發(fā)光設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種發(fā)光設(shè)備，包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層；磷光板，配置在所述第二半導(dǎo)體層上；第一電極部，配置在所述磷光板上；以及多個接合部，配置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)和所述磷光板之間，所述接合部將所述磷光板接合到所述發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中每個接合部包括電連接到所述第一電極部的至少一個第一接合部。
【專利說明】發(fā)光設(shè)備
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請請求2012年10月29日在韓國提交的申請?zhí)枮?0-2012-0120332的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此，視同已在本文中充分闡述。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]實施例涉及一種發(fā)光設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0004]根據(jù)薄膜生長方法和設(shè)備材料的發(fā)展，使用II1-V族或I1-VI族化合物半導(dǎo)體材料的諸如發(fā)光二極管(LED)或激光二極管(LD)的發(fā)光設(shè)備呈現(xiàn)各種顏色，諸如紅色、綠色、藍色和紫外線。發(fā)光設(shè)備使用熒光材料或顏色組合有效地實現(xiàn)白色光線，并且與諸如熒光燈和白熾燈的傳統(tǒng)光源相比，具有諸如低功耗、半永久性壽命、高響應(yīng)速度、穩(wěn)定和生態(tài)友好的優(yōu)點。
[0005]一般而言，將包括磷光體和樹脂的混合物的樹脂組合物應(yīng)用到發(fā)光芯片上，或用樹脂組合物密封發(fā)光芯片，以便產(chǎn)生白光。此外，可以使用在發(fā)光芯片上配置含有磷光體的層、片或板的方法，來取代涂布或模制含有磷光體的樹脂的方法。在這種情況下，重要的是將磷光層、磷光片或磷光板穩(wěn)固地粘接到發(fā)光芯片的上部。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]實施例提供了一種發(fā)光設(shè)備以提高磷光板的粘接精度，并且防止由熱引起的磷光板的變色和破裂。
[0007]在一個實施例中，一種發(fā)光設(shè)備包括:發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層；磷光板，配置在所述第二半導(dǎo)體層上；第一電極部，配置在所述磷光板上；以及多個接合部，配置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)和所述磷光板之間，所述多個接合部將所述磷光板接合到所述發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中每個接合部包括電連接到所述第一電極部的至少一個第一接合部。
[0008]所述第一電極部可以包括:焊盤部，配置在所述磷光板的上表面上；以及連接部，用于將所述焊盤部連接到所述第一接合部。
[0009]每個接合部可以包括與所述第一電極部電隔離的至少一個第二接合部，其中所述第二接合部包括:第一接合層，配置在所述磷光板上；以及第二接合層，配置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上，并且接合到所述第一接合層。
[0010]所述連接部可以穿過所述磷光板。
[0011]所述第一接合部可以包括:第一接合電極，配置在所述第二半導(dǎo)體層上；以及第二接合電極，配置在所述磷光板的下表面上以及所述連接部上，并且接合到所述第一接合電極。
[0012]所述第二接合電極可以熔合(fuse)到所述第一接合電極。[0013]在所述第一接合電極和所述第二接合電極之間可以存在熔合界面。
[0014]所述第二接合電極的熔點可以與所述第一接合電極的熔點不同。
[0015]所述第一電極部可以進一步包括配置在所述第二半導(dǎo)體層上的延伸電極，其中所述第一接合部包括配置在所述連接部和所述延伸電極之間的第三接合電極，并且將所述連接部接合到所述延伸電極。
[0016]所述第三接合電極的熔點可以與所述延伸電極的熔點不同。
[0017]所述第三接合電極可以熔合到所述延伸電極。
[0018]在所述第三接合電極和所述延伸電極之間可以存在熔合界面。
[0019]接合到所述第三接合電極的所述延伸電極的一個部分的寬度可以與所述延伸電極的另一部分的寬度不同。
[0020]所述第三接合電極的寬度可以小于或等于所述延伸電極的寬度。
[0021]所述磷光板和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之間可以存在空氣空隙(間隙)。
[0022]所述第一電極部可以進一步包括配置在所述第二半導(dǎo)體層上的延伸電極，其中所述第一接合部包括配置在所述磷光板的下表面和所述延伸電極之間的第三接合電極，將所述磷光板接合到所述延伸電極。
[0023]所述第一接合部可以進一步包括配置在所述連接部與所述延伸電極之間的接合電極，將所述連接部接合到所述延伸電極。
[0024]所述第一接合電極和所述第二接合電極可以包含至少一種相同的金屬。
[0025]所述焊盤部可以配置在所述磷光板的一側(cè)處。
[0026]在另一實施例中，一種發(fā)光設(shè)備封裝包括:封裝主體；第一引線框架和第二引線框架，配置在所述封裝主體上；發(fā)光設(shè)備，配置在所述第二引線框架上；以及樹脂層，包圍(surrounding)所述發(fā)光設(shè)備，其中所述發(fā)光設(shè)備包括:發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層；磷光板，配置在所述第二半導(dǎo)體層上；第一電極部，配置在所述磷光板上；以及多個接合部，配置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)和所述磷光板之間，所述多個接合部將所述磷光板接合到所述發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中每個接合部包括電連接到所述第一電極部的至少一個第一接合部。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]可以參照下列附圖詳細描述布置和實施例，附圖中相似的附圖標記表示相似的元件，并且其中:
[0028]圖1是圖示出根據(jù)一個實施例的發(fā)光設(shè)備的平面圖；
[0029]圖2是沿圖1中所示的發(fā)光設(shè)備的方向AB截取的剖視圖；
[0030]圖3是沿圖1中所示的發(fā)光設(shè)備的方向CD截取的剖視圖；
[0031]圖4圖示出其上配置有圖1所示的接合部的第一接合電極的第二半導(dǎo)體層的上表面；
[0032]圖5圖示出其上配置有圖1所示的接合部的第二接合電極的磷光板的下表面；
[0033]圖6圖不出其上配置有第二電極的磷光板的上表面；
[0034]圖7圖示出第一接合層到第二接合層的熔合；
[0035]圖8圖示出熔合到第一接合層的第二接合層；[0036]圖9是圖示出圖2和圖3中所示的虛線區(qū)域的放大視圖；
[0037]圖10是沿圖1中所示的發(fā)光設(shè)備的變型實施例的方向AB截取的剖視圖；
[0038]圖11是沿圖10中所示的發(fā)光設(shè)備的變型實施例的方向CD截取的剖視圖；
[0039]圖12是圖示出根據(jù)另一實施例的發(fā)光設(shè)備的平面圖；
[0040]圖13是沿圖12中所示的發(fā)光設(shè)備的方向EF截取的剖視圖；
[0041]圖14是沿圖12中所示的發(fā)光設(shè)備的方向GH截取的剖視圖；
[0042]圖15圖示出圖12所示的第一接合層和第二接合部的第二延伸電極；
[0043]圖16圖示出圖12所示的磷光板的下表面；
[0044]圖17圖示出圖12所示的磷光板的上表面；
[0045]圖18是圖13所示的虛線區(qū)域的放大視圖；
[0046]圖19是圖14所示的虛線區(qū)域的放大視圖；
[0047]圖20是圖示出根據(jù)另一實施例的發(fā)光設(shè)備的平面圖；
[0048]圖21是沿圖20所示的發(fā)光設(shè)備的方向AB截取的剖視圖；
[0049]圖22圖示出圖20所示的第一電極部；
[0050]圖23圖示出圖20中所示的磷光板的下表面；
[0051]圖24圖示出圖20中所示的磷光板的上表面；
[0052]圖25圖示出根據(jù)圖20中所示的實施例的變型實施例的發(fā)光設(shè)備；
[0053]圖26圖示出根據(jù)一個實施例的發(fā)光設(shè)備封裝；
[0054]圖27圖示出根據(jù)一個實施例的包括發(fā)光設(shè)備封裝的照明設(shè)備的分解立體圖；
[0055]圖28是根據(jù)一個實施例的包括發(fā)光設(shè)備封裝的顯示設(shè)備的視圖；以及
[0056]圖29圖示出根據(jù)一個實施例的包括發(fā)光設(shè)備封裝的前照燈(head lamp)。
【具體實施方式】
