對濕氣密封的半導體模塊和用于其制造的方法
【專利摘要】對濕氣密封的半導體模塊和用于其制造的方法。半導體模塊包括：具有兩個外壁區(qū)段的殼體，外壁區(qū)段布置在殼體的相對側(cè)上；蓋，其從外壁區(qū)段之一延伸向外壁區(qū)段的另一個；以及布置在外壁區(qū)段之間并與其間隔開的、限定第一井筒的邊界的第一井筒壁。此外半導體模塊具有帶上側(cè)的電路載體；以及半導體芯片，其布置在殼體中和電路載體的上側(cè)上。導電的第一連接端元件延伸通過第一井筒并且從殼體伸出。第一澆注料布置在電路載體和蓋之間以及部分地在第一連接端元件和第一井筒壁之間，第一澆注料與第一連接端元件共同作用地將第一井筒密封。第一井筒壁在其朝向電路載體的側(cè)上具有下端部，下端部浸入第一澆注料中。
【專利說明】對濕氣密封的半導體模塊和用于其制造的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及對濕氣密封的半導體模塊和用于其制造的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]本發(fā)明涉及半導體模塊。為了半導體模塊的電接觸和接線需要電連接端，這些電連接端必須被引導穿過殼體到殼體的外側(cè)。由于殼體處的對應(yīng)的引線，水蒸氣和/或其他物質(zhì)可能進入到半導體模塊的內(nèi)部，這可能例如由于腐蝕導致在模塊中存在的元件的損壞。盡管出于各種原因用硅膠澆注半導體模塊，但是這種膠對于水蒸氣或其他有害物質(zhì)不是特別好的屏障，從而所述問題幾乎沒有改善。
[0003]在其他模塊結(jié)構(gòu)中，處于硅膠上面的殼體內(nèi)部區(qū)域用由環(huán)氧樹脂制成的硬化澆注物填充，所述硬化澆注物置于硅膠上。這種模塊雖然比包含硅膠、但不含硬化澆注物的模塊對氣體和水蒸氣密封性更好。但是硬化澆注物硅膠連同殼體。硅膠具有高的熱體積膨脹系數(shù)，這在半導體模塊的強溫度變換負荷時可以形成過壓或欠壓，通過所述過壓或欠壓可能引起在模塊內(nèi)部中的損壞。在膠中的過壓情況下，可能出現(xiàn)在底板和殼體之間的膠的溢出。在欠壓情況下可能形成膠中的縫隙。由此出發(fā)，在市場上存在的對應(yīng)模塊中，附加的硬化澆注物的目的在于，使半導體模塊內(nèi)部中的組件在機械上穩(wěn)定。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的任務(wù)在于，提供半導體模塊，該半導體模塊良好地被保護以防腐蝕和/或由于濕氣和/或其他圍繞半導體模塊的有害物質(zhì)可能引起的其他損壞。另一任務(wù)在于，提供一種用于制造這種半導體模塊的方法。這些任務(wù)通過按照權(quán)利要求1所述的半導體模塊或者通過按照權(quán)利要求21所述的用于制造半導體模塊的方法來解決。本發(fā)明的構(gòu)型和改進方案是從屬權(quán)利要求的主題。
[0005]半導體模塊包括:帶有兩個外壁區(qū)段的殼體，所述外壁區(qū)段布置在殼體的相對側(cè)上；蓋，其從所述外壁區(qū)段之一延伸向所述外壁區(qū)段的另一個；以及布置在這些外壁區(qū)段之間的并且與其間隔開的第一井筒壁，所述第一井筒壁限定第一井筒的邊界。此外，該半導體模塊還具有帶有上側(cè)的電路載體以及半導體芯片，所述半導體芯片布置在殼體中并且在該電路載體的上側(cè)上。導電的第一連接端元件延伸通過第一井筒并且從殼體中伸出。在電路載體和蓋之間以及部分地在第一連接端元件和第一井筒壁之間有第一澆注料，所述第一澆注料與第一連接端元件共同作用地將第一井筒密封。在第一井筒壁的朝向電路載體的一側(cè)上，第一井筒壁具有下端部，該下端部浸入第一澆注料中?？蛇x地，第一澆注料在此可以連續(xù)地從電路載體穿過伸展直至超過整個與電路載體材料配合地連接的半導體芯片。只要該半導體芯片通過接合線連接到其背離電路載體的一側(cè)上，則第一澆注料可以同樣可選地也連續(xù)地延伸超過全部接合線。
[0006]此外，在第一澆注料和蓋之間以及部分地在第一連接端元件和第一井筒壁之間有第二澆注料，其同樣與第一連接端元件共同作用地將第一井筒密封。在殼體中此外還存在一個或多個體積區(qū)域，所述體積區(qū)域分別直接地與第一澆注料鄰接并且用氣體填充。通過在所述一個或多個體積區(qū)域中存在的氣體，第一澆注料的例如由于溫度變化引起的體積變化被補償，使得不會形成對在模塊中存在的元件的干擾性負荷。
[0007]第二澆注料用作尤其是對抗水蒸氣進入到模塊殼體內(nèi)部中的擴散屏障。對此，第二澆注料可以可選地針對水蒸氣具有擴散系數(shù)，該擴散系數(shù)關(guān)于40°C的溫度小于5*10—?m2/s {= 5E-9 m2/s>。
[0008]水蒸氣進入到模塊殼體內(nèi)部基本上通過在第二澆注料封閉井筒的區(qū)域中的第二澆注料的長度和橫截面來確定，以及通過第二澆注料的水蒸氣擴散系數(shù)來確定?？傊?，半導體模塊對抗水蒸氣至模塊殼體內(nèi)部的進入的所希望的最小密封性可以通過上述參數(shù)的組合來調(diào)整。按照意義，上面所述的也適于其他有害物質(zhì)作為水蒸氣進入到模塊殼體內(nèi)部。
[0009]為了制造這種半導體模塊，提供一件式或多件式的殼體，該殼體具有兩個外部區(qū)段、蓋和第一井筒壁。外壁區(qū)段處于殼體的相對側(cè)上。同樣，提供帶有上側(cè)的電路載體、半導體芯片和導電的第一連接端元件。半導體芯片、電路載體、殼體和第一連接端相對彼此被布置為，使得該蓋從所述外壁區(qū)段之一伸展到所述外壁區(qū)段的另一個，第一井筒壁布置在外壁區(qū)段之間并且限定第一井筒的邊界，半導體芯片布置在殼體中并且布置在電路載體的上側(cè)上，并且第一連接端元件延伸通過第一井筒并且從殼體伸出。
[0010]在殼體的內(nèi)部空間中，填入第一澆注料并且隨后該第一澆注料交聯(lián)，使得交聯(lián)的第一澆注料布置在電路載體和蓋之間以及部分地布置在第一連接端元件和第一井筒壁之間并且與第一澆注料共同作用地密封第一井筒，其中第一井筒壁具有下端部，該下端部浸入第一澆注料中。
