有機(jī)發(fā)光晶體管以及有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方法
【專利摘要】一種有機(jī)發(fā)光晶體管包括：定位在基板上的第一電極；定位在第一電極上并且包括形成在中心區(qū)域的開(kāi)口的柵電極；定位在開(kāi)口中的第一輔助層；定位在第一輔助層和柵電極上的有機(jī)發(fā)光層；定位在有機(jī)發(fā)光層上的第二輔助層；以及定位在第二輔助層上的第二電極。
【專利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光晶體管以及有機(jī)發(fā)光顯示器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]描述的技術(shù)總體涉及有機(jī)發(fā)光晶體管以及有機(jī)發(fā)光顯示器，更具體地，涉及包括有機(jī)發(fā)光層以及位于第一電極與第二電極之間的柵電極的有機(jī)發(fā)光晶體管以及有機(jī)發(fā)光顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]顯示裝置為呈現(xiàn)圖像的裝置。最近，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器受到了關(guān)注。
[0003]不同于液晶顯示器，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有自發(fā)光特征，并且因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光二極管顯示器無(wú)需獨(dú)立的光源，所以可以具有相對(duì)較小的厚度和重量。此外，有機(jī)發(fā)光二極管顯不器展現(xiàn)出如低電耗、聞売度、快響應(yīng)速度等的聞品質(zhì)特征。
[0004]公開(kāi)在該【背景技術(shù)】部分的上述信息僅僅是為了加強(qiáng)描述的技術(shù)的【背景技術(shù)】的理解，并且因此可以包含本國(guó)的本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的、未形成現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]描述的技術(shù)已致力于提供配置成改善從有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的光的均勻性的有機(jī)發(fā)光晶體管以及有機(jī)發(fā)光顯示器。
[0006]第一實(shí)施方式提供有機(jī)發(fā)光晶體管，包括:定位在基板上的第一電極；定位在第一電極上并且包括形成在中心區(qū)域的開(kāi)口的柵電極；定位在開(kāi)口中的第一輔助層；定位在第一輔助層和柵電極上的有機(jī)發(fā)光層；定位在有機(jī)發(fā)光層上的第二輔助層；以及定位在第二輔助層上的第二電極。
[0007]在俯視圖中開(kāi)口可以為圓形形狀并且被柵電極圍繞。
[0008]在俯視圖中開(kāi)口可以為正多邊形形狀并且被柵電極圍繞。
[0009]開(kāi)口可以為正八邊形形狀。
[0010]開(kāi)口可以為正六邊形形狀。
[0011]在俯視圖中開(kāi)口可以為閉環(huán)形狀并且被柵電極圍繞，并且柵電極還可以包括朝著開(kāi)口的中心點(diǎn)凸起的至少一個(gè)凸起部。
[0012]第一電極可以為陽(yáng)極，第二電極可以為陰極，第一輔助層可以為通道，空穴通過(guò)該通道移動(dòng)，并且第二輔助層可以為通道，電子通過(guò)該通道移動(dòng)。
[0013]有機(jī)發(fā)光晶體管還可以包括定位在第一電極與柵電極之間的絕緣層。
[0014]第一輔助層可以被定位在第一電極與有機(jī)發(fā)光層之間，第一輔助層的底部可以與第一電極接觸，第一輔助層的頂部可以與有機(jī)發(fā)光層接觸，第一輔助層的側(cè)面可以與柵電極接觸。
[0015]第二實(shí)施方式提供包括有機(jī)發(fā)光晶體管的有機(jī)發(fā)光顯不器。
