一種有機發(fā)光二極管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管自下而上依次包括如下結(jié)構(gòu)：襯底、陽電極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰電極。
【專利說明】一種有機發(fā)光二極管
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種發(fā)光均勻的有機發(fā)光二極管(0LED)。
【背景技術(shù)】
[0002]OLED顯示技術(shù)具有自發(fā)光的特性，采用非常薄的有機材料涂層和玻璃基板，當(dāng)有電流通過時，這些有機材料就會發(fā)光，而且OLED顯示屏幕可視角度大，并且能夠顯著節(jié)省電能，并且其制造方法簡單、功耗低、顏色豐富、適用于柔性襯底與大面積顯示等，備受業(yè)界關(guān)注，因此它也一直被業(yè)內(nèi)人士所看好。
[0003]OLED的兩個電極分別為陰電極和陽電極，為了增加元件的發(fā)光效率，在陰電極處，電子與空穴的注入通常需要低功函數(shù)；而在陽電極處，卻需要高功函數(shù)；業(yè)內(nèi)一般采用金屬單質(zhì)作為陰電極，而采用氧化銦錫(Indium TinOxide, ΙΤ0)來作為陽電極；ΙΤ0具有高透射率、低電阻率及高功函數(shù)等優(yōu)點，因此業(yè)內(nèi)通常采用ITO來制作OLED的陽電極。
[0004]目前，為了提高該ITO陽電極的功函數(shù)，業(yè)界通常對ITO陽電極的表面進行氧等離子或紫外線/臭氧處理，以提高氧化銦錫層的含氧量，進而提高該陽電極12的功函數(shù)。或者，如中國專利文獻CN101295771A公開的一種有機發(fā)光二極管陽電極的制備方法，其在該陽電極沉積過程中通入氧氣或水蒸氣或二者的混合氣，使該陽電極內(nèi)部與表面的含氧量皆增加，進而使提高陽電極的功函數(shù)。
[0005]然而，上述兩種方法雖然都能在一定程度上提高陽電極的功函數(shù)，但是仍然存在著問題。氧等離子體處理能清潔ITO表面有機雜質(zhì)，使ITO表面終端氧成份增加，進而表面極化增強，從而提高ITO表面功函數(shù)，但是氧等離子體對ITO表面的轟擊會造成表面光滑度下降，這一定程度上抵消了功函數(shù)的增加效應(yīng)。紫外光/臭氧處理實際上并不能增加ITO表面的功函數(shù)，其實際上僅能清潔ITO表面的有機雜質(zhì)，去除了有機雜質(zhì)對功函數(shù)的提高作用非常有限。而在陽電極沉積過程中通入氧氣或水蒸氣的混合氣，其工藝周期較長，不利于提聞生廣效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明針對上述問題，為了提高有機發(fā)光二極管的發(fā)光效率，并且降低其啟動電壓；本發(fā)明提出了一種有機發(fā)光二極管；所述有機發(fā)光二極管自下而上依次包括如下結(jié)構(gòu):襯底、陽電極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰電極；
[0007]其中，陽電極由ITO材料構(gòu)成，其包括位于下部的第一 ITO層及其上的第二 ITO層；所述第一 ITO層的厚度為陽電極厚度的1/3-1/2，所述第二 ITO層的厚度為陽電極厚度的 1/2-2/3。
[0008]其中陰電極包括位于下部的第一陰電極層及其上的第二陰電極層；其中，第一陰電極層由Ag、Al、Ca、In、Li或Mg中的一種構(gòu)成,第二陰電極層由Mg-Ag合金或Mg-Al構(gòu)成；所述第一陰電極層的厚度為陰電極厚度的1/2，第二陰電極層的厚度為陰電極厚度的1/2。
[0009]其中，第一 ITO層在水蒸氣氛圍中沉積ITO材料而形成，并且其表面進行了第一次處理；第二 ITO層在水蒸氣氛圍中沉積ITO材料而形成，并且其表面進行了第二次處理；其中第一 ITO層經(jīng)由:在沉積腔內(nèi)通入水蒸氣，在水蒸氣的氛圍下沉積ITO材料至發(fā)光二極管的功能層上而形成；第一次處理是在等離子體腔中通過氧氣，使得氧氣等離子體化后對第一 ITO層表面進行處理；第二 ITO層經(jīng)由:在沉積腔內(nèi)通入水蒸氣，在水蒸氣的氛圍下沉積ITO材料至第一 ITO層上而形成；第二次處理是將第二 ITO層以雙氧水浸沒，對第二 ITO層表面進行第一次紫外光照射后干燥，然后在臭氧的氛圍中對該第二 ITO層表面進行第二次紫外光照射。