[0011]在第一澆注料交聯(lián)之后，將第二澆注料填入殼體的內(nèi)部空間中，使得第二澆注料布置在第一澆注料和蓋之間以及部分布置在第一連接端元件和第一井筒壁之間并且與第一連接端元件共同作用地密封第一井筒，并且在殼體中保留一個或多個分別直接與第一澆注料鄰接的并且用氣體填充的體積區(qū)域。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]本發(fā)明的各種可能的構(gòu)型下面參照附圖來闡述。在圖中所示的組件不必相互合乎比例地示出，更確切地重點是闡明本發(fā)明的原理。此外，在圖中相同的附圖標記表示相同或彼此對應(yīng)的元件。
[0013]圖1A至IC示出了在制造帶有整塊底板的半導體模塊時的不同步驟。
[0014]圖2A至2C示出了在制造帶有整塊底板的另一半導體模塊時的不同步驟。
[0015]圖3示出了半導體模塊，其與按照圖1C的半導體模塊不同之處在于沒有底板。
[0016]圖4示出了半導體模塊，在其中分別布置有電連接端元件的井筒通過連接通道相互連接。
[0017]圖5示出了半導體模塊，其與按照圖3的半導體模塊不同之處在于第二澆注料不伸展至殼體蓋的朝向電路載體的那側(cè)。
[0018]圖6示出了半導體模塊，其與按照圖4的半導體模塊不同之處在于第二澆注料不伸展至殼體蓋的朝向電路載體的那側(cè)。
[0019]圖7示出了半導體模塊的一件式殼體。[0020]圖8A至SC示出了在制造帶有多件式殼體的半導體模塊的制造中的不同步驟。
[0021]圖9示出了比較模塊，其按照本發(fā)明的半導體模塊來構(gòu)建，但是其中在第一澆注料中產(chǎn)生的空腔中使用用于檢測相對空氣濕度的傳感器。
[0022]圖10示出了圖表，從中針對兩個不同的、按照本發(fā)明構(gòu)建的半導體模塊得知當將比較模塊引入潮濕氣氛中時在空腔中存在的相對空氣濕度的變化曲線，在所述半導體模塊中分別用填充有空氣的空腔來代替半導體芯片。
[0023]圖11示出了根據(jù)圖6的布置在截平面E-E中的水平視圖，所述截平面延伸經(jīng)過井筒和體積區(qū)域。
【具體實施方式】
[0024]圖1A示出了部分制成的半導體模塊100的橫截面。該半導體模塊100包括殼體
6、一個或多個襯底2、一個或多個半導體芯片8、以及一個或多個導電連接端元件91，92。
[0025]殼體6具有:兩個外壁區(qū)段61,這些外壁區(qū)段布置在殼體6的相對側(cè)上；蓋62，該蓋從外壁區(qū)段61中的一個伸展至外壁區(qū)段61中的另一個；以及一個或多個布置在外壁區(qū)段61之間并且與其間隔開的井筒壁63。此外,存在一個或多個井筒65,它們中的每一個通過至少一個井筒壁63限定邊界。導電的連接端元件91，92 (其從殼體6伸展出去)分別延伸經(jīng)過井筒65之一。在該情況下，與本發(fā)明的所有其他半導體模塊100—樣，半導體模塊100的一個、多個或全部連接端元件91、92與最接近相關(guān)連接端元件91、92的井筒壁63間隔開。
[0026]與此無關(guān)地，井筒壁63可以可選地環(huán)狀包圍連接端元件91、92中的一個或多個。同樣也存在如下可能性，井筒65通過外壁區(qū)段61和井筒壁63來限定邊界，使得外壁區(qū)段61和井筒壁63 —起環(huán)狀包圍連接端元件91、92之一。
[0027]襯底2包括帶有朝向殼體6的上側(cè)201的電絕緣的電路載體20。半導體芯片8布置在殼體6中并且布置在電路載體20的上側(cè)201上。在另外的構(gòu)型中，也可以使用例如由金屬制成的導電電路載體20。將結(jié)構(gòu)化的上金屬化層21施加到電路載體20的上側(cè)201上，并且將可以是非結(jié)構(gòu)化或者結(jié)構(gòu)化的下金屬化層22施加到電路載體的與上側(cè)201相對的下側(cè)202上。襯底2例如可以是DCB襯底(DCB=direct copper bonded (直接銅接合))、DAB 襯底(DAB=direct aluminum blazed (直接招釬焊))或者 AMB 襯底(AMB=active metalbrazed (活性金屬釬焊))。
[0028]一個或多個半導體芯片8安裝在上側(cè)的金屬化層21上并且借助連接層81——例如焊料、導電粘合劑或壓力燒結(jié)的含銀的連接層——以機械方式或可選地也以導電方式連接。半導體芯片8例如可以是由如晶體管、MOSFET、IGBT、晶閘管、JFET (尤其是HEMT[HEMT=High Electron Mobility Transistor (高電子遷移率晶體管)])的可控半導體芯片和/或如功率二極管的不可控半導體芯片構(gòu)成的任意組合。半導體芯片8可以被構(gòu)造為功率半導體芯片，其具有例如大于10A或者大于50A的高標稱電流和/或擁有例如400v或者更大的高標稱截止電壓。附加地，半導體芯片8的每個的基面大于2.4mmX 2.4mm,或者大于 5mmX5mm。
[0029]為了半導體芯片8的布線設(shè)置有接合線5，所述接合線接合到上側(cè)金屬化層21的區(qū)段上。代替接合線5同樣可以使用金屬夾，所述金屬夾借助焊料、導電粘合劑或帶有燒結(jié)的導電粉的層例如被連接到半導體芯片的上側(cè)和/或上側(cè)的金屬化層21。
[0030]為了將功率半導體模塊外部地連接到例如電壓供給、負載、控制裝置等等上，設(shè)置有電連接端元件91、92，它們可以導電地和/或以機械方式與上側(cè)的金屬化層21連接。從半導體模塊100的連接端元件91、92中僅僅示出了幾個示例性例子。原則上,連接端元件91,92的數(shù)量和結(jié)構(gòu)方式可以任意選擇并且適配于在半導體模塊100中要實現(xiàn)的電路。連接端元件91、92中的幾個例如可以用于將半導體模塊100連接到供給電壓，例如中間回路電壓或要整流的交流電壓。在連接端元件91、92中的另外的連接端元件上可以連接負載、例如電感負載如電動機，以便利用半導體模塊100來控制所述負載。連接端元件91、92中的又一些另外的連接端元件可以用作控制輸入端或控制輸出端，或者用作用于輸出信號的輸出連接端，這些信號代表涉及半導體模塊100的狀態(tài)的信息。
