国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      一種陣列結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板和顯示裝置制造方法

      文檔序號:7011388閱讀:156來源:國知局
      一種陣列結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板和顯示裝置制造方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板和顯示裝置,其中陣列結(jié)構(gòu)包括柵電極和柵絕緣層,所述柵絕緣層和所述柵電極之間具有凹槽,所述柵電極下方的柵絕緣層經(jīng)過曝光被刻蝕掉。本發(fā)明提供的陣列結(jié)構(gòu),柵電極以及信號接入端子對應(yīng)的位置經(jīng)過曝光工藝,刻蝕掉柵絕緣層,在柵電極和刻蝕剩余的柵絕緣層之間形成凹槽,由于凹槽的位置低于其它層結(jié)構(gòu),用以放置陣列測試或者點評測試等測試用的信號接入端子,通過這種凹槽的設(shè)計能夠降低信號接入端子與顯示區(qū)域的高度差,提高顯示面板表面的平坦度,進一步提高取向的均勻效果,改善取向過程中由于高度差導(dǎo)致的取向差異產(chǎn)生的Mura不良現(xiàn)象,提高產(chǎn)品特性。
      【專利說明】一種陣列結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板和顯示裝置
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,特別涉及一種陣列結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板和顯
      示裝置。
      【背景技術(shù)】
      [0002]目前TFT_LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)生產(chǎn)線主要分為Array (陣列)、CF (Color Filter,彩色濾光片,又稱為彩膜)、Cell(成盒)、Module (模組)四個工藝流程。其中Array段負責在TFT基板上形成TFT陣列,主要負責TFT基板上金屬層信號線和各個像素電容單元的制成,最后得到TFT陣列基板。CF段主要負責CF基板上BM (Black Matrix,黑矩陣)層、RGB層(紅綠藍層,即彩膜層)以及透明導(dǎo)電層等的制成。Cell段的工序負責將制作好的TFT陣列基板和CF基板利用封框膠貼合在一起,形成一個完整的、閉合的顯示面板,主要包括配向膜的印刷,配向膜取向制成,液晶滴入,封框膠固化等步驟。Module段主要包括將制作好的顯示面板貼上偏光片和PCB驅(qū)動電路后,與背光源組裝,形成一個最終的顯示模組成品。
      [0003]Cell段TFT陣列基板和CF基板貼合之前,還需要對TFT陣列基板進行Array Test(陣列測試),將TFT陣列基板和CF基板貼合后,還需要進行Cell Test (點屏測試),在陣列測試或者是點屏測試過程中都需要在玻璃基板(Glass)上設(shè)置相應(yīng)的Pad (即信號接入端子),包括AT Pad (陣列測試信號接入端子)和CT Pad (點屏測試信號接入端子)。其中點屏測試可以在對盒之后、cutting之前,還可以在cutting之后進行。由于Pad的存在,導(dǎo)致Pad區(qū)域和顯示區(qū)域存在比較明顯的高度差,導(dǎo)致顯示面板表面平坦度很差,后續(xù)進行配向膜Rubbing (即取向制成)過程中沿著Pad方向存在Rubbing強度差異,影響取向膜的成膜效果,產(chǎn)生Mura不良,最后得到的液晶屏表面亮度不均勻。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004](一)要解決的技術(shù)問題
      [0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何降低Pad區(qū)域和顯示區(qū)域的高度差,提高顯示面板平坦度,改善Mura不良。
      [0006](二)技術(shù)方案
      [0007]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種陣列結(jié)構(gòu),包括柵電極和柵絕緣層,所述柵絕緣層和所述柵電極之間具有凹槽,所述柵電極下方的柵絕緣層經(jīng)過曝光被刻蝕掉。
      [0008]進一步地,所述凹槽用于放置進行測試操作的信號接入端子。
