有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種防止電壓降的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括：基板；在基板上的第一電極；在第一電極上的有機(jī)發(fā)光層；在包括有機(jī)發(fā)光層的基板上的第二電極；和面對(duì)所述基板的封裝基板，其中所述封裝基板是由金屬材料形成，并與第二電極電連接。
【專(zhuān)利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]根據(jù)近年來(lái)多媒體的發(fā)展，人們對(duì)平板顯示器的需求不斷增加。為了滿(mǎn)足這一增長(zhǎng)的需求，諸如液晶顯示裝置、等離子體顯示面板和有機(jī)發(fā)光顯示裝置的各種平板顯示器被實(shí)際使用。在各種平板顯示器中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置由于響應(yīng)速度快而受到了高度關(guān)注。另外，由于在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中包括的內(nèi)部元件是由固體材料形成，因此有機(jī)發(fā)光顯示裝置針對(duì)外力具有良好的耐久性，而且還可以允許大的使用溫度范圍。
[0003]特別地，相比于現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置，有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造工藝被簡(jiǎn)化，能夠降低制造成本。
[0004]圖1示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的底部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
[0005]如圖1所不，有機(jī)發(fā)光顯不裝置10包括第一基板I和面對(duì)第一基板I的第二基板2，其中，第一基板I和第二基板2之間設(shè)置有預(yù)定間隔，并且通過(guò)使用沿它們邊緣設(shè)置的密封圖案20而彼此封裝并且結(jié)合。
[0006]更詳細(xì)地，在第一基板I上的每個(gè)像素區(qū)(P)中形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DTr)。此外，在第一基板I上依次沉積有構(gòu)成發(fā)光二極管(E)的第一電極11,有機(jī)發(fā)光層13以及第二電極15。第一電極11與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DTr)電連接。
[0007]在這種情況下，第一電極11是由透明的導(dǎo)電材料形成，并且第二電極15是由不透明的導(dǎo)電材料形成。因此，從有機(jī)發(fā)光層發(fā)射的光被引導(dǎo)向第一電極11。
[0008]同時(shí)，為了防止有機(jī)發(fā)光顯示裝置10的壽命因?yàn)轵?qū)動(dòng)方式所產(chǎn)生的熱量以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DTr)的降解而縮短，如圖1所示，將絕熱板30貼附到第二基板2的外表面。
[0009]由于現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的尺寸增加，第二電極15的面積增大，使得電阻值增加，由此會(huì)發(fā)生電壓降(IR降)。此外，隨著第二電極15的電阻增加而使得電壓降增大，功率消耗也增加，并且有機(jī)發(fā)光顯示裝置的亮度不均勻，由此，有機(jī)發(fā)光顯示裝置難以實(shí)現(xiàn)良好的可靠性。
[0010]已經(jīng)提出了增加第二電極15的厚度來(lái)防止由于第二電極15的電阻增加而引起的電壓降的方法。然而，即使可由于第二電極15的厚度增加來(lái)防止電壓降，但是有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造成本增加，并且有機(jī)發(fā)光顯示裝置的重量和厚度增加。
[0011]特別是，由于現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置采用基于碳的絕熱板，所以現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的重量和厚度大幅增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)所造成的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。
[0013]本發(fā)明的實(shí)施例的一個(gè)方面是提供一種能夠防止電壓降的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，以及用于制造該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
[0014]本發(fā)明的實(shí)施例的另一個(gè)方面是提供一種重量輕、厚度薄的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，以及用于制造該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