[0031]為了將連接端元件91、92與上金屬化層21導電連接，可以將所述連接端元件釬焊、熔焊、燒結(jié)或?qū)щ娬澈系缴辖饘倩瘜?1上或者通過線接合連接到其上。連接端元件91、92例如可以被構(gòu)造為直線或彎曲的金屬引腳，被構(gòu)造為沖孔的和彎曲的金屬薄板，被構(gòu)造為小管，被構(gòu)造為導電接觸彈簧等等。在引腳的情況下，連接端元件也可以被插入到套中，這些套被釬焊、熔焊、或?qū)щ娬澈系缴辖饘倩瘜?1上。與半導體模塊100的另外的連接端元件91、92的構(gòu)型無關(guān)地，連接端元件91、92、例如所示的連接端元件92也可以擁有多個連接腿，在其上連接端元件與上金屬化層21導電連接。
[0032]在連接端元件91、92的自由的、與襯底2間隔開的端部上，連接端元件91、92可以根據(jù)所希望的電連接技術(shù)被任意地構(gòu)造，例如，如所示地構(gòu)造為旋擰孔，但是也可以被構(gòu)造為焊接接觸部，彈簧接觸部，壓入接觸部(壓配合接觸部)，夾子接觸部等等。
[0033]與其構(gòu)型無關(guān)，一個或者多個連接端元件91、92可以如示出地布置在兩個處于殼體6相對側(cè)上的外壁區(qū)段61之間并且與其間隔開。
[0034]可選地，襯底2可以布置在整塊的底板I上，并且在襯底2的下金屬化層22上在使用連接層42的情況下以機械方式與底板I連接。連接層42例如可以是焊接層、壓力燒結(jié)的含銀連接層或者粘合劑層。底板I本身可以被構(gòu)造為金屬板，例如由銅、鋁或帶有這些金屬中至少之一的合金制成的金屬板，或者由金屬基質(zhì)復合材料(MMC)構(gòu)造?？蛇x地,底板I還可以具有涂層，以便例如改善燒結(jié)的連接層的可焊接性或粘附性。與底板I的構(gòu)型無關(guān)，底板I可以具有至少1mm、至少2mm或者至少3mm的厚度。下金屬化層22可以例如具有小于或等于Imm的厚度或者小于或等于0.63mm的厚度。
[0035]帶有以所述方式具有一個或多個半導體芯片8和一個或多個連接端元件91、92的預先裝備的襯底2 (該襯底2可以可選地與底板I連接)的單元現(xiàn)在可以與殼體6連接。為此，可以將殼體6 —件式地構(gòu)造，并且對于連接端元件91、92的每個具有井筒65，該井筒構(gòu)造為使得連接端元件91、92當殼體6安置到單元上時可以插入到所屬的井筒65中，使得連接端元件的自由端部可以到達殼體6的外側(cè)用于連接端元件91、92的電接觸。
[0036]安置到單元上的殼體6可以借助連接裝置9、例如粘合劑與該單元連接。
[0037]在安置殼體6之后，可選地也在將單元與殼體6連接之后，可以將第一澆注料51例如硅膠填充到其中。為此,第一澆注料51可以經(jīng)由填充井筒64填充到殼體6的內(nèi)部，使得澆注料分布到襯底2上，其中填充井筒由所述井筒65之一構(gòu)成。第一澆注料51的量在此這樣分配，使得井筒壁63的朝向載體20的端部631浸入到第一澆注料51中并且在第一澆注料51接著被交聯(lián)以便減少或者去除其可流動性之后仍然保持浸入其中。在此該交聯(lián)可以通過提高溫度、通過在正常環(huán)境條件下長時間的存放或者通過用紫外光照射來進行。在圖1B中示出了結(jié)果。在該構(gòu)型中如在本發(fā)明的所有其他構(gòu)型中那樣，所述交聯(lián)被進行為使得僅僅存在小的交聯(lián)度，從而第一澆注料51僅僅被提供以便在如下程度上封閉井筒65，即第二澆注料52當其接下來如后面還要闡述的一樣被填充到井筒65中時僅能到達通過第一澆注料51產(chǎn)生的澆注部位并且由此保留在第一澆注料51之上的位置處。
[0038]通過井筒壁63的朝向載體20的端部631在第一澆注料51交聯(lián)之后也浸入到其中，當之后(如下面描述地)填充第二澆注料時，第一澆注料51與處于該井筒65中的連接端元件91、92共同作用地密封所涉及的井筒65。填充井筒64也在其端部631的區(qū)域中通過第一澆注料51相應(yīng)地被密封。原則上，浸入深度t63在第一澆注料51交聯(lián)之后可以在半導體模塊100的井筒65 (包括填充井筒64)中的一個、多個或每個的井筒壁63的朝著載體20的端部631處大于或等于0.5mm。
[0039]與此無關(guān)地，在半導體模塊100的井筒壁63中的一個、多個或每個處，在上側(cè)201和所涉及的井筒壁63的朝向載體20的端部631之間的距離d2可以為最大4mm或最大2mm。
[0040]在第一澆注料51交聯(lián)之后，井筒65和可選的填充井筒64分別在其朝向載體20的端部631處被第一澆注料51封閉，使得于是第二澆注料52——例如環(huán)氧樹脂或者具有對水蒸氣足夠高擴散阻力或足夠低擴散系數(shù)的其他澆注物——可以填充到殼體6的內(nèi)部中，該第二澆注料52構(gòu)成對抗水蒸氣和/或其他有害物質(zhì)進入到殼體6內(nèi)部的屏障。在該構(gòu)型中如本發(fā)明的所有其他構(gòu)型中那樣，第二澆注料52可以為此針對水蒸氣具有如下擴散系數(shù)，所述擴散系數(shù)在溫度為40°C時小于5*10'9 m2/s i5E10-9m2/s)°
[0041]在特別的構(gòu)型中，本發(fā)明的第二澆注料對于水蒸氣可以具有分別在40°C時小于
5*1 O'9 (5E-9 m2嶺小于 1 *i 0~12 m2/s {1E-12 m2/s)、或者小于 1 *1CT11 m2/S(1E-11 m2/s)的擴散系數(shù)。在所示的例子中，第二澆注料52必須分別單獨地被填充到井
筒65和填充井筒64中，因為它們現(xiàn)在被封閉了，使得第二澆注料52不能如先前第一澆注料51那樣可以側(cè)向分布在殼體內(nèi)部。填充到井筒65中并且然后被硬化的第二澆注料52與在所涉及的井筒65中的連接端元件91、92共同作用地密封該井筒65。填充井筒64也通過第二澆注料52被密封。該結(jié)果在圖1C中示出。