[0057]下文將通過結(jié)合附圖和實施例的描述來清楚地理解實施例。
[0058]在描述實施例之前，就優(yōu)選實施例的描述而言，應(yīng)理解的是，當提及諸如層(膜)、區(qū)域或結(jié)構(gòu)的一個元件形成在諸如基板、層(膜)、區(qū)域、焊盤或圖案的另一元件“上”或“下”時，該一個元件可以直接形成在該另一元件“上”或“下”，或者經(jīng)由存在其間的中間元件間接形成在該另一元件“上”或“下”。當提及“在元件上”或“在元件下”時，“在該元件下”以及“在該元件上”可以包括基于該元件。
[0059]在附圖中，為了方便描述和簡潔起見，放大、省略或示意性地圖示各層的厚度和尺寸。而且，各構(gòu)成元件的尺寸和面積不完全反映實際尺寸。
[0060]圖1是圖示出根據(jù)一個實施例的發(fā)光設(shè)備100-1的平面圖。圖2是沿圖1中所示的發(fā)光設(shè)備100-1的方向AB截取的剖視圖。圖3是沿圖1中所示的發(fā)光設(shè)備100-1的方向⑶截取的剖視圖。圖4圖示出其上配置有圖1所示的接合部160-1至160-n的第一接合電極170-1至170-n的第二半導(dǎo)體層126的上表面。圖5圖示出其上配置有圖1所示的接合部160-1至160-n的第二接合電極180-1至180_n的磷光板150的下表面151。圖6圖示出其上配置有第二電極144-1和144-2的磷光板150的上表面152。
[0061]參照圖1至圖6,發(fā)光設(shè)備100-1包括:基板110、發(fā)光結(jié)構(gòu)120、第一電極142、第二電極144、多個接合部160-1至160-n (其中η是大于I的自然數(shù))以及磷光板150。[0062]基板110支撐發(fā)光結(jié)構(gòu)120?；?10可以由適合生成半導(dǎo)體材料的材料形成。此外，基板110可以由具有高導(dǎo)熱性的材料形成，并且可以是導(dǎo)電基板或絕緣基板。
[0063]例如，基板110可以是氧化鋁(Al2O3)或包括6&隊5扣、2110、5丨、6&?、InP、Ga203和GaAs中的至少一個的材料。基板110可以具有粗糙或不平整的上表面以提高光提取。
[0064]為了降低由基板110和發(fā)光結(jié)構(gòu)120之間的晶格常數(shù)差造成的晶格失配，可以在第一半導(dǎo)體層122和基板110之間配置緩沖層(未示出)。緩沖層可以是包括III族和V族元素的氮化物半導(dǎo)體
[0065]例如，緩沖層可以包括InAlGaN、GaN、AlN、AlGaN和InGaN中的至少一個。緩沖層可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，并且可以摻雜有作為雜質(zhì)的第II族元素或IV族元素。
[0066]此外，為了提高第一半導(dǎo)體層122的結(jié)晶度，可以在基板110和發(fā)光結(jié)構(gòu)120之間介入未摻雜的半導(dǎo)體層(未示出)。例如，由于未摻雜的半導(dǎo)體層沒有摻雜有諸如η型或P型摻雜劑的第一類型的導(dǎo)電性摻雜劑(first type conductive dopant),所以與第一半導(dǎo)體層122相比，除了未摻雜的半導(dǎo)體層具有低導(dǎo)電性之外，未摻雜的半導(dǎo)體層具有與第一半導(dǎo)體層相同的屬性。 [0067]發(fā)光結(jié)構(gòu)120配置在基板110上并發(fā)光。發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以暴露第一半導(dǎo)體層122的一部分。例如，通過部分地蝕刻第二半導(dǎo)體層126、有源層124和第一半導(dǎo)體層122，可以暴露第一半導(dǎo)體層122的該部分。
[0068]第一半導(dǎo)體層122可以配置在基板110上，并且可以是氮化物半導(dǎo)體層。
[0069]例如，第一半導(dǎo)體層122可以選自具有InxAlyGa(1_x_y)N (O≤x≤1，O≤y≤1，O≤X + y≤I)的組成式的半導(dǎo)體材料，諸如GaN、AIN、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN和AlInN,并且可以摻雜有η型摻雜劑，諸如S1、Ge、Sn、Se或者Te。
[0070]有源層124可以配置在第一半導(dǎo)體層122和第二半導(dǎo)體層126之間。基于在由第一半導(dǎo)體層122提供的電子和由第二半導(dǎo)體層126提供的空穴再接和的過程中所產(chǎn)生的能量，有源層124發(fā)光。
[0071]有源層124可以是具有InxAlyGa1^yN (O≤χ≤1，O≤y≤1，O≤x + y≤I)的組成式的半導(dǎo)體，并且有源層124可以具有包括彼此交替的至少一個量子阱層和至少一個量子勢壘層的量子阱結(jié)構(gòu)。例如，有源層124可以具有多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)。量子勢壘層的能帶隙可以大于量子阱層的能帶隙。
[0072]第二半導(dǎo)體層126可以配置在有源層124上，并且可以是氮化物半導(dǎo)體層。第二半導(dǎo)體層126可以選自具有InxAlyGanyN (O≤x≤1，O≤y≤1，O≤x + y≤I)的組成式的半導(dǎo)體材料，例如，GaN、AIN、AlGaN、InGaN, InN、InAlGaN和AlInN，并且可以摻雜有p型摻雜劑，諸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。
[0073]可以暴露第一半導(dǎo)體層122的一部分。例如,可以通過移除發(fā)光結(jié)構(gòu)的一部分來暴露第一半導(dǎo)體層122的一部分。
[0074]例如，第一電極142可以沉積在第一半導(dǎo)體層122上。第一電極142可以是與供應(yīng)第一電源的導(dǎo)線接合的焊盤。
[0075]第二電極144可以配置在磷光板150的表面152(例如，上表面)上。第二電極144的一部分穿過磷光板150并且暴露在磷光板150的另一表面151 (例如,下表面)上。第二電極144可以包括多個第二電極。例如，多個第二電極144-1和144-2可以在磷光板150的表面上彼此間隔開。
[0076]磷光板150可以具有通孔(參見圖9)，并且可以通過將導(dǎo)電材料沉積在磷光板150的上表面152和通孔162中來形成第二電極144-1和144-2。
[0077]第二電極144配置在磷光板150的上表面152，至少一個焊盤部164_1和164_2接合用以接收來自外部電源的電力的導(dǎo)線103 (參照圖9)，連接部165-1和165-2穿過磷光板150并接觸焊盤部164-1和164-2的下表面。
[0078]例如，第二電極144可以包括在磷光板150的上表面上彼此間隔開的多個焊盤部(例如，164-1和164-2)，以及連接到焊盤部(例如，164-1和164-2)并穿過磷光板150的連接部(例如，165-1和165-2)。即，連接部(例如，165-1)的一端接觸焊盤部(例如，164-1)的下表面，并且其另一端從磷光板150的下表面151暴露。
[0079]第一電極142和第二電極144可以包括導(dǎo)電材料，例如，Pb、Sn、Au、Ge、B1、Cd、Zn、Ag、N1、T1、Cu、Al、Ir、In、Mg、Pt或Pd中的至少一個，或者含有這些元素的合金，并且具有
單層或多層結(jié)構(gòu)。
[0080]磷光板150可以配置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120上，例如，配置在第二半導(dǎo)體層126上。磷光板150變換從發(fā)光結(jié)構(gòu)120發(fā)射的光的波長。
[0081]磷光板150可以是磷光體和樹脂的混合物。混合磷光體的樹脂可以是具有高硬度和優(yōu)良可靠性的透明熱固化樹脂，并且其示例包括硅樹脂、環(huán)氧樹脂、玻璃、玻璃陶瓷、聚酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂、尼龍樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、氯乙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚四氟乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚烯烴樹脂等。優(yōu)選地，磷光板150是聚碳酸酯、玻璃或玻璃陶瓷。
[0082]與樹脂混合的磷光體可以包括一種或多種類型的磷光體。磷光板150可以包括硅酸鹽磷光體、石榴石(YAG)磷光體和氮化物磷光體中的至少一個。例如，硅酸鹽磷光體可以是 Ca2Si04:Eu、Sr2Si04:Eu, Sr3Si05:Eu、Ba2Si04:Eu、或者(Ca, Sr, Ba)2Si04:Eu)，YAG磷光體可以是Y3Al5O12: Ce、(Y, Gd) 3A15012: Ce)，并且氮化物磷光體可以是Ca2Si5N8:Eu、CaAlSiN2:Eu, (Sr, Ca) AlSiN2: Eu 或 α, β -SiA10N:Euo
[0083]磷光板可以通過使用模具將漿料形式的樹脂和磷光體的混合物壓制成型來制造，但是本公開并不限定于此。磷光板的形成可以通過從擠出機(extruder)擠出漿料形式的樹脂和磷光體的混合物的方法來實現(xiàn)，即所謂的“擠出成型(extrusion molding)”?？商娲?，磷光板的形成可以通過將樹脂和磷光體的混合物倒在底部并且將設(shè)計為與底部間隔開預(yù)定距離的葉片通過混合物的方法來實現(xiàn)，即所謂的“刮刀法(doctor blage method)”。
