有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法及供體基底和供體基底組的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法以及用于制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的供體基底和供體基底組。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括：基底，包括綠色區(qū)域和紅色區(qū)域；多個(gè)第一電極，分別形成在基底的綠色區(qū)域和紅色區(qū)域上；多個(gè)發(fā)光層，形成在第一電極上并且包括形成在綠色區(qū)域上的綠色發(fā)光層和形成在紅色區(qū)域上的紅色發(fā)光層；以及第二電極，形成在發(fā)光層上，其中，綠色發(fā)光層包括：第一發(fā)光層，包括第一主體材料和第一摻雜劑材料；以及第一緩沖層，形成在第一發(fā)光層上并且包括第一主體材料，以及紅色發(fā)光層包括：第二發(fā)光層，包括第二主體材料和第二摻雜劑材料；以及第二緩沖層，形成在第二發(fā)光層上并且包括第一主體材料。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法及供體基底和供體基底組

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置、一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法以及一種用于制造所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的供體基底和供體基底組。

【背景技術(shù)】
[0002]通常，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括:陽極、陰極以及設(shè)置在陽極和陰極之間的有機(jī)層。有機(jī)層至少包括發(fā)光層，并且除發(fā)光層之外，還可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層。根據(jù)形成有機(jī)層的材料，尤其是形成發(fā)光層的材料，有機(jī)發(fā)光顯示裝置被歸類為聚合物有機(jī)發(fā)光顯示裝置或者小分子有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
[0003]為了實(shí)現(xiàn)全彩色有機(jī)發(fā)光顯示裝置，需要使發(fā)光層圖案化。在小分子有機(jī)發(fā)光顯示裝置的情況下可以利用精細(xì)金屬掩膜(FMM)使發(fā)光層圖案化，在聚合物有機(jī)發(fā)光顯示裝置的情況下可以利用噴墨印刷或者激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)使發(fā)光層圖案化。在其它方法之中，LITI方法具有使有機(jī)層精細(xì)地圖案化以及作為代替噴墨印刷方法中的濕法工藝的干法工藝的優(yōu)勢。
[0004]為了利用LITI方法形成聚合物有機(jī)層的圖案，至少需要光源、有機(jī)發(fā)光顯示裝置的基底(即，裝置基底)以及供體基底。供體基底包括基體膜、光熱轉(zhuǎn)換層以及由有機(jī)層組成的轉(zhuǎn)印層。在從光源發(fā)射的光被吸收到光熱轉(zhuǎn)換層中并且轉(zhuǎn)換成熱能的同時(shí)，對裝置基底執(zhí)行有機(jī)層的圖案化。包括轉(zhuǎn)印層的有機(jī)層通過熱能被轉(zhuǎn)印到裝置基底上。
[0005]不同的基體膜可以被用于用來形成綠色發(fā)光層的供體基底和用來形成紅色發(fā)光層的供體基底。此外，設(shè)置在用來形成綠色發(fā)光層的供體基底的基體膜和用來形成綠色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層之間的緩沖層可以不同于設(shè)置在用來形成紅色發(fā)光層的供體基底的基體膜和用來形成紅色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層之間的緩沖層。如果使用不同的基體膜和緩沖層，則可能增加工藝變化的數(shù)量，并且可能難以識別缺陷的原因。而且，采用不同的基體膜和緩沖層利用LITI方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可能具有低的發(fā)光效率和短的壽命。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的方面提供一種具有高發(fā)光效率和長壽命的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
[0007]本發(fā)明的方面也提供一種使用相同基體膜和相同緩沖層的供體基底組。
[0008]本發(fā)明的方面也提供一種使用公共基體膜和公共緩沖層的單個(gè)供體基底。
[0009]本發(fā)明的方面也提供一種利用使用相同基體膜和相同緩沖層的供體基底組或使用公共基體膜和公共緩沖層的單個(gè)供體基底來制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
[0010]然而，本發(fā)明的方面不限于這里闡述的這些。對本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，通過參照以下給出的本發(fā)明詳細(xì)的描述，本發(fā)明的上述和其它方面將變得更明顯。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括:基底，包括綠色區(qū)域和紅色區(qū)域；多個(gè)第一電極，所述多個(gè)第一電極包括多個(gè)綠色區(qū)域第一電極和多個(gè)紅色區(qū)域第一電極，所述多個(gè)綠色區(qū)域第一電極位于基底的綠色區(qū)域上，以及所述多個(gè)紅色區(qū)域第一電極位于基底的紅色區(qū)域上；多個(gè)發(fā)光層，在第一電極上，所述多個(gè)發(fā)光層包括在綠色區(qū)域上的綠色發(fā)光層和在紅色區(qū)域上的紅色發(fā)光層；以及在發(fā)光層上的第二電極，綠色發(fā)光層包括:第一發(fā)光層，包括第一主體材料和第一摻雜劑材料；以及第一緩沖層，在第一發(fā)光層上，包括第一主體材料，紅色發(fā)光層包括:第二發(fā)光層，包括第二主體材料和第二摻雜劑材料；以及第二緩沖層，在第二發(fā)光層上，包括第一主體材料。
[0012]在一個(gè)實(shí)施例中，基底還包括藍(lán)色區(qū)域，并且發(fā)光層還包括在藍(lán)色區(qū)域上的藍(lán)色發(fā)光層。
[0013]在一個(gè)實(shí)施例中，藍(lán)色發(fā)光層延伸到綠色區(qū)域和紅色區(qū)域并且與綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層疊置。
[0014]在一個(gè)實(shí)施例中，綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層直接位于藍(lán)色發(fā)光層上。
[0015]在一個(gè)實(shí)施例中，藍(lán)色發(fā)光層包括第三主體材料和第三摻雜劑材料。
[0016]在一個(gè)實(shí)施例中，顯不裝置包括:第一中間層，構(gòu)造為在第一電極和藍(lán)色發(fā)光層之間注入或傳輸電子或空穴；以及第二中間層，構(gòu)造為在發(fā)光層和第二電極之間注入或傳輸電子或空穴。
[0017]在一個(gè)實(shí)施例中，第一緩沖層不包含第一摻雜劑材料；以及第二緩沖層不包含第二摻雜劑材料。
[0018]在一個(gè)實(shí)施例中，綠色發(fā)光層包括在第一發(fā)光層下面的第一輔助層，以及紅色發(fā)光層包括在第二發(fā)光層下面的第二輔助層。
[0019]在一個(gè)實(shí)施例中，第二輔助層的高度高于第一輔助層的高度。
[0020]在一個(gè)實(shí)施例中，顯示裝置包括形成在第二電極上的被構(gòu)造為保護(hù)第二電極和第二電極下面的結(jié)構(gòu)的鈍化層。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,提供一種供體基底組,該供體基底組包括第一供體基底和第二供體基底。所述第一供體基底包括:第一基體膜；用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層位于第一基體膜上并且包括第一主體材料；以及用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層位于用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層上，用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層包括第一主體材料和第一摻雜劑材料。所述第二供體基底包括:第二基體膜；用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層位于第二基體膜上并且包括第一主體材料；以及用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層位于用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層上并且包括第二主體材料和第二摻雜劑材料。
[0022]在一個(gè)實(shí)施例中，第一基體膜和第二基體膜由相同的材料組成。
[0023]在一個(gè)實(shí)施例中，用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層和用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層由相同的材料組成。