[0042]在本發(fā)明的全部半導體模塊100中，第一澆注料51可以可選地在交聯(lián)之后具有大于第二澆注料52在其交聯(lián)之后所具有的滲透的滲透。與此無關(guān)地，完成交聯(lián)的第二澆注料52的滲透可以大于殼體6的滲透。在任何情況下，按照DIN ISO 2137來確定滲透。第一澆注料例如可以具有至少20的滲透，例如在30至90的范圍中。與此無關(guān)地，第二澆注料可以可選地同樣在本發(fā)明的全部半導體模塊100中例如具有最高20的滲透，例如在10至20的范圍中。
[0043]與此無關(guān)地，在借助前面的圖闡述的也如在本發(fā)明所有其他實施例中那樣，完成交聯(lián)的第二澆注料52具有如下滲透:其從膠的滲透延伸直至環(huán)氧樹脂或聚酯樹脂的滲透或硬度。例如環(huán)氧樹脂、聚酯樹脂、硅樹脂或硅膠適合作為第二澆注料52。
[0044]如在圖1C中所示，硬化的第二澆注料52相對于電路載體20的上側(cè)201的填充高度延伸直至殼體蓋62的朝向電路載體20的下側(cè)622的水平之上。[0045]在任何情況下，一個或多個用氣體、例如空氣填充的體積區(qū)域60被保留，在這些體積區(qū)域中的每一個直接地鄰接第一澆注料51，使得通過溫度變換負荷引起的第一澆注料51的體積變化在很大程度上被補償，因為位于一個或多個體積區(qū)域60中的空氣在需要時被壓縮或者被膨脹，而在此不會出現(xiàn)半導體模塊100的處于殼體6中的元件的顯著的壓力負荷。這里，“體積區(qū)域”理解為連續(xù)的、用氣體填充的空間區(qū)域的最大體積，所述空間區(qū)域直接鄰接第一澆注料51并且在其中氣體中的小部分可以自由運動。
[0046]如同樣由圖1C可知，交聯(lián)的第一澆注料51相對于上側(cè)201的水平的填充高度可以被選擇為，使得直接鄰接到第一澆注料51的體積區(qū)域60中的每個、多個或全部在半導體模塊100內(nèi)部在垂直于上側(cè)201的豎直方向V上具有相同的或者不同的高度t60，所述高度中的每個高度例如大于或等于Imm或大于或等于5_。由此保證了:對于熱引起的第一燒注料51的膨脹可以提供足夠的體積，在其中第一澆注料51可以膨脹。
[0047]此外在圖1C中示出了，井筒65——在垂直于電路載體20的上側(cè)201的方向V上測量——具有填充高度t65。半導體模塊100的不同井筒65的填充高度t65在此可以是相同或不同的。例如在半導體模塊100的一個、多個或全部井筒65中各自的填充高度t65可以為至少1_。該可選的標準也可以在本發(fā)明的所有其他半導體模塊100中實現(xiàn)。
[0048]為了能夠?qū)崿F(xiàn)一個或多個體積區(qū)域60的特別有效的作用，有利的是在半導體模塊100的井筒65的一個、多個或全部中，所涉及井筒65的外尺寸b65平行于上側(cè)201地測量小于或等于5mm。
[0049]圖2A示出了部分完成的半導體模塊100的橫截面，該部分完成的半導體模塊100與按照圖1A的部分完成的半導體模塊100的不同之處僅僅在于，各個井筒65和填充井筒64通過水平延伸的連接通道66相互連接。連接通道66可以可選地被布置為，使得全部井筒65和填充井筒64構(gòu)成通道系統(tǒng)，當?shù)诙沧⒘?2經(jīng)由填充井筒64被填充到殼體6的內(nèi)部中時，第二澆注料52經(jīng)由所示通道系統(tǒng)分布到各個井筒65和填充井筒64上并且密封它們。
[0050]圖2B示出了在第一澆注料填充和交聯(lián)之后的布置，圖2C示出了在第二澆注料52的填充和硬化之后的布置。
[0051]圖3示出了半導體模塊100的橫截面，半導體模塊100與在圖1C中所示的半導體模塊100的不同之處僅僅在于，它不具有如先前所述的底板I和連接層42，而是下金屬化層22自由地靠置在半導體模塊100的下側(cè)上，并且殼體6在至襯底2的連接區(qū)域中的走向以及連接裝置9的走向被適配。
[0052]圖4示出了半導體模塊100的橫截面，其與在圖2C中所示的半導體模塊100的不同之處僅僅在于，它不具有如先前所述的底板I和連接層42，而是下金屬化層22自由地靠置在半導體模塊100的下側(cè)上，并且殼體6在至襯底2的連接區(qū)域中的走向以及連接裝置9的走向被適配。
[0053]圖5示出了半導體模塊100的另一個例子。其不同于按照圖3的半導體模塊100之處僅僅在于，硬化的第二澆注料52相對于電路載體20的上側(cè)201的填充高度小于在電路載體20的上側(cè)201和殼體蓋62的朝向電路載體20的下側(cè)622之間的距離。
[0054]相應(yīng)地，圖6示出了半導體模塊100，其與在圖4中所示半導體模塊100的不同之處僅僅在于，硬化的第二澆注料52相對于電路載體20的上側(cè)201的填充高度小于在電路載體20的上側(cè)201和殼體蓋62的朝向電路載體20的下側(cè)622之間的距離。
[0055]圖7示出了半導體模塊100的殼體6，這里例如在圖1C中描述的半導體模塊100的殼體6。一般而言，半導體模塊100的殼體6可以一件式、也即由一個唯一部分構(gòu)成并且由統(tǒng)一的材料制成，例如由熱塑性塑料或熱固性塑料制成。這種殼體6例如可以通過噴鑄來制造。只要允許要制造的殼體6的底切，就可以通過噴鑄來一體制造殼體6。代替地也存在如下可能性:單獨地通過噴鑄來制造兩個或多個殼體部件并且之后將它們彼此固定連接，使得形成一件式殼體6。這種連接可以材料配合地、例如借助粘合劑來進行，通過激光焊接、超聲波焊接或者熱焊接、或者通過旋擰或者任意其他連接技術(shù)來進行。
[0056]原則上，殼體6可以在未組裝狀態(tài)下就已經(jīng)如所闡述的那樣一件式地構(gòu)造，也即在殼體6還沒有安裝在帶有預先裝備的襯底2 (帶有或沒有底板I)的上述單元上的狀態(tài)下。