[0084]通過鋸或劃片工藝可以將如此制造的初步的磷光板剪切成所需的尺寸和形狀，以形成磷光板150。
[0085]磷光板150可以具有使第二電極144的連接部165_1和165_2暴露的至少一個通孔162 (參見圖9)。
[0086]此外,磷光板150的形狀可以取決于發(fā)光結(jié)構(gòu)120的形狀。例如,為了暴露第一電極142，發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以具有去除的部分，并且磷光板150可以具有與暴露第一電極142的發(fā)光結(jié)構(gòu)120的一個部分的形狀對應(yīng)的暴露部154。
[0087]暴露部154的形狀和數(shù)量取決于第一電極142的位置、形狀和數(shù)量。例如，如圖5所示，暴露部154可以具有通過切割磷光板150的邊緣形成的形狀，但是本公開并不限于此。
[0088]接合部160-1至160-n (其中η是大于I的自然數(shù))可以配置在磷光板150和發(fā)光結(jié)構(gòu)120例如第二半導(dǎo)體層126之間，并且將磷光板150粘接或固定到第二半導(dǎo)體層126。
[0089]接合部160-1至160-n (其中η是大于I的自然數(shù))可以包括至少一個第一接合部(例如，160-9或160-10)和至少一個第二接合部(例如，160-1至160-8)。
[0090]第一接合部(例如，160-9或160-10)可以電連接到第二電極144，并且第二接合部(例如，160-1至160-8)可以與第二電極144電隔離。
[0091]第一接合部(例如，160-9或160-10)可以配置在穿過磷光板150的第二電極144的一部分與第二半導(dǎo)體層126之間，并且將第二電極144粘接或固定到第二半導(dǎo)體層126，或?qū)⒌诙姌O144電連接到第二半導(dǎo)體層126。第一接合部(例如，160-9至160-10)可以包括一個或多個第一接合部并且第一接合部可以彼此間隔開。
[0092]在接合部160-1至160-n (η為I或大于I的自然數(shù))中，連接到第二電極144的第一接合部(例如，160-9或160-10)可以作用為向發(fā)光結(jié)構(gòu)120供電的電極。
[0093]第一接合部(例如，160-9至160-10)包括配置在第二半導(dǎo)體層126上的至少一個第一接合電極(例如，170-9至170-10)，和配置在磷光板150的另一表面(例如，下表面151)上并且接合到第一接合電極(例如，170-9和170-9)的至少一個第二接合電極(例如，180-9和 180-10)。
[0094]此外，第二接合部(例如，160-1至160-8)可以包括配置在第二半導(dǎo)體層126上的至少一個第一接合層(170-1至170-8)，以及配置在磷光板150的下表面151上并且接合到第一接合層(例如，170-1至170-8)的至少一個第二接合層(180-1至180-8)。
[0095]參照圖4，第一接合電極(例如，170-9，170-10)可以包括多個第一接合電極，并且該多個第一接合電極(例如，170-9和170-10)可以在第二半導(dǎo)體層126上彼此間隔開。而且，第一接合電極(例如，170-9和170-10)可以與第一接合層(例如，170-1至170-8)間隔開。
[0096]第一接合層(例如，170-1至170-8)可以包括多個第一接合層，并且該多個第一接合層(例如，170-1至170-8)可以在第二半導(dǎo)體層126上彼此間隔開。而且，第一接合層(例如，170-1至170-8)可以與第一接合電極(例如，170-9或170-10)間隔開。
[0097]例如，通過在第二半導(dǎo)體層126上沉積金屬材料并且通過光刻和蝕刻工藝將沉積的金屬材料圖案化，可以同時形成第一接合電極(例如，170-9至170-10)和第一接合層(例如，170-1 至 170-8)。
[0098]參照圖5，第二接合電極(例如，180-9或180-10)可以包括多個第二接合電極，并且該多個第二接合電極(例如，180-9和180-10)可以在磷光板150的下表面151上彼此間隔開。磷光板150的下表面151可以面對第二半導(dǎo)體層126的上表面152。
[0099]第二接合層(例如，180-1至180-8)可以包括多個第二接合層并且該多個第二接合層(例如，180-1至180-8)可以在磷光板150的下表面151上彼此間隔開。第二接合層(例如，180-1至180-8)可以與第二接合電極(例如，180-9或180-10)間隔開。
[0100]例如，通過在磷光板150的下表面上沉積金屬材料并且通過光刻和蝕刻工藝將沉積的金屬材料圖案化，可以同時形成第二接合電極(180-9，180-10)和第二接合層(例如，180-1 至 180-8)。[0101]第一接合電極170-9或170-10可以接觸暴露在磷光板150的下表面151上的連接部(例如，165-1或165-2)。例如，第一接合電極(例如，170-9)可以接觸第一連接部(例如，165-1)，并且第一接合電極(例如，170-10)可以接觸第二連接部(例如，165-2)。
[0102]第一接合電極170-9和170-10以及第二接合電極180-9和180-10的水平橫截面，與第一接合層170-1至170-8以及第二接合層180-1至180-8的水平橫截面可以具有各種形狀，諸如圓形、橢圓形或多邊形形狀。
[0103]為了將磷光板150有效地粘接或固定到第二半導(dǎo)體層126，第一接合電極(例如，170-9和170-10)以及第一接合層170-1至170-8可以配置為靠近第二半導(dǎo)體層126的邊緣和角部(corners)。第二接合電極(例如，180-9或180-10)配置在磷光板150的下表面151上，使其對應(yīng)于第一接合電極(例如，170-9或170-10)，并且第二接合層(例如，180-1至180-8)配置在磷光板150的下表面151上，使其對應(yīng)于第一接合層(例如，170-1至170-8)。例如，第二接合電極(例如，180-9或180-10)和第二接合層(例如，180-1至180-8)配置為靠近磷光板150的邊緣和角部。
[0104]第二接合電極(例如，180-9和180-10)中的一個可以接合到第一接合電極(例如，170-8和170-9)中相應(yīng)的一個。此外，第二接合層(例如，180-1至180-8)中的一個可以接合到第一接合層(例如，170-1至170-8)中相應(yīng)的一個。
[0105]彼此接合的第一接合電極(例如，170-9或170-10)和第二接合電極(例如，180-9或180-10)可以構(gòu)成第一接合部(例如，160-9或160-10)，并且彼此接合的第一接合層(例如，170-1至170-8)和第二接合層(例如，180-1至180-8)可以構(gòu)成第二接合部(例如，160-1至 160-8)。
[0106]例如，第一接合電極(例如，170-9，170-10)和第二接合電極(例如，180-9或180-10)之間的接合，以及第一接合層(例如，170-1至170-8)和第二接合層(例如，180-1至180-8)之間的接合可以是共熔(eutectic)接合。
[0107]第一接合電極(例如，170-9或170-10)的形狀或?qū)挾瓤梢耘c接合層(例如，170-1至170-8)的形狀或?qū)挾炔煌?br> [0108]例如，第一接合電極(例如，170-9或170-10)的寬度或面積可以大于或等于第一接合層(例如，170-1至170-8)的寬度或面積。由于第一接合電極直接連接到接收電力的第二電極144并且直接接收電流，所以第一接合電極(例如，170-9和170-10)的寬度(或面積)可以大于或等于簡單地僅用于接合的第一接合層(例如，170-1至170-8)的寬度(或面積)。這使得能夠保護電極免受電流集中造成的損壞，并提高電流分配。
[0109]圖7圖示出第一接合層到第二接合層的熔合，并且圖8圖示出熔合到第一接合層的第二接合層。
[0110]參照圖7和圖8，第一接合層(例如，170-1)和第二接合層(例如，180-1)可以彼此接合，并且在第一接合層(例如，170-1)和第二接合層(例如，180-1)之間可以存在熔合界面190。
[0111]第一接合層170-1至170-8和第一接合電極(例如，170-9至170-10)可以包括金屬材料，例如，Ag、N1、Cr、T1、Al、Rh、Pd、Sn、Ru、Mg、Zn、Pt和Au中的至少一個，或者含有這
些元素的合金。
[0112]第二接合層(例如，180-1至180-8)和第二接合電極(例如，180-9至180-10)可以包括金屬材料，例如，Ag、N1、Cr、T1、Al、Rh、Pd、Sn、Ru、Mg、Zn、Pt和Au中的至少一個，或者
含有這些元素的合金。
[0113]第二接合層180-1至180-8和第二接合電極(例如，180-9至180-10)的熔點可以低于第一接合層170-1至170-8和第一接合電極(例如，170-9至170-10)的熔點。
[0114]例如，第一接合層(例如，170-1至170-8)和第一接合電極170_9至170-10可以是Au,并且第二接合層180-1至180-8和第二接合電極180-9至180-10可以是AuSn。
[0115]第二接合電極(例如，180-9和180-10)熔化并熔合到第一接合電極(例如，170-9至170-10)并且第二接合層(例如，180-1和180-8)熔化并熔合到第一接合層(例如，180-9至 180-10)。
