一種集成電路芯片電極的修復(fù)方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種集成電路芯片電極的修復(fù)方法，依次包括步驟：（1）去除覆蓋在集成電路芯片電極邊緣的保護層；（2）采用光刻工藝重新將除了電極以外的區(qū)域涂上光刻膠；（3）將集成電路芯片置于等離子體干法刻蝕機的刻蝕腔內(nèi)，對集成電路芯片表面的金屬電極進行部分刻蝕；（4）將集成電路芯片取出后投入到酸性溶液中進行電極剩余部分的刻蝕，刻蝕干凈后，采用去離子水沖洗集成電路芯片表面殘余的酸性溶液，接著進行干燥處理；（5）將集成電路芯片置入金屬蒸鍍腔中，在集成電路芯片表面蒸鍍預(yù)定厚度的金屬材料層（6）去除集成電路芯片表面的光刻膠，形成完好的金屬電極，完成集成電路芯片電極的修復(fù)。
【專利說明】—種集成電路芯片電極的修復(fù)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路芯片制造領(lǐng)域，尤其涉及一種集成電路芯片電極的修
復(fù)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體集成電路芯片都采用平面工藝來制作，主要的工藝流程是先制作電路功能層，最后將金屬材料蒸鍍在電路功能層上形成電極；但是在實際的生產(chǎn)過程中，因為制作工藝偏差或者檢測技術(shù)偏差，通常都會出現(xiàn)一定的品質(zhì)異常的情況。比如在蒸鍍金屬后發(fā)現(xiàn)金屬電極上有污染或者金屬電極被劃傷等等，此時為保證產(chǎn)品質(zhì)量，往往需要對集成電路芯片上的金屬電極進行返工處理。
[0003]目前，傳統(tǒng)的電極修復(fù)工藝為:光刻形成光刻膠保護層-刻蝕缺陷電極-重新光刻構(gòu)圖一蒸鍍金屬電極。上述工藝流程中，刻蝕缺陷電極時往往需要采用強酸液來腐蝕掉金屬，再重新對準(zhǔn)光刻構(gòu)圖后，通過重新蒸鍍金屬材料來修復(fù)電極。這種方式存在兩個缺點:一是返工工序煩多，返工效率低下；二是刻蝕缺陷電極過程中需要采用強酸浸泡，這會產(chǎn)生大量廢液，這種廢液的環(huán)保處理成本很高，而且處理過程危險系數(shù)也很大。
[0004]鑒于此，亟待開發(fā)一種工藝簡單、高效、環(huán)保的缺陷電極修復(fù)方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供了一種集成電路芯片電極的修復(fù)方法，該修復(fù)方法具備高效率、高環(huán)保的優(yōu)點。
[0006]本發(fā)明提出的集成電路芯片電極的修復(fù)方法為:去除覆蓋在集成電路芯片電極邊緣的保護層；去除保護層后，采用光刻工藝重新將除了電極以外的區(qū)域涂上光刻膠；此后將集成電路芯片置于等離子體干法刻蝕機的刻蝕腔內(nèi)，采用等離子體干法刻蝕對集成電路芯片表面的金屬電極進行部分刻蝕，此后，將集成電路芯片取出后投入到酸性溶液中進行電極剩余部分的刻蝕，直至將集成電路芯片表面的金屬電極完全刻蝕干凈后，采用去離子水沖洗集成電路芯片表面殘余的酸性溶液后，進行干燥處理。待干燥處理完畢后，將集成電路芯片置入金屬蒸鍍腔中，通過在集成電路芯片表面蒸鍍金屬材料，待在集成電路芯片表面蒸鍍完預(yù)定厚度的金屬材料層后，通過去除集成電路芯片表面的光刻膠，從而重新形成完好的金屬電極，完成集成電路芯片電極的修復(fù)。
[0007]本發(fā)明的有益效果為:
[0008]1.僅用一次光刻工藝即可完成金屬電極的修復(fù)；
[0009]2.腐蝕金屬電極所使用的酸腐蝕液用量很小，因此產(chǎn)生的廢液也很少，利于環(huán)保?！揪唧w實施方式】
[0010]通過具體的實施方式對本發(fā)明做進一步的詳細說明:[0011]本發(fā)明提出的集成電路芯片電極的修復(fù)方法，依次包括如下步驟:
[0012](I)去除覆蓋在集成電路芯片電極邊緣的保護層；
[0013](2)去除保護層后，采用光刻工藝重新將除了電極以外的區(qū)域涂上光刻膠；
[0014](3)將集成電路芯片置于等離子體干法刻蝕機的刻蝕腔內(nèi)，采用等離子體干法刻蝕對集成電路芯片表面的金屬電極進行部分刻蝕；
[0015](4)在步驟(3)之后，將集成電路芯片取出后投入到酸性溶液中進行電極剩余部分的刻蝕，直至將集成電路芯片表面的金屬電極完全刻蝕干凈后，采用去離子水沖洗集成電路芯片表面殘余的酸性溶液后，進行干燥處理；
[0016](5)待干燥處理完畢后，將集成電路芯片置入金屬蒸鍍腔中，在集成電路芯片表面蒸鍍預(yù)定厚度的金屬材料層
