薄膜晶體管及其制造方法、薄膜晶體管陣列基板及液晶面板的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種薄膜晶體管及其制造方法、薄膜晶體管陣列基板及液晶面板。所述薄膜晶體管包括形成在基板上的有源層（130）、柵絕緣層（140）、柵電極（150）、源電極（170）和漏電極（180），其中，所述有源層（130）位于所述襯底（110）之上，所述柵絕緣層（140）、所述源電極（170）和所述漏電極（180）均位于所述有源層（130）之上，所述柵電極（150）位于所述柵絕緣層（140）之上，其中，所述薄膜晶體管還包括位于所述襯底（110）和所述有源層（130）之間的屏蔽層（120），所述屏蔽層（120）用于吸收外來(lái)光線。本發(fā)明的薄膜晶體管，不僅具有較強(qiáng)的穩(wěn)定性，同時(shí)還具有較高的輸出效率。而且，該薄膜晶體管可以沿用現(xiàn)有的工藝，方便大規(guī)模生產(chǎn)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】薄膜晶體管及其制造方法、薄膜晶體管陣列基板及液晶面板【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】；更具體地講，涉及一種薄膜晶體管及其制造方法、薄膜晶體管陣列基板及液晶面板。
【背景技術(shù)】
[0002]平板顯示器由于機(jī)身薄，耗電量小等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用，現(xiàn)有的平板顯示器一般包括液晶顯示器(IXD)、及有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(0LED)。
[0003]液晶顯示器,或稱LCD(Liquid Crystal Display),它由一定數(shù)量的彩色或黑白像素組成，放置于光源或者反射面前方。液晶顯示器功耗很低，并且具有高畫(huà)質(zhì)、體積小、重量輕的特點(diǎn)，因此倍受大家青睞，成為顯示器的主流。
[0004]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器與液晶顯示器不同，它無(wú)需背光源，采用非常薄的有機(jī)涂料層和玻璃基板制成，當(dāng)有電流通過(guò)時(shí)，這些有機(jī)材料就會(huì)發(fā)光。有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具備自發(fā)光、高亮度、寬視角、高對(duì)比度、可撓曲、低能耗等特性，因此受到廣泛的關(guān)注。
[0005]平板顯示器中一般使用薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)作為驅(qū)動(dòng),從而實(shí)現(xiàn)高速度、高亮度、高對(duì)比度的顯示屏幕信息。近年來(lái)，基于金屬氧化物的薄膜晶體管因?yàn)槠溥w移率高、透光性好、薄膜結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、制作溫度低以及成本低等優(yōu)點(diǎn)受到越來(lái)越多的重視。特別是以銦鎵鋅氧化物(In-Ga-Zn-0，IGZ0)為代表的金屬氧化物TFT技術(shù)，其相對(duì)于a-Si TFT可以實(shí)現(xiàn)更高的分辨率,且相對(duì)于低溫多晶娃(Low Temperature Poly-silicon,LTPS) TFT技術(shù)則可提高良率、降低成本并實(shí)現(xiàn)節(jié)能化?？傮w而言，IGZO TFT技術(shù)綜合性能優(yōu)越，已取得很多突破性的進(jìn)展。
`[0006]如圖1所示，現(xiàn)有的頂柵頂接觸型結(jié)構(gòu)的IGZO TFT主要包括形成在襯底210上的IGZO層230、柵絕緣層240、柵電極250、鈍化層260、源電極270以及漏電極280。其中，IGZO層230為沉積在襯底上的η型半導(dǎo)體，作為一導(dǎo)電通道；源電極270為沉積在襯底210上并稱接IGZO層230 —側(cè)的金屬導(dǎo)體,用于接收源極驅(qū)動(dòng)信號(hào)；漏電極280為沉積在襯底210上并耦接IGZO層230的另一側(cè)的金屬導(dǎo)體，用于接收漏極驅(qū)動(dòng)信號(hào)；柵絕緣層240為沉積在襯底210、IGZO層230、源電極270以及漏電極280上方的絕緣層，用于使柵電極250與IGZO層230、源電極270以及漏電極280絕緣；柵電極250為沉積在柵絕緣層240上方的金屬導(dǎo)體，用于接收柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)；鈍化層260為沉積在柵絕緣層240和柵電極250上方的絕緣層，用于對(duì)器件進(jìn)行保護(hù)。然而，當(dāng)外來(lái)光線照射到如上所述的薄膜晶體管上時(shí)，光照會(huì)對(duì)該TFT的閾值電壓產(chǎn)生影響，使其閾值電壓隨偏壓應(yīng)力的變化加快，這會(huì)造成平板顯示器顯示混亂，同時(shí)會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體的遷移率發(fā)生變化，從而影響平板顯示器的分辨率。而且，由于IGZO與源電極270和柵電極280使用的金屬的功函數(shù)相差較大，因此會(huì)造成IGZO層230與源電極270和柵電極280的接觸阻抗較大，從而影響其輸出效率。

