1B、2和3A，間隔物30可以設(shè)置在位線BL與存儲節(jié)點接觸插塞BC之間以及在位線節(jié)點接觸插塞DC和存儲節(jié)點接觸插塞BC之間。間隔物30可包括設(shè)置在位線節(jié)點接觸孔DH中的蝕刻停止圖案20。如圖1A所示，在平面圖中，蝕刻停止圖案20可以成形為類似伸長的半圓形。蝕刻停止圖案20可具有彎曲的頂表面。間隔物30可還包括第一子間隔物23和第二子間隔物21，該第一子間隔物23可以提供為與蝕刻停止圖案20的頂表面和存儲節(jié)點接觸插塞BC接觸，該第二子間隔物21插置在第一子間隔物23和位線BL之間。在一些示例實施方式中，間隔物30可還包括插置在第二子間隔物21和位線BL之間的第三子間隔物17和第四子間隔物15。在一些示例實施方式中，第一子間隔物23、蝕刻停止圖案20和第四子間隔物15可以由關(guān)于自然氧化物層具有蝕刻選擇性的材料(例如，硅氮化物層)形成。第二子間隔物21和第三子間隔物17可以由關(guān)于蝕刻停止圖案20具有蝕刻選擇性的材料(例如，硅氧化物層)形成。在一些示例實施方式中，第一子間隔物23和第二子間隔物21的總厚度Ts可以基本等于蝕刻停止圖案20的最大寬度Wmax。第一子間隔物23的側(cè)壁可對準(zhǔn)蝕刻停止圖案20的側(cè)壁。第二子間隔物21的側(cè)壁可對準(zhǔn)蝕刻停止圖案20的另一側(cè)壁。第三子間隔物17可以與蝕刻停止圖案20的兩個側(cè)壁和底表面接觸并且與存儲節(jié)點接觸插塞BC接觸。第四子間隔物15可延伸為與位線節(jié)點接觸插塞DC的側(cè)壁、第三子間隔物17的兩個側(cè)壁及底表面、以及存儲節(jié)點接觸插塞BC接觸。
[0052]參考圖3B，圖3A的第二子間隔物21可以被去除。例如，空氣間隙區(qū)AG可以提供在第一子間隔物23和第三子間隔物17之間。蝕刻停止圖案20的頂表面可以通過空氣間隙區(qū)AG而局部地暴露。由于空氣間隙區(qū)AG設(shè)置在間隔物30內(nèi)，所以可改善存儲節(jié)點接觸插塞BC與位線BL之間的電特性(諸如，電絕緣、電干擾、或漏電流)。
[0053]第二絕緣層32可以設(shè)置在位線BL之間以及在存儲節(jié)點接觸插塞BC之間。數(shù)據(jù)存儲元件可以設(shè)置在存儲節(jié)點接觸插塞BC上。在示例實施方式中，數(shù)據(jù)存儲元件可以是包括下電極BE、電介質(zhì)和上電極的電容器，使得半導(dǎo)體器件可以用作動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)器件。器件可還包括支撐圖案，該支撐圖案可以配置為機械地支撐下電極BE的至少一部分側(cè)壁。下電極BE可以形成為具有插塞狀或柱狀結(jié)構(gòu)。
[0054]圖4A至9A為平面圖，示出圖1A和IB的半導(dǎo)體器件的形成方法，圖4B至9B為透視圖，示出圖1A和IB的半導(dǎo)體器件的形成方法。圖1OA至圖1OL是截面圖，示出具有沿圖1B的截面B-B’獲得的截面圖的半導(dǎo)體器件的形成方法。
[0055]參考圖4A和4B，器件隔離層3可以形成在基板I中以限定有源區(qū)AR。例如，基板
I可以是硅晶片或絕緣體上硅(SOI)晶片。器件隔離層3可以利用淺溝槽隔離(STI)技術(shù)形成。器件隔離層3可由例如硅氧化物層、硅氮化物層或硅氮氧化物層中至少一個形成。
[0056]參考圖5A和5B，多個線形第一掩模圖案可以平行于第二方向D2形成在基板I上，然后器件隔離層3和有源區(qū)AR可以利用第一掩模圖案被蝕刻以形成多個第一溝槽G1。通過控制蝕刻配方，器件隔離層3可以以與基板I相比更高的蝕刻速率被蝕刻。結(jié)果，第一溝槽Gl可以形成為具有彎曲的底表面。柵絕緣層5可以形成在溝槽Gl中。柵絕緣層5可以由例如熱生長氧化物層形成。導(dǎo)電層可以沉積在其中具有柵絕緣層5的第一溝槽Gl中以形成字線WL。第一蓋圖案7可以分別形成在第一溝槽Gl中的字線WL上。第一蓋圖案7可以由例如硅氮化物層和/或硅氮氧化物層形成。第一掩模圖案可以被去除，可以執(zhí)行離子注入工藝以在沒有用第一蓋圖案7覆蓋的基板I的有源區(qū)AR中形成第一摻雜區(qū)6s和第二摻雜區(qū)6d。第一摻雜區(qū)6s和第二摻雜區(qū)6d可以形成為具有彼此相同的導(dǎo)電類型(例如，η型)。在一些示例實施方式中，第一摻雜區(qū)6s可以形成為具有不同于第二摻雜區(qū)6d的深度的深度，為了達(dá)到此目的，可以執(zhí)行多個離子注入工藝。