      [0009]進一步地,所述信號接入端子為陣列測試信號接入端子和點屏測試信號接入端子。
      [0010]進一步地,所述柵電極、所述柵絕緣層以及所述凹槽上具有鈍化層,并將所述柵電極上方刻蝕掉所述鈍化層。
      [0011]進一步地,所述鈍化層被刻蝕的位置上方具有透明電極層。[0012]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明實施例還提供了一種陣列結(jié)構(gòu)的制作方法,包括:在玻璃基板上形成柵電極之前,對所述柵電極對應(yīng)的位置進行曝光,刻蝕掉柵絕緣層,在所述柵電極和所述柵絕緣層之間形成凹槽。
      [0013]進一步地,所述凹槽用于放置進行測試操作的信號接入端子。
      [0014]進一步地,所述信號接入端子包括陣列測試信號接入端子和/或點屏測試信號接入端子。
      [0015]進一步地,在所述玻璃基板上所述柵電極、所述柵絕緣層以及所述凹槽上具有鈍化層,并將所述柵電極上方刻蝕掉所述鈍化層。
      [0016]進一步地,所述鈍化層被刻蝕的位置上方形成透明電極層。
      [0017]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板,在玻璃基板上形成陣列結(jié)構(gòu),所述陣列結(jié)構(gòu)為以上所述的陣列結(jié)構(gòu)。
      [0018]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置,所述顯示裝置包括以上所述的陣列基板。
      [0019](三)有益效果
      [0020]本發(fā)明實施例提供了一種陣列結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板和顯示裝置,其中陣列結(jié)構(gòu)包括柵電極和柵絕緣層,所述柵絕緣層和所述柵電極之間具有凹槽,所述柵電極下方的柵絕緣層經(jīng)過曝光被刻蝕掉。本發(fā)明實施例提供的陣列結(jié)構(gòu),通過柵電極以及信號接入端子對應(yīng)的位置經(jīng)過曝光工藝,刻蝕掉柵絕緣層,在柵電極和刻蝕剩余的柵絕緣層之間形成凹槽,由于凹槽的位置低于其它層結(jié)構(gòu),用以放置陣列測試或者點評測試等測試用的信號接入端子,通過這種凹槽的設(shè)計能夠降低信號接入端子與顯示區(qū)域的高度差,提高顯示面板表面的平坦度,進一步提高取向的均勻效果,改善取向過程中由于高度差導(dǎo)致的取向差異廣生的Mura不良現(xiàn)象,提聞廣品特性。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0021]圖1為現(xiàn)有技術(shù)測試階段中具有各種測試功能的信號接入端子與顯示面板的連接關(guān)系不意圖;
      [0022]圖2為取向過程中信號接入端子設(shè)置位置示意圖;
      [0023]圖3是對圖2中的Pad區(qū)域沿A_A’的剖視圖;
      [0024]圖4是本發(fā)明實施例提供的一種陣列結(jié)構(gòu)的示意圖;
      [0025]圖5為本發(fā)明實施例提供的一種陣列結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟流程圖;
      [0026]圖6為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的示意圖。
      【具體實施方式】
      [0027]下面結(jié)合附圖和實施例,對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明,但不用來限制本發(fā)明的范圍。
      [0028]圖1為現(xiàn)有技術(shù)測試階段中具有各種測試功能的信號接入端子與顯示面板的連接關(guān)系示意圖,為了進行陣列測試(Array Test)和點屏測試(Cell Test)的過程中需要在顯示面板(Panel)的周邊設(shè)置相應(yīng)的信號接入端子(Pad),通過短接端子(Shorting bar)將信號接入端子于顯示面板中相應(yīng)的電極線進行連接。如果以點屏測試為例,圖1中的00為玻璃基板,Ol為點屏測試信號接入端子(CT Pad), 02為短接端子(Shorting bar)。
      [0029]對上述結(jié)構(gòu)進行取向過程中信號接入端子設(shè)置位置示意圖如圖2所示,箭頭的方向即為取向(Rubbing)方向,沿著箭頭方向顯示區(qū)域Y依次是藍、綠、紅三顏色像素,在面板的周邊還存在Pad區(qū)域,圖2中用X表示,在圖2中存在兩個Pad,即Xl和X2。對Pad區(qū)域沿著A-A’的剖視圖如圖3所示,其中00為玻璃基板,I為柵絕緣層(Gate Insulation Layer簡稱GI),2為鈍化層,3為柵電極,4為透明電極層。