【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]為解決上述現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管，該晶體管可以避免光照對(duì)器件性能的影響，同時(shí)具有較高的輸出效率。
[0008]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的目的之一是提供一種薄膜晶體管，包括形成在基板上的有源層、柵絕緣層、柵電極、源電極和漏電極，其中，所述有源層位于所述襯底之上，所述柵絕緣層、所述源電極和所述漏電極均位于所述有源層之上，所述柵電極位于所述柵絕緣層之上，其中，所述薄膜晶體管還包括位于所述襯底和所述有源層之間的屏蔽層，所述屏蔽層用于吸收外來(lái)光線。
[0009]進(jìn)一步地，所述屏蔽層包括金屬層以及位于所述金屬層之上的絕緣層，其中，所述金屬層用于吸收外來(lái)光線，所述絕緣層用于將所述有源層與所述金屬層絕緣隔開(kāi)。
[0010]進(jìn)一步地，所述有源層的材質(zhì)為氧化銦鎵鋅。
[0011]進(jìn)一步地，所述有源層的與所述源電極接觸的第一區(qū)以及與所述漏電極接觸的第二區(qū)均為η型重?fù)诫s區(qū)。
[0012]本發(fā)明的目的之二是提供一種薄膜晶體管的制造方法，其中，所述制造方法包括步驟:Α、在襯底上形成屏蔽層；Β、在所述屏蔽層上形成有源層C、在有源層上形成柵絕緣層，并對(duì)柵絕緣層進(jìn)行圖案化處理，以使有源層的第一區(qū)和第二區(qū)暴露；D、在所述柵絕緣層上形成柵電極；E、在襯底、所述第一區(qū)、所述第二區(qū)以及柵電極之上形成鈍化層，并對(duì)鈍化層進(jìn)行圖案化處理，以使所述第一區(qū)和所述第二區(qū)暴露；F、在鈍化層上形成源電極和漏電極，并使源電極和漏電極分別接觸所述第一區(qū)和所述第二區(qū)。
[0013]進(jìn)一步地，所述步驟A的形成所述屏蔽層的具體實(shí)現(xiàn)方式為:A1、在襯底上形成金屬層；A2、在所述金屬層上形成絕緣層。
[0014]進(jìn)一步地，所述有源層的材質(zhì)為氧化銦鎵鋅。
[0015]進(jìn)一步地，所述有源層的與所述源電極接觸的第一區(qū)域以及與所述漏電極接觸的第二區(qū)域均為η型重?fù)诫s區(qū)。
[0016]本發(fā)明的目的之三是提供一種薄膜晶體管陣列基板，包括透明基板以及陣列排布在所述透明基板上的若干薄膜晶體管，其中，所述薄膜晶體管為上述的薄膜晶體管。
[0017]本發(fā)明的目的之四是提供一種液晶面板，包括彩色濾光片基板、與所述彩色濾光片基板相對(duì)設(shè)置的薄膜晶體管陣列基板以及夾設(shè)在所述彩色濾光片基板和所述薄膜晶體管陣列基板之間的液晶層，其中，所述薄膜晶體管陣列基板為上述的薄膜晶體管陣列基板。
[0018]有益效果:
[0019]本發(fā)明的薄膜晶體管及其制造方法、薄膜晶體管陣列基板及液晶面板，通過(guò)增加一層用于吸收外來(lái)光線的屏蔽層，從而減小光照對(duì)器件性能的影響，增加器件的穩(wěn)定性，進(jìn)而提高平板顯示器的質(zhì)量；同時(shí)，該薄膜晶體管還通過(guò)重?fù)诫s的η型半導(dǎo)體與源電極和漏電極接觸，從而減小了其接觸阻抗，增加器件的輸出效率；而且，該薄膜晶體管可以沿用現(xiàn)有的工藝，方便大規(guī)模生產(chǎn)。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖2為本發(fā)明一實(shí)施例提供的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖3a為現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線圖；圖3b為圖2的薄膜晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線圖。
[0023]圖4a為現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管的輸出特性曲線圖；圖4b為圖2的薄膜晶體管的特性曲線圖。
[0024]圖5為本發(fā)明一實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制造方法的流程圖。