[0010]其中，第一陰電極層和第二陰電極層都采用濺鍍的方式形成。 [0011]或者，所述陽電極自下而上依次由第一 ITO層、第二 ITO層以及第三ITO層組成；其中，第一 ITO層、第二 ITO層和第三ITO層的厚度分別占ITO陽電極厚度的1/4、1/4和1/2 ；
[0012]其中，第一 ITO層的形成方法與前文所述相同，而對第二 ITO層的表面進行處理是:在等離子體腔中通過氧氣，使得氧氣等離子體化后對第二 ITO層進行處理；在該步驟中，可以在第二 ITO層的表面進一步提聞含氧量，進一步提聞第二 ITO層的功函數(shù)；
[0013]第三ITO層經(jīng)由:在沉積腔內(nèi)通入水蒸氣，在水蒸氣的氛圍下沉積ITO材料第二ITO層上而形成；這種方式形成的第三ITO層的內(nèi)部也是富氧的IT0，所以第三ITO層的功函數(shù)得以提高；而且，由于第二 ITO層表面經(jīng)過等離子體處理，因此其表面的平滑度降低，導(dǎo)致增加的功函數(shù)有所折損，所以采用水蒸氣氛圍下的第三ITO層沉積，在沉積過程中，ITO材料可以將第二 ITO層表面不平滑的部分填滿，相當(dāng)于使得第二 ITO層表面平滑化，這樣就克服了等離子體處理第二 ITO層表面所帯來的功函數(shù)折損；
[0014]然后對第三ITO層的表面進行處理:以雙氧水浸沒第三ITO層的表面，然后進行第一次紫外光照射；為了使得紫外光能夠照射到第三ITO層的表面，第三ITO層不能被雙氧水浸沒得太多，在本發(fā)明中，以雙氧水液面正好將第三ITO層的表面完全覆蓋即可。在雙氧水中進行第三ITO層表面的第一次紫外光照射之后，對第三ITO層表面進行干燥，然后在臭氧的氛圍中對該第三ITO層表面進行第二次紫外光照射，最后得到ITO陽電扱。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是本發(fā)明提出的有機發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖2和3為陽電極的局部放大示意圖。
[0017]圖4為陰電極的局部放大示意圖。
【具體實施方式】
[0018]下面具體介紹本發(fā)明提出的有機發(fā)光二極管；
[0019]參見圖1-4，所述有機發(fā)光二極管自下而上依次包括如下結(jié)構(gòu):襯底10、陽電極
11、空穴注入層12、空穴傳輸層13、有機發(fā)光層14、電子傳輸層15、電子注入層16、陰電極17 ；
[0020]其中，陽電極11由ITO材料構(gòu)成，其包括位于下部的第一 ITO層I及其上的第二ITO層2 ;所述第一 ITO層I的厚度為陽電極11厚度的1/3-1/2，優(yōu)選為1/3 ;所述第二 ITO層的厚度為陽電極11厚度的1/2-2/3，優(yōu)選為2/3。
[0021]其中陰電極17包括位于下部的第一陰電極層5及其上的第二陰電極層6 ;其中，第一陰電極層5由Ag、Al、Ca、In、Li或Mg中的一種構(gòu)成,第二陰電極層6由Mg-Ag合金或Mg-Al構(gòu)成；所述第一陰電極層5的厚度為陰電極17厚度的1/2，第二陰電極層6的厚度為陰電極17厚度的1/2。
[0022]其中，第一 ITO層I在水蒸氣氛圍中沉積ITO材料而形成，并且其表面進行了第一次處理；第二 ITO層2在水蒸氣氛圍中沉積ITO材料而形成，并且其表面進行了第二次處理；其中第一 ITO層I經(jīng)由:在沉積腔內(nèi)通入水蒸氣，在水蒸氣的氛圍下沉積ITO材料至發(fā)光二極管的功能層上而形成；第一次處理是在等離子體腔中通過氧氣，使得氧氣等離子體化后對第一 ITO層I表面進行處理；第二 ITO層2經(jīng)由:在沉積腔內(nèi)通入水蒸氣，在水蒸氣的氛圍下沉積ITO材料至第一 ITO層I上而形成；第二次處理是將第二 ITO層2以雙氧水浸沒，對第二 ITO層2表面進行第一次紫外光照射后干燥，然后在臭氧的氛圍中對該第二 ITO層2表面進行第二次紫外光照射。