[0016]有機(jī)發(fā)光顯示器還可以包括:連接到第一電極的驅(qū)動(dòng)電源線；連接到第二電極的公共電源線；連接到柵電極的開(kāi)關(guān)元件；連接到開(kāi)關(guān)元件的掃描線；連接到開(kāi)關(guān)元件和柵電極的存儲(chǔ)電容器；以及連接到存儲(chǔ)電容器的數(shù)據(jù)線。[0017]根據(jù)本發(fā)明的上述解決方案的多種實(shí)施方式中的一種，提供了配置成改善從有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的光的均勻性的有機(jī)發(fā)光晶體管以及有機(jī)發(fā)光顯不器。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1為示出根據(jù)第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器的電路圖。
[0019]圖2為示出圖1的有機(jī)發(fā)光晶體管的剖視圖。
[0020]圖3為示出圖2的有機(jī)發(fā)光晶體管的柵電極的平面俯視圖。
[0021]圖4為用于說(shuō)明通過(guò)使用圖3的有機(jī)發(fā)光晶體管的柵電極獲得的發(fā)光特性的視圖。
[0022]圖5為示出根據(jù)第二實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光晶體管的柵電極的平面俯視圖。
[0023]圖6為示出根據(jù)第三實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光晶體管的柵電極的平面俯視圖。
[0024]圖7為示出根據(jù)第四實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光晶體管的柵電極的平面俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下文中將參照示出本發(fā)明的一些實(shí)施方式的附圖更加完整地描述本發(fā)明。然而，可以以許多不同形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為受限于本文中所記載的實(shí)施方式。
[0026]為了所公開(kāi)的實(shí)施方式的描述的清晰起見(jiàn)，省略了描述以外的元件。此外，貫穿本申請(qǐng)，相似的附圖標(biāo)記總體是指相似的元件。
[0027]將使用用于多種實(shí)施方式中具有相同配置的元件的相同的附圖標(biāo)記代表性地描述第一不例性實(shí)施方式，而在其他實(shí)施方式中，將僅僅描述不同于第一實(shí)施方式的兀件。
[0028]此外，附圖中的元件的尺寸和厚度未必是按照比例的，而是為了更好的理解和描述的便利而呈現(xiàn)的。本發(fā)明并不限于此。
[0029]在附圖中，為了清晰起見(jiàn)，層、膜、板、區(qū)域等的厚度可以被夸大。在附圖中，為了說(shuō)明的便利，層和區(qū)域的厚度可以被夸大。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)如層、膜、區(qū)域或者基板被稱為在其他元件“上”時(shí)，可以直接在其他元件上或者還可以存在有中間元件。
[0030]此外，除非另有明確相反的描述，用詞“包括”以及如“包括的”或“包括有”的變形將被理解為旨在規(guī)定元件的包含而不是任何其它元件的排除。此外，貫穿本說(shuō)明書，“上”是基于重力方向定位在目標(biāo)部分的下方或者定位在上側(cè)。
[0031]下文中，將參照?qǐng)D1至圖4描述根據(jù)第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器。
[0032]圖1為示出根據(jù)第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器的電路圖。
[0033]如圖1所示，根據(jù)第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器使用從有機(jī)發(fā)光晶體管OLET發(fā)出的光呈現(xiàn)圖像，并且包括驅(qū)動(dòng)電源線ELVDD、公共電源線ELVSS、開(kāi)關(guān)元件MM、掃描線SCAN、存儲(chǔ)電容器Cs、數(shù)據(jù)線DATA和有機(jī)發(fā)光晶體管0LET。
[0034]驅(qū)動(dòng)電源線ELVDD被連接到作為有機(jī)發(fā)光晶體管OLET的源電極S的第一電極，并且將驅(qū)動(dòng)功率供給到用作有機(jī)發(fā)光晶體管OLET的源電極S的第一電極。