[0057]參考圖6A和6B,第一絕緣層9可以形成為覆蓋基板I的頂表面。第一絕緣層9可以由硅氧化物層、硅氮化物層或硅氮氧化物層中至少一個形成。第二掩模圖案可以形成在第一絕緣層9上，然后第一絕緣層9可以利用第二掩模圖案作為蝕刻掩模來圖案化以形成暴露出第二摻雜區(qū)6d的開口 HI。開口 Hl可以形成為比第二摻雜區(qū)6d更寬，由此，器件隔離層3和第一蓋圖案7可以通過開口 Hl被局部地暴露。
[0058]參考圖7A、7B和10B，通過利用第二掩模圖案作為蝕刻掩模，被開口 Hl暴露的部分的基板1、器件隔離層3和第一蓋圖案7可以被蝕刻以形成位線節(jié)點接觸孔DH。位線節(jié)點接觸孔DH可以形成為具有底表面，該底表面位于比第二摻雜區(qū)6d和第一蓋圖案7的底表面高的水平處。在形成位線節(jié)點接觸孔DH之后，第二掩模圖案可以被去除。導(dǎo)電層11和第二蓋層13可以順序地堆疊在第一絕緣層9上。導(dǎo)電層11可以形成為填充位線節(jié)點接觸孔DH0
[0059]參考圖8A和SB，第二蓋層13和導(dǎo)電層11可以被順序地圖案化以形成多個線形第二蓋圖案13、設(shè)置在第二蓋圖案13下面的位線BL、和設(shè)置在位線節(jié)點接觸孔DH中的位線節(jié)點接觸插塞DC。此后，間隔物30可以形成為覆蓋第二蓋圖案13、位線BL和位線節(jié)點接觸插塞DC的側(cè)壁。間隔物30可以形成為具有例如參考圖3A和3B描述的特征。在下文，將參考圖1OA至IOJ更詳細(xì)地描述間隔物30的形成。
[0060]參考圖1OA和10B，第二蓋層13和導(dǎo)電層11可以被順序地圖案化以形成線形第二蓋圖案13、設(shè)置在第二蓋圖案13下面的位線BL、和設(shè)置在位線節(jié)點接觸孔DH中的位線節(jié)點接觸插塞DC。在此，第一絕緣層9和器件隔離層3可以在位線節(jié)點接觸孔DH的開口周圍被局部地蝕刻，由此位線節(jié)點接觸孔DH的開口可以被圓化和放大。
[0061]參考圖10C，第四子間隔物層15可以共形地形成在基板I上。第四子間隔物層15可以由例如硅氮化物層形成。
[0062]參考圖10D，第三子間隔物層17可以共形地形成在第四子間隔物層15上。第三子間隔物17可以由關(guān)于第四子間隔物層15具有蝕刻選擇性的材料(例如，硅氧化物層)形成。第三子間隔物層17可以形成為具有一厚度，該厚度比第四子間隔物層15和在后續(xù)工藝中即將形成的第二及第一子間隔物層21及23中的每個的厚度小得多。在一些示例實施方式中，第四子間隔物層15及第三子間隔物層17可以形成為覆蓋位線節(jié)點接觸孔DH的沒有被位線節(jié)點接觸DC覆蓋并且被暴露的底部和側(cè)表面。
[0063]參考圖10E，蝕刻停止層20可以共形地形成在第三子間隔物層17上。蝕刻停止層20可以形成得足夠厚，以填充位線節(jié)點接觸孔DH的空余部分。在一些示例實施方式中，蝕刻停止層20可以由關(guān)于第三子間隔物層17和自然氧化物層具有蝕刻選擇性的材料形成。例如，蝕刻停止層20可以由硅氮化物層形成。
[0064]參考圖10F，蝕刻停止層20可以被各向同性蝕刻以形成蝕刻停止圖案20，該蝕刻停止圖案20定位在位線節(jié)點接觸孔DH中。蝕刻停止層20的各向同性蝕刻可以利用例如磷酸來執(zhí)行。在一些示例實施方式中，第三子間隔物層17可用作在各向同性蝕刻工藝中的蝕刻停止層。作為各向同性蝕刻工藝的結(jié)果，蝕刻停止圖案20可以形成為具有彎曲的頂表面。
