一種軟介質(zhì)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種軟介質(zhì)電路的制作方法，包括軟介質(zhì)電路中滿足厚度要求的電路圖形的制作、滿足后續(xù)鍵合可靠性要求的鍵合區(qū)圖形的制作和滿足錫焊互聯(lián)可靠性要求的錫焊區(qū)圖形的制作。采用上述方案，解決了軟介質(zhì)基片電路錫焊前搪錫過程中造成的電路基片平整度變差和助焊劑污染貼片區(qū)域和鍵合區(qū)域的問題，可大大提高混合集成電路的可靠性。
【專利說明】 一種軟介質(zhì)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于軟介質(zhì)電路制作【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及的是一種軟介質(zhì)電路的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]微波混合集成電路中轉(zhuǎn)接器內(nèi)導(dǎo)體與鍍金軟介質(zhì)電路之間采用錫焊互聯(lián)工藝，防止錫焊時(shí)因“金脆”現(xiàn)象的產(chǎn)生而降低錫焊互聯(lián)界面處可靠性，電路基片上鍍金焊盤的金層不能超過I微米；而同一塊電路上需要進(jìn)行引線鍵合的焊盤，為了保證鍵合質(zhì)量，焊盤鍍金厚度需要大于2.5微米。
[0003]目前的做法是將錫焊焊盤采用搪錫工藝將金層去除，以保證焊接質(zhì)量，具體的做法為:(a)整版電鍍金厚2.5微米；(b)光刻蝕電路圖形，包括刻蝕錫焊區(qū)、刻蝕鍵合區(qū)、刻蝕正面?zhèn)鬏斁€2.5微米、刻蝕背面金屬化2.5微米、覆銅板；(c)搪錫處理，將錫焊區(qū)搪錫處理。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)有如下不足:1、對于軟介質(zhì)電路，搪錫過程會(huì)造成電路基板的平整性變差，影響電路基板的貼片質(zhì)量；2、搪錫過程中的助焊劑會(huì)污染電路基板，影響電路基板的貼片質(zhì)量和金屬絲鍵合互聯(lián)的可靠性。
[0005]因此，現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷，需要改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種軟介質(zhì)電路的制作方法。
[0007]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0008]一種軟介質(zhì)電路的制作方法，其中，包括以下步驟:
[0009]步驟一:在軟介質(zhì)電路種子層的正面及背面電鍍金層2.5微米；
[0010]步驟二:采用半導(dǎo)體集成電路制作工藝的光刻蝕及時(shí)制作電路圖形；
[0011]步驟三:采用半導(dǎo)體集成電路制作工藝的光刻技術(shù)，在錫焊區(qū)開出工藝窗口 ；
[0012]步驟四:采用半導(dǎo)體集成電路制作工藝的濕法腐蝕技術(shù)，將工藝窗口中的金層腐蝕減薄到0.5微米，背面采用光刻膠保護(hù)。
[0013]所述的軟介質(zhì)電路的制作方法，其中，所述步驟四中，包括光刻蝕錫焊區(qū)0.5微米，光刻蝕鍵合區(qū)2.5微米，光刻蝕正面?zhèn)鬏斁€2.5微米，光刻蝕背面金屬化0.5微米，覆銅板。
[0014]制作流程包括整版電鍍金、光刻蝕、光刻局部腐蝕窗口、腐蝕金層等工序。整版電鍍工序用于將基片上的金屬層電鍍加厚到鍵合區(qū)的需求厚度一2.5微米以上；光刻蝕工序用于將傳輸線、鍵合區(qū)域、錫焊區(qū)域圖形制作出來；光刻局部腐蝕窗口工序用于在錫焊區(qū)開出窗口，其余部分用光刻膠保護(hù)，以便后道工序?qū)⒋翱谔庪婂兘饘痈g減薄到0.5微米左右，以滿足錫焊連接的需要。[0015]采用上述方案，在電路制作過程中即將錫焊區(qū)和鍵合區(qū)加以區(qū)分，無須搪錫即可同時(shí)滿足錫焊和鍵合兩方面的要求，解決了軟介質(zhì)基片電路錫焊前搪錫過程中造成的電路基片平整度變差和助焊劑污染貼片區(qū)域和鍵合區(qū)域的問題，可大大提高混合集成電路的可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為本發(fā)明方法完成步驟一后的示意圖。
[0017]圖2為本發(fā)明方法完成步驟二后的示意圖。