[0035]公共電源線ELVSS被連接到作為有機(jī)發(fā)光晶體管OLET的漏電極D的第二電極，并且供給公共電力到用作有機(jī)發(fā)光晶體管OLET的漏電極D的第二電極。公共電源線ELVSS可以形成在與用作有機(jī)發(fā)光晶體管OLET的漏電極D的第二電極相同的層上或者不同的層上。[0036]開(kāi)關(guān)元件MM被連接到有機(jī)發(fā)光晶體管OLET的柵電極G，并且可以由包括都具有電氣上相同特性的電阻部件和電容部件的并聯(lián)電路等效替換。作為開(kāi)關(guān)元件MIM，包括第一MIM元件MMl和第二 MM元件MM2的兩個(gè)MM元件可以串聯(lián)，并且MM元件的數(shù)量并不限于此。第一 MIM兀件MIMl包括彼此并聯(lián)的第一電容部件Cmimi和第一電阻部件Rmimi,而第二 MM元件MM2包括第二電容部件Cmim2和第二電阻部件RMIM2。開(kāi)關(guān)元件MM被連接到掃描線SCAN和有機(jī)發(fā)光晶體管OLET的柵電極G,并且響應(yīng)于掃描信號(hào)開(kāi)啟和關(guān)閉柵電極G。
[0037]掃描線SCAN被連接到開(kāi)關(guān)元件MM，并且向開(kāi)關(guān)元件MM供給掃描信號(hào)。
[0038]存儲(chǔ)電容器Cs分別連接到開(kāi)關(guān)元件MIM、數(shù)據(jù)線DATA和有機(jī)發(fā)光晶體管0LET，并且存儲(chǔ)在一個(gè)幀期間輸入到有機(jī)發(fā)光晶體管OLET的柵電極G的數(shù)據(jù)信號(hào)。
[0039]數(shù)據(jù)線DATA被連接到存儲(chǔ)電容器Cs，并且向存儲(chǔ)電容器Cs供給數(shù)據(jù)信號(hào)。
[0040]有機(jī)發(fā)光晶體管OLET為具有源電極S、漏電極D和柵電極G的三電極型發(fā)光體。用作第一電極(可以為陽(yáng)極)的源電極S被連接到具有高壓的驅(qū)動(dòng)電源線ELVDD，而用作第二電極(可以為陰極)的漏電極D被連接到具有低電壓發(fā)射的公共電源線ELVSS。通過(guò)供給到柵電極G的信號(hào)來(lái)控制這種類型的有機(jī)發(fā)光晶體管OLET的光發(fā)射。可以以復(fù)數(shù)形式提供有機(jī)發(fā)光晶體管0LET，并且有機(jī)發(fā)光顯示器可以通過(guò)使用多個(gè)有機(jī)發(fā)光晶體管OLET呈現(xiàn)圖像。
[0041]圖2為示出圖1的有機(jī)發(fā)光晶體管的剖視圖。
[0042]如圖2所不,有機(jī)發(fā)光晶體管OLET包括第一電極ED1、絕緣層IL、柵電極G、第一輔助層AL1、有機(jī)發(fā)光層EML、第二輔助層AL2和第二電極ED2。
[0043]第一電極EDl被定位在包括玻璃、聚合物或者不銹鋼的絕緣性基板SUB上。第一電極EDl為陽(yáng)極，并且可以被形成為透光電極、半透光電極或者光反射電極。
[0044]絕緣層IL被定位在第一電極EDl與柵電極G之間，并且用于防止第一電極EDl與柵電極G之間的短路。絕緣層IL可以包括無(wú)機(jī)材料或者有機(jī)材料。
[0045]柵電極G被定位在第一電極EDl上,并且被布置在第一電極EDl與有機(jī)發(fā)光層EML之間。
[0046]圖3為示出圖2的有機(jī)發(fā)光晶體管的柵電極的平面俯視圖。
[0047]如圖3所示，柵電極G包括形成在中心區(qū)域的開(kāi)口 0A。柵電極G被形成為圍繞開(kāi)口 0A，并由此在俯視圖中開(kāi)口 OA被柵電極G圍繞。在俯視圖中開(kāi)口 OA為由柵電極G圍繞的圓形形狀。
[0048]柵電極G可以被形成為透光電極、半透光電極或者光反射電極。
[0049]再次參照?qǐng)D2，第一輔助層ALl被定位在第一電極EDl上，并且被布置在開(kāi)口 OA中。第一輔助層ALl為一個(gè)通道，空穴通過(guò)該通道移動(dòng)，并且第一輔助層ALl可以包括至少一個(gè)空穴注入層HIL和至少一個(gè)空穴傳輸層HTL。第一輔助層ALl被布置在第一電極EDl與有機(jī)發(fā)光層EML之間的開(kāi)口 OA中，第一輔助層ALl的底部與第一電極EDl接觸，第一輔助層ALl的頂部與有機(jī)發(fā)光層EML接觸，第一輔助層ALl的側(cè)面與柵電極G接觸。根據(jù)通過(guò)供給到柵電極G的柵極電壓Vg生成的電場(chǎng)強(qiáng)度，可以控制通過(guò)第一輔助層ALl移動(dòng)的空穴。
[0050]有機(jī)發(fā)光層EML為一個(gè)層,在該層中分別從第一電極EDl和第二電極ED2注入的空穴和電子彼此結(jié)合。有機(jī)發(fā)光層EML可以包括用于發(fā)出紅色光的紅色光發(fā)射層、用于發(fā)出綠色光的綠色光發(fā)射層和用于發(fā)出藍(lán)色光的藍(lán)色光發(fā)射層。