[0065]參考圖10G，第二子間隔物層21可以共形地形成在第三子間隔物層17上。在一些示例實施方式中，第二子間隔物層21可以由關(guān)于蝕刻停止圖案20具有蝕刻選擇性的材料形成。例如，第二子間隔物層21可以由硅氧化物層形成。
[0066]參考圖10H，第二子間隔物層21和第三子間隔物層17可以被各向異性蝕刻以在第四子間隔物層15的側(cè)壁上形成第三子間隔物17和第二子間隔物21。在一些示例實施方式中，第四子間隔物層15的上部可以通過第三子間隔物17和第二子間隔物21被暴露。此夕卜，每個蝕刻停止圖案20的頂表面可以通過第三子間隔物17和第二子間隔物21而被局部
地暴露。
[0067]參考圖101，第一子間隔物層23可以共形地形成在基板I上。在一些示例實施方式中，第一子間隔物層23可以由關(guān)于自然氧化物層具有蝕刻選擇性的材料形成。例如，第一子間隔物層23可以由硅氮化物層形成。
[0068]參考圖10J，第一子間隔物層23和第四子間隔物層15可以被各向異性蝕刻以形成第一子間隔物23和第四子間隔物15。作為形成第一子間隔物23和第四子間隔物15的結(jié)果，可以形成間隔物30，每個間隔物30包括第一至第四子間隔物23、21、17和15以及蝕刻停止圖案20。在一些示例實施方式中，第四子間隔物15和第三子間隔物17的邊緣部分可
以被暴露。
[0069]參考圖9A和9B，第二絕緣層32可以形成為在方向D2上填充位線BL之間的間隔。存儲節(jié)點接觸插塞BC可以穿過第二絕緣層32和第一絕緣層9而形成，以分別連接到第一摻雜區(qū)6s。
[0070]此工藝將參考例如圖1OK和IOL更詳細(xì)的描述。
[0071]參考圖9A、9B和10K，第二絕緣層32可以形成為填充位線BL之間的間隔，可以執(zhí)行蝕刻工藝以在即將形成存儲節(jié)點接觸插塞BC的區(qū)域上去除部分的第二絕緣層32、第一絕緣層9、基板I和器件隔離層3，由此形成存儲節(jié)點接觸孔BH。在一些示例實施方式中，鄰近于存儲節(jié)點接觸孔BH的第四和第三子間隔物15和17以及蝕刻停止圖案20的邊緣部分可以被蝕刻或去除。存儲節(jié)點接觸孔BH可以形成為具有比第一摻雜區(qū)6s的底表面高的底表面。存儲節(jié)點接觸孔BH可以形成為暴露出蝕刻停止圖案20和第一子間隔物23的側(cè)表面，但沒有暴露出第二子間隔物21。
[0072]通過在形成存儲節(jié)點接觸孔BH與形成存儲節(jié)點接觸插塞BC之間使用含氟蝕刻劑的清潔工藝可以去除形成在存儲節(jié)點接觸孔BH中的自然氧化物層。由于第一子間隔物23和蝕刻停止圖案20可以由關(guān)于自然氧化物層具有蝕刻選擇性的材料形成，所以它們可不被蝕刻。此外，由于蝕刻停止圖案20可以形成為在存儲節(jié)點接觸孔BH中覆蓋第二子間隔物21的邊緣部分，所以即使第二子間隔物21由硅氧化物形成，也能夠防止第二子間隔物21在用于去除自然氧化物層的清潔工藝中被去除或損壞。[0073]參考圖10L，導(dǎo)電層可以形成為填充存儲節(jié)點接觸孔BH，然后可以執(zhí)行平坦化蝕刻工藝以形成存儲節(jié)點接觸插塞BC。由于能夠防止第二子間隔物21在用于去除自然氧化物層的清潔工藝中被損壞，所以位線節(jié)點接觸插塞DC不會擴展到間隔物30中。換句話說，間隔物30可將位線節(jié)點接觸插塞DC與存儲節(jié)點接觸插塞BC分開一設(shè)計的間隔，由此能夠防止或減小位線節(jié)點接觸插塞DC與存儲節(jié)點接觸插塞BC之間的漏電流發(fā)生。
[0074]再參考圖1A和1B，下電極BE可以形成為分別與存儲節(jié)點接觸插塞BC接觸。介電層和上電極可以形成在下電極BE上。
[0075]在如圖3B所示間隔物30具有空氣間隙區(qū)AG的情況中，間隔物30可以通過以下工藝形成。如圖1OG所示，第二子間隔物層21可以由關(guān)于第四間隔物15、第三間隔物17和第一間隔物23以及蝕刻停止圖案20具有蝕刻選擇性的材料形成。如圖1OJ所示，在形成間隔物30之后，間隔物30的預(yù)定上部可以被去除以形成暴露出第二子間隔物21的上部的開口。此后，第二子間隔物21可以通過該開口被選擇性去除。例如，第二子間隔物層21可以由碳?xì)浠衔飳有纬?。在此情況下，在形成開口之后，可以執(zhí)行灰化工藝以去除第二子間隔物層21。在灰化工藝期間，含氧氣體可以通過該開口供應(yīng)，然后與碳?xì)浠衔飳悠鸱磻?yīng)。作為含氧氣體與第二子間隔物21之間的反應(yīng)的結(jié)果，第二子間隔物21可以轉(zhuǎn)變?yōu)槎趸細(xì)怏w、一氧化碳?xì)怏w和/或甲烷氣體，其能夠通過該開口容易地排出到外部。因此，能夠形成空氣間隙區(qū)AG。