[0017](6)去除集成電路芯片表面的光刻膠，形成完好的金屬電極，完成集成電路芯片電極的修復(fù)。
[0018]在步驟(I)中，去除保護層的工藝采用濕式化學(xué)蝕刻法或RIE離子干蝕刻法。
[0019]在步驟(3)中，利用等離子體對金屬電極的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)，將金屬電極的一部分去除，金屬電極的去除量可根據(jù)實際需要適當(dāng)安排，例如刻蝕掉金屬電極厚度的1/2-2/3 即可；
[0020]在步驟(4)中，所述酸性溶液為鹽酸、氫氟酸或者他們的混合酸；在刻蝕過程中，采用終點檢測方法來判斷金屬電極是否已經(jīng)刻蝕完畢，為了保證金屬電極被完全刻蝕，還可以在終點檢測響應(yīng)后進行進一步的過刻蝕。
[0021]在步驟(5)中，蒸鍍金屬材料可以采用本領(lǐng)域常規(guī)的蒸鍍工藝，蒸鍍金屬材料所獲得的金屬材料層的厚度應(yīng)當(dāng)滿足不小于原金屬電極的厚度，但也不能大于原金屬電極厚度的 I10%O
[0022]本發(fā)明提出的電極的修復(fù)方法，僅用一次光刻、少量的酸性溶液即可實現(xiàn)，因為首先采用等離子體刻蝕掉至少一半厚度的金屬電極，然后才對剩余的金屬電極進行濕法刻蝕，這樣產(chǎn)生的酸廢液并不多；而且由于最后是通過酸性溶液完全刻蝕掉金屬電極，因此并不會如現(xiàn)有技術(shù)中那樣自始至終采用等離子體刻蝕而損傷金屬電極下的半導(dǎo)體層，從而避免了器件被徹底損壞。本發(fā)明的電極修復(fù)方法中，每一個步驟都可以采用本領(lǐng)域已有的常規(guī)的工藝，并不需要開發(fā)特殊的工藝，也就是說無需為每個步驟重新設(shè)定具體的工藝參數(shù)，僅需采用本領(lǐng)域已有的常規(guī)的工藝即可完成。
[0023]至此已對本發(fā)明做了詳細的說明，但前文的描述的實施例僅僅只是本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其并非用于限定本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員可對本發(fā)明做任何的修改，而本發(fā)明的保護范圍由所附的權(quán)利要求來限定。
【權(quán)利要求】
1.一種集成電路芯片電極的修復(fù)方法，依次包括如下步驟: (1)去除覆蓋在集成電路芯片電極邊緣的保護層； (2)去除保護層后，采用光刻工藝重新將除了電極以外的區(qū)域涂上光刻膠； (3)將集成電路芯片置于等離子體干法刻蝕機的刻蝕腔內(nèi)，采用等離子體干法刻蝕對集成電路芯片表面的金屬電極進行部分刻蝕； (4)在步驟(3)之后，將集成電路芯片取出后投入到酸性溶液中進行電極剩余部分的刻蝕，直至將集成電路芯片表面的金屬電極完全刻蝕干凈后，采用去離子水沖洗集成電路芯片表面殘余的酸性溶液后，進行干燥處理； (5)待干燥處理完畢后，將集成電路芯片置入金屬蒸鍍腔中，在集成電路芯片表面蒸鍍預(yù)定厚度的金屬材料層 (6)去除集成電路芯片表面的光刻膠，形成完好的金屬電極，完成集成電路芯片電極的修復(fù)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于: 在步驟(I)中，去除保護層的工藝采用濕式化學(xué)蝕刻法或RIE離子干蝕刻法； 在步驟(3)中，利用等離子體對金屬電極的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)，將金屬電極的一部分去除，金屬電極的去除量可根據(jù)實際需要適當(dāng)安排，例如刻蝕掉金屬電極厚度的1/2-2/3即可； 在步驟(4)中，所述酸性溶液為鹽酸、氫氟酸或者他們的混合酸；在刻蝕過程中，采用終點檢測方法來判斷金屬電極是否已經(jīng)刻蝕完畢，為了保證金屬電極被完全刻蝕，還可以在終點檢測響應(yīng)后進行進一步的過刻蝕； 在步驟(5)中，蒸鍍金屬材料可以采用本領(lǐng)域常規(guī)的蒸鍍工藝，蒸鍍金屬材料所獲得的金屬材料層的厚度應(yīng)當(dāng)滿足不小于原金屬電極的厚度，但也不能大于原金屬電極厚度的I10% O
【文檔編號】H01L21/02GK103617945SQ201310513631
【公開日】2014年3月5日 申請日期:2013年10月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月26日
【發(fā)明者】叢國芳 申請人:溧陽市東大技術(shù)轉(zhuǎn)移中心有限公司