[0018]圖3為本發(fā)明方法完成步驟三后的俯視圖。
[0019]圖4為本發(fā)明方法完成步驟三后的剖面圖。
[0020]圖5為本發(fā)明方法完成步驟四后的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0022]實(shí)施例1
[0023]本發(fā)明對軟介質(zhì)電路制作技術(shù)進(jìn)行了改進(jìn)，采用整版電鍍加厚到鍵合互聯(lián)的需求厚度，然后采用光刻技術(shù)，在電路的錫焊區(qū)域開出工藝窗口，把錫焊區(qū)域的金層減薄到可靠性錫焊厚度，即可滿足同一塊電路上錫焊焊盤和鍵合焊盤不同鍍層厚度要求，無須搪錫，同時(shí)保障了錫焊質(zhì)量、鍵合質(zhì)量及貼裝質(zhì)量。
[0024]如圖1所示，在軟介質(zhì)電路I上的正面101電鍍金層2.5微米及背面102電鍍金層2.5微米；
[0025]圖如2所示，在軟介質(zhì)電路I上制作出傳輸線201。
[0026]如圖3:圖4所示，用光刻膠104在軟介質(zhì)電路I的正面201的錫焊區(qū)域開出工藝窗口 103 ;
[0027]如圖5所示，包括腐蝕減薄錫焊區(qū)至0.5微米301，去除光刻膠104后，得到鍵合區(qū)
2.5微米302，背面金屬化2.5微米102。
[0028]實(shí)施例2
[0029]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步，一種軟介質(zhì)電路的制作方法，其中，
[0030]包括以下步驟:
[0031]步驟一:在軟介質(zhì)電路種子層的正面及背面電鍍金層2.5微米；
[0032]步驟二:采用半導(dǎo)體集成電路制作工藝的光刻蝕及時(shí)制作電路圖形；
[0033]步驟三:采用半導(dǎo)體集成電路制作工藝的光刻技術(shù)，在錫焊區(qū)開出工藝窗口 ；
[0034]步驟四:采用半導(dǎo)體集成電路制作工藝的濕法腐蝕技術(shù)，將工藝窗口中
[0035]的金層腐蝕減薄到0.5微米，背面采用光刻膠保護(hù)。
[0036]進(jìn)一步而言，所述步驟四中，包括光刻蝕錫焊區(qū)0.5微米，光刻蝕鍵合區(qū)2.5微米，光刻蝕正面?zhèn)鬏斁€2.5微米，光刻蝕背面金屬化0.5微米，覆銅板。
[0037]制作流程包括整版電鍍金、光刻蝕、光刻局部腐蝕窗口、腐蝕金層等工序。整版電鍍工序用于將基片上的金屬層電鍍加厚到鍵合區(qū)的需求厚度一2.5微米以上；光刻蝕工序用于將傳輸線、鍵合區(qū)域、錫焊區(qū)域圖形制作出來；光刻局部腐蝕窗口工序用于在錫焊區(qū)開出窗口，其余部分用光刻膠保護(hù)，以便后道工序?qū)⒋翱谔庪婂兘饘痈g減薄到0.5微米左右，以滿足錫焊連接的需要。
[0038]采用上述方案，在電路制作過程中即將錫焊區(qū)和鍵合區(qū)加以區(qū)分，無須搪錫即可同時(shí)滿足錫焊和鍵合兩方面的要求，解決了軟介質(zhì)基片電路錫焊前搪錫過程中造成的電路基片平整度變差和助焊劑污染貼片區(qū)域和鍵合區(qū)域的問題，可大大提高混合集成電路的可靠性。
[0039]應(yīng)當(dāng)理解的是，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種軟介質(zhì)電路的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟一:在軟介質(zhì)電路種子層的正面及背面電鍍金層2.5微米； 步驟二:光刻蝕電路圖形； 步驟三:在錫焊區(qū)開出工藝窗口 ； 步驟四:將工藝窗口中的金層腐蝕減薄到0.5微米，背面采用光刻膠保護(hù)。
2.如權(quán)利要求1所述的軟介質(zhì)電路的制作方法，其特征在于，所述步驟四中，包括光刻蝕錫焊區(qū)0.5微米，光刻蝕鍵合區(qū)2.5微米，光刻蝕正面?zhèn)鬏斁€2.5微米，光刻蝕背面金屬化0.5微米，覆銅板。
【文檔編號(hào)】H01L21/48GK103547079SQ201310525669
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2013年10月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月24日
【發(fā)明者】王斌, 曹乾濤, 宋振國 申請人:中國電子科技集團(tuán)公司第四十一研究所