[0051]額外的絕緣層IL可以被定位在柵電極G與有機(jī)發(fā)光層EML之間以控制有機(jī)發(fā)光層EML的發(fā)光特性。
[0052]第二輔助層AL2被定位在有機(jī)發(fā)光層EML上。第二輔助層AL2為一個(gè)通道，電子通過(guò)該通道移動(dòng)，并且第二輔助層AL2可以包括至少一個(gè)電子注入層EIL和至少一個(gè)電子傳輸層ETL。
[0053]第二電極ED2為陰極，并且可以被形成為透光電極、半透光電極或者光反射電極。
[0054]空穴和電極分別從第一電極EDl和第二電極ED2被注入到有機(jī)發(fā)光層EML中，并且當(dāng)通過(guò)注入的空穴和電子再結(jié)合而形成的激子從激發(fā)態(tài)跌落至基態(tài)時(shí)，有機(jī)發(fā)光層EML發(fā)光。
[0055]通過(guò)改變供給到柵電極G的電壓，控制通過(guò)第一輔助層ALl從第一電極EDl供給到有機(jī)發(fā)光層EML的空穴量，并由此控制從有機(jī)發(fā)光層EML發(fā)出的光的質(zhì)量。
[0056]具體地，供給到柵電極G的柵極電壓Vg影響從第一電極EDl移動(dòng)到第二電極ED2的電荷量。例如，如果柵極電壓Vg被施加到柵電極G以使得在第一電極EDl與柵電極G之間移動(dòng)的電荷量增加時(shí)，則通過(guò)第一輔助層ALl移動(dòng)的空穴量增加并因此從有機(jī)發(fā)光層EML發(fā)出的光的質(zhì)量提升；而如果柵極電壓Vg被施加到柵電極G以使得在第一電極EDl與柵電極G之間移動(dòng)的電荷量減少時(shí)，則通過(guò)第一輔助層ALl移動(dòng)的空穴量減少并因此從有機(jī)發(fā)光層EML發(fā)出的光的質(zhì)量下降。也就是說(shuō)，當(dāng)給定電壓分別從驅(qū)動(dòng)電源線ELVDD和公共電源線ELVSS施加到第一電極EDl和第二電極ED2時(shí)，可以通過(guò)改變供給到柵電極G的柵極電壓Vg來(lái)控制從有機(jī)發(fā)光層EML發(fā)出的光的質(zhì)量。
[0057]圖4為用于說(shuō)明通過(guò)使用圖3的有機(jī)發(fā)光晶體管的柵電極獲得的發(fā)射特征的視圖。
[0058]如圖4所示，在上述的有機(jī)發(fā)光顯示器的有機(jī)發(fā)光晶體管OLET中，在俯視圖中柵電極G的開(kāi)口 OA為圓形形狀。由此，通過(guò)柵電極G生成的電場(chǎng)EF被均勻地施加到定位在開(kāi)口 OA中的第一輔助層AL1，并由此電場(chǎng)EF被均勻地從作為發(fā)光表面的開(kāi)口 OA的外側(cè)施加到內(nèi)側(cè)。作為結(jié)果，改善了通過(guò)作為實(shí)質(zhì)性發(fā)光區(qū)域的開(kāi)口 OA從有機(jī)發(fā)光層EML射出的光的均勻性。這作為用于降低供給到柵電極G的柵極電壓Vg的因素并且作為用于改善有機(jī)發(fā)光晶體管OLET的關(guān)斷特性的因素。因此，包括有機(jī)發(fā)光晶體管OLET的有機(jī)發(fā)光顯示器的整體發(fā)光效率得到了改善。
[0059]下面將參照?qǐng)D5描述根據(jù)第二實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光晶體管。
[0060]下文中，僅僅描述不同于第一實(shí)施方式的特征部分并且在以下省略第一實(shí)施方式的描述中描述的部分。在第二實(shí)施方式中，為了更好地理解和描述的便利，由相同的附圖標(biāo)記表不與根據(jù)第一實(shí)施方式的構(gòu)成要素相同或?qū)?yīng)的構(gòu)成要素。
[0061]圖5為示出根據(jù)第二實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光晶體管的柵電極的平面俯視圖。
[0062]如圖5所示，根據(jù)第二實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光晶體管0LET2的柵電極G包括形成在中心區(qū)域的開(kāi)口 0A。柵電極G被形成為圍繞開(kāi)口 0A，并由此在俯視圖中開(kāi)口 OA被柵電極G圍繞。在俯視圖中開(kāi)口 OA為由柵電極G圍繞的正多邊形形狀。具體地，在一些實(shí)施方式中，開(kāi)口 OA具有正八邊形形狀。