[0024]在一個(gè)實(shí)施例中，用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層不包含第一摻雜劑材料；以及用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層不包含第二摻雜劑材料。
[0025]在一個(gè)實(shí)施例中，供體基底組包括:用來形成第一輔助層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第一輔助層的轉(zhuǎn)印層位于用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層上；以及用來形成第二輔助層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第二輔助層的轉(zhuǎn)印層位于用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層上。
[0026]在一個(gè)實(shí)施例中，供體基底組包括:第一光熱轉(zhuǎn)換層，在第一基體膜和用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層之間；以及第二光熱轉(zhuǎn)換層，在第二基體膜和用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層之間。
[0027]在一個(gè)實(shí)施例中，供體基底組還包括:第一層間層，在第一光熱轉(zhuǎn)換層和用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層之間；以及第二層間層，在第二光熱轉(zhuǎn)換層和用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層之間。
[0028]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種供體基底，該供體基底包括:基體膜，包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；緩沖層，在基體膜上，所述緩沖層包括第一主體材料；用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層位于緩沖層的第一區(qū)域上并且包括第一主體材料和第一摻雜劑材料；以及用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層位于緩沖層的第二區(qū)域上并且包括第二主體材料和第二摻雜劑材料。
[0029]在一個(gè)實(shí)施例中，供體基底包括:用來形成第一輔助層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第一輔助層的轉(zhuǎn)印層位于用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層上；以及用來形成第二輔助層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第二輔助層的轉(zhuǎn)印層位于用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層上。
[0030]在一個(gè)實(shí)施例中，供體基底包括形成在基體膜和緩沖層之間的光熱轉(zhuǎn)換層。
[0031 ] 在一個(gè)實(shí)施例中,供體基底包括在光熱轉(zhuǎn)換層和緩沖層之間的層間層。
[0032]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括:準(zhǔn)備具有分別形成在基底的第一區(qū)域和第二區(qū)域上的多個(gè)第一電極的基底；放置第一供體基底，其中，所述第一供體基底包括:第一基體膜；用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層位于第一基體膜上并且包含第一主體材料；以及用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層位于用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層上并且包含第一主體材料和第一摻雜劑材料，放置第一供體基底使得用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層面向基底，且用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層和基底之間具有間隙；以及通過利用激光束照射第一區(qū)域使得用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層和用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印到第一區(qū)域的第一電極上，在第一區(qū)域的第一電極上形成第一有機(jī)層圖案。
[0033]在一個(gè)實(shí)施例中，所述方法包括:在第一區(qū)域的第一電極上形成第一有機(jī)層圖案之后，放置第二供體基底，其中，所述第二供體基底包括:第二基體膜；用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層位于第二基體膜上并且包含第一主體材料；以及用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層形成在用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層上并且包含第二主體材料和第二摻雜劑材料，放置第二供體基底使得用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層面向基底，且用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層和基底之間具有間隙；通過利用激光束照射第二區(qū)域使得用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層和用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印到第二區(qū)域的第一電極上，在第二區(qū)域的第一電極上形成第二有機(jī)層圖案。
[0034]在一個(gè)實(shí)施例中，所述方法包括:在第二區(qū)域的第一電極上形成第二有機(jī)層圖案之后，在第一有機(jī)層圖案和第二有機(jī)層圖案上形成第二電極。
[0035]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括:準(zhǔn)備具有形成在基底的第一區(qū)域和第二區(qū)域上的多個(gè)第一電極的基底；放置供體基底，其中，所述供體基底包括:基體膜；緩沖層，位于基體膜上并且包括第一主體材料；用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層位于第一區(qū)域的緩沖層上并且包含第一主體材料和第一摻雜劑材料；以及用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層位于第二區(qū)域的緩沖層上并且包含第二主體材料和第二摻雜劑材料，放置供體基底使得用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層和用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層面向基底，且在用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層和用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層與基底之間具有間隙；以及通過利用激光束照射第一區(qū)域和第二區(qū)域使得用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層和用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印到第一電極上，在第一電極上形成有機(jī)層圖案。
[0036]在一個(gè)實(shí)施例中，所述方法包括:在第一電極上形成有機(jī)層圖案之后，在有機(jī)層圖案上形成第二電極。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0037]通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的以上和其它方面以及特征將變得更加明顯，在附圖中:
[0038]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖；
[0039]圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的供體基底組的剖視圖；
[0040]圖3和圖4是分別示出了利用圖2的供體基底組來制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的步驟的剖視圖；
[0041]圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的供體基底的剖視圖；
[0042]圖6和圖7是分別示出了利用圖5的供體基底制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的步驟的剖視圖；以及
[0043]圖8是示出了根據(jù)示例I和示例2以及對比示例I和對比示例2制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的隨著時(shí)間的推移的亮度降低率的曲線圖。

【具體實(shí)施方式】