[0025]圖6為本發(fā)明一實(shí)施例提供的液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖7為本發(fā)明一實(shí)施例提供的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]為了更好地闡述本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)和結(jié)構(gòu)，以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0028]圖2為本發(fā)明的一實(shí)施例提供的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]參照?qǐng)D2，本發(fā)明的一實(shí)施例提供的薄膜晶體管包括形成在襯底110上的屏蔽層120、有源層130、柵絕緣層140、柵電極150、鈍化層160、源電極170和漏電極180。
[0030]具體而言，屏蔽層120沉積于襯底110上方，用于吸收外來(lái)光線，從而對(duì)本實(shí)施例的薄膜晶體管器件進(jìn)行保護(hù)；有源層130沉積于屏蔽層120上方的半導(dǎo)體層，作為一導(dǎo)電通道，在本實(shí)施例中為IGZO材料；柵絕緣層140沉積于有源層130上方的絕緣層，用于使柵電極150與有源層130、源電極170以及漏電極180絕緣，在本實(shí)施例中柵絕緣層140的材料可為氧化硅材料，當(dāng)然，在其他實(shí)施例中也可以為氮化硅等其他絕緣材料；柵電極150沉積于柵絕緣層140上方的金屬導(dǎo)體，用于接收柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，其所用材料可為Cr、T1、Al、Mo、Cu、Nd中的一種或幾種的合金；源電極170沉積于有源層130上方一側(cè)的金屬導(dǎo)體，用于接收源極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，其所用材料為Cr、T1、Al、Mo、Cu、Nd中的一種或幾種的合金；漏電極180沉積于有源層130上方另一側(cè)的金屬導(dǎo)體，用于接收漏極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，其所用材料為Cr、T1、Al,Mo,Cu,Nd中的一種或幾種的合金；鈍化層160沉積于襯底110、有源層130以及柵電極150上的絕緣層，用于對(duì)本實(shí)施例的薄膜晶體管器件進(jìn)行保護(hù)，在本實(shí)施例中鈍化層160所用的材料可為氧化硅材料，當(dāng)然，在其他實(shí)施例中也可以為氮化硅等其他絕緣材料，其中，柵電極150可位于源電極170和漏電極180之間，并且柵電極150與源電極170之間和柵電極150和漏電極180之間由鈍化層160彼此隔開(kāi)。另外，在本實(shí)施例中，襯底110為本實(shí)施例的薄膜晶體管提供支撐，其所用材料可為玻璃，當(dāng)然在其他實(shí)施例中也可以為軟性塑料。
[0031]此外，屏蔽層120包括一金屬層121和絕緣層122，金屬層121用于吸收外來(lái)光線，絕緣層122用于使有源層130與金屬層121絕緣。金屬層121優(yōu)選使用鉻和/或氧化鉻材料，絕緣層122材料優(yōu)選為氧化硅材料，這樣可以簡(jiǎn)化工藝，當(dāng)然，在其他的實(shí)施例中絕緣層122也可以采用氮化硅材料。
[0032]圖3a為現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線圖；圖3b為本實(shí)施例提供的薄膜晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線圖。
[0033]參照?qǐng)D3a和圖3b，現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管在漏、源極之間的電壓差為0.1V或IOV時(shí)，其閾值電壓均為一負(fù)數(shù)，這說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管的閾值電壓有負(fù)偏壓，這樣就使得柵電極輸入電壓為負(fù)值時(shí)現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管才會(huì)截止，相對(duì)的，當(dāng)柵極輸入電壓為一個(gè)較小的負(fù)值時(shí)就可以使現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管導(dǎo)通，這對(duì)使用于平板顯示器中的薄膜晶體管來(lái)說(shuō)是應(yīng)該避免的。而本實(shí)施例提供的薄膜晶體管由于屏蔽層120的引入，其在漏電極與源電極之間的電壓差為0.1V或者IOV時(shí)的閾值電壓均沒(méi)有偏壓(即沒(méi)有正偏壓也沒(méi)有負(fù)偏壓)，從而提高了器件的穩(wěn)定性。