[0063]在根據(jù)第二實(shí)施方式的上述有機(jī)發(fā)光晶體管0LET2中，在俯視圖中柵電極G的開(kāi)口 OA為正八邊形形狀。由此，通過(guò)柵電極G生成的電場(chǎng)EF被均勻地施加到定位在開(kāi)口 OA中的第一輔助層ALl，并由此電場(chǎng)EF被均勻地從作為發(fā)光表面的開(kāi)口 OA的外側(cè)施加到內(nèi)偵U。作為結(jié)果，改善了通過(guò)作為實(shí)質(zhì)性發(fā)光區(qū)域的開(kāi)口 OA從有機(jī)發(fā)光層EML射出的光的均勻性。這作為用于降低供給到柵電極G的柵極電壓Vg的因素并且作為用于改善有機(jī)發(fā)光晶體管OLET的關(guān)斷特性的因素。因此，包括有機(jī)發(fā)光晶體管OLET的有機(jī)發(fā)光顯示器的整體發(fā)光效率得到了改善。
[0064]下面將參照?qǐng)D6描述根據(jù)第三實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光晶體管。
[0065]下文中，僅僅描述不同于第一實(shí)施方式的特征部分并且在以下省略第一實(shí)施方式的描述中描述的部分。在第三實(shí)施方式中，為了更好地理解和描述的便利，由相同的附圖標(biāo)記表不與根據(jù)第一實(shí)施方式的構(gòu)成要素相同或?qū)?yīng)的構(gòu)成要素。
[0066]圖6為示出根據(jù)第三實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光晶體管的柵電極的平面俯視圖。
[0067]如圖6所示，根據(jù)第三實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光晶體管0LET3的柵電極G包括形成在中心區(qū)域的開(kāi)口 0A。柵電極G被形成為圍繞開(kāi)口 0A，并由此在俯視圖中開(kāi)口 OA被柵電極G圍繞。在俯視圖中開(kāi)口 OA為由柵電極G圍繞的閉環(huán)形狀。柵電極G包括朝著開(kāi)口 OA的中心點(diǎn)凸起的四個(gè)凸起部PM。凸起部PM為三角形形狀，并且凸起部PM的數(shù)量可以為I個(gè)、2個(gè)、3個(gè)、5個(gè)或更多。
[0068]在根據(jù)第三實(shí)施方式的上述有機(jī)發(fā)光晶體管0LET3中，在俯視圖中柵電極G的開(kāi)口 OA為閉環(huán)形狀，并且至少一個(gè)凸起部PM朝著開(kāi)口 OA中心點(diǎn)凸起。由此，在相同距離上，電場(chǎng)EF被施加到開(kāi)口的邊緣部分以及開(kāi)口 OA的中心部分，由此降低供給到柵電極G的柵極電壓Vg。
[0069]下面將參照?qǐng)D7描述根據(jù)第四實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光晶體管。
[0070]下文中，僅僅描述不同于第一實(shí)施方式的特征部分并且在以下省略第一實(shí)施方式的描述中描述的部分。在第四實(shí)施方式中，為了更好地理解和描述的便利，由相同的附圖標(biāo)記表不與根據(jù)第一實(shí)施方式的構(gòu)成要素相同或?qū)?yīng)的構(gòu)成要素。
[0071]圖7為示出根據(jù)第四實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光晶體管的柵電極的平面俯視圖。
[0072]如圖7所示，可以以復(fù)數(shù)形式提供根據(jù)第四實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光晶體管0LET4，并且多個(gè)有機(jī)發(fā)光晶體管0LET4中每個(gè)的柵電極G包括形成在中心區(qū)域的開(kāi)口 0A。柵電極G被形成為圍繞開(kāi)口 0A，并由此在俯視圖中開(kāi)口 OA被柵電極G圍繞。在俯視圖中開(kāi)口 OA為由柵電極G圍繞的正多邊形形狀。具體地，在一些實(shí)施方式中，開(kāi)口 OA具有正六邊形形狀。
[0073]在根據(jù)第四實(shí)施方式的上述有機(jī)發(fā)光晶體管0LET4中，在俯視圖中柵電極G的開(kāi)口 OA為正六邊形形狀。這可以最小化開(kāi)口率并且減少工藝分散。通常，在高分辨率顯示器的制造中，隨著像素尺寸變小以及具有發(fā)光特性的開(kāi)關(guān)元件和存儲(chǔ)電容器變小而發(fā)生工藝中的問(wèn)題。然而，根據(jù)第四實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光晶體管0LET4能夠基于柵極電壓施加時(shí)間和柵極電壓差控制發(fā)光特性，并且因?yàn)殚_(kāi)口為正六邊形形狀所以改善了開(kāi)口率并且減小了像素尺寸。此外，在適用沉積或涂覆工藝的有機(jī)發(fā)光層的形成中，通過(guò)形成與多個(gè)開(kāi)口 OA對(duì)應(yīng)的多個(gè)有機(jī)發(fā)光層，本發(fā)明可以被應(yīng)用為減少工藝分散的整體負(fù)擔(dān)并且與高分辨率像素配合。