[0044]通過參照以下對實(shí)施例和附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明的方面和特征以及完成本發(fā)明的方法可以更易于理解。然而，本發(fā)明可以以多種不同的形式來實(shí)施并且不應(yīng)該被解釋為受限于這里闡述的實(shí)施例。而是，提供這些實(shí)施例使得本公開將是透徹且完整的，并且將把本發(fā)明的構(gòu)思充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員，并且本發(fā)明將僅通過權(quán)利要求來限定。因此，在一些實(shí)施例中，為了不使本發(fā)明的描述因?yàn)椴槐匾募?xì)節(jié)而模糊，沒有示出公知的結(jié)構(gòu)和裝置。同樣標(biāo)號始終指示同樣的元件。在附圖中，為了清楚起見夸大了層和區(qū)域的厚度。
[0045]將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在”另一元件或?qū)印吧稀被蛘摺斑B接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，該元件或?qū)涌梢灾苯釉谄渌驅(qū)由匣蛘咧苯舆B接到其它元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀被蛘摺爸苯舆B接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或?qū)?。如在此使用的術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)目的任意和所有組合。
[0046]為了便于描述，在此可以使用空間相對術(shù)語，諸如“在……之下”、“在……下面”、“下面的”、“在……上面”和“上面的”等，以描述圖中所示的一個(gè)元件或者特征與其它元件或者特征的關(guān)系。將理解的是，空間相對術(shù)語旨在包括除了圖中描述的方位之外裝置在使用或操作中的不同方位。
[0047]通過參照以本發(fā)明的理想示意圖的方式的平面圖和/或剖視圖來描述在此描述的實(shí)施例。于是，根據(jù)制造技術(shù)和/或偏差可以修改示例性視圖。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不限于視圖中的示出的實(shí)施例，而是包括基于制造工藝形成的構(gòu)造中的修改。因此，在圖中示出的區(qū)域是示意性表示并且在圖中示出的區(qū)域的形狀示出了元件區(qū)域的具體形狀而沒有限制本發(fā)明的方面。
[0048]在下文中，將參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。
[0049]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖。參照圖1，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括:基底100 ;多個(gè)第一電極110,形成在基底100上；多個(gè)發(fā)光層,形成在第一電極110上并且包括藍(lán)色發(fā)光層130、綠色發(fā)光層140和紅色發(fā)光層150 ;以及第二電極170，形成在發(fā)光層上。
[0050]基底100可以包括絕緣基底。絕緣基底可以由包含透明Si02作為其主要組份的透明玻璃材料形成。在一些實(shí)施例中，絕緣基底可以由不透明材料或者塑料材料形成。此外，絕緣基底可以是能夠彎曲、折疊或卷曲的柔性基底。
[0051]雖然在圖1中未示出，但是基底100還可以包括形成在絕緣基底上的其它結(jié)構(gòu)。所述結(jié)構(gòu)的示例可以包括布線、電極、絕緣層等。如果根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置是有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置，則基底100可以包括形成在絕緣基底上的多個(gè)薄膜晶體管(TFT)0每個(gè)TFT可以包括柵電極、源電極、漏電極和作為溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層。半導(dǎo)體層可以由非晶硅、多晶硅或單晶硅形成。在可選擇的實(shí)施例中，半導(dǎo)體層可以由氧化物半導(dǎo)體形成。至少一些TFT的每個(gè)的漏電極可以電連接到對應(yīng)的第一電極110。
[0052]基底100可以包括藍(lán)色區(qū)域、綠色區(qū)域和紅色區(qū)域。藍(lán)色區(qū)域可以發(fā)射藍(lán)色光，綠色區(qū)域可以發(fā)射綠色光以及紅色區(qū)域可以發(fā)射紅色光。在示例性實(shí)施例中，基底100的藍(lán)色區(qū)域、綠色區(qū)域和紅色區(qū)域可以通過預(yù)定的距離彼此分離。
[0053]第一電極110形成在基底100上。第一電極110可以彼此分離并且可以分別對應(yīng)于多個(gè)像素。雖然在圖1中未示出，但是像素限定層可以設(shè)置在不同像素的第一電極110之間以限定像素。像素限定層可以形成在基底100上并且可以包括分別暴露將要形成像素的第一電極110的區(qū)域的開口。像素限定層可以由從苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚酰亞胺(PI)、聚酰胺(PA)、丙烯酸樹脂和酚醛樹脂中選擇的至少一種有機(jī)材料形成或者可以由諸如氮化硅的無機(jī)材料形成。
[0054]第一電極110可以是陽極或陰極。如果第一電極110是陽極，則第二電極170可以是陰極。在下文中將把第一電極110是陽極的情況作為示例來描述。然而，這僅是示例，并且第一電極110也可以是陰極，以及第二電極170也可以是陽極。
[0055]作為陽極使用的第一電極110可以由具有高功函數(shù)的導(dǎo)電材料形成。在底部發(fā)射有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，第一電極110可以由ΙΤΟ、ΙΖ0、Ζη0、In203或者這些材料的堆疊形成。在頂部發(fā)射有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，每個(gè)第一電極110還可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、Li或Ca形成的反射層。第一電極110的結(jié)構(gòu)可以以各種形式修改。例如，第一電極110可以由從以上材料中選擇的兩種或多種不同材料的兩層或者多層構(gòu)成。
[0056]第一電極110可以形成在藍(lán)色區(qū)域、綠色區(qū)域和紅色區(qū)域中。第一電極110可以形成在基底100上以直接接觸基底100，或者可以在第一電極110和基底100之間設(shè)置諸如絕緣層的材料。在此可以使用短語“綠色區(qū)域”和“紅色區(qū)域”以分別指示這些區(qū)域，或者作為定語形容詞短語以識別例如在這些區(qū)域中的第一電極。因此，例如綠色區(qū)域中的第一電極在此可以被稱為“綠色區(qū)域第一電極”。
[0057]第一中間層120可以形成在第一電極110上。第一中間層120可以有助于第一電極110和第二電極170之間的電子或空穴的注入或傳輸。如果第一電極110是陽極，則第一中間層120可以是與空穴的注入或傳輸有關(guān)的層。例如，第一中間層120可以僅包括空穴注入層或空穴傳輸層或者可以包括空穴注入層和空穴傳輸層的堆疊?？梢岳冒庀喑练e、旋轉(zhuǎn)涂覆、鑄造和LB方法的各種方法形成空穴注入層或空穴傳輸層?？梢允褂盟鰵庀喑练e方法。
[0058]當(dāng)通過氣相沉積方法形成空穴注入層或空穴傳輸層時(shí)，其沉積條件可以根據(jù)用作形成空穴注入層或空穴傳輸層的材料的化合物以及空穴注入層或空穴傳輸層的預(yù)期結(jié)構(gòu)和熱特性而變化?？昭ㄗ⑷雽踊蚩昭▊鬏攲拥某练e條件可以包括:從100°C至500°C范圍的沉積溫度，從10-8托至10-3托范圍的真空級別以及從0.0I A/sec至100 A/sec范圍的沉積速率。
[0059]可以從已知的包括諸如銅酞菁的酞菁化合物、諸如TCTA或m-MTDATA的星型胺衍生物、諸如聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3，4-乙撐二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(PED0T/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸(Pani/CSA)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(PANI/PSS)的導(dǎo)電聚合物的空穴注入材料中選擇形成空穴注入層的材料，但不限于此。
[0060]可以從已知的包括1，3，5-三咔唑基苯、4，4’- 二咔唑基聯(lián)苯、聚乙烯咔唑、間二咔唑基苯、4，4’-二咔唑基-2，2’-二甲基聯(lián)苯、4，4’，4’’-三(N-咔唑基)三苯胺、1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯、1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧基苯基)苯、雙(4-咔唑基苯基)硅烷、N，N’ - 二 (3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-[1，1-聯(lián)苯]-4,4/ -二胺(TPD)、N，N’- 二(萘-1-基)-N，N’-二苯基聯(lián)苯胺(NPD)、N，N’ - 二苯基-N，N’ -二(1-萘基)_ (1，I’ -聯(lián)苯基)-4，4’ - 二胺(NPB)、9，9- 二辛基芴與N- (4- 丁基苯基)二苯胺的共聚物(TFB)、以及9，9- 二辛基芴與二 - (4- 丁基苯基)-二 -N，N-苯基-1，4-苯撐二胺的共聚物(PFB)的空穴傳輸材料中選擇形成空穴傳輸層的材料，但不限于此。