[0015]在下面的描述中將說(shuō)明本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)，部分特征和優(yōu)點(diǎn)將在描述中變得顯而易見(jiàn)，或者可通過(guò)對(duì)本發(fā)明的實(shí)施而獲悉。通過(guò)在本申請(qǐng)說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)，將實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)。
[0016]為了實(shí)現(xiàn)這些和其他優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此具體和概括描述的，提供一種有機(jī)發(fā)光顯不裝置，其可包括:基板；在基板上的第一電極；在第一電極上的有機(jī)發(fā)光層；在包括有機(jī)發(fā)光層的基板上的第二電極；和面對(duì)所述基板的封裝基板，其中所述封裝基板是由金屬材料形成，并與第二電極電連接。
[0017]在本發(fā)明的實(shí)施方式的另一方面，提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其可包括在基板的預(yù)定區(qū)域上形成第一電極；在第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層；在包括有機(jī)發(fā)光層的基板上形成第二電極；和將金屬材料的封裝基板與所述基板結(jié)合，以使封裝基板和第二電極彼此電連接。
[0018]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明前面的一般描述和以下詳細(xì)描述都是示例性和解釋性的，并且旨在對(duì)所要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]附圖提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且并入說(shuō)明書(shū)而組成說(shuō)明書(shū)的一部分。所述附圖示出本發(fā)明的示范性的實(shí)施方式，并且與說(shuō)明書(shū)文字一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0020]圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖；
[0021]圖2是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖；
[0022]圖3是示出圖2的像素的剖視圖；
[0023]圖4是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖；以及
[0024]圖5A-?是示出制造根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的工藝的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的實(shí)施例，附圖中圖示出了這些實(shí)施例的范例。盡可能地，在整個(gè)附圖中使用相同的附圖標(biāo)記表示相同或者類(lèi)似的部件。
[0026]在解釋本發(fā)明的實(shí)施方式時(shí)，應(yīng)理解有關(guān)術(shù)語(yǔ)的以下細(xì)節(jié)。
[0027]如果在上下文中沒(méi)有具體的定義，那么單數(shù)表達(dá)的術(shù)語(yǔ)應(yīng)被理解為包括復(fù)數(shù)表達(dá)以及單數(shù)表達(dá)。如果使用諸如“第一”或“第二”的術(shù)語(yǔ)，那么是將任何一種元件與其他元件分開(kāi)。因此，權(quán)利要求書(shū)的范圍不受這些術(shù)語(yǔ)的限制。
[0028]此外，應(yīng)當(dāng)理解的是，諸如“包括”或“具有”的術(shù)語(yǔ)并不排除存在或可能存在一種或多種特征、數(shù)量、步驟、操作、元件、部件或它們的組合。
[0029]應(yīng)當(dāng)理解的是，術(shù)語(yǔ)“至少其一”包括與任何一個(gè)項(xiàng)目相關(guān)的所有組合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件中的至少其一”可以包括從所述第一、第二和第三元件中選定的兩個(gè)或更多個(gè)元件的所有組合以及所述第一、第二和第三元件中的每個(gè)元件。
[0030]此外，如果提到第一元件被定位在第二元件“上或上方”，應(yīng)當(dāng)理解的是，第一和第二元件可彼此接觸，或可在第一和第二元件之間插入第三元件。然而，如果使用“就在上或上方”，應(yīng)該理解的是，第一和第二元件彼此接觸。
[0031]在下文中，將參照附圖詳細(xì)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
[0032]圖2是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