[0023]其中，第一陰電極層5和第二陰電極層6都采用濺鍍的方式形成。
[0024]或者，所述陽電極11自下而上依次由第一 ITO層1、第二 ITO層2以及第三ITO層3組成；其中，第一 ITO層1、第二 ITO層2和第三ITO層3的厚度分別占ITO陽電極11厚度的 1/4、1/4 和 1/2 ；
[0025]其中，第一 ITO層I的形成方法與前文所述相同，而對第二 ITO層2的表面進行處理是:在等離子體腔中通過氧氣，使得氧氣等離子體化后對第二 ITO層2進行處理；在該步驟中，可以在第二 ITO層2的表面進一步提高含氧量，進一步提高第二 ITO層2的功函數(shù)；
[0026]第三ITO層3經(jīng)由:在沉積腔內(nèi)通入水蒸氣，在水蒸氣的氛圍下沉積ITO材料第二ITO層2上而形成；這種方式形成的第三ITO層3的內(nèi)部也是富氧的ΙΤ0，所以第三ITO層3的功函數(shù)得以提高；而且，由于第二 ITO層2表面經(jīng)過等離子體處理，因此其表面的平滑度降低，導(dǎo)致增加的功函數(shù)有所折損，所以采用水蒸氣氛圍下的第三ITO層3沉積，在沉積過程中，ITO材料可以將第二 ITO層2表面不平滑的部分填滿，相當(dāng)于使得第二 ITO層2表面平滑化，這樣就克服了等離子體處理第二 ITO層2表面所帶來的功函數(shù)折損；
[0027]然后對第三ITO層3的表面進行處理:以雙氧水浸沒第三ITO層3的表面，然后進行第一次紫外光照射；為了使得紫外光能夠照射到第三ITO層3的表面，第三ITO層3不能被雙氧水浸沒得太多，在本發(fā)明中，以雙氧水液面正好將第三ITO層3的表面完全覆蓋即可。在雙氧水中進行第三ITO層3表面的第一次紫外光照射之后，對第三ITO層3表面進行干燥，然后在臭氧的氛圍中對該第三ITO層3表面進行第二次紫外光照射，最后得到ITO陽電極11。
[0028]其中，第一次紫外光照射和第二次紫外光照射的時間可以相同，例如介于8-10分鐘之間；也可以不同，例如第一次紫外光照射的時間為10分鐘，第二次紫外光照射的時間為9分鐘。
[0029]至此已對本發(fā)明做了詳細(xì)的說明，但前文的描述的實施例僅僅只是本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其并非用于限定本發(fā)明。本發(fā)明的保護范圍由所附的權(quán)利要求來限定。
【權(quán)利要求】
1.ー種有機發(fā)光二極管，其特征在干: 所述有機發(fā)光二極管自下而上依次包括如下結(jié)構(gòu):襯底、陽電極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰電極。
2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管，其特征在于: 其中，陽電極由ITO材料構(gòu)成，其包括位于下部的第一 ITO層及其上的第二 ITO層；所述第一 ITO層的厚度為陽電極厚度的1/3-1/2，優(yōu)選為1/3 ;所述第二 ITO層的厚度為陽電極厚度的1/2-2/3，優(yōu)選為2/3。
3.如權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光二極管，其特征在于: 其中陰電極包括位于下部的第一陰電極層及其上的第二陰電極層；其中，第一陰電極層由Ag、Al、Ca、In、Li或Mg中的ー種構(gòu)成,第二陰電極層由Mg-Ag合金或Mg-Al構(gòu)成；所述第一陰電極層的厚度為陰電極厚度的1/2，第二陰電極層的厚度為陰電極厚度的1/2。
【文檔編號】H01L51/56GK103594656SQ201310500510
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2013年10月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月22日
【發(fā)明者】叢國芳 申請人:溧陽市東大技術(shù)轉(zhuǎn)移中心有限公司