[0061]第一中間層120可以分割成與像素分別對應(yīng)的多個(gè)部分。可選擇地，第一中間層120可以形成為在整個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置之上的單片，如在圖1中所示。即，第一中間層120可以形成為公共層，不考慮像素之間的分割。
[0062]藍(lán)色發(fā)光層130形成在第一中間層120上。藍(lán)色發(fā)光層130可以形成在藍(lán)色區(qū)域中。藍(lán)色發(fā)光層130可以由僅發(fā)射藍(lán)光的聚合物材料或小分子有機(jī)材料或者聚合物材料和小分子有機(jī)材料的混合物形成。在一些實(shí)施例中，藍(lán)色發(fā)光層130可以包括藍(lán)色主體材料和藍(lán)色摻雜劑材料。
[0063]藍(lán)色發(fā)光層130的藍(lán)色主體材料可以包括從蒽衍生物和咔唑化合物中選擇的一種或多種材料，但不限于此。蒽衍生物可以是9，10-(2-二萘基)蒽(ADN)，咔唑化合物可以是4，4’-(咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP)。
[0064]藍(lán)色發(fā)光層130的藍(lán)色摻雜劑材料可以是F2Irpic、(F2ppy) 2Ir (tmd)、It(dfppz)3、三芴等，但是不限于此。
[0065]藍(lán)色發(fā)光層130像第一中間層120—樣可以形成為公共層而不考慮像素之間的分害I]。即，藍(lán)色發(fā)光層130不但可以形成在藍(lán)色區(qū)域中，而且也可以延伸到綠色區(qū)域和紅色區(qū)域，以被綠色發(fā)光層140和紅色發(fā)光層150疊置。在示例性實(shí)施例中，綠色發(fā)光層140和紅色發(fā)光層150可以直接形成在藍(lán)色發(fā)光層130上。
[0066]在綠色區(qū)域中，綠色發(fā)光層140可以形成在藍(lán)色發(fā)光層130上。在紅色區(qū)域中，紅色發(fā)光層150可以形成在藍(lán)色發(fā)光層130上。綠色發(fā)光層140和紅色發(fā)光層150可以通過激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)方法形成，但不限于此。第二中間層160可以形成在綠色發(fā)光層140和紅色發(fā)光層150上。在綠色區(qū)域和紅色區(qū)域中，藍(lán)色發(fā)光層130像第一中間層120—樣，可以傳輸載流子，并且藍(lán)色發(fā)光層130的光發(fā)射被限制。另一方面，在藍(lán)色區(qū)域中，第二中間層160可以形成在藍(lán)色發(fā)光層130上，而在第二中間層160和藍(lán)色發(fā)光層130之間沒有發(fā)光層。在藍(lán)色區(qū)域中，藍(lán)色發(fā)光層130可以發(fā)射其單一顏色的光，S卩，藍(lán)光。將在之后更詳細(xì)地描述第二中間層160。
[0067]綠色發(fā)光層140可以包括順序堆疊的第一輔助層141、第一發(fā)光層142和第一緩沖層 143。
[0068]為了控制綠光的共振周期，第一輔助層141可以調(diào)節(jié)綠色發(fā)光層140的厚度。為了增加綠光的發(fā)光效率、色純度等，第一輔助層141的厚度可以設(shè)置在300 A至1500 A的范圍中。通過使用精細(xì)金屬掩膜(FMM)，可以僅在綠色區(qū)域中形成第一輔助層141。形成第一輔助層141的材料可以與形成空穴傳輸層的材料相同，但也不限于此。在示例性實(shí)施例中，第一輔助層141可以包括從氮化硅(SiNx)、氧化硅(S12)以及氮氧化硅(S1N)中選擇的至少一種材料。
[0069]第一發(fā)光層142可以由僅發(fā)射綠光的聚合物材料或小分子有機(jī)材料或者聚合物材料和小分子有機(jī)材料的混合物形成。在一些實(shí)施例中，第一發(fā)光層142可以包括綠色主體材料和綠色摻雜劑材料。
[0070]第一發(fā)光層142的綠色主體材料(第一主體材料)可以包括從蒽衍生物和咔唑化合物中選擇的一種或多種材料，但不限于此。蒽衍生物可以是ADN，咔唑化合物可以是CBP。
[0071]第一發(fā)光層142的綠色摻雜劑材料(第一摻雜劑材料)可以是Ir (ppy) 3 (ppy=苯基批唳)、Ir (ppy)2 (acac)、Ir (mpyp) 3 或 C545T,但是不限于此。
[0072]第一緩沖層143可以包括第一主體材料。即，第一緩沖層143可以不包括第一摻雜劑材料。在示例性實(shí)施例中，第一緩沖層143可以僅由第一主體材料形成。
[0073]紅色發(fā)光層150可以包括順序堆疊的第二輔助層151、第二發(fā)光層152和第二緩沖層 153。
[0074]為了控制紅色光的共振周期，第二輔助層151可以調(diào)節(jié)紅色發(fā)光層150的厚度。為了提高紅色光的發(fā)光效率、色純度等，第二輔助層151的厚度可以設(shè)置在500 A至1800 A的范圍中。在示例性實(shí)施例中，第二輔助層151的高度可以大于第一輔助層141的高度。通過使用FMM，可以僅在紅色區(qū)域中形成第二輔助層151。形成第二輔助層151的材料可以與形成空穴傳輸層的材料相同，但不限于此。在示例性實(shí)施例中，第二輔助層151可以包括從SiNx、S12以及S1N中選擇的至少一種材料。
[0075]第二發(fā)光層152可以由僅發(fā)射紅色光的聚合物材料或小分子有機(jī)材料或者聚合物材料和小分子有機(jī)材料的混合物形成。在一些實(shí)施例中，第二發(fā)光層152可以包括紅色主體材料和紅色摻雜劑材料。
[0076]第二發(fā)光層152的紅色主體材料(第二主體材料)可以包括從由雙[2-(2-羥基苯基)苯并噻唑]鋅(Zn (BTZ) 2)和雙-(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁構(gòu)成的組中選擇的一種或多種材料，但不限于此。
[0077]第二發(fā)光層152的紅色摻雜劑材料(第二摻雜劑材料)可以是PtOEP、Ir(piq)3、Btp2Ir (acac)、DCJTB 等,但不限于此。
[0078]第二緩沖層153可以包括第一主體材料。即，第二緩沖層153可以不包括第二摻雜劑材料。在示例性實(shí)施例中，第二緩沖層153可以僅由第一主體材料形成。在另一個(gè)示例性實(shí)施例中，第二緩沖層153可以由與第一緩沖層143的材料相同的材料形成。
[0079]第二中間層160可以形成在未用像素限定層覆蓋的發(fā)光層上。第二中間層160可以有助于第一電極110和第二電極170之間的電子或空穴的注入或傳輸。如果第二電極170是陰極，則第二中間層160可以是與電子的注入或傳輸相關(guān)的層。例如，第二中間層160可以僅包括電子傳輸層或電子注入層或者可以包括電子傳輸層和電子注入層的堆疊。
[0080]可以利用包括氣相沉積和旋轉(zhuǎn)涂覆的各種方法形成電子傳輸層或電子注入層。當(dāng)利用氣相沉積或旋轉(zhuǎn)涂覆形成電子傳輸層或電子注入層時(shí)，沉積或涂覆條件可以根據(jù)使用的化合物而改變，但是通常和用來形成空穴注入層的條件幾乎一樣。
[0081]形成電子傳輸層的材料可以是能夠穩(wěn)定地傳輸從陰極注入的電子的材料。所述材料可以是喹啉衍生物，具體地，諸如三-(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、3-(4_聯(lián)苯基)_4_苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(TAZ)、Balq等的已知材料，但是不限于此。
[0082]電子注入層可以由諸如LiF、NaCl、CsF、Li20、Ba0等已知材料形成,但是不限于此。
[0083]第二中間層160可以延伸到像素限定層的側(cè)面和頂面上。第二中間層160可以分隔成與像素分別對應(yīng)的多個(gè)區(qū)域?？蛇x擇地，第二中間層160可以在整個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置之上形成為單片，如在圖1中所示。即，第二中間層160可以形成為公共層而不考慮像素之間的分割。在一些實(shí)施例中，可以省略第二中間層160。
[0084]第二電極170形成在第二中間層160上。作為陰極使用的第二電極170可以由具有低功函數(shù)的導(dǎo)電材料形成。第二電極170可以由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、Li或Ca形成。
[0085]鈍化層180可以設(shè)置在第二電極170上。鈍化層180可以由絕緣材料形成。在第二電極170和鈍化層180之間可以設(shè)置分隔件(未示出)。在本發(fā)明的一些其它實(shí)施例中，鈍化層180可以省略。在這種情況下，由絕緣材料形成的包封層可以覆蓋整個(gè)結(jié)構(gòu)以保護(hù)該結(jié)構(gòu)。
[0086]根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以利用下面將描述的供體基底組200來制造。圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的供體基底組200的剖視圖。參照圖2，供體基底組200可以包括第一供體基底210和第二供體基底220。
[0087]第一供體基底210可以包括第一基體膜211、第一光熱轉(zhuǎn)換層212、第一層間層213和用來形成綠色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層214。
[0088]第一基體膜211可以由透明聚合物形成，其中，透明聚合物包括諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯?；?、聚環(huán)氧樹脂、聚乙烯和聚苯乙烯等的聚合物。在這些示例當(dāng)中，主要使用聚對苯二甲酸乙二醇酯膜。第一基體膜211作為支撐膜應(yīng)該具有光學(xué)特性和機(jī)械穩(wěn)定性。第一基體膜211可以具有10微米至500微米的厚度。