[0033]通常，根據(jù)被發(fā)射光的傳輸方向，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以分為頂部發(fā)光型和底部發(fā)光型。參照?qǐng)D2，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以是底部發(fā)光型。
[0034]如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括基板100，封裝基板200，輔助電極300和密封圖案400。
[0035]首先，基板100可以包括薄膜晶體管(TFT)區(qū)與發(fā)光二極管區(qū)。通過(guò)TFT區(qū)和發(fā)光二極管區(qū)的組合可以限定像素(P)。
[0036]將參照?qǐng)D3詳細(xì)說(shuō)明在基板100的TFT區(qū)中形成的薄膜晶體管和在發(fā)光二極管區(qū)中形成的發(fā)光二極管。
[0037]圖3是示出圖2所示的像素的放大的剖視圖。如圖3所示，在TFT區(qū)形成包括柵電極110，有源層130，蝕刻阻擋層140，源電極150a和漏電極150b的薄膜晶體管。雖然未示出，但是可以在TFT區(qū)中另外形成濾色器層。
[0038]此外,在發(fā)光二極管區(qū)形成包括第一電極170,有機(jī)發(fā)光層180和第二電極190的
發(fā)光二極管。
[0039]更具體地，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可包括基板100，柵電極110，柵極絕緣膜120，有源層130，蝕刻阻擋層140，源電極150a，漏極電極150b，鈍化膜160，平坦化層165，第一電極170，堤層175，有機(jī)發(fā)光層180和第二電極190。
[0040]通常，基板100是由玻璃形成。然而，基板100可以由具有柔性的透明塑料，例如聚酰亞胺形成。由于在基板100上的高溫沉積工藝，如果形成聚酰亞胺基板100，就需要使用耐受高溫的具有良好的耐熱性的聚酰亞胺。
[0041]在基板100上圖案化柵電極110。柵電極110可以由鑰(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銅(Cu)或它們的合金形成。此外，柵電極110可以形成為上述金屬材料或它們的合金的單層結(jié)構(gòu)，或可以形成為上述金屬材料或它們的合金的多層結(jié)構(gòu)。
[0042]在柵電極110上形成柵極絕緣膜120，其中，所述柵極絕緣膜120將柵電極110與有源層130電絕緣。柵絕緣膜120可以由無(wú)機(jī)絕緣材料形成，例如氧化硅或氮化硅，但不局限于這些材料。例如，柵極絕緣膜120可以由有機(jī)絕緣材料形成，例如光丙烯酸類(lèi)或苯并環(huán)丁烯(BCB)。
[0043]在柵極絕緣膜120圖案化有源層130。有源層130可以與柵電極110重疊。有源層130可以由氧化物半導(dǎo)體形成，例如In-Ga-Zn-O(IGZO)，但并不局限于這種材料。例如，有源層130可以由基于硅的半導(dǎo)體形成。
[0044]在有源層130圖案化蝕刻阻擋層140。蝕刻阻擋層140在用于構(gòu)圖源電極150a和漏電極150b的蝕刻工藝期間，防止有源層130的溝道區(qū)被蝕刻。蝕刻阻擋層140可以由無(wú)機(jī)絕緣材料如氧化硅或氮化硅形成，但不局限于這些材料。如果需要，可以省略蝕刻阻擋層140。
[0045]在蝕刻阻擋層140上圖案化彼此面相向的源電極150a和漏電極150b。設(shè)置在蝕刻阻擋層140上的源電極150a在有源層130的一個(gè)方向延伸，由此延伸的源電極150a與有源層130相連接。同時(shí)，設(shè)置在蝕刻阻擋層140上的漏極電極150b在有源層130的另一方向上延伸，由此，延伸的漏極電極150b與有源層130相連接。源電極150a和漏電極150b可以由鑰(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銅(Cu)或它們的合金形成。此外，源電極150a和漏電極150b中每一個(gè)可形成為上述金屬材料或它們的合金的單層結(jié)構(gòu)，或可以形成為上述金屬材料或它們的合金的多層結(jié)構(gòu)。
[0046]在源電極150a和漏電極150b上形成鈍化膜160。鈍化膜160可以由無(wú)機(jī)絕緣材料如氧化硅或氮化硅形成，但不局限于這些材料。例如，鈍化膜160可以由有機(jī)絕緣材料如光丙烯酸類(lèi)或苯并環(huán)丁烯(BCB)形成。
[0047]在柵極絕緣膜120上形成平坦化層165，從而允許有機(jī)發(fā)光顯示裝置的良好的階梯覆蓋。平坦化層165可以由有機(jī)絕緣材料，例如光丙烯酸類(lèi)或苯并環(huán)丁烯(BCB)形成。
[0048]在平坦化層165上圖案化第一電極170。第一電極170通過(guò)在平坦化層165和鈍化膜160中的接觸孔與漏電極150b相連接。根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置是底部發(fā)光型。因此，第一電極170可以由具有高功函值的透明導(dǎo)電材料形成，例如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(ΙΖ0)，由此，第一電極170可以用作陽(yáng)極電極。
[0049]在平坦化層165上形成堤層175。具體地，該堤層175被圖案化為與薄膜晶體管重疊，并且由堤層175限定所述發(fā)光二極管區(qū)。堤層175可以由有機(jī)絕緣材料形成，例如聚酰亞胺、光丙烯酸類(lèi)或苯并環(huán)丁烯(BCB)，但不局限于這些材料。