[0057]但是代替于此地，殼體6也可以由兩個或多個部分組成，這例如借助圖8A、8B和SC來闡述。圖8A在下部示出了帶有預先裝備的襯底2和與襯底2連接的底板I的單元，所述底板I如先前借助圖1A至IC所描述的那樣。此外，示出了帶有圍繞的殼體框架的殼體6，所述殼體框架構(gòu)成側(cè)壁61，以及示出了與殼體框架無關(guān)的蓋62，在蓋62上為了實現(xiàn)井筒65(包括填充井筒64)而構(gòu)造有井筒壁63。此外，連接通道66集成在蓋62中。
[0058]原則上，殼體6和/或第二澆注料52具有大于50°C、大于120°C、大于140°C、或者甚至大于150°C的玻璃轉(zhuǎn)變溫度，這可以用可用的塑料或澆注料來實現(xiàn)。
[0059]在本發(fā)明意義上的全部半導體模塊100中同樣存在如下可能性:對于殼體6和/或第二澆注料52使用具有在55°C至95°C范圍中的、例如為大約90°C的玻璃轉(zhuǎn)變溫度的材料。這種構(gòu)型引起:在半導體模塊100的運行期間超過玻璃轉(zhuǎn)變溫度，使得殼體6或第二澆注料52的水蒸氣穿透性上升并且濕氣從殼體6的內(nèi)部逸出并且向殼體6的外部環(huán)境輸出。在常見的環(huán)境條件中，40°C的溫度和90% rH的相對空氣濕度通常不會被超過。
[0060]殼體框架和蓋62可以(分別單獨地假設(shè))一件式、也即由一個唯一的部件構(gòu)造并且由統(tǒng)一的材料制成，例如由熱塑性或熱固性塑料制成。在此，殼體框架和蓋62由相同的或者由不同的材料構(gòu)成。殼體框架和殼體蓋62的制造例如可以通過噴鑄來進行。殼體6可以在未組裝狀態(tài)下就已經(jīng)如所闡述的那樣一件式地構(gòu)造，也即在殼體6還沒有安裝在帶有預先裝備的襯底2 (帶有或沒有底板I)的上述單元上的狀態(tài)下。
[0061]其他的安裝現(xiàn)在可以進行為使得殼體框架安置到帶有預先裝備的襯底2的單元上并且與其例如借助連接裝置9或者以其他方式連接，這結(jié)果在圖SB中示出。
[0062]之后，將殼體蓋62安置到該復合體上(如在圖SC中所示)并且隨后與殼體框架連接。所述連接可以材料配合地例如借助粘合劑來進行，通過激光焊接、超聲波焊接或者熱焊接、或者通過旋擰或者任意其他連接技術(shù)來進行。如在圖8A中所示，在殼體框架和蓋62之間的連接可以被構(gòu)造為凹槽-彈簧連接。由此，一方面使得蓋62在殼體框架處的安裝變得容易，另一方面使得在蓋62和殼體框架之間的縫隙7的長度變大并且隨之而來地減小如下危險:有害物質(zhì)經(jīng)過縫隙7并且可能經(jīng)過處于其中的粘合劑而進入到殼體6內(nèi)部。在圖8A至SC中所示的例子中，在殼體框架上構(gòu)造有凹槽，并且在殼體蓋62上構(gòu)造有彈簧。但是相反地，也可以在殼體框架上構(gòu)造彈簧并且在殼體蓋62上構(gòu)造凹槽。除了殼體6不是一件式地被構(gòu)造之外，在圖8C中所示的布置與按照圖1C的布置是相同的。通過相同的方式，任意其他半導體模塊100的殼體6也可以構(gòu)造并且制造為兩件或多件式。
[0063]在殼體框架和蓋62之間的連接的制造原則上可以在第一澆注料51和/或第二澆注料52的填充之前或之后進行，代替地也可以通過填充第二澆注料52來進行。在后一種所述的情況下，第二澆注料52也用作粘合劑，該粘合劑將殼體框架和蓋62連接。
[0064]為了完成半導體模塊100，如其在圖SC中所示，在其殼體6中還填充第一澆注料51并且其后根據(jù)先前所述方法填充第二澆注料52。
[0065]在本發(fā)明的全部半導體模塊中，第二澆注料52與井筒65共同作用地表現(xiàn)為對抗?jié)駳夂涂赡芷渌泻ξ镔|(zhì)進入殼體6內(nèi)部的有效屏障。在井筒65和分別通過其延伸的連接端元件91、92之間的縫隙越小，填充開口 64的橫截面越小并且第二澆注料52的層厚越大，屏障作用越大。
[0066]為了對于確定的半導體模塊100測試所述密封作用，可以使用比較模塊或“模擬(Dummy)”模塊101，如其示例性地在圖9中所示。這種比較模塊101可以同樣如所基于的半導體模塊100那樣構(gòu)造，具有如下的唯一區(qū)別，將經(jīng)由連接線路31、32可讀出的用于確定在第一澆注料51 (例如參見圖1C)中產(chǎn)生的空腔35中存在的相對空氣濕度的傳感器元件安裝到所述空腔35中?？蛇x地，也可以在空腔35中布置溫度傳感器元件和/或壓力傳感器元件。所述傳感器元件中的一個、多個或全部可以如所示那樣集成在一個共同的傳感器30中。但是這些傳感器元件也可以集成在分開的傳感器中，這些傳感器處于空腔中，或者例如用于確定溫度和相對空氣濕度的兩個傳感器元件可以集成在一個共同的傳感器30中，而壓力傳感器元件集成在另外的傳感器中，所述另外的傳感器同樣布置在空腔35中。在需要時，也可以使用多于兩個的電連接線路，用于對傳感器30和(只要存在)一個或多個附加的傳感器進行接線。
[0067]這種比較模塊101例如可以通過如下方式被制造，在用第一澆注料51和第二澆注料52澆注殼體6內(nèi)部的半導體模塊100中又去除第一澆注料51。這例如可以通過如下方式來進行，將完成的半導體模塊100的殼體6鉆孔直至到達第一澆注料51并且通過所形成的孔去除如此多的第一澆注料51，使得形成能夠在其中置入一個或多個傳感器30的空腔35。將所述一個或多個傳感器30置入空腔35中在此進行為，使得在一個或多個傳感器30之后保留用空氣填充的測量體積33，該測量體積的相對空氣濕度被檢測。連接端31、32在此通過所述孔向外引導并且然后所述孔被密封地封閉，這例如可以借助粘合劑例如環(huán)氧樹脂粘合劑來進行。
[0068]代替地或補充地，這種傳感器30可以以相應(yīng)的方式也置入到所述體積區(qū)域60中或者所述體積區(qū)域60之一中。在這種情況下，所涉及的體積區(qū)域60構(gòu)成空腔35。第一澆注料51通過孔的部分去除在該情況下被取消。