[0089]第一光熱轉(zhuǎn)換層212可以設(shè)置在第一基體膜211上。第一光熱轉(zhuǎn)換層212吸收紅外可見范圍中的光并且將一些光轉(zhuǎn)換成熱。為此，第一光熱轉(zhuǎn)換層212應(yīng)該具有合適的光學(xué)密度并且包括光吸收材料。第一光熱轉(zhuǎn)換層212可以是包含氧化鋁或硫化鋁的金屬層作為光吸收材料或者包含炭黑、石墨或紅外染料的聚合物有機(jī)層作為光吸收材料。如果第一光熱轉(zhuǎn)換層212是金屬層，則可以通過真空沉積、電子束沉積或?yàn)R射形成100 A至5000 A的厚度。如果第一光熱轉(zhuǎn)換層212是聚合物有機(jī)層，則可以通過諸如輥式涂覆、凹版涂覆、擠出涂覆、旋轉(zhuǎn)涂覆和刮刀涂覆的典型的膜涂覆方法形成0.1微米至10微米的厚度。
[0090]第一層間層213可以形成在第一光熱轉(zhuǎn)換層212上。第一層間層213可以防止第一光熱轉(zhuǎn)換層212的光吸收材料(例如，炭黑)污染在后續(xù)工藝中形成的轉(zhuǎn)印層214。第一層間層213可以由丙烯酸樹脂或醇酸樹脂形成。通過諸如溶劑涂覆的典型涂覆工藝和諸如紫外光固化的固化工藝可以形成第一層間層213。
[0091]用來形成綠色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層214可以設(shè)置在第一層間層213上。用來形成綠色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層214可以包括順序堆疊在第一層間層213上的用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層214a、用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層214b和用來形成第一輔助層的轉(zhuǎn)印層214c。
[0092]用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層214a可以由與第一緩沖層143的材料相同的材料形成，用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層214b可以由與第一發(fā)光層142的材料相同的材料形成，以及用來形成第一輔助層的轉(zhuǎn)印層214c可以由與第一輔助層141的材料相同的材料形成。通過典型的沉積方法在第一基體膜211上可以形成用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層214a、用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層214b和用來形成第一輔助層的轉(zhuǎn)印層214c。
[0093]第二供體基底220可以包括第二基體膜211、第二光熱轉(zhuǎn)換層222、第二層間層223以及用來形成紅色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層224。
[0094]第二基體膜221可以由與第一基體膜211相同的材料形成。在示例性實(shí)施例中，第一基體膜211和第二基體膜221均可以是聚對苯二甲酸乙二醇酯膜。此外，第二基體膜221的厚度可以與第一基體膜211的厚度相同。在示例性實(shí)施例中，第一基體膜211的厚度和第二基體膜221的厚度均可以是100微米。
[0095]設(shè)置在第二基體膜221上的第二光熱轉(zhuǎn)換層222可以由與第一光熱轉(zhuǎn)換層212的材料相同的材料形成。在不例性實(shí)施例中，第一光熱轉(zhuǎn)換層212和第二光熱轉(zhuǎn)換層222可以是包含作為光吸收材料的氧化鋁的金屬層。此外，第二光熱轉(zhuǎn)換層222的厚度可以等于第一光熱轉(zhuǎn)換層212的厚度。在不例性實(shí)施例中，第一光熱轉(zhuǎn)換層212的厚度和第二光熱轉(zhuǎn)換層222的厚度均可以是1000 Aq
[0096]設(shè)置在第二光熱轉(zhuǎn)換層222上的第二層間層223可以防止第二光熱轉(zhuǎn)換層222的光吸收材料污染在后續(xù)工藝中形成的轉(zhuǎn)印層224。第二層間層223可以由與第一層間層213的材料相同的材料形成。在示例性實(shí)施例中，第一層間層213和第二層間層223均可以由丙烯酸樹脂形成。
[0097]用來形成紅色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層224可以設(shè)置在第二層間層223上。用來形成紅色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層224可以包括順序堆疊在第二層間層223上的用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層224a、用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層224b和用來形成第二輔助層的轉(zhuǎn)印層224c。
[0098]用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層224a可以由與第二緩沖層153的材料相同的材料形成，用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層224b可以由與第二發(fā)光層152的材料相同的材料形成，以及用來形成第二輔助層的轉(zhuǎn)印層224c可以由與第二輔助層151的材料相同的材料形成。通過典型的沉積方法可以在第二基體膜221上形成用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層224a、用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層224b和用來形成第二輔助層的轉(zhuǎn)印層224c。這里，用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層224a可以由與用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層214a的材料相同的材料形成。即，用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層214a和用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層224a均可以由例如ADN的綠色主體材料(第一主體材料)形成。
[0099]現(xiàn)在將參照圖3和圖4描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的利用供體基底組200來制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。圖3和圖4是分別示出了利用圖2的供體基底組200來制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的步驟的剖視圖。為了簡潔起見，與圖1和圖2的元件基本相同的元件通過相同的附圖標(biāo)記表示，因此將省略其重復(fù)的描述。
[0100]參照圖3和圖4，可以準(zhǔn)備具有多個(gè)第一電極110的基底100，其中，第一電極110分別形成在基底100的第一區(qū)域(綠色區(qū)域)和第二區(qū)域(紅色區(qū)域)上。然后，利用開口掩膜，可以將第一層間層120和藍(lán)色發(fā)光層130沉積在基底100上。第一供體基底210可以通過沉積工藝形成，然后放置第一供體基底210使得包括用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層214b的用來形成綠色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層214面向基底100，其中，第一供體基底210和基底100之間具有間隙。通過用激光束400照射第一區(qū)域，可以使用來形成綠色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層214轉(zhuǎn)印到第一區(qū)域的第一電極110上。結(jié)果，第一有機(jī)層圖案，即，綠色發(fā)光層140可以形成在第一區(qū)域的第一電極110上。
[0101]其次，第二供體基底220可以通過沉積工藝形成，然后放置第二供體基底220使得包括用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層224b的用來形成紅色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層224面向基底100，其中，第二供體基底220與基底100之間具有間隙。通過用激光束400照射第二區(qū)域，可以將用來形成紅色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層224轉(zhuǎn)印到第二區(qū)域的第一電極110上。結(jié)果，第二有機(jī)層圖案，即，紅色發(fā)光層150可以形成在第二區(qū)域的第一電極110上。
[0102]S卩，如圖3和圖4所示，在基底100上能夠同時(shí)放置第一供體基底210和第二供體基底220，并且能夠同時(shí)轉(zhuǎn)印用來形成綠色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層214和用來形成紅色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層224。然而，在如上所述的另一個(gè)實(shí)施例中，在基底100上放置第一供體基底210并且用來形成綠色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層214轉(zhuǎn)印之后，可以在基底100上放置第二供體基底220并且可以轉(zhuǎn)印用來形成紅色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層224。