      [0030]實施例一
      [0031]本發(fā)明實施例一中提供了一種陣列結(jié)構(gòu),示意圖如圖4所示,包括柵電極3和柵絕緣層1,柵絕緣層I和柵電極3之間具有凹槽P,柵電極3下方的柵絕緣層I經(jīng)過曝光被刻蝕掉。
      [0032]該陣列結(jié)構(gòu)通過將柵電極和信號接入端子對應(yīng)的位置處的柵絕緣層刻蝕掉,在柵電極和剩余的柵絕緣層之間形成用于防止信號接入端子的凹槽,能夠降低信號接入端子處于顯示區(qū)域的高度差,提成平坦度,降低由于高度差導(dǎo)致的取向程度差異,避免由于取向不均勻?qū)е碌腗ura不良現(xiàn)象的發(fā)生。
      [0033]優(yōu)選地,本實施例中的凹槽用于放置進行測試操作的信號接入端子,如圖4中用P表示該凹槽。在對陣列基板或者對盒成功之后的顯示面板進行測試都需要各自的信號接入端子,即Pad,但是由于其具有一定的厚度,所以在現(xiàn)有技術(shù)的陣列結(jié)構(gòu)上連接該信號接入端子之后就會造成Pad區(qū)域與顯示區(qū)域之間存在較為明顯的高度差,在對基板涂膠之后通過取向布進行取向操作時,會由于高度差造成取向布在不同區(qū)域(Pad區(qū)域和顯示區(qū)域)的Rubbing程度存在差異,導(dǎo)致Rubbing效果不夠均勻,進一步導(dǎo)致最后的陣列基板或顯示面板上存在Mura不良,影響顯示效果。但是在本實施例中,將測試用的信號接入端子(Pad)設(shè)置于刻蝕后得到的凹槽中,使得進行測試過程中的Pad區(qū)域與顯示區(qū)域的高度更加接近,降低由于接入信號接入端子產(chǎn)生的高度差,保證均勻的的Rubbing效果,避免產(chǎn)生Mura不良。
      [0034]具體的,本實施例中的信號接入端子包括陣列測試信號接入端子和/或點屏測試信號接入端子。其中的陣列測試信號接入端子(ATPad)用于對陣列基板進行測試,點屏測試信號接入端子(CT Pad)用于對顯示面板進行測試,即在信號接入端子接通之后,打開顯示面板下方的背光源,之后通過人眼觀察和機器視覺技術(shù)對顯示面板上存在的缺陷進行檢測。需要說明的是,本實施例的圖4中是以點屏測試信號接入端子為例進行說明的,除了陣列測試信號接入端子和點屏測試信號接入端子之外,還可以包括具有其它測試功能的信號接入端子,設(shè)置方式同理可知,此處不再贅述。
      [0035]進一步地,本實施例中的柵電極3、柵絕緣層I以及凹槽P上具有鈍化層,并將柵電極3上方刻蝕掉鈍化層2,鈍化層2被刻蝕的位置上方具有透明電極層4。
      [0036]綜上,本發(fā)明實施例一中提供的陣列結(jié)構(gòu),通過將柵電極下方的柵絕緣層和信號接入端子所在位置對應(yīng)的柵絕緣層刻蝕掉,在柵電極和剩余的柵絕緣層之間形成凹槽,將用于測試的信號接入端子放置在該凹槽中,能夠降低接入信號接入端子后Pad區(qū)域與顯示區(qū)域的高度差,保證均勻的的Rubbing效果,避免產(chǎn)生Mura不良。
      [0037]實施例二
      [0038]本發(fā)明實施例二還提供了一種陣列結(jié)構(gòu)的制作方法,包括:在玻璃基板上形成柵電極之前,對柵電極對應(yīng)的位置進行曝光,刻蝕掉柵絕緣層,在柵電極和柵絕緣層之間形成凹槽。
      [0039]優(yōu)選地,本實施例中的凹槽用于放置進行測試操作的信號接入端子。
      [0040]進一步地,本實施例中的信號接入端子為陣列測試信號接入端子和點屏測試信號接入端子。
      [0041]進一步地,本實施例中在玻璃基板上柵電極、柵絕緣層以及凹槽上具有鈍化層,并將柵電極上方刻蝕掉鈍化層。
      [0042]進一步地,本實施例中的鈍化層被刻蝕的位置上方形成透明電極層。
      [0043]對于上述陣列結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟流程如圖5所示,具體包括以下步驟:
      [0044]步驟S1、在玻璃基板上形成柵絕緣層;
      [0045]步驟S2、對信號接入端子所在的位置進行曝光,將柵絕緣層刻蝕掉;
      [0046]步驟S3、形成柵電極;
      [0047]步驟S4、形成鈍化層,并將柵電極上方的鈍化層刻蝕掉;
      [0048]步驟S5、在刻蝕掉鈍化層的位置上形成透明電極層。