[0076]圖11是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一示例實施方式的圖1A的一部分的透視圖。圖12A和12B是示范地示出圖11的部分“P1”的放大截面圖。
[0077]參考圖11和12A，在本實施例中，間隔物30可包括第一子間隔物23、第二子間隔物21、第四子間隔物15和蝕刻停止圖案20，但是沒有第三子間隔物17。備選地，如圖12B所示，間隔物30可包括空氣間隙區(qū)AG，代替第二子間隔物21。蝕刻停止圖案20可以與第四子間隔物15直接接觸，代替第三子間隔物17。另外，在這樣的實施方式中的半導(dǎo)體器件可以配置為具有與在此描述的特征基本相同的特征。
[0078]圖13A和13B是截面圖，示出具有沿圖11的截面B_B’獲得的截面圖的半導(dǎo)體器件的形成方法。
[0079]參考圖13A，在如圖1OC所示形成第四子間隔物層15之后，可以形成蝕刻停止層并且各向同性蝕刻該蝕刻停止層以形成蝕刻停止圖案20，但是可以省略形成前述實施方式的第三子間隔物層17。此后，第二子間隔物層21可以共形地形成在基板I上。第二子間隔物層21可以由關(guān)于第四子間隔物層15和蝕刻停止圖案20兩者具有蝕刻選擇性的材料形成。
[0080]參考圖13B，可以對于第二子間隔物層21執(zhí)行各向異性蝕刻工藝以形成第二子間隔物21。第一子間隔物層23可以共形地形成在具有第二子間隔物21的所得結(jié)構(gòu)上。例如，第二子間隔物層21可以由硅氧化物層形成，而第一子間隔物23和第四子間隔物15以及蝕刻停止圖案20可以由硅氮化物層形成。
[0081]參考圖11和12A，可以對于第一子間隔物層23執(zhí)行各向異性蝕刻工藝以形成第一子間隔物23。后續(xù)工藝可以通過與前述實施方式的后續(xù)工藝相同或類似的方式執(zhí)行。
[0082]備選地，第一子間隔物23可以被選擇性去除以形成圖12B所示的空氣間隙區(qū)AG。
[0083]圖14是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的又一示例實施方式的圖1A的一部分的透視圖。圖15A和15B是示范地示出圖14的部分“P1”的放大截面圖。[0084]參考圖14和15A，在本實施例中，間隔物30可包括第一子間隔物23、第二子間隔物21和蝕刻停止圖案20，但是沒有前述實施方式的第三子間隔物17和第四子間隔物15。備選地，如圖15B所示，間隔物30可包括空氣間隙區(qū)AG，代替第二子間隔物21。蝕刻停止圖案20可以提供為填充位線節(jié)點接觸插塞DC與存儲節(jié)點接觸插塞BC之間的空間，并且與位線節(jié)點接觸插塞DC和存儲節(jié)點接觸插塞BC兩者接觸。另外，在本實施例中的半導(dǎo)體器件可以配置為具有與在此描述的特征基本相同的特征。
[0085]圖16A和16B是截面圖，示出具有沿圖14的截面B_B’獲得的截面圖的半導(dǎo)體器件的制造方法。
[0086]參考圖16A，在如圖1OB所示形成位線BL和位線節(jié)點接觸插塞DC之后，蝕刻停止層可以形成為填充位線節(jié)點接觸孔DH，然后被各向同性蝕刻以形成蝕刻停止圖案20，但是可以省略形成前述實施方式的第四子間隔物層15和第三子間隔物層17。第二子間隔物層21可以共形地形成在所得結(jié)構(gòu)上。
[0087]參考圖16B，可以對于第二子間隔物層21執(zhí)行各向異性蝕刻工藝以形成第二子間隔物21。然后，第一子間隔物層23可以共形地形成在所得結(jié)構(gòu)上。