[0103]其次，通過沉積工藝可以使第二中間層160、第二電極170和鈍化層180順序地堆疊。
[0104]根據(jù)圖1的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置也可以利用單個(gè)供體基底300來制造。圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的供體基底300的剖視圖。參照圖5，供體基底300可以包括:基體膜301、光熱轉(zhuǎn)換層302、中間層303、緩沖層304、用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層305、用來形成第一輔助層的轉(zhuǎn)印層306、用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層307以及用來形成第二輔助層的轉(zhuǎn)印層308。
[0105]基體膜301可以包括第一區(qū)域(綠色區(qū)域)和第二區(qū)域(紅色區(qū)域)。基體膜301可以由與上面描述的第一基體膜211的材料相同的材料形成。
[0106]順序堆疊在基體膜301上的光熱轉(zhuǎn)換層302可以由與上面描述的第一光熱轉(zhuǎn)換層212的材料相同的材料形成，順序堆疊在基體膜301上的中間層303可以由與上面描述的第一層間層213的材料相同的材料形成，順序堆疊在基體膜301上的緩沖層304可以由與上面描述的第一緩沖層143的材料相同的材料形成。
[0107]用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層305和用來形成第一輔助層的轉(zhuǎn)印層306通過沉積工藝可以順序地沉積在第一區(qū)域的緩沖層304上。
[0108]用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層307和用來形成第二輔助層的轉(zhuǎn)印層308通過沉積工藝可以順序地形成在第二區(qū)域的緩沖層304上。
[0109]現(xiàn)在將參照圖6和圖7描述根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的利用供體基底300來制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。圖6和圖7是分別示出了利用圖5的供體基底300來制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的步驟的剖視圖。為了簡潔起見，與圖1至圖5的元件基本相同的元件通過相同的附圖標(biāo)記表示，因此將省略其重復(fù)的描述。
[0110]參照圖6和圖7,可以準(zhǔn)備具有多個(gè)第一電極110的基底100,其中，多個(gè)第一電極110形成在基底100的第一區(qū)域和第二區(qū)域上。然后，利用開口掩膜可以將第一中間層120和藍(lán)色發(fā)光層130沉積在基底100上。供體基底300可以通過沉積工藝形成，然后放置供體基底300使得用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層305和用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層307面向基底100，其中，供體基底300與基底100之間具有間隙。可以通過使用激光束400照射第一區(qū)域和第二區(qū)域，以此形成有機(jī)層圖案，即，在第一區(qū)域的第一電極110上的綠色發(fā)光層140和在第二區(qū)域的第一電極110上的紅色發(fā)光層150。
[0111]這里，緩沖層304的被用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層305疊置的部分也可以被轉(zhuǎn)印，因此形成第一緩沖層143，以及緩沖層304的被用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層307疊置的部分也可以被轉(zhuǎn)印，因此形成第二緩沖層153。
[0112]其次，通過沉積工藝可以順序堆疊第二中間層160、第二電極170以及鈍化層180。
[0113]在下文中，參照以下示例將進(jìn)一步詳細(xì)描述本發(fā)明。以下示例僅為了示出的目的而非旨在限制本發(fā)明的范圍。參照圖8將描述根據(jù)示例I和示例2以及對比示例I和對比示例2制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的隨著時(shí)間推移的亮度降低率。圖8是示出了根據(jù)示例I和示例2以及對比示例I和對比示例2制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的隨著時(shí)間推移的亮度降低率的曲線圖。
[0114]示例 I
[0115]在包含Si02作為主要組分的基底100上利用濺射方法通過沉積ITO使多個(gè)第一電極110形成為500 A的厚度。
[0116]在第一電極110上通過沉積m-MTDATA，使空穴注入層形成為600 A的厚度。
[0117]在空穴注入層上通過沉積NPB，使空穴傳輸層形成為150 A的厚度。
[0118]包含作為藍(lán)色主體材料的CBP和作為藍(lán)色摻雜劑材料的F2Irpic的藍(lán)色發(fā)光層130通過利用開口掩膜在空穴注入層上沉積為公共層。這里，藍(lán)色發(fā)光層130形成為400 A的厚度。
[0119]綠色發(fā)光層140形成在藍(lán)色發(fā)光層130上。利用第一供體基底210通過LITI方法形成綠色發(fā)光層140。在由聚對苯二甲酸乙二醇酯形成的第一基體膜211上，通過順序地堆疊由氧化鋁形成的第一光熱轉(zhuǎn)換層212、由丙烯酸樹脂形成的第一層間層213以及用來形成綠色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層214來形成第一供體基底210。在第一層間層213上，通過順序地堆疊由ADN形成的用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層214a、由ADN和Ir (ppy) 2 (acac)形成的用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層214b、以及由NPB形成的用來形成第一輔助層的轉(zhuǎn)印層214c來形成用來形成綠色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層214。放置第一供體基底210使得用來形成綠色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層214面向基底100 (其中，第一供體基底210與基底100之間有間隙)之后，用激光束400照射第一供體基底210和基底100，因而形成綠色發(fā)光層140。
[0120]在綠色發(fā)光層140中，順序堆疊第一輔助層141、第一發(fā)光層142和第一緩沖層143。第一輔助層141由NPB形成為300 A的厚度。第一發(fā)光層142由ADN (B卩，綠色主體材料)和Ir (ppy) 2 (acac)(即，綠色摻雜劑材料)形成為300 A的厚度。第一緩沖層143由ADN (即，綠色主體材料)形成為300 A的厚度。
[0121]在綠色發(fā)光層140上通過沉積Alq3使電子傳輸層形成為300 A的厚度。
[0122]在電子傳輸層上通過沉積LiF使電子注入層形成為5 A的厚度。
[0123]在電子注入層上通過沉積Al使第二電極170形成為800 A的厚度。
[0124]在第二電極170上通過沉積Si02使鈍化層180形成為500 A的厚度。
[0125]根據(jù)示例I制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置顯示了 65.2Cd/A的最大電流效率和30.41m/W的最大功率效率。
[0126]在圖8中，曲線A表示的是根據(jù)示例I制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置隨著時(shí)間推移的亮度降低率。
[0127]示例2
[0128]除了紅色發(fā)光層150形成在上面的藍(lán)色發(fā)光層130上之外，有機(jī)發(fā)光顯示裝置以和示例I中相同的方式制造。利用第二供體基底220通過LITI方法形成紅色發(fā)光層150。在由聚對苯二甲酸乙二醇酯形成的第二基體膜221上，通過順序地堆疊由氧化鋁形成的第二光熱轉(zhuǎn)換層222、由丙烯酸樹脂形成的第二層間層223、以及用來形成紅色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層224來形成第二供體基底220。在第二層間層223上，通過順序地堆疊由AND形成的用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層224a、由雙-(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁和PtOEP形成的用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層224b以及由NPB形成的用來形成第二輔助層的轉(zhuǎn)印層224c來形成用來形成紅色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層224。放置第二供體基底220使得用來形成紅色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層224面向基底100 (其中，第二供體基底220和基底100之間有間隙)之后，用激光束400照射第二供體基底220和基底100，因此形成紅色發(fā)光層150。