[0034]進(jìn)一步地，本實(shí)施中，有源層130的材料可為銦鎵鋅氧化物(In-Ga-Zn-0，IGZ0)，但本發(fā)明不限于此。鈍化層160內(nèi)含的氫等離子高于柵絕緣層140內(nèi)含的氫等離子，而IGZO由于容易受到氫等離子的影響而形成η型摻雜，因此，有源層130就形成了兩端區(qū)域(即第一區(qū)131和第二區(qū)132)為η型重?fù)诫s區(qū)(即含有較高濃度的氫等離子的區(qū)域)，而中間區(qū)域133為η型區(qū)的結(jié)構(gòu)。這樣，源電極170和漏電極180分別與第一區(qū)131和第二區(qū)132相接觸，從而減小了源電極170和漏電極180分別與有源層130的接觸阻抗，可以提高器件輸出效率。
[0035]圖4a為現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管的輸出特性曲線圖；圖4b為本實(shí)施例提供的薄膜晶體管的特性曲線圖。
[0036]參照?qǐng)D4a，現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管的輸出電流Id隨著漏極與源極之間的電壓差Vds呈現(xiàn)線性增加；參照?qǐng)D4b，本實(shí)施例提供的薄膜晶體管的輸出電流Id隨著漏極與源極之間的電壓差Vds逐漸趨于飽和。而且，圖4b示出的本實(shí)施例的薄膜晶體管的輸出特性曲線與圖4a示出的現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管的輸出特性曲線相比，在漏極與源極之間的電壓差Vds相同的情況下，圖4b所示的輸出特性曲線中的輸出電流Id要高，因此可以獲得較大的輸出效率，并且本實(shí)施例提供的薄膜晶體管的阻抗(即圖4b所示的輸出特性曲線中，漏極與源極之間的電壓差Vds與輸出電流Id的比值)較低。
[0037]本發(fā)明還提供了一種薄膜晶體管的制造方法，具體請(qǐng)參照?qǐng)D5。圖5是本發(fā)明一實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制造方法的流程圖。
[0038]一并參照?qǐng)D2和圖5，本發(fā)明一實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟:
[0039]S1、在襯底110上形成屏蔽層120。在該步驟中，屏蔽層120沉積于襯底110上方，用于吸收外來(lái)光線，從而對(duì)按照本實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法制造的薄膜晶體管進(jìn)行保護(hù)；而襯底110的材料可優(yōu)選為玻璃，當(dāng)然在其他實(shí)施例中也可以為軟性塑料。
[0040]S2、在屏蔽層120上形成有源層130。在該步驟中，有源層130為沉積于屏蔽層120上方的半導(dǎo)體層，其作為一導(dǎo)電通道，且有源層130的材料可采用銦鎵鋅氧化物(In-Ga-Zn-0, IGZ0)。
[0041]S3、在有源層130上形成柵絕緣層140，并對(duì)柵絕緣層140進(jìn)行圖案化處理(例如可采用柵絕緣層光罩對(duì)柵絕緣層140進(jìn)行圖案化處理)，以使有源層130的兩端區(qū)域(即第一區(qū)131和第二區(qū)132)暴露。在該步驟中，柵絕緣層140為沉積于有源層130上方的絕緣層，在本實(shí)施例中柵絕緣層140的材料可為氧化硅材料，當(dāng)然，在其他實(shí)施例中也可以為氮化硅等其他絕緣材料，并且沉積柵絕緣層140時(shí)使用的氣體及其比例為:SiH4/N20〈l/65。
[0042]S4、在柵絕緣層140上形成柵電極150。在該步驟中，柵電極150為沉積于柵絕緣層140上方的金屬導(dǎo)體，用于接收柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，其所用材料可為Cr、T1、Al、Mo、Cu、Nd中的一種或幾種的合金；另外，柵電極150只沉積在柵絕緣層140之上，并且完全不覆蓋第一區(qū)131和第二區(qū)132。
[0043]S5、在襯底110、有源層130的第一區(qū)131和第二區(qū)132以及柵電極150之上形成鈍化層160，并對(duì)鈍化層160進(jìn)行圖案化處理(例如可采用鈍化層光罩對(duì)鈍化層160進(jìn)行圖案化處理)，以使有源層130的兩端區(qū)域(即第一區(qū)131和第二區(qū)132)或者有源層130的兩端區(qū)域(即第一區(qū)131和第二區(qū)132)的部分暴露出。在該步驟中，鈍化層160為絕緣層，其所用材料可為氧化硅，當(dāng)然，在其他實(shí)施例中也可以為氮化硅等其他絕緣材料，并且在沉積鈍化層160時(shí)使用的氣體及其比例為:SiH4/N20>l/50，如此，可使有源層130的兩端區(qū)域(SP第一區(qū)131和第二區(qū)132)形成η型重?fù)诫s區(qū)。