[0088]參考圖14和15A,可以對于第一子間隔物層23執(zhí)行各向異性蝕刻工藝以形成第一子間隔物23。在本實施例中，第二子間隔物層21可以由例如硅氧化物層形成，而第一子間隔物23和蝕刻停止圖案20可以由硅氮化物層形成。后續(xù)工藝可以通過與前述實施方式的后續(xù)工藝相同或類似的方式執(zhí)行。
[0089]備選地，第一子間隔物23可以被選擇性去除以形成圖15B所示的空氣間隙區(qū)AG。
[0090]上文公開的半導(dǎo)體存儲器件可以利用各種不同的封裝技術(shù)來封裝。例如，根據(jù)前述實施方式的半導(dǎo)體存儲器件可以利用以下中任意一個封裝方式被封裝:層疊封裝(PoP)技術(shù)、球柵陣列(BGAs)技術(shù)、芯片級封裝(CSPs)技術(shù)、帶引線的塑料芯片載體(PLCC)技術(shù)、塑料雙列直插式封裝(PDIP)技術(shù)、窩伏爾組件中管芯封裝(die in waffle pack)技術(shù)、晶片形式管芯(die in wafer form)技術(shù)、板上芯片(COB)技術(shù)、陶瓷雙列直插式封裝(CERDIP)技術(shù)、塑料四方扁平封裝(PQFP)技術(shù)、薄型四方扁平封裝(TQFP)技術(shù)、小外型封裝(small outline (SOIC))技術(shù)、收縮型小外形封裝(SSOP)技術(shù)、薄小外型封裝(thinsmall outline(TSOP))技術(shù)、系統(tǒng)級封裝(SIP)技術(shù)、多芯片封裝(MCP)技術(shù)、晶片級制造封裝(wafer-level fabricated package (WFP))技術(shù)和晶片級處理堆疊封裝(wafer-levelprocessed stack package (WSP))技術(shù)。
[0091]在其中安裝有根據(jù)一些實施方式的半導(dǎo)體存儲器件的封裝可以還包括至少一個半導(dǎo)體器件(例如，控制器和/或邏輯器件)，配置為控制半導(dǎo)體存儲器件。
[0092]圖17是框圖，示意地示出包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的半導(dǎo)體器件的電
子裝置。
[0093]參考圖17，包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的半導(dǎo)體器件的電子裝置1300可以用于以下之一:個人數(shù)字助理(PDA)、膝上型計算機、移動計算機、上網(wǎng)平板、無線電話、蜂窩式電話、數(shù)字音樂播放器、有線或無線電子裝置、或者包括以上中至少兩個的復(fù)合電子裝置。電子裝置1300可以包括通過總線1350能夠通信的控制器1310、輸入/輸出設(shè)備1320 (諸如，鍵區(qū)、鍵盤、顯示器)、存儲器件1330和無線接口 1340。控制器1310可以包括例如至少一個微處理器、數(shù)字信號處理器、微型控制器等。存儲器件1330可以配置為存儲用戶數(shù)據(jù)或者將被控制器1310使用的命令代碼。存儲器件1330可包括半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的垂直溝道晶體管。電子裝置1300可以使用無線接口 1340，該無線接口 1340配置為利用RF信號將數(shù)據(jù)傳輸?shù)綗o線通信網(wǎng)絡(luò)或者從無線通信網(wǎng)絡(luò)接收數(shù)據(jù)。無線接口 1340可以包括例如天線、無線收發(fā)器等等。電子系統(tǒng)1300可以用于通信系統(tǒng)的通信接口協(xié)議，諸如CDMA、GSM、NADC、E-TDMA、WCDMA、CDMA2000、W1-F1、Muni W1-F1、藍(lán)牙、DECT、無線 USB、快閃 OFDM、IEEE802.20、GPRS、iBurst、Wifco、WiMAX、升級版 WiMAX、UMTS-TDD, HSPA, EVDO、升級版 LTE、MMDS 等等。