[0069]同樣存在如下可能性，在填充第一燒注料51時將一個或多個傳感器30嵌入其中。為了確保保留帶有空氣體積的空腔35—所述空氣體積達到直至位于傳感器30中的傳感器元件，傳感器30可以被空氣可穿透的例如柵格狀的保護罩覆蓋，當?shù)谝粷沧⒘?1被填充到殼體6中時,該保護罩保持住第一燒注料51。
[0070]此外，也可以在填充澆注料51和52之前將一個或多個這種傳感器30布置在體積區(qū)域60中并且然后如已經(jīng)闡述地首先將第一澆注料51并且接著將第二澆注料52填充到殼體6中。[0071]原則上，也可以設(shè)想另外的變型方案，利用這些變型方案可以產(chǎn)生這種比較模塊101。在任何情況下，這取決于處于殼體6中的、用空氣填充的測量體積33直接鄰接第一澆注料51，其中所述測量體積達到直至處于傳感器30中的傳感器元件。
[0072]借助這種比較模塊101現(xiàn)在能夠?qū)崿F(xiàn):當比較模塊101處于具有恒定溫度Text、恒定相對空氣濕度rHEXT和恒定壓力Pext的定義環(huán)境中并且測量體積33中的相對空氣濕度的時間發(fā)展被測量時，通過測量在空腔35中的相對空氣濕度來研究密封效果。在此前提是:在開始測量之前模塊內(nèi)部具有明顯小于在定義環(huán)境中的相對濕度的濕度以及與定義環(huán)境中的壓力相同或基本相同的空氣壓力。明顯較小的相對濕度這一前提可以通過在高溫下干燥半導體模塊100來實現(xiàn)。因為相對空氣濕度強烈地與溫度相關(guān)，因此用于測量相對空氣濕度的時間發(fā)展的比較模塊作好準備地首先被置于確定的溫度例如20°C，并且然后在時刻to被引入到定義的環(huán)境中，該環(huán)境具有相同的溫度并且其相對空氣濕度高于在時刻to時(同樣在確定溫度時)在空腔35中存在的相對空腔濕度rH35 (t=t0)。因為在空腔35中存在的相對空氣濕度的值與在空腔35中主導的參量壓力和溫度相關(guān)，因此同樣可以測量這些參量的時間發(fā)展，從而能夠?qū)崿F(xiàn)，將時間相關(guān)地測量的相對空氣濕度換算成壓力和溫度的標準值(例如1013.25hPa和20°C )并且由此實現(xiàn)可比較的結(jié)果。
[0073]從時刻t0開始，環(huán)境中包含的濕氣進入到殼體6中并且在此也到達處于空腔35中的氣體(例如空氣)，使得空氣的相對濕度rH35(t)隨時間t上升。目前將持續(xù)時間D用作對于密封效果的度量，在所述持續(xù)時間之后在空腔35中在時刻t0時存在的起始相對空氣濕度rH35(t=tO)——關(guān)于1013.25hPa的壓力和20°C——升高了在相對環(huán)境空氣濕度rH35(t=tO+D)和起始相對空氣濕度rH35 (t=t0)之間的差的0.6倍——同樣是關(guān)于1013.25hPa的壓力和20°C。所述持續(xù)時間D例如可以為至少24小時，至少48小時，至少168小時或者至少400小時。
[0074]為此圖10針對兩個不同良好地密封的半導體模塊示出了在空腔35中存在的相對空氣濕度rH35 (t)從時刻t0起——即從將所涉及的比較模塊101置入到具有定義的相對濕度rHEXT、定義的溫度Text和定義的壓力Pext的該環(huán)境中起——相應(yīng)的時間發(fā)展。曲線I對應(yīng)于較差地密封的比較模塊101的變化曲線，并且曲線2相應(yīng)于較好地密封的比較模塊101的變化曲線。在所示的例子中，在空腔35中的起始相對空氣濕度rH35 (t=t0)在20°C的溫度時處于20%，而在相應(yīng)比較模塊101的環(huán)境中的定義的相對濕度rHEXT在20°C時為90%。
[0075]現(xiàn)在為了確定密封效果，分別確定如下持續(xù)時間，在所述持續(xù)時間中在空腔35中的相對濕度rH35 (t)相對于高度為20%的起始相對空氣濕度rH35 (t=t0)上升了所述差(90%-20%=70%)的0.6倍、也即0.6*70%=42%，也即直至相對空氣濕度rH35 (t)上升至Ij20%+42%=62%的值。在較差地密封的比較模塊101 (曲線Kl)的情況下，在時刻tl、也即在持續(xù)時間Dl=tl-t0之后達到該62%的值，在較好地密封的比較模塊101 (曲線K2)的情況下，在時刻t2、也即在持續(xù)時間D2=t2-t0之后達到該62%的值。在所示的例子中，Dl=28小時，D2=310小時。
[0076]圖11示出了按照圖2C的布置在截平面E-E中的水平視圖，所述截平面延伸經(jīng)過井筒65和(在該例子中唯一的)體積區(qū)域60。然而，也可以在圖1C和3至6的半導體模塊100的相應(yīng)剖面的情況下得到同樣的剖視圖。
[0077]如在該視圖中可見的，半導體模塊100的通過井筒壁63限定邊界的全部井筒65如在填充井筒64中一樣或者僅僅通過第二澆注料52被密封或者如在其他井筒65中一樣通過第二澆注料52與延伸在所涉及的井筒65中的連接端元件91、92連接地被密封，使得在殼體6外部的氛圍不能直接通過井筒64、65到達第一澆注料51。
[0078]同樣可見，半導體模塊100僅僅包括一個唯一的體積區(qū)域，其在電路載體20的上側(cè)201上的正交投影具有面積A60。在其他半導體模塊100中，也可以存在兩個或更多成對地相互獨立的體積區(qū)域60。在此，“獨立”意味著在兩個獨立的體積區(qū)域60之間不能自由地進行氣體交換。在兩個或更多在此意義上獨立的體積區(qū)域60的情況下，其在電路載體20的上側(cè)201上的正交投影可以構(gòu)成連續(xù)的面積A60，但是或者構(gòu)成兩個或更多獨立的面積，其總面積又是A60。與半導體模塊100是否僅僅擁有正好一個唯一的或者兩個或更多這樣的體積區(qū)域60無關(guān)，A60說明直接鄰接第一澆注料51的全部體積區(qū)域60的總投影面。
[0079]在圖11中還用虛線示出了(因為是隱藏的)，電路載體20的上側(cè)201的側(cè)向邊界線，其面積大小用A20表示。半導體模塊100現(xiàn)在可以被構(gòu)建為使得A60與A20的比大于或等于0.7，也即A60為A20的至少70%ο