[0044]S6、在鈍化層160上形成源電極170和漏電極180，并使源電極170和漏電極180分別電連接第一區(qū)131和第二區(qū)132。由于源電極170和漏電極180分別電連接為η型重?fù)诫s區(qū)的第一區(qū)131和第二區(qū)132，所以可有效地降低源電極170和漏電極180分別與有源層130的接觸阻抗。在該步驟中，源電極170為沉積于有源層130的第一區(qū)131以及鈍化層160上方一側(cè)的金屬導(dǎo)體,用于接收源極驅(qū)動(dòng)信號(hào),其所用材料為Cr、T1、Al、Mo、Cu、Nd中的一種或幾種的合金；漏電極180為沉積于有源層130的第二區(qū)132以及鈍化層160上方另一側(cè)的金屬導(dǎo)體，用于接收漏極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，其所用材料為Cr、T1、Al、Mo、Cu、Nd中的一種或幾種的合金。另外，柵電極150位于源電極170和漏電極180之間，且三者彼此絕緣隔開(kāi)。
[0045]此外，在步驟SI中，形成屏蔽層120的具體實(shí)現(xiàn)方式包括以下步驟:
[0046]S11、在襯底110上形成金屬層121。在該步驟中，金屬層121用于吸收外來(lái)光線，其優(yōu)選使用鉻和/或氧化鉻材料。
[0047]S12、在金屬層121上形成絕緣層122。在該步驟中，絕緣層122用于使有源層130與金屬層121絕緣，其所用材料優(yōu)選為氧化硅材料，這樣可以簡(jiǎn)化工藝，當(dāng)然，在其他的實(shí)施例中絕緣層122也可以采用氮化硅材料。
[0048]本發(fā)明一實(shí)施例提供的薄膜晶體管或者由本發(fā)明一實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制造方法制造的薄膜晶體管通常用于液晶面板中，具體請(qǐng)參照?qǐng)D6和圖7。
[0049]圖6為本發(fā)明一實(shí)施例提供的液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖。圖7為本發(fā)明一實(shí)施例提供的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0050]參照?qǐng)D6和圖7，本發(fā)明一實(shí)施例提供的液晶面板包括彩色濾光片基板100、薄膜晶體管陣列基板200以及夾設(shè)在彩色濾光片基板100和薄膜晶體管陣列基板200之間的液晶層300。其中，液晶層300中包括若干液晶分子；與薄膜晶體管陣列基板200相對(duì)設(shè)置的彩色濾光片基板100也稱CF (Color Filter)基板，其通常包括透明基板(諸如玻璃基板)以及設(shè)置在透明基板上的黑色矩陣圖案、彩色光阻層(諸如紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)濾光片圖案)以及配向?qū)拥?。鑒于本發(fā)明中采用的彩色濾光片基板100與現(xiàn)有液晶面板中的彩色濾光片基板相同，因此其具體結(jié)構(gòu)可參照相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。
[0051]薄膜晶體管陣列基板200也稱TFT (Thin Film Transistor)基板，其通常包括透明基板(諸如玻璃基板)201以及陣列排布在透明基板201上的若干薄膜晶體管202，其主要作用是向液晶層300中的液晶分子提供驅(qū)動(dòng)電壓，以使液晶分子進(jìn)行偏轉(zhuǎn)，從而使光線可穿過(guò)液晶層300，進(jìn)而配合彩色濾光片基板100，使得液晶面板顯示影像，其中，薄膜晶體管202為上述的薄膜晶體管或者由上述的薄膜晶體管的制造方法制造的薄膜晶體管。
[0052]終上所述，本發(fā)明提供的薄膜晶體管，通過(guò)增加一層用于吸收外來(lái)光線的屏蔽層，從而減小光照對(duì)器件性能的影響，增加器件的穩(wěn)定性，進(jìn)而提高平板顯示器的質(zhì)量；同時(shí)，該薄膜晶體管還通過(guò)重?fù)诫s的η型半導(dǎo)體與源電極和漏電極接觸，從而減小了其接觸阻抗，增加器件的輸出效率；而且，該薄膜晶體管可以沿用現(xiàn)有的工藝，方便大規(guī)模生產(chǎn)。
[0053]需要說(shuō)明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類(lèi)的關(guān)系術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開(kāi)來(lái)，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。