[0129]在紅色發(fā)光層150中，順序地堆疊第二輔助層151、第二發(fā)光層152和第二緩沖層153。第二輔助層151由NPB形成為500 A的厚度。第二發(fā)光層152由雙_(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁(即，紅色主體材料)和PtOEP (即，紅色摻雜劑材料)形成為300 A的厚度。第二緩沖層153由AND (B卩，綠色主體材料)形成為300 A的厚度。
[0130]根據(jù)示例2制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置顯示了 41.5Cd/A的最大電流效率和18.91m/W的最大功率效率。
[0131]在圖8中，曲線C表示的是根據(jù)示例2制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置隨著時(shí)間推移的亮度降低率。
[0132]對比示例I
[0133]除了第一緩沖層143由作為紅色主體材料的雙-(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁形成之外，有機(jī)發(fā)光顯示裝置以與示例I相同的方式制造。
[0134]根據(jù)對比示例I制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置顯示了 49.6Cd/A的最大電流效率和23.21m/ff的最大功率效率。
[0135]在圖8中，曲線B表示的是根據(jù)對比示例I制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置隨著時(shí)間推移的亮度降低率。
[0136]對比示例2
[0137]除了第二緩沖層153由作為紅色主體材料的雙-(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁形成之外，有機(jī)發(fā)光顯示裝置以與示例2相同的方式制造。
[0138]根據(jù)對比示例2制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置顯示了 24.2Cd/A的最大電流效率和
9.01m/ff的最大功率效率。
[0139]在圖8中，曲線D表示的是根據(jù)對比示例2制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置隨著時(shí)間推移的亮度降低率。
[0140]從上面的示例中明顯的是，包括由綠色主體材料形成的緩沖層的綠色發(fā)光層(示例I)展示了比包括由紅色主體材料形成的緩沖層的綠色發(fā)光層(對比示例I)更高的發(fā)光效率。此外，包括由綠色主體材料形成的緩沖層的綠色發(fā)光層(示例I)具有比包括由紅色主體材料形成的緩沖層的綠色發(fā)光層(對比示例I)更長的壽命。這里，壽命可以對應(yīng)于隨著時(shí)間推移的亮度降低率。
[0141]而且，包括由綠色主體材料形成的緩沖層的紅色發(fā)光層(示例2)展示了比包括由紅色主體材料形成的緩沖層的紅色發(fā)光層(對比示例2)更高的發(fā)光效率。此外，包括由綠色主體材料形成的緩沖層的紅色發(fā)光層(示例2)具有比包括由紅色主體材料形成的緩沖層的紅色發(fā)光層(對比示例2)更長的壽命。
[0142]當(dāng)使用LITI方法形成綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層時(shí)，用來形成綠色發(fā)光層的供體基底和用來形成紅色發(fā)光層的供體基底可以使用相同的基體膜和相同的緩沖層。因此，可以降低工藝變化的數(shù)量并縮短識別缺陷原因需要的時(shí)間。另外，可以降低材料成本。
[0143]如果在LITI方法中使用由綠色主體材料形成的緩沖層，則可以改善綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層的點(diǎn)不轉(zhuǎn)印缺陷。
[0144]本發(fā)明的實(shí)施例提供了以下優(yōu)點(diǎn)中的至少一項(xiàng)。
[0145]即，由于綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層包括含有綠色主體材料的相同的緩沖層，所以可以改善有機(jī)發(fā)光顯示裝置的發(fā)光效率和壽命。
[0146]另外，當(dāng)使用LITI方法形成綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層時(shí)，用來形成綠色發(fā)光層的供體基底和用來形成紅色發(fā)光層的供體基底可以使用相同的基體膜和相同的緩沖層。因此，這樣可以減少工藝變化的數(shù)量并縮短識別缺陷原因需要的時(shí)間。另外，可以降低材料成本。
[0147]如果在LITI方法中使用由綠色主體材料形成的緩沖層，則可以改善綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層的點(diǎn)不轉(zhuǎn)印缺陷。
[0148]然而，本發(fā)明的效果不限于這里闡述的這些。對本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，通過參照權(quán)利要求，本發(fā)明的以上和其他效果將變得更明顯。
[0149]雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例具體示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)可以在形式和細(xì)節(jié)中對其做各種改變。因此期望的是在參照權(quán)利要求而非前文描述時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例在所有方面被認(rèn)為是說明性而非限制性，以此來指出本發(fā)明的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括: 基底，包括綠色區(qū)域和紅色區(qū)域； 多個(gè)第一電極，所述多個(gè)第一電極包括多個(gè)綠色區(qū)域第一電極和多個(gè)紅色區(qū)域第一電極，所述多個(gè)綠色區(qū)域第一電極位于基底的綠色區(qū)域上，以及所述多個(gè)紅色區(qū)域第一電極位于基底的紅色區(qū)域上； 多個(gè)發(fā)光層，在第一電極上，所述多個(gè)發(fā)光層包括在綠色區(qū)域上的綠色發(fā)光層和在紅色區(qū)域上的紅色發(fā)光層；以及第二電極，在發(fā)光層上， 所述綠色發(fā)光層包括: 第一發(fā)光層，包括第一主體材料和第一摻雜劑材料；以及 第一緩沖層，在第一發(fā)光層上，包括第一主體材料， 所述紅色發(fā)光層包括: 第二發(fā)光層，包括第二主體材料和第二摻雜劑材料；以及 第二緩沖層，在第二發(fā)光層上，包括第一主體材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，基底還包括藍(lán)色區(qū)域，并且發(fā)光層還包括在藍(lán)色區(qū)域上的藍(lán)色發(fā)光層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，藍(lán)色發(fā)光層延伸到綠色區(qū)域和紅色區(qū)域并且與綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層疊置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層直接在藍(lán)色發(fā)光層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，藍(lán)色發(fā)光層包括第三主體材料和第三摻雜劑材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置還包括: 第一中間層，構(gòu)造為在第一電極和藍(lán)色發(fā)光層之間注入或傳輸電子或空穴；以及 第二中間層，構(gòu)造為在發(fā)光層和第二電極之間注入或傳輸電子或空穴。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 第一緩沖層不包含第一摻雜劑材料；以及 第二緩沖層不包含第二摻雜劑材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，綠色發(fā)光層包括在第一發(fā)光層下面的第一輔助層，以及紅色發(fā)光層包括在第二發(fā)光層下面的第二輔助層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，第二輔助層的高度高于第一輔助層的高度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置還包括形成在第二電極上的被構(gòu)造為保護(hù)第二電極和第二電極下面的結(jié)構(gòu)的鈍化層。