[0094]圖18是框圖，示意地示出包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的半導(dǎo)體器件的存儲系統(tǒng)。
[0095]參考圖18，將描述包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的半導(dǎo)體器件的存儲系統(tǒng)。存儲系統(tǒng)1400可以包括用于存儲的存儲器1410和存儲控制器1420。存儲控制器1420響應(yīng)于主機1430的讀取/寫入請求能夠控制存儲器件1410以讀取存儲在存儲器件1410中的數(shù)據(jù)或者將數(shù)據(jù)寫入到存儲器件1410中。存儲控制器1420可以包括地址映射表，用于將主機1430 (例如，移動裝置或計算機系統(tǒng))提供的地址映射為存儲器件1410的物理地址。存儲器件1410可以是半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的垂直溝道晶體管。
[0096]根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式，當(dāng)形成位線節(jié)點接觸孔時，蝕刻停止圖案和間隔物的第二子間隔物可以被暴露。然而，蝕刻停止圖案和第二子間隔物可以由關(guān)于自然氧化物層具有蝕刻選擇性的材料形成，由此在去除自然氧化物層的工藝中它們可以不被蝕刻，由此起蝕刻停止器的作用。結(jié)果，該空間可以不被蝕刻自然氧化物層的工藝蝕刻。這可以防止存儲節(jié)點接觸插塞(在后續(xù)工藝中形成)擴展到間隔物中。因此，能夠減少位線節(jié)點接觸插塞與存儲節(jié)點接觸插塞之間的漏電流。
[0097]另外，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的其他示例實施方式，半導(dǎo)體器件可以配置為包括設(shè)置在間隔物中的空氣間隙區(qū)，由此能夠改善存儲節(jié)點接觸插塞與位線之間的電特性(諸如電絕緣、電干擾、或漏電流)。
[0098]雖然已經(jīng)具體顯示和描述了發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式，然而本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將理解在不脫離權(quán)利要求的精神和范圍的情況下，可以作出形式和細(xì)節(jié)上的變化。
[0099]本申請要求于2012年10月18日向韓國專利局提交的韓國專利申請N0.10-2012-0116178的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在此。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件，包括: 基板； 第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，在所述基板上彼此間隔開設(shè)置； 存儲節(jié)點接觸插塞，與所述第一摻雜區(qū)接觸； 位線，電連接到所述第二摻雜區(qū)； 位線節(jié)點接觸插塞，設(shè)置在所述位線與所述第二摻雜區(qū)之間；和 間隔物，插置在所述位線與所述存儲節(jié)點接觸插塞之間以及所述位線節(jié)點接觸插塞與所述存儲節(jié)點接觸插塞之間， 其中所述間隔物包括: 蝕刻停止圖案，設(shè)置在所述存儲節(jié)點接觸插塞與所述位線節(jié)點接觸插塞之間以至少與所述存儲節(jié)點接觸插塞接觸；和 第一子間隔物，設(shè)置在所述存儲節(jié)點接觸插塞與所述位線之間以與所述存儲節(jié)點接觸插塞和所述蝕刻停止圖案接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的 器件，其中所述蝕刻停止圖案包括與所述第一子間隔物相同的材料。