[0054]雖然本發(fā)明是參照其示例性的實(shí)施例被具體描述和顯示的，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)其進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)的各種改變。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管，包括形成在基板上的有源層(130)、柵絕緣層(140)、柵電極(150 )、源電極(170 )和漏電極(180 )，其中，所述有源層(130 )位于所述襯底(110)之上，所述柵絕緣層(140)、所述源電極(170)和所述漏電極(180)均位于所述有源層(130)之上，所述柵電極(150)位于所述柵絕緣層(140)之上，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括位于所述襯底(110)和所述有源層(130)之間的屏蔽層(120)，所述屏蔽層(120)用于吸收外來(lái)光線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述屏蔽層(120)包括金屬層(121)以及位于所述金屬層(121)之上的絕緣層(122)，其中，所述金屬層(121)用于吸收外來(lái)光線，所述絕緣層(122)用于將所述有源層(130)與所述金屬層(121)絕緣隔開(kāi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層(130)的材質(zhì)為氧化銦鎵鋅。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層(130)的與所述源電極(170)接觸的第一區(qū)(131)以及與所述漏電極(180)接觸的第二區(qū)(132)均為η型重?fù)诫s區(qū)。
5.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括步驟: Α、在襯底(110)上形成屏蔽層(120)； B、在所述屏蔽層(120)上形成有源層(130); C、在有源層(130)上形成柵絕緣層(140)，并對(duì)柵絕緣層(140)進(jìn)行圖案化處理，以使有源層(130)的第一區(qū)(131)和第二區(qū)(132)暴露； D、在所述柵絕緣層(140)上形成柵電極(150)； Ε、在襯底(110)、所述第一區(qū)(131)、所述第二區(qū)(132)以及柵電極(150)之上形成鈍化層(160)，并對(duì)鈍化層(160)進(jìn)行圖案化處理，以使所述第一區(qū)(131)和所述第二區(qū)(132)暴露； F、在鈍化層(160)上形成源電極(170)和漏電極(180)，并使源電極(170)和漏電極(180)分別接觸所述第一區(qū)(131)和所述第二區(qū)(132)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述步驟A中形成所述屏蔽層(120)的具體實(shí)現(xiàn)方式為: Al、在襯底(110)上形成金屬層(121)； Α2、在所述金屬層(121)上形成絕緣層(122)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的制造方法，其特征在于，所述有源層(130)的材質(zhì)為氧化銦鎵鋅。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第一區(qū)(131)與所述第二區(qū)(132)均為η型重?fù)诫s區(qū)。
9.一種薄膜晶體管陣列基板，包括透明基板(201)以及陣列排布在所述透明基板(201)上的若干薄膜晶體管(202)，其特征在于，所述薄膜晶體管(202)為權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。
10.一種液晶面板，包括彩色濾光片基板(100)、與所述彩色濾光片基板(100)相對(duì)設(shè)置的薄膜晶體管陣列基板(200)以及夾設(shè)在所述彩色濾光片基板(100)和所述薄膜晶體管陣列基板(200)之間的液晶層，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板(200)為權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管陣 列基板。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK103762244SQ201310631869
【公開(kāi)日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2013年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月29日
【發(fā)明者】蘇智昱 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司