11.一種供體基底組，所述供體基底組包括: 第一供體基底；以及 第二供體基底， 所述第一供體基底包括: 第一基體膜；用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層位于第一基體膜上并且包括第一主體材料；以及 用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層位于用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層上，用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層包括第一主體材料和第一摻雜劑材料， 所述第二供體基底包括: 第二基體膜； 用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層位于第二基體膜上并且包括第一主體材料；以及 用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層位于用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層上并且包括第二主體材料和第二摻雜劑材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的供體基底組，其中，第一基體膜和第二基體膜由相同的材料組成。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的供體基底組，其中，用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層和用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層由相同的材料組成。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的供體基底組,其中， 用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層不包含第一摻雜劑材料；以及 用來形成第二緩沖層的 轉(zhuǎn)印層不包含第二摻雜劑材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的供體基底組，所述供體基底組還包括: 用來形成第一輔助層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第一輔助層的轉(zhuǎn)印層位于用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層上；以及 用來形成第二輔助層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第二輔助層的轉(zhuǎn)印層位于用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層上。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的供體基底組，所述供體基底組還包括: 第一光熱轉(zhuǎn)換層，在第一基體膜和用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層之間；以及 第二光熱轉(zhuǎn)換層，在第二基體膜和用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的供體基底組，所述供體基底組還包括: 第一層間層，在第一光熱轉(zhuǎn)換層和用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層之間；以及 第二層間層，在第二光熱轉(zhuǎn)換層和用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層之間。
18.一種供體基底，所述供體基底包括: 基體膜，包括第一區(qū)域和第二區(qū)域； 緩沖層，在基體膜上，所述緩沖層包括第一主體材料； 用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層位于緩沖層的第一區(qū)域上并且包括第一主體材料和第一摻雜劑材料；以及 用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層位于緩沖層的第二區(qū)域上并且包括第二主體材料和第二摻雜劑材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的供體基底，所述供體基底還包括: 用來形成第一輔助層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第一輔助層的轉(zhuǎn)印層位于用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層上；以及 用來形成第二輔助層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第二輔助層的轉(zhuǎn)印層位于用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層上。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的供體基底，所述供體基底還包括形成在基體膜和緩沖層之間的光熱轉(zhuǎn)換層。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的供體基底，所述供體基底還包括在光熱轉(zhuǎn)換層和緩沖層之間的層間層。
22.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括: 準(zhǔn)備具有分別形成在基底的第一區(qū)域和第二區(qū)域上的多個(gè)第一電極的基底； 放置第一供體基底，其中，所述第一供體基底包括:第一基體膜；用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層位于第一基體膜上并且包含第一主體材料；以及用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層位于用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層上并且包含第一主體材料和第一摻雜劑材料，放置第一供體基底使得用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層面向基底，且用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層和基底之間具有間隙；以及 通過利用激光束照射第一區(qū)域使得用來形成第一緩沖層的轉(zhuǎn)印層和用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印到第一區(qū)域的第一電極上，在第一區(qū)域的第一電極上形成第一有機(jī)層圖案。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，所述方法還包括在第一區(qū)域的第一電極上形成第一有機(jī)層圖案之后: 放置第二供體基底 ，其中，所述第二供體基底包括:第二基體膜；用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層位于第二基體膜上并且包含第一主體材料；以及用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層形成在用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層上并且包含第二主體材料和第二摻雜劑材料，放置第二供體基底使得用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層面向基底，且用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層和基底之間具有間隙； 通過利用激光束照射第二區(qū)域使得用來形成第二緩沖層的轉(zhuǎn)印層和用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印到第二區(qū)域的第一電極上，在第二區(qū)域的第一電極上形成第二有機(jī)層圖案。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，所述方法還包括在第二區(qū)域的第一電極上形成第二有機(jī)層圖案之后，在第一有機(jī)層圖案和第二有機(jī)層圖案上形成第二電極。
25.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括: 準(zhǔn)備具有形成在基底的第一區(qū)域和第二區(qū)域上的多個(gè)第一電極的基底； 放置供體基底，其中，所述供體基底包括:基體膜；緩沖層，位于基體膜上并且包括第一主體材料；用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層位于第一區(qū)域的緩沖層上并且包含第一主體材料和第一摻雜劑材料；以及用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層，用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層位于第二區(qū)域的緩沖層上并且包含第二主體材料和第二摻雜劑材料，放置供體基底使得用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層和用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層面向基底，且在用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層和用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層與基底之間具有間隙；以及 通過利用激光束照射第一區(qū)域和第二區(qū)域使得用來形成第一發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層和用來形成第二發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印到第一電極上，在第一電極上形成有機(jī)層圖案。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，所述還包括在第一電極上形成有機(jī)層圖案之后，在有機(jī)層圖案上 形成第二電極。
【文檔編號】H01L27/32GK104078485SQ201310540984
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2013年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月26日
【發(fā)明者】金孝妍, 宋河珍, 李相雨, 沈憓娟, 李欣承, 韓潔, 尹智煥 申請人:三星顯示有限公司