[0116]一般而言，當使用諸如硅樹脂的粘合劑將磷光板粘接到發(fā)光結(jié)構(gòu)或?qū)щ妼訒r，諸如硅樹脂的粘合劑易受高溫影響而降低可靠性，需要使接合到導(dǎo)線的焊盤部暴露的單獨的工藝(以下稱為“焊盤暴露工藝(pad exposure process)”),并且由于粘接樹脂的流動性而使粘接精度下降。
[0117]然而，在本實施例中，因為磷光板150通過金屬熔合而粘接到發(fā)光結(jié)構(gòu)120，所以由于耐高溫而提高了可靠性，并且由于在預(yù)定位置處可以準確粘接而提高粘接精度。
[0118]此外,如圖2和圖3所不,磷光板150的下表面151接觸第二半導(dǎo)體層126的表面，但是本公開并不限于此。如圖8和圖9中示，通過第一接合部160-9至160-10和第二接合部160-1至160-8,磷光板150的下表面151的至少一個部分可以與第二半導(dǎo)體層126的表面間隔開。
[0119]通過接合部160-1至160-10，在磷光板150和第二半導(dǎo)體層126之間可以存在空氣間隙(空隙)163。雖然存在氣隙163，但是磷光板150的下表面151的一個部分可以接觸第二半導(dǎo)體層126。
[0120]第二半導(dǎo)體層126、氣隙163以及磷光板150之間可能存在不同的折射率。出于這個原因，可以提高發(fā)光設(shè)備100-1的光擴散和光提取。
[0121]圖9是圖示出圖2和圖3中所示的虛線區(qū)域12的放大視圖。參照圖9，磷光板150可以具有通孔(例如，162)，并且可以通過用導(dǎo)電材料填充通孔(例如，162)而形成連接部(165-1和165-2)。用于連接部165-1和165-2的導(dǎo)電材料可以與用于第二電極144的導(dǎo)電材料相同。
[0122]第一連接部165-1的一端可以接觸第一焊盤部164-1的下表面，并且其另一端可以接觸第一接合部160-9的第二接合電極(例如，180-9)的上表面。此外，第二連接部165-2的一端可以接觸第二焊盤部164-2的下表面，并且其另一端可以接觸第一接合部160的第二接合電極180-10的上表面。
[0123]例如，第一連接部165-1穿過磷光板150的一個部分并且將第一焊盤部164_1連接到第一接合部160-9，并且第二連接部165-2穿過磷光板150的另一部分并且將第二焊盤部164-2連接到第一接合部160-10。
[0124]接合部(例如，160-1至160-10)和連接部165_1和165_2作用為磷光板150的散熱通道。出于這個原因，在本實施例中，提高了熱發(fā)散效率，因此，可以防止由熱引起的磷光板150的變色和破裂。
[0125]此外，在本實施例中，因為在磷光板150的上表面152上配置有第二電極144-1和144-2的焊盤部164-1和164-2，所以無需單獨的焊盤暴露工藝，因而簡化了整個工藝。
[0126]圖10是沿圖1中所示的發(fā)光設(shè)備的變型實施例100-2的方向AB截取的剖視圖。圖11是沿圖10中所示的發(fā)光設(shè)備100-2的變型實施例的方向CD截取的剖視圖。根據(jù)變型實施例的發(fā)光設(shè)備100-2的平面圖可以與圖1相同。整個圖1至圖3中相同的附圖標記表示相同的構(gòu)造，并且省略或簡要描述上面描述過的內(nèi)容。
[0127]參照圖10和圖11，與圖1所示的發(fā)光設(shè)備100-1相比，根據(jù)變型實施例的發(fā)光設(shè)備100-2可以進一步包括配置在第二半導(dǎo)體層126上的導(dǎo)電層130。
[0128]導(dǎo)電層130減少全反射，并具有光的透射率，從而增加了從有源層124發(fā)射到第二半導(dǎo)體層126的光的提取效率。
[0129]導(dǎo)電層130可以由具有高電導(dǎo)率的材料形成。導(dǎo)電層130可以具有包括至少一種透明的導(dǎo)電性氧化物的單層或多層結(jié)構(gòu)，所述透明的導(dǎo)電性氧化物例如為氧化銦錫(ΙΤ0),氧化錫(T0)、氧化銦鋅ΙΖ0)、銦錫鋅氧化物(ΙΤΖ0)、銦鋁鋅氧化物(ΙΑΖ0)、銦鎵鋅氧化物(IGZ0)、銦鎵錫氧化物(IGT0)、鋁鋅氧化物(ΑΖ0)、銻錫氧化物(ΑΤ0)、鎵鋅氧化物(GZ0)、IrOx> RuOx> RuOx/1TO> N1、Ag、Ni/IrOx/Au 以及 Ni/Ir0x/Au/IT0。
[0130]根據(jù)變型實施例的發(fā)光設(shè)備100-2de的接合部160_1至160_n (其中η是I或大于I的自然數(shù))可以介入在磷光板150和導(dǎo)電層130之間，并且將磷光板150粘接或固定到導(dǎo)電層130。
[0131]根據(jù)變型實施例的發(fā)光設(shè)備100-2的第一接合部(例如，160-9或160-10)可以配置在連接部165-1或165-2和導(dǎo)電層130之間，并且將第二電極144粘接或固定到導(dǎo)電層130，或者將第二電極144連接到導(dǎo)電層130。
[0132]根據(jù)變型實施例的發(fā)光設(shè)備100-2的第一接合電極(例如，170-9至170-10)和第一接合層(例如，170-1至170-8)可以配置在導(dǎo)電層130上。
[0133]根據(jù)變型實施例的發(fā)光設(shè)備100-2的第一接合電極(例如，170-9和170_10)、第一接合層(例如，170-1至170-8)、第二接合電極180-9和180-10、第二接合層(例如，180-1至180-8)以及連接部165-1和165-2的形成方法和材料，以及用于形成接合部160-1至160_η(其中η是I或大于I的自然數(shù))的方法(參見圖7，8和9)可以與上述相同。
[0134]由于這些原因，根據(jù)變型實施例的發(fā)光設(shè)備100-2由于耐高溫而表現(xiàn)出提高的可靠性、提高的磷光板150的粘接精度，并且由于無需單獨的焊盤暴露工藝而簡化了整個工藝。
[0135]如圖8所描述的，通過接合部(例如，160-1至160-10)，在磷光板150和導(dǎo)電層130之間可以存在空氣間隙163。
[0136]雖然存在空氣間隙163，但是磷光板150的下表面151的一個部分可以接觸第二半導(dǎo)體層126。第二半導(dǎo)體層126、空氣間隙163以及磷光板150之間可能存在的不同的折射率。出于這個原因，可以提高發(fā)光設(shè)備100-2的光擴散和光提取。
[0137]圖12是圖示出根據(jù)另一實施例的發(fā)光設(shè)備100-3的平面圖。圖13是沿圖12中所示的發(fā)光設(shè)備100-3的方向EF截取的剖視圖。圖14是沿圖12中所示的發(fā)光設(shè)備100-3的方向GH截取的剖視圖。相同的附圖標記表示與整個圖1至圖3中相同的構(gòu)造，并且省略或簡要描述上面描述過的內(nèi)容。
[0138]參照圖12和圖14，發(fā)光設(shè)備100-3包括基板110、發(fā)光結(jié)構(gòu)120-1、導(dǎo)電層130、第一電極210、第二電極220、至少一個第一接合部230-1至230_m(其中m是I或大于I的自然數(shù))、至少一個第二接合部240-1至240-n (其中η是I或大于I的自然數(shù))以及磷光板150-1。
[0139]與根據(jù)圖1所不的實施例的發(fā)光設(shè)備100-1比較,發(fā)光設(shè)備100-3與發(fā)光設(shè)備100-1在電極結(jié)構(gòu)、發(fā)光結(jié)構(gòu)120-1的形狀和接合部的結(jié)構(gòu)方面不同。
[0140]圖12所示的第一半導(dǎo)體層122的暴露部分Pl的形狀可以與圖1所示的暴露部分不同。例如，發(fā)光結(jié)構(gòu)120-1可以暴露第一半導(dǎo)體層122的第一部分Pl和第二部分Ρ2。第一部分Pl可以是其中配置有第一電極210的第一焊盤部212的區(qū)域，并且第二部分Ρ2可以是其中配置有第一電極210的第一延伸電極214的區(qū)域。
[0141]第一電極210可以包括配置在第一半導(dǎo)體層122的第一部分Pl中的第一焊盤部212、以及配置在第一半導(dǎo)體層122的第二部分Ρ2中的第一延伸電極214。
[0142]第一焊盤部212可以是第一電極210的其中接合導(dǎo)線以接收第一電源的區(qū)域。第一延伸電極214是第一電極210的從第一焊盤部212分支并在第一方向上延伸的剩余區(qū)域。第一方向從發(fā)光結(jié)構(gòu)(例如，第一半導(dǎo)體層122)的第一邊緣191向第四邊緣194延伸。
[0143]如圖12所示的實施例包括從第一焊盤部212分支的一個第一延伸電極214，但是本公開不限于此，并且第一延伸電極214可以包括多個指狀電極。
[0144]第二電極220可以配置在磷光板150-1的上表面152上用于導(dǎo)線接合，并且包括具有穿過磷光板150-1和暴露在磷光板150-1的下表面151上的部分的第二焊盤部119，以及配置在導(dǎo)電層130上的第二延伸電極224和226。在另一個實施例中，可以省略導(dǎo)電層130。在這種情況下，第二延伸電極224和226可以配置在第二半導(dǎo)體層126上。
[0145]第一電極210和第二電極220可以由與如圖1所示的第一電極142和第二電極144相同的材料形成。