3.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述蝕刻停止圖案填充所述存儲節(jié)點接觸插塞與所述位線節(jié)點接觸插塞之間的空間。
4.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述蝕刻停止圖案具有鄰近于所述第一子間隔物的彎曲的頂表面。
5.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述間隔物還包括空氣間隙區(qū)。
6.如權(quán)利要求5所述的器件，其中所述空氣間隙區(qū)暴露所述位線的側(cè)壁。
7.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述間隔物還包括第二子間隔物，其與所述位線、所述位線節(jié)點接觸插塞、所述蝕刻停止圖案和所述存儲節(jié)點接觸插塞全部接觸。
8.如權(quán)利要求7所述的器件，其中所述間隔物還包括設(shè)置在所述第一子間隔物和所述第二子間隔物之間的空氣間隙區(qū)。
9.如權(quán)利要求7所述的器件，其中所述第二子間隔物、所述第一子間隔物和所述蝕刻停止圖案包括相同的材料。
10.如權(quán)利要求7所述的器件，其中所述間隔物還包括插置在所述第一子間隔物和所述第二子間隔物之間的第三子間隔物，和 所述第三子間隔物由關(guān)于所述第一子間隔物、所述第二子間隔物和所述蝕刻停止圖案具有蝕刻選擇性的材料形成。
11.如權(quán)利要求7所述的器件，其中所述間隔物還包括插置在所述蝕刻停止圖案和所述第二子間隔物之間的第三子間隔物，和 所述第三子間隔物由關(guān)于所述第一子間隔物、所述第二子間隔物和所述蝕刻停止圖案具有蝕刻選擇性的材料形成。
12.如權(quán)利要求11所述的器件，其中所述蝕刻停止圖案具有與所述存儲節(jié)點接觸插塞接觸的側(cè)壁，所述蝕刻停止圖案的側(cè)壁對準(zhǔn)所述第一子間隔物的側(cè)壁。
13.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述間隔物還包括插置在所述第一子間隔物和所述位線之間的第二子間隔物，和所述第一子間隔物和所述第二子間隔物的總寬度基本等于所述蝕刻停止圖案的最大覽度。
14.如權(quán)利要求13所述的器件，其中所述第二子間隔物包括關(guān)于所述蝕刻停止圖案和所述第一子間隔物具有蝕刻選擇性的材料。
15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括: 字線，設(shè)置在所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)之間并且在所述基板中；和 數(shù)據(jù)存儲元件，電連接到所述存儲節(jié)點接觸插塞。
16.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括: 在基板中形成第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)彼此間隔開； 在所述基板上形成絕緣層以限定暴露出所述第二摻雜區(qū)的開口； 去除通過所述開口暴露的一部分所述基板以形成位線節(jié)點接觸孔； 形成位線和位線節(jié)點接觸插塞，該位線和位線節(jié)點接觸插塞分別設(shè)置在所述絕緣層上和所述位線節(jié)點接觸孔中； 形成間隔物以 覆蓋所述位線的側(cè)壁和所述位線節(jié)點接觸孔的側(cè)壁；和 形成存儲節(jié)點接觸插塞以與所述間隔物和所述第一摻雜區(qū)接觸， 其中所述間隔物形成為包括設(shè)置在所述位線節(jié)點接觸孔中的蝕刻停止圖案。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中形成所述間隔物包括: 形成所述蝕刻停止圖案以填充所述位線節(jié)點接觸孔； 形成第一子間隔物以覆蓋所述位線的側(cè)壁；和 形成第二子間隔物以覆蓋所述第一子間隔物的側(cè)壁并與所述蝕刻停止圖案的頂表面接觸。