[0080]在本發(fā)明中設(shè)計的井筒65能夠?qū)崿F(xiàn)使用僅僅非常少量的第二澆注料52，同時實現(xiàn)對抗?jié)駳夂推渌泻ξ镔|(zhì)進入殼體6的好的密封效果。例如第二澆注料52可以具有關(guān)于上側(cè)201的面A20小于或等于I克每平方厘米的總量。
[0081]與此無關(guān)地，硬化的第二澆注料52和殼體6的材料可以被選擇為使得水在第二澆注料52中和在殼體中的可溶解性分別為第二澆注料52和殼體6的總重量的最大0.5重
量％或者最大0.2重量％。
[0082]前面闡述了對于半導體模塊100的可能構(gòu)型的各種實施例。在此背景中在一個實施例中所述的一個或多個特征可以以任意方式與來自一個或多個其他實施例中的一個或多個特征組合，只要這些特征不相互排除。
[0083]前面闡述了半導體模塊100的各種實施例。在這些實施例中如在本發(fā)明的所有其他實施例中一樣，在此可以可選地使用這種澆注料作為第一澆注料51，其在交聯(lián)之后作為膠、例如作為硅膠存在。然而原則上可以使用澆注料51，其在交聯(lián)之后具有根據(jù)DIN ISO2137的小于40的滲透并且由此具有比典型的交聯(lián)的膠更小的滲透(根據(jù)DIN ISO 2137在40-70范圍中的滲透)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導體模塊,包括: 具有兩個外壁區(qū)段(61)的殼體(6)，所述外壁區(qū)段布置在殼體(6)的相對側(cè)上；蓋(62)，其從所述外壁區(qū)段(61)中的一個延伸向所述外壁區(qū)段(61)中的另一個；以及布置在這些外壁區(qū)段(61)之間并且與其間隔開的第一井筒壁(63)，所述第一井筒壁限定第一井筒(65)的邊界； 帶有上側(cè)(201)的電路載體(20)； 半導體芯片(8)，其布置在殼體(6)中并且布置在電路載體(20)的上側(cè)(201)上； 導電的第一連接端兀件(91,92),其延伸通過第一井筒(65)并且從殼體(6)中伸出； 第一澆注料(51)，該第一澆注料布置在電路載體(20)和蓋(62)之間以及部分地在第一連接端元件(91，92 )和第一井筒壁(63 )之間，并且該第一澆注料與第一連接端元件(91，92)共同作用地將第一井筒(65)密封； 第二澆注料(52)，該第二澆注料布置在第一澆注料(51)和蓋(62)之間以及部分地在第一連接端元件(91，92)和第一井筒壁(63)之間，并且該第二澆注料與第一連接端元件(91，92)共同作用地將第一井筒(65)密封；以及 一個或多個體積區(qū)域(60)，所述體積區(qū)域分別直接地與第一澆注料(51)鄰接并且用氣體填充，其中第一井筒壁(63)在其朝向電路載體(20)的側(cè)上具有下端部(631)，該下端部浸入第一澆注料(51)中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體模塊，其中第一井筒壁(63)的下端部(631)以至少0.5mm的浸入深度(t63)浸·入第一澆注料(51)中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體模塊，其中第二澆注料(52)針對水蒸氣具有擴散系數(shù)，該擴散系數(shù)在40°C的溫度時小于5*l(TV/s,小于l*l(Tnm2/s,或者小于l*l(T12m2/s。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導體模塊,其中在處于殼體(6)中的全部用氣體填充的體積區(qū)域(60)正交地投影到電路載體(20)的上側(cè)(201)上時形成的總投影面對應(yīng)于所述上側(cè)(201)的面積的至少70%。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導體模塊，其中第一澆注料(51)所具有的滲透(根據(jù)DIN ISO 2137)大于第二澆注料(52)的滲透(根據(jù)DIN ISO 2137)，并且其中第二澆注料(52)所具有的滲透(根據(jù)DIN ISO 2137)大于殼體(6)的滲透(根據(jù)DIN ISO 2137)。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導體模塊，其中第一燒注料(51)根據(jù)DINISO2137具有至少20的滲透和/或第二澆注料(52)根據(jù)DIN ISO 2137具有最高20的滲透。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導體模塊，其中第一澆注料(51)根據(jù)DINISO2137具有在30至90范圍中的滲透。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導體模塊，其中第二澆注料(52)根據(jù)DINISO2137具有10至20的滲透。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導體模塊,其中第一澆注料(51)根據(jù)DINISO2137所具有的滲透大于第二澆注料(52)的滲透。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導體模塊,其中第一澆注料(51)從電路載體(20)出發(fā)延伸直至至少在半導體芯片(8)之上并且半導體芯片(8)與第二澆注料(52)間隔開。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導體模塊，其中 蓋(62)具有朝向電路載體(20)的下側(cè)(622);并且第二澆注料(52)與下側(cè)(622)間隔開。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至10之一所述的半導體模塊，其中 蓋(62)具有朝向電路載體(20)的下側(cè)(622);并且 第二澆注料(52)與下側(cè)(622)接觸。