[0146]第一接合部230-1至230-m (其中m是I或大于I的自然數(shù))將磷光板150_1接合到第二延伸電極224和226，將第二焊盤部229接合到延伸電極224和226并且將第二焊盤部229電連接到延伸電極224。
[0147]第二接合部240-1至240-n (其中η是I或大于I的自然數(shù))可以配置在磷光板150-1和導(dǎo)電層130之間，并且將磷光板150-1接合到導(dǎo)電層130。在另一個實施例中，可以省略導(dǎo)電層130。在這種情況下，第二接合部240-1至240-n (其中η是I或大于I的自然數(shù))可以配置在磷光板150-1和發(fā)光結(jié)構(gòu)120-1之間，并且將磷光板150-1接合到發(fā)光結(jié)構(gòu) 120-1。
[0148]圖15圖示出圖12所示的第一接合層282-1至282_η (其中η是I或大于I的自然數(shù))，以及第二接合部240-1至240-9的第二延伸電極224和226。圖16圖示出圖12所不的磷光板150-1的下表面151。圖17圖不出圖12所不的磷光板150-1的上表面152。
[0149]參照圖15至圖17，磷光板150-1可以具有與暴露第一電極210的發(fā)光結(jié)構(gòu)120-1的一部分的形狀對應(yīng)的暴露部292。
[0150]第一接合部230-1至230-m (其中m是I或大于I的自然數(shù))可以包括至少一個第三接合電極286-1至286-m (其中m是I或大于I的自然數(shù))。第三接合電極286-1到286-m (其中m是I或大于I的自然數(shù))可以配置在磷光板150-1的下表面151上，使得第三接合電極286-1到286-m對應(yīng)于或布置在第二延伸電極224或226中。[0151]第三接合電極286-1至286-m (其中m是I或大于I的自然數(shù))可以接合到第二延伸電極224或226。如圖15所示，第三接合電極(286-1至286-m，其中m是I或大于I的自然數(shù))接合到的第二延伸電極224或226的一部分被稱為接合區(qū)域Al至Am (其中m是I或大于I的自然數(shù))。第三接合電極(286-1至286-m，其中m是I或大于I的自然數(shù))可以用與圖1所描述的第二接合電極180-1至180-n (其中η是I或大于I的自然數(shù))的材料相同的材料形成。
[0152]第二接合部240-1至240-n (其中η是I或大于I的自然數(shù))可以包括至少一個第一接合層282-1至282-η，(其中η是I或大于I的自然數(shù))，和接合到第一接合層282-1至282-η (其中η是I或大于I的自然數(shù))的至少一個第二接合層284-1至284_η (其中η是I或大于I的自然數(shù))。
[0153]第一接合層282-1至282-η (其中η是I或大于I的自然數(shù))可以配置在導(dǎo)電層130上，并且可以具有與圖4所描述的第一接合層(例如，例如，170-1至170-8)相同的結(jié)構(gòu)、材料和形狀。
[0154]第二接合層284-1至284-η (其中η是I或大于I的自然數(shù))可以配置在磷光板150的下表面151上。第二接合層284-1至284_η (其中η是I或大于I的自然數(shù))可以具有與圖5所描述的第二接合層(例如180-1至180-8)相同的結(jié)構(gòu)、材料和形狀。
[0155]此外，圖7和圖8中描述了第一接合層282-1至282_η(其中η是I或大于I的自然數(shù))到第二接合層284-1至284-η的(其中η是I或大于I的自然數(shù))熔合。
[0156]圖18是圖13所示的虛線區(qū)域11的放大視圖。
[0157]參照圖18，第三接合電極286-1至286-m (其中m是I或大于I的自然數(shù))與第二接合層284-1至284-η (其中η是I或大于I的自然數(shù))間隔開，并且配置在磷光板150的下表面151上，使得第三接合電極286-1至286-m對應(yīng)于或布置在第二延伸電極224或226的接合區(qū)域Al至Am (其中m是I或大于I的自然數(shù))中。第三接合電極286-1至286_m(其中m是I或大于I的自然數(shù))可以接合到第二延伸電極224或226的接合區(qū)域Al至Am(其中m是I或大于I的自然數(shù))。
[0158]第三接合電極286-1至286-m (其中m是I或大于I的自然數(shù))可以包括多個的第三接合電極，并且該多個第三接合電極可以彼此間隔開。第三接合電極286-1至286-m(其中m是I或大于I的自然數(shù))中的一個(例如286-1)可以接合到對應(yīng)的接合區(qū)Al至Am(其中m是I或大于I的自然數(shù))的一個(例如，Al)。在這種情況下，第三接合電極286-1至286-m (其中m是I或大于I的自然數(shù))可以共熔接合到接合區(qū)域Al至Am (其中m是I或大于I的自然數(shù))。
[0159]在第三接合電極286-1至286-m (其中m是I或大于I的自然數(shù))和第二延伸電極224或226的接合區(qū)域Al至Am (其中m是I或大于I的自然數(shù))之間可以存在熔合界面 190-1。
[0160]第三接合電極286-1至286-m (其中m是I或大于I的自然數(shù))的寬度可以小于或等于第二延伸電極224或226的寬度。這使得第三接合電極286-1至286-m (其中m是I或大于I的自然數(shù))能夠很容易地接合到第二延伸電極224或226。
[0161]而且，第三接合電極286-1至286-m (其中m是I或大于I的自然數(shù))的熔點可以與延伸電極224或226的熔點不同。例如，第三接合電極286-1至286_m(其中m是I或大于I的自然數(shù))的熔點可以低于第二電極220即第二延伸電極224或226的熔點。這使得第三接合電極286-1至286-m (其中m是I或大于I的自然數(shù))能夠熔合到第二延伸電極224或226。當?shù)诙由祀姌O224和226的熔點低時，第二延伸電極224和226可能在通過熔合的接合過程中變形，并且電流可能無法平穩(wěn)地供到第二半導(dǎo)體層126或?qū)щ妼?30。
[0162]圖19是圖14所示的虛線區(qū)域13的放大視圖。
[0163]參照圖19，第二焊盤部229-1可以配置在磷光板150-1的上表面152上，并且連接部229-2可以穿過磷光板150-1并可以暴露在磷光板150-1的下表面151上。第一接合部(例如，230-4)將暴露的連接部229-2接合到第二延伸電極224或226。
[0164]磷光板150-1可以具有對應(yīng)于連接部229-2的通孔(例如，162)，并且連接部229_2可以配置在該通孔(例如，162)中。
[0165]連接部229-2的一端可以接觸第二焊盤部229_1的下表面，并且其另一端可以接觸第三接合電極的上表面(例如，286-4)。
[0166]第二延伸電極224或226可以包括多個指狀電極以分配電流。例如，第二延伸電極可以包括第一指狀電極224和第二指狀電極226。該第一指狀電極224具有:從接合區(qū)域A4在第二方向上延伸的第一部分F1，其中接觸連接部229-2的第三接合電極286-4接合到該接合區(qū)域A4;以及從該第一部分Fl的一端延伸到第三方向的第二部分F2。該第二指狀電極226具有在第三方向上從接合區(qū)域A4延伸的第三部分F3。第二方向從發(fā)光結(jié)構(gòu)120-1的第三邊緣193例如第一半導(dǎo)體層122，到第四邊緣194延伸，并且第三方向可以與第一方向相反。
[0167]圖15圖示出從第二延伸電極224和226的區(qū)域225分支的兩個指狀電極224和226，其中配置有電連接到第二焊盤部229-1的接合區(qū)域A4，但是本公開不限于此。在另一個實施例中，指狀電極224和226的數(shù)量可以是一個或三個或更多個。此外，第二延伸電極224和226的指狀電極224和226彼此接合的區(qū)域的寬度或直徑可以大于其他區(qū)域的寬度
或直徑。
[0168]在圖15中，基于第二延伸電極224和226的配置有接合區(qū)域A4的區(qū)域225，第一指狀電極224和第二指狀電極226兩側(cè)不對稱(bilaterally asymmetrical)。在另一個實施例中，第一指狀電極224和第二指狀電極226可以兩側(cè)對稱(bilaterally symmetrical)。
[0169]第一接合部230-1至230-m和第二接合部240_1至240_n (其中η是I或大于I的自然數(shù))以及連接部165-1和165-2作用為磷光板150-1散熱的通道。出于這個原因，在本實施例中，提高了熱發(fā)散效率，因此，可以防止由熱引起的磷光板150-1的變色和破裂。
[0170]此外，在本實施例中，因為在磷光板150-1的上表面152上配置焊盤部229_1，所以無需單獨的焊盤暴露工藝，因而簡化了整個工藝。
[0171]圖20是圖示出根據(jù)另一實施例的發(fā)光設(shè)備200-1的平面圖。圖21是沿圖20所示的發(fā)光設(shè)備200-1的方向AB截取的剖視圖。
[0172]參照圖20和圖21，發(fā)光設(shè)備200-1包括第二電極部405、保護層440、電流阻擋層445、發(fā)光結(jié)構(gòu)450、鈍化層465、第一電極部470、磷光板150-2以及第一接合部310-1至310-η (其中η是I或大于I的自然數(shù))、325_1和325-2。