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，還包括選擇性地去除所述第一子間隔物以形成空氣間隙區(qū)。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中形成所述存儲節(jié)點接觸插塞包括: 去除鄰近于所述間隔物的至少一部分所述絕緣層以形成暴露出所述第一摻雜區(qū)的存儲節(jié)點接觸孔；和 形成存儲節(jié)點接觸插塞以填充所述存儲節(jié)點接觸孔， 其中所述存儲節(jié)點接觸孔形成為暴露出所述蝕刻停止圖案的側(cè)表面和所述第二子間隔物的側(cè)表面，而沒有暴露所述第一子間隔物。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，還包括從所述存儲節(jié)點接觸孔去除自然氧化物層， 其中所述第二子間隔物和所述蝕刻停止圖案的每個由關(guān)于所述自然氧化物層具有蝕刻選擇性的材料形成。
21.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括: 在位線接觸的側(cè)壁上形成蝕刻停止圖案和分開的間隔物，其中所述蝕刻停止圖案和所述分開的間隔物的每個包括相對于氧化物具有蝕刻選擇性的材料； 形成存儲節(jié)點接觸插塞孔，使得所述蝕刻停止圖案和所述分開的間隔物形成所述存儲節(jié)點接觸插塞孔的與所述位線接觸間隔開的一部分側(cè)壁；和 清潔所述存儲節(jié)點接觸插塞孔以去除形成在所述存儲節(jié)點接觸插塞孔中的自然氧化物。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述蝕刻停止圖案包括與所述分開的間隔物的最下面部分接觸的最上面的彎曲表面。
23.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述間隔物還包括間隙區(qū)域。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中所述間隙區(qū)域包括在所述蝕刻停止圖案上方、在所述間隔物的側(cè)壁與所述位線之間的空氣間隙區(qū)。
25.如權(quán)利要求23所述的方法，其中所述空氣間隙區(qū)暴露所述位線的側(cè)壁。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中所述間隔物的總寬度基本等于所述蝕刻停止圖案的最大寬度。
27.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述蝕刻停止圖案和所述分開的間隔物包括相同的材料。
28.如權(quán)利要求21所述的方法，其中以下步驟在形成蝕刻停止圖案之前: 在基板中形成間隔開的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)； 在所述基板上形成絕緣層 以限定暴露出所述第二摻雜區(qū)的開口 ；和 去除通過所述開口暴露的一部分所述基板以形成位線節(jié)點接觸孔。
29.如權(quán)利要求21所述的方法，其中在位線接觸的側(cè)壁上形成蝕刻停止圖案和分開的間隔物還包括: 在所述分開的間隔物與所述位線接觸的所述側(cè)壁之間形成第二間隔物，該第二間隔物與所述位線節(jié)點接觸插塞和所述蝕刻停止圖案接觸。
30.如權(quán)利要求29所述的方法，還包括: 在所述存儲節(jié)點接觸插塞孔中形成存儲節(jié)點接觸插塞。
【文檔編號】H01L21/768GK103779393SQ201310491132
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年10月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月18日
【發(fā)明者】金根楠, 樸善暎, 廉癸憙, 張賢禹, 鄭震源, 趙昶賢, 洪亨善 申請人:三星電子株式會社