13.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導體模塊,其中殼體(6)—件式地被構(gòu)造并且由統(tǒng)一的、均勻材料制成。
14.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導體模塊,其中殼體(6)由與第一澆注料(51)的材料和/或第二澆注料(52)的材料不同的材料制成。
15.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導體模塊，其中所述至少一個體積區(qū)域(60)中的一個、多個或每個在垂直于電路載體(20)的上側(cè)(201)的豎直方向(V)上延伸經(jīng)過至少Imm或延伸經(jīng)過至少5mm。
16.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導體模塊，其中 第二澆注料(52)具有總量并且該總量與電路載體(20)的上側(cè)(201)的面積(A20)之比小于或等于I克每平方厘米。
17.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導體模塊，其中殼體(6)具有布置在兩個外壁區(qū)段(61)之間的第二井筒壁(63)，該第二井筒壁限定第二井筒(65)的邊界并且該第二井筒壁在其朝向電路載體(20)的側(cè)上具有下端部(631)，該下端部浸入第一澆注料(51)中，其中 導電的第二連接端元件(91，92)延伸通過該第二井筒(65)并且從殼體(6)中伸出； 殼體(8 )具有連接通道(66 )，該連接通道將第一井筒(65 )和第二井筒(65 )彼此連接。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導體模塊，其中該連接通道(66)完全或者部分地被第二澆注料(52)填充。
19.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導體模塊，其中第二燒注料(52)在第一井筒(65)中伸展經(jīng)過至少Imm的填充高度(t65)。
20.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導體模塊，其中濕氣能夠通過其從殼體(6)的外側(cè)進入殼體(6 )的內(nèi)部空間中的、構(gòu)造在殼體(6 )中的全部開口借助第一澆注料(51)和/或第二澆注料(52)被密封，使得比較模塊(101)中，該比較模塊的結(jié)構(gòu)與半導體模塊(100)的結(jié)構(gòu)的不同之處在于，在與第一澆注料(51)鄰接的用空氣填充的空腔(35)中相對殼體(6)密封地置入了帶有用于檢測相對空氣濕度的傳感器元件的傳感器(30)，使得在空腔(35)中保留用空氣填充的測量體積(33)，該測量體積達到直至傳感器元件，并且使得從將具有20°C恒定溫度的該比較模塊(101)引入具有恒定相對環(huán)境濕度(rHEXT)、20°C恒定溫度(Text)和1013.25hPa的恒定壓力(pEXT)的環(huán)境中的第一時刻(t0)起，在測量體積(33)中在第一時刻(t0)時存在的、小于環(huán)境空氣濕度(rHEXT)的起始相對空氣濕度(rH35 (t=t0))在至少24小時或至少48小時或至少168小時或者至少400小時的持續(xù)時間之后升高了在相對環(huán)境空氣濕度(rHEXT)和起始相對空氣濕度(rH35 (t=t0))之間的差的0.6倍。
21.一種用于制造半導體模塊的方法，具有步驟: 提供一件式或多件式的殼體(6),該殼體具有兩個外部區(qū)段(61)、蓋(62)和第一井筒壁(63)； 提供帶有表面(2 01)的電路載體(20)；提供半導體芯片(8); 提供導電的第一連接端元件(91，92)； 將半導體芯片(8)、電路載體(20)、殼體(6)和第一連接端元件(91，92)相對彼此地布置為，使得 -該蓋(62)從所述外壁區(qū)段(61)中的一個伸展到所述外壁區(qū)段(61)中的另一個，-第一井筒壁(63)與外壁區(qū)段(61)間隔開地布置在所述外壁區(qū)段(61)之間并且限定第一井筒(65)的邊界； -半導體芯片(8)布置在殼體(6)中并且布置在電路載體(20)的表面(201)上； -第一連接端兀件(91,92)延伸通過第一井筒(65)并且從殼體(6)伸出； 在殼體(6)的內(nèi)部空間中填入第一澆注料(51)并且隨后第一澆注料(51)交聯(lián)為，使得交聯(lián)的第一澆注料(51)布置在電路載體(20)和蓋(62)之間以及部分地布置在第一連接端元件(91，92 )和第一井筒壁(63 )之間并且與第一連接端元件(91，92 )共同作用地密封第一井筒(65)，其中第一井筒壁(63)在其朝向電路載體(20)的側(cè)上具有下端部(631)，該下端部浸入第一澆注料(51)中；并且 在第一澆注料(51)交聯(lián)之后將第二澆注料(52)填入殼體(6)的內(nèi)部空間中，使得第二澆注料(52)布置在第一澆注料(51)和蓋(62)之間以及部分布置在第一連接端元件(91，92)和第一井筒壁(63)之間并且與第一連接端元件(91，92)共同作用地密封第一井筒(65)，并且在殼體(6)中保留一個或多個分別直接與第一澆注料(51)鄰接并且用氣體填充的體積區(qū)域(60)。·
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中第二澆注料(52)在其被填充到殼體(6)的內(nèi)部空間中之后被硬化，并且然后根據(jù)權(quán)利要求1至20之一來構(gòu)造。
【文檔編號】H01L21/60GK103855104SQ201310624507
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月30日
【發(fā)明者】R.巴耶雷爾 申請人:英飛凌科技股份有限公司