[0173]第二電極部405與第一電極部470 —同向發(fā)光結(jié)構(gòu)450提供電源。第二電極部405可以包括支撐層410、接合層415、勢壘層420、反射層425以及歐姆區(qū)域430。[0174]支撐層410支撐發(fā)光結(jié)構(gòu)450。支撐層410可以由金屬或半導(dǎo)體材料形成。此外，支撐層410可以由具有高電導(dǎo)率的材料形成。例如，支撐層410可以是包括銅(Cu)、銅合金(Cu合金)、金(Au )、鎳(Ni )、鑰(Mo )和銅-鎢(銅-W)中的至少一個的金屬材料，或包括S1、Ge、GaAs、ZnO和SiC中的至少一個的半導(dǎo)體。
[0175]接合層415可以配置在支撐層410和勢壘層420之間，并且作用為接合層以將支撐層410粘接到勢壘層420。例如，接合層415可以包括In、Sn、Ag、Nb、Pd、N1、Au和Cu中的至少一個金屬材料。形成接合層415以便通過接合方法將支撐層410粘接到阻擋層420。當通過電鍍或沉積形成支撐層410時，可以省略接合層415。
[0176]勢壘層420配置在反射層425、歐姆區(qū)域430和保護層440下，并且防止接合層415和支撐層410的金屬離子穿過反射層425和歐姆區(qū)域430并擴散到發(fā)光結(jié)構(gòu)450中。例如，勢壘層420可包括N1、Pt、T1、W、V、Fe和Mo中的至少一個，并且可以具有單層或多層結(jié)構(gòu)。
[0177]反射層425可以配置在勢壘層420上，并且反射從發(fā)光結(jié)構(gòu)450發(fā)射的光以提高光提取效率。反射層425可以由光反射的材料形成，例如，包括Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一個的金屬或合金。
[0178]反射層425可以具有諸如IZO/N1、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni或AZO/Ag/Ni的包含金屬或合金的多層結(jié)構(gòu)，以及具有諸如IZ0、IZT0、IAZ0、IGZ0、IGT0、AZ0和ATO的透光性導(dǎo)電材料。
[0179]歐姆區(qū)域430可以配置在反射層425和第二半導(dǎo)體層452之間，并且歐姆接觸第二半導(dǎo)體層452以平穩(wěn)地將電源提供到發(fā)光結(jié)構(gòu)450。
[0180]透光性導(dǎo)電層和金屬可選擇性地用于形成歐姆區(qū)域430。例如，歐姆區(qū)域430可以包括歐姆接觸第二半導(dǎo)體層452的金屬材料，例如，Ag、N1、Cr、T1、Pd、Ir、Sn、Ru、Pt、Au和Hf中的至少一個。
[0181 ] 該保護層440可以配置在第二電極層405的邊緣處。例如，保護層440可以配置在歐姆區(qū)域430的邊緣處、反射層425的邊緣處、阻擋層420的邊緣處或支撐層410邊緣處。
[0182]保護層440防止由發(fā)光結(jié)構(gòu)450和第二電極層405之間的界面的剝離所導(dǎo)致的發(fā)光設(shè)備300-2的可靠性的下降。保護層440可以由電絕緣材料形成，例如，Zn0、Si02、Si3N4、TiOx (X為正實數(shù))或A1203。
[0183]電流阻擋層445可以配置在歐姆區(qū)域430和發(fā)光結(jié)構(gòu)450之間。電流阻擋層445的上表面接觸第二半導(dǎo)體層452，并且電流阻擋層445的下表面、或其下表面和側(cè)表面可以接觸歐姆區(qū)域430。電流阻擋層445的至少一部分可以在垂直方向上與第一電極部170重疊。電流阻擋層445形成在歐姆區(qū)域430和第二半導(dǎo)體層452之間，或在反射層425和歐姆區(qū)域430之間，但是本公開不限于此。
[0184]電流阻擋層445可以是具有比反射層425或歐姆區(qū)域430較低導(dǎo)電性的材料、肖特基接觸第二半導(dǎo)體層452的材料、或電絕緣材料。例如，電流阻擋層445可以包括ZnO、SiO2, SiON, Si3N4' Al2O3' TiO2 和 AiN 中的至少一個。
[0185]發(fā)光結(jié)構(gòu)450可以配置在歐姆區(qū)域430和保護層440上。發(fā)光結(jié)構(gòu)450的側(cè)表面在隔離蝕刻以將得到的(resulting)結(jié)構(gòu)分離成單元芯片時可以是傾斜表面。
[0186]發(fā)光結(jié)構(gòu)450可以包括第二半導(dǎo)體層452、有源層454和第一半導(dǎo)體層456。第二半導(dǎo)體層452、有源層454和第一半導(dǎo)體層456與圖1所描述的相同，因此省略其詳細的解釋以避免重復(fù)。
[0187]鈍化層465可以配置在發(fā)光結(jié)構(gòu)450的側(cè)表面上以電保護發(fā)光結(jié)構(gòu)450。鈍化層465可以配置在第一半導(dǎo)體層456的上表面的一部分或保護層440的上表面上。鈍化層465可以由絕緣材料形成，諸如Si02、SiOx, SiOxNy, Si3N4或A1203。
[0188]磷光板150-2可以配置在發(fā)光結(jié)構(gòu)450例如第一半導(dǎo)體層456上。除了形狀以外，磷光板150-2具有與圖5所不的磷光板150相同的屬性(如材料)。
[0189]由于第二電極部405配置在發(fā)光結(jié)構(gòu)450下，并且第二電極部405無需單獨的焊盤部，所以磷光板150-2可以不具有暴露用于第二電極部405的焊盤部的延伸部。
[0190]第一電極部470可以包括配置在第一半導(dǎo)體層456上的延伸電極92、配置在磷光板150-2的上表面152上的焊盤部(例如，403-1或403-2)、以及穿過磷光板150-2并且將延伸電極92連接到焊盤部(例如，403-1或403-2)的連接部(例如，402-1或402-2)。
[0191]焊盤部(例如，403-1或403-2)可以是接合導(dǎo)線的第一電極部470的一部分。連接部(例如，402-1或402-2)的一端可以接觸焊盤部的下表面(例如，403-1或403-2)，并且其另一端可以從磷光板150-2的下表面151暴露。
[0192]第一電極部470的材料可以包括圖1所描述的第一電極142和第二電極144的材料。例如，第一電極部 470 可以包括 Pb、Sn、Au、Ge、B1、Cd、Zn、Ag、N1、T1、Cu、Al、Ir、In、Mg、Pt和Pd中的至少一個，或者含有這些元素的合金。
[0193]延伸電極92可以具有預(yù)定的圖案形狀。在第一半導(dǎo)體層456可以在其上表面上設(shè)置粗糙圖案(未示出)以提高光提取效率。此外，延伸電極92可以在其上表面上設(shè)置粗糙圖案(未不出)以提聞光提取效率。
[0194]例如，延伸電極92可以包括沿第一半導(dǎo)體層456的上表面的邊緣配置的外電極92a,92b的92c以及92d，以及配置在外電極92a、92b、92c和92d中的內(nèi)電極94a和94b。圖20中所示的延伸電極92僅作為第一電極部470的示例，并且其形狀不限于此，且是可變的。通過連接部(例如，402-1或402-2)接合到焊盤部(例如，403-1，403-2)的延伸電極92的一個部分102a或102b的寬度可以大于延伸電極92的另一部分的寬度。
[0195]第一接合部320-1至320-n (其中η是I或大于I的自然數(shù)，325_1、325_2)可以將磷光板150-2接合到第一電極部470。
[0196]第一接合部(例如320-1至320-7)介入在延伸電極92和磷光板150_2之間，并且將磷光板150-2接合到延伸電極92。此外，第一接合部325-1或325-2將連接部(例如，402-1或402-2)接合到延伸電極92。
[0197]圖22圖示出圖20所示的第一電極部470。圖23圖示出圖20中所示的磷光板150-2的下表面151。圖24圖示出圖20中所示的磷光板150-2的上表面152。
[0198]參照圖22至圖24，第一接合部320-1至320-n (其中η是I或大于I的自然數(shù))可以包括在磷光板150-2的下表面151和延伸電極92之間的至少一個第四接合電極401-1至401-η (η為是I或大于I的自然數(shù))。
[0199]第四接合電極401-1至401-η (其中η是I或大于I的自然數(shù))可以與圖16所示的第三接合電極286-1至286-m (其中m是I或大于I的自然數(shù))相同。
[0200]第四接合電極401-1至401-η (其中η是I或大于I的自然數(shù))可以包括多個第四接合電極，并且該多個第四接合電極401-1至401-η (η是大于I的自然數(shù))可以在磷光板150-2的下表面151上彼此間隔開，使得該多個第四接合電極401-1至401_n對應(yīng)于或布置在延伸電極92中。
[0201]第四接合電極401-1至401-n (其中η是大于I的自然數(shù))可以接合到延伸電極92。第四接合電極401-1至401-n的(其中η是大于I的自然數(shù))所接合的延伸電極92的一部分被稱為接合區(qū)域BI至Bn (其中η是大于I的自然數(shù))。第四接合電極401-1至401_η(其中η是大于I的自然數(shù))的寬度可以小于或等于延伸電極92的寬度。
[0202]此外，第四接合電極401-1至401-n (其中η是大于I的自然數(shù))的熔點可以與第一電極部470例如延伸電極92的熔點不同。例如，第四接合電極401-1至401-n (其中η是大于I的自然數(shù))的熔點可以低于第一電極部470例如延伸電極92的熔點。