[0074]雖然結(jié)合一些實(shí)施方式描述了本公開(kāi)，但是應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明并不限于所公開(kāi)的實(shí)施方式，相反，旨在覆蓋包括在所附權(quán)利要求書的精神和范圍內(nèi)的多種修改和等同布置。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光晶體管，包括: 第一電極，定位在基板上； 柵電極，定位在所述第一電極上并且包括形成在中心區(qū)域的開(kāi)口； 第一輔助層，定位在所述開(kāi)口中； 有機(jī)發(fā)光層，定位在所述第一輔助層和所述柵電極上； 第二輔助層，定位在所述有機(jī)發(fā)光層上；以及 第二電極，定位在所述第二輔助層上。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光晶體管，其中， 所述開(kāi)口為圓形形狀并且被所述柵電極圍繞。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光晶體管，其中， 所述開(kāi)口為正多邊形形狀并且被所述柵電極圍繞。
4.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光晶體管，其中， 所述開(kāi)口為正八邊形形狀。
5.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光晶體管，其中， 所述開(kāi)口為正六邊形形狀。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光晶體管，其中， 所述開(kāi)口為閉環(huán)形狀并且被所述柵電極圍繞，以及 所述柵電極還包括朝著所述開(kāi)口的中心點(diǎn)凸起的至少一個(gè)凸起部。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光晶體管，其中， 所述第一電極為陽(yáng)極， 所述第二電極為陰極， 所述第一輔助層為通道，空穴通過(guò)所述通道移動(dòng)，以及 所述第二輔助層為通道，電子通過(guò)所述通道移動(dòng)。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光晶體管，還包括: 定位在所述第一電極與所述柵電極之間的絕緣層。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光晶體管，其中， 所述第一輔助層位于所述第一電極與所述有機(jī)發(fā)光層之間，所述輔助層的底部與所述第一電極接觸，所述輔助層的頂部與所述有機(jī)發(fā)光層接觸，所述輔助層的側(cè)面與所述柵電極接觸。
10.一種有機(jī)發(fā)光顯示器，包括如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光晶體管。
11.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，還包括: 連接到所述第一電極的驅(qū)動(dòng)電源線； 連接到所述第二電極的公共電源線； 連接到所述柵電極的開(kāi)關(guān)元件； 連接到所述開(kāi)關(guān)元件的掃描線； 連接到所述開(kāi)關(guān)元件和所述柵電極的存儲(chǔ)電容器；以及 連接到所述存儲(chǔ)電容器的數(shù)據(jù)線。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK103811673SQ201310533024
【公開(kāi)日】2014年5月21日 申請(qǐng)日期:2013年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月5日
【發(fā)明者】睦朗均, 崔大成, 金基棲 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司