      [0049]綜上,本實施例中提供的陣列結(jié)構(gòu)的制作方法,通過將測試用的信號接入端子放置在柵電極和刻蝕剩余的柵絕緣層之間形成的凹槽中,可以有效避免Pad區(qū)域和顯示區(qū)域產(chǎn)生的高度差,保證均勻的Rubbing效果,進一步避免產(chǎn)生Mura不良。
      [0050]實施例三
      [0051]本發(fā)明實施例三還提供了一種陣列基板,示意圖如圖6所示,在玻璃基板上形成上述實施例一中的陣列結(jié)構(gòu)。
      [0052]更進一步的,本發(fā)明還提供了 一種顯示裝置,包括上述陣列基板。該顯示裝置由于將柵電極下方的柵絕緣層和信號接入端子所在位置對應(yīng)的柵絕緣層刻蝕掉,在柵電極和剩余的柵絕緣層之間形成凹槽,將用于測試的信號接入端子放置在該凹槽中,能夠降低接入信號接入端子后Pad區(qū)域與顯示區(qū)域的高度差,保證均勻的Rubbing效果。通過使用上述顯示裝置,由于在顯示面板表面進行均勻取向,可以避免產(chǎn)生Mura不良,保證顯示裝置的良好的顯示效果。
      [0053]以上實施方式僅用于說明本發(fā)明,而并非對本發(fā)明的限制,有關(guān)【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下,還可以做出各種變化和變型,因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇,本發(fā)明的專利保護范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
      【權(quán)利要求】
      1.一種陣列結(jié)構(gòu),其特征在于,包括柵電極和柵絕緣層,所述柵絕緣層和所述柵電極之間具有凹槽,所述柵電極下方的柵絕緣層經(jīng)過曝光被刻蝕掉。
      2.如權(quán)利要求1所述的陣列結(jié)構(gòu),其特征在于,所述凹槽用于放置進行測試操作的信號接入端子。
      3.如權(quán)利要求2所述的陣列結(jié)構(gòu),其特征在于,所述信號接入端子包括陣列測試信號接入端子和/或點屏測試信號接入端子。
      4.如權(quán)利要求1所述的陣列結(jié)構(gòu),其特征在于,所述柵電極、所述柵絕緣層以及所述凹槽上具有鈍化層,并將所述柵電極上方刻蝕掉所述鈍化層。
      5.如權(quán)利要求4所述的陣列結(jié)構(gòu),其特征在于,所述鈍化層被刻蝕的位置上方具有透明電極層。
      6.一種陣列結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,包括:在玻璃基板上形成柵電極之前,對所述柵電極對應(yīng)的位置進行曝光,刻蝕掉柵絕緣層,在所述柵電極和所述柵絕緣層之間形成凹槽。
      7.如權(quán)利要求6所述的陣列結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,所述凹槽用于放置進行測試操作的信號接入端子。
      8.如權(quán)利要求6或7所述的陣列結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,所述信號接入端子為陣列測試信號接入端子和點屏測試信號接入端子。
      9.如權(quán)利要求1所述的陣列結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,在所述玻璃基板上所述柵電極、所述柵絕緣層以及所述凹槽上具有鈍化層,并將所述柵電極上方刻蝕掉所述鈍化層。
      10.如權(quán)利要求9所述的陣列結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,所述鈍化層被刻蝕的位置上方形成透明電極層。
      11.一種陣列基板,其特征在于,在玻璃基板上形成陣列結(jié)構(gòu),所述陣列結(jié)構(gòu)為權(quán)利要求1-5所述的陣列結(jié)構(gòu)。
      12.—種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括權(quán)利要求11所述的陣列基板。
      【文檔編號】H01L29/423GK103633101SQ201310577779
      【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年11月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月15日
      【發(fā)明者】馬俊才 申請人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
      1