[0203]第四接合電極401-1至401-n (其中η是大于I的自然數(shù))可以熔合到延伸電極92，并且如圖8所示，在第四接合電極401-1至401-n (其中η是大于I的自然數(shù))和延伸電極92的接合區(qū)域BI至Bn (其中η是I或大于I的自然數(shù))之間可以存在熔合界面。
[0204]第一接合部325-1或325-2可以包括配置在連接部402-1或402-2和延伸電極92之間的第四接合電極406-1或406-2。第四接合電極406-1和406-2的數(shù)量可以與焊盤部403-1和403-2的數(shù)量相同。
[0205]第四接合電極406-1或406-2可以接合到延伸電極92。第四接合電極406_1或406-2所接合的延伸電極92的另一部分被稱為接合區(qū)域Kl或Κ2。第四接合電極406-1或406-2可以熔合到延伸電極92，并且如圖8所示，在第四接合電極406-1或406-2和延伸電極92的接合區(qū)域Kl或Κ2之間可以存在熔合界面。第四接合電極406-1或406-2的寬度可以小于或等于延伸電極92的寬度。
[0206]此外，第四接合電極406-1或406-2的熔點可以與第一電極部470例如延伸電極92的熔點不同。例如，第四接合電極406-1或406-2的熔點可以低于第一電極部470例如延伸電極92的熔點。
[0207]通過第一接合部320-1至320-η (其中η是I或大于I的自然數(shù)，325-1，325-2)，在磷光板150和第二半導(dǎo)體層126之間由可以存在空氣間隙163。雖然存在空氣間隙163,但是磷光板150-2的下表面151的一部分可以接觸第一半導(dǎo)體層456。
[0208]在本實施例中，通過第一接合部320-1至320-η、325-1或325_2可以提高磷光體板的粘接精度。第一接合部320-1至320-η、325-1或325-2以及連接部402-1或402-2的作用為磷光板150-2散熱的通道。出于這個原因，在本實施方式中，提高了熱發(fā)散效率，因此，可以防止由熱引起的磷光板150-2的變色和破裂。
[0209]此外，在本實施例中，因為在磷光板150-2的上表面152上配置有焊盤部403_1和403-2，所以無需單獨的焊盤暴露工藝，因而簡化了整個工藝。
[0210]圖25圖示出根據(jù)圖20中所示的實施例的變型實施例的發(fā)光設(shè)備200-2。參照圖25，根據(jù)變型實施例的發(fā)光設(shè)備200-2不包括圖20所示的第一接合部320-1至320_η (其中η是大于I的自然數(shù))，而是包括配置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120例如第一半導(dǎo)體層456與磷光板150-2的下表面151之間的第二接合部310-1至310-η (其中η是大于I的自然數(shù))，以及第一接合部325-1和325-2。
[0211]第二接合部310-1至310-η (其中η是大于I的自然數(shù))將磷光板150-2粘接或固定到第一半導(dǎo)體層456。第二接合部310-1至310-η (其中η是大于I的自然數(shù))可以包括配置在第一半導(dǎo)體層456的上表面上的第一接合層(未示出)，以及配置在磷光板150-2的下表面上并且粘接到第一接合層的第二接合層(未示出)。例如，第二接合部310-1至310-n(其中η是大于I的自然數(shù))的結(jié)構(gòu)可以與圖1所示的第二接合部160-1至160-8的結(jié)構(gòu)相同。
[0212]此外，根據(jù)另一實施例的發(fā)光設(shè)備(未示出)可以包括圖20所示的第一接合部320-1至320-n (其中η是I或大于I的自然數(shù)、325-1和325-2，以及圖25所示的第二接合部310-1至310-n (其中η為大于I的自然數(shù))。
[0213]圖26圖示出根據(jù)一個實施例的發(fā)光設(shè)備封裝400。
[0214]參照圖26，發(fā)光設(shè)備封裝400包括封裝主體610、引線框架612和614、發(fā)光設(shè)備620、反射板625、導(dǎo)線630以及樹脂層640。
[0215]封裝主體610可以在其上表面上設(shè)置有腔體。該腔體的側(cè)壁可以是傾斜的。圖26所示的封裝主體610具有腔體，但本公開不限于此。在另一個實施例中，封裝主體可以不具有腔體。
[0216]封裝主體610在其一個側(cè)區(qū)域具有帶腔體的結(jié)構(gòu)。這里，該腔體的側(cè)壁可以是傾斜的。封裝主體610可以由具有優(yōu)良的絕緣性和熱傳導(dǎo)性的基板形成，諸如基于硅的晶片級封裝、硅基板、碳化硅(SiC)、氮化鋁(AlN)等，并且可以具有多個基板層疊的結(jié)構(gòu)。本公開并不限于上述封裝主體610的材料、結(jié)構(gòu)和形狀。
[0217]引線框架612和614配置在封裝主體610的表面上，以便考慮發(fā)光設(shè)備620的熱釋放或安裝而彼此電隔離。
[0218]發(fā)光設(shè)備620可以電連接到引線框架612和614。這里，發(fā)光設(shè)備620可以是根據(jù)實施例100-1、100-2、200-1和200-2的發(fā)光設(shè)備中的一個。
[0219]反射板625可以形成在封裝主體610的腔體的側(cè)壁上，以在指定的方向上引導(dǎo)從發(fā)光設(shè)備620發(fā)射的光。反射板625可以由光反射材料形成,例如金屬涂層或金屬片。
[0220]樹脂層640包圍位于封裝主體610的腔體內(nèi)的發(fā)光設(shè)備620，以保護發(fā)光設(shè)備620免受外部環(huán)境影響。樹脂層640可以由無色透明的聚合物樹脂材料形成，諸如環(huán)氧樹脂或硅樹脂。
[0221]由于根據(jù)本實施例的發(fā)光設(shè)備620包括磷光板150、和150_1至150-3,所以樹脂層640可以不包括磷光體。然而，在另一實施方案中，樹脂層640可以包括包含與磷光板中的磷光體相同或不同的磷光體。
[0222]圖27圖示出根據(jù)一個實施例的包括發(fā)光設(shè)備封裝的照明設(shè)備的分解立體圖。參照圖27，照明設(shè)備包括:光源750、用于釋放光源750的熱量的散熱器740、包括光源750和散熱器740的外殼700、以及用以將光源750和散熱器740連接到殼體700的支架760。
[0223]外殼700包括接合到電插座(未示出)的插座連接器710、以及連接到插座連接器710的主體件730，其中主體件730包括光源750。主體件730可以設(shè)置有通氣孔720。
[0224]殼體700的主體件730在其表面上設(shè)置有多個通氣孔720。通氣孔720的數(shù)量可以是一個或多個。通氣孔720可以徑向(radially)布置在主體件730上或具有其他布置。
[0225]光源750包括基板754和布置在其上的多個發(fā)光設(shè)備封裝752?；?54可以具有可以插入殼體700的暴露部的形狀，并且由具有高導(dǎo)熱性的材料制成，以將熱量傳遞到散熱器740。例如，發(fā)光設(shè)備封裝752是根據(jù)圖26中所示的實施例的發(fā)光設(shè)備封裝400。[0226]支架760可以設(shè)置在光源下，并且包括框架和另一通氣孔。此外，雖然未示出，但是多個光學(xué)件設(shè)置在光源750下，以漫射、散射或匯聚由光源750的發(fā)光設(shè)備封裝150投射的光。
[0227]圖28是根據(jù)一個實施例的包括發(fā)光設(shè)備封裝的顯示設(shè)備的視圖。參照圖28，根據(jù)此實施例的顯示設(shè)備800包括:底蓋810 ;配置在底蓋810上的反射板820 ;發(fā)光模塊830和835以發(fā)射光；布置在反射板820的前部以將從發(fā)光模塊發(fā)射的光朝向顯不設(shè)備的前部引導(dǎo)的光導(dǎo)板840 ;包括布置在光導(dǎo)板840的前部的棱鏡片850和860的光學(xué)片；布置在光學(xué)片的前部的顯示面板870 ;連接到顯示面板870以及將圖像信號提供給顯示面板870的圖像信號輸出電路；以及布置在顯示面板870的前部的濾色器880。底蓋810、反射板820、發(fā)光模塊830和835、光導(dǎo)板840和光學(xué)片可以構(gòu)成背光單兀。
[0228]發(fā)光模塊包括安裝在電路基板830上的發(fā)光設(shè)備封裝835。電路基板830可以是PCB等，并且發(fā)光設(shè)備封裝835與根據(jù)圖26中所示的實施例的發(fā)光設(shè)備封裝相同。
[0229]底蓋810可以容納顯示設(shè)備800的構(gòu)成部件。反射板820可以設(shè)置為單獨的元件，如附圖中示出，或可以用具有高反射率的材料涂覆設(shè)置在光導(dǎo)板840的后表面上或在底蓋810的前表面上。
[0230]這里，反射板820可以由能夠以超薄膜形式發(fā)揮功能的高反射材料制成，并且其示例功能包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
[0231]此外，光導(dǎo)板840可以由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)或聚乙烯(PE)形成。
[0232]第一棱鏡片850形成在使用具有透光性的彈性聚合物的支持膜的一側(cè)，并且該聚合物可以包括具有多個重復(fù)形成的三維結(jié)構(gòu)的棱鏡層。這里，如附圖所示，多個圖案可以設(shè)置為凸部和凹部重復(fù)交替的條紋圖案。
[0233]第二棱鏡片860中的支持膜的一側(cè)上布置的凸部和凹部的方向可以垂直于布置在第一棱鏡片850中的支持膜的一側(cè)上的凸部和凹部的方向，使得從發(fā)光模塊和反射板傳來的光能夠均勻地分配在顯示面板870的所有方向上。
[0234]盡管未不出，但是可以在導(dǎo)光板840和第一棱鏡片850之間配置擴散片。擴散片可以由聚酯或聚碳酸酯材料制成，并通過折射和散射使從背光單元入射的光的投射(projection)角最大化。擴散片還包括:含有光擴散體的支撐層；以及形成在光發(fā)射面(第一棱鏡片方向)和光入射面(反射片方向)上并且不包含光擴散體的第一層和第二層。
[0235]在此實施例中，第一棱鏡片850和第二棱鏡片860構(gòu)成的光學(xué)片，并且光學(xué)片例如可以設(shè)置為微透鏡陣列、一個或多個漫射片和微透鏡陣列的組合、或一個棱鏡片和微透鏡陣列的組合。
[0236]顯示面板870可以是液晶面板，并且除了液晶面板870以外，可以布置要求光源的其他顯示設(shè)備。
[0237]圖29圖示出根據(jù)一個實施例的包括發(fā)光設(shè)備封裝的前照燈900。參照圖29，前照燈900包括發(fā)光模塊901、反射器902、遮光部903和透鏡904。
[0238]發(fā)光模塊901可以包括配置在基片(未不出)上的根據(jù)一個實施例的發(fā)光設(shè)備封裝400。反射器902可以以預(yù)定的方向例如向前方方向912反射從發(fā)光模塊901輻射出的光911。[0239]遮光部903是配置在反射器902和透鏡904之間、并且阻擋或反射從反射器902反射的光的一部分、并導(dǎo)向透鏡904以形成滿足設(shè)計者的意圖的光分配圖案的構(gòu)件。遮光部903的一側(cè)903-1的高度可以與其對側(cè)903-2的高度不同。
[0240]從發(fā)光模塊901輻射的光反射在反射器902和遮光部903上，穿過透鏡904并朝向本體的前部延伸。透鏡904向前方方向折射由反射器902反射的光。
[0241]從上面的描述中顯而易見的是，本實施例提供了一種發(fā)光設(shè)備以提高磷光板的粘接精度，并且防止由熱引起的磷光板150的變色和破裂。
[0242]雖然已經(jīng)參照數(shù)個說明性實施例描述了實施例，但是應(yīng)理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)想出落入本公開的精神和范圍中的多個其他修改和實施例。更具體而言，在本公開、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的主題組合布置的零部件和/或布置的各種變型和修改是可能的。除了零部件和/或布置的變型和修改之外，替代使用對本領(lǐng)域技術(shù)人員也是顯而易見的。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光設(shè)備，包括: 發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層； 磷光板，配置在所述第二半導(dǎo)體層上； 第一電極部，配置在所述磷光板上；以及 多個接合部，配置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)和所述磷光板之間，所述多個接合部將所述磷光板接合到所述發(fā)光結(jié)構(gòu)， 其中每個接合部包括電連接到所述第一電極部的至少一個第一接合部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光設(shè)備，其中所述第一電極部包括: 焊盤部，配置在所述磷光板的上表面上；以及 連接部，用于將所述焊盤部連接到所述第一接合部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光設(shè)備，其中每個接合部包括與所述第一電極部電隔離的至少一個第二接合部， 其中所述第二接合部包括: 第一接合層，配置在所述磷光板上；以及 第二接合層，配置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上，并且接合到所述第一接合層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光設(shè)備，其中所述連接部穿過所述磷光板。`
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光設(shè)備，其中所述第一接合部包括: 第一接合電極，配置在所述第二半導(dǎo)體層上；以及 第二接合電極，配置在所述磷光板的下表面上以及所述連接部上，并且接合到所述第一接合電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光設(shè)備，其中所述第二接合電極熔合到所述第一接合電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光設(shè)備，其中在所述第一接合電極和所述第二接合電極之間存在熔合界面。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光設(shè)備，其中所述第二接合電極的熔點與所述第一接合電極的熔點不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光設(shè)備，其中所述第一電極部進一步包括配置在所述第二半導(dǎo)體層上的延伸電極， 其中所述第一接合部包括配置在所述連接部和所述延伸電極之間第三接合電極，并且將所述連接部接合到所述延伸電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的發(fā)光設(shè)備，其中所述第三接合電極的熔點與所述延伸電極的熔點不同。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光設(shè)備，其中所述第三接合電極熔合到所述延伸電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光設(shè)備，其中在所述第三接合電極和所述延伸電極之間存在熔合界面。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光設(shè)備，其中接合到所述第三接合電極的所述延伸電極的一個部分的寬度與所述延伸電極的另一部分的寬度不同。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光設(shè)備，其中所述第三接合電極的寬度小于或等于所述延伸電極的寬度。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光設(shè)備，其中所述磷光板和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之間存在空氣空隙(間隙)。
16.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光設(shè)備，其中所述第一電極部進一步包括配置在所述第二半導(dǎo)體層上的延伸電極， 其中所述第一接合部包括配置在所述磷光板的下表面和所述延伸電極之間的第三接合電極，將所述磷光板接合到所述延伸電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光設(shè)備，其中所述第一接合部進一步包括配置在所述連接部與所述延伸電極之間的接合電極，將所述連接部接合到所述延伸電極。
18.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光設(shè)備，其中所述第一接合電極和所述第二接合電極包含至少一種相同的金屬。
19.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光設(shè)備，其中所述焊盤部配置在所述磷光板的一側(cè)處。
20.一種發(fā)光設(shè)備封裝，包括: 封裝主體； 第一引線框架和第二引線框架，配置在所述封裝主體上； 發(fā)光設(shè)備，配置在所述第二引線框架上；以及 樹脂層，包圍所述發(fā)光設(shè)備， 其中所述發(fā)光設(shè)備包括: 發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括第一半導(dǎo)體`層、有源層和第二半導(dǎo)體層； 磷光板，配置在所述第二半導(dǎo)體層上； 第一電極部，配置在所述磷光板上；以及 多個接合部，配置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)和所述磷光板之間，所述多個接合部將所述磷光板接合到所述發(fā)光結(jié)構(gòu)， 其中每個接合部包括電連接到所述第一電極部的至少一個第一接合部。
【文檔編號】H01L33/64GK103794705SQ201310520011
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2013年10月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月29日
【發(fā)明者】李建教 申請人:Lg伊諾特有限公司