[0050]在第一電極170上形成有機(jī)發(fā)光層180。雖然未示出，但有機(jī)發(fā)光層180可以形成為空穴注入層/空穴傳輸層/有機(jī)發(fā)光層/電子傳輸層/電子注入層的沉積結(jié)構(gòu)。在這種情況下，可以省略空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層中的一層、兩層或更多層。有機(jī)發(fā)光層180可以向各像素發(fā)射具有相同顏色的光，例如，白色光，或者可以向各像素發(fā)射具有不同顏色的光，例如，紅色光、綠色光或藍(lán)色光。
[0051]在有機(jī)發(fā)光層180上形成第二電極190。第二電極190可以被共同應(yīng)用于所有像素，而不被每個(gè)像素分割。也就是，第二電極190可形成在堤層175以及有機(jī)發(fā)光層180上。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置是底部發(fā)光型。因此，第二電極190可以由不透明的導(dǎo)電材料形成，由此，第二電極190可以用作陰極電極。例如，第二電極190可以由功函值比第一電極170相對(duì)低的金屬材料形成，例如，選自鋁(Al)、鋁合金(ALNd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)和鋁鎂合金(AlMg)的任何一種金屬材料。
[0052]圖3所示的薄膜晶體管僅僅是一個(gè)實(shí)例。也就是說(shuō)，薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)可以改變。例如，圖3的薄膜晶體管具有其中柵電極110設(shè)置在有源層130下面的底柵結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的修改的實(shí)施例中，薄膜晶體管可具有其中柵電極110設(shè)置在有源層130上方的頂柵結(jié)構(gòu)。
[0053]再次參照?qǐng)D2，封裝基板200面對(duì)基板100，同時(shí)被粘接到基板100，從而允許封裝有機(jī)發(fā)光顯示裝置。如圖2所示，封裝基板200可包括基膜210、連接層220和金屬氧化物層 230。[0054]基膜210可以由金屬材料形成。根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，封裝基板200中包括的基膜210可以由含鎂(Mg)的金屬材料形成。
[0055]在本發(fā)明中，基膜210由含鎂(Mg)的金屬材料形成。這是因?yàn)殒V(Mg)由于高導(dǎo)熱性可允許熱絕緣功能。因此，由于在封裝基板200中包括的基膜210是由含鎂的金屬材料(Mg)形成，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置不需要絕熱板(如現(xiàn)有技術(shù)的風(fēng)扇或熱管)，以致本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置能夠?qū)崿F(xiàn)輕薄化。
[0056]在對(duì)應(yīng)于基膜210的面對(duì)基板100的表面的第一表面上形成連接層220。連接層220通過(guò)輔助電極300與形成在基板100上的第二電極190電連接。
[0057]因此，連接層220可以由導(dǎo)電金屬材料形成。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，連接層220可由使用銀(Ag )、鈦(T i )、鎢(W )和鐵(Fe )中的任何一種與基膜210用的金屬材料鎂(Mg)的合金形成。
[0058]根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，連接層220可通過(guò)使用選自銀(Ag)、鈦(Ti)、鎢(W)和鐵(Fe)中的任何一種金屬材料，在基膜210的第一表面上進(jìn)行等離子體處理而形成。
[0059]接著，在基膜210中與第一表面相對(duì)的第二表面上形成金屬氧化物層230,其中連接層220形成在基膜210的第一表面上。在本發(fā)明中，金屬氧化物層230形成在基膜210的第二表面上。這是因?yàn)檫@種結(jié)構(gòu)有利于使基膜210與外部絕緣，并且還使鎂(Mg)基膜210的整個(gè)區(qū)域均勻地氧化。
[0060]根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，金屬氧化物層230可以通過(guò)陽(yáng)極氧化基膜210的第二表面形成。
[0061]在這種情況下，上述陽(yáng)極氧化是一種電鍍技術(shù)。即，在將基膜210的第二表面浸入電解液的情況下，將電流施加到充當(dāng)陽(yáng)極的基膜210，從而通過(guò)陽(yáng)極所產(chǎn)生的氧氣來(lái)氧化基膜210的第二表面。
[0062]在本發(fā)明中，使用鎂(Mg)形成預(yù)定厚度的基膜210。因此，代替氧化基膜210的整個(gè)區(qū)域，僅將基膜210的第二表面改變?yōu)檠趸V(MgO)，并且在基膜210的第二表面上形成金屬氧化物層230。
[0063]在上述本發(fā)明的實(shí)施方式中，金屬氧化物層230是通過(guò)陽(yáng)極氧化形成的，但并不局限于此方法。金屬氧化物層230可以通過(guò)各種方法來(lái)形成。例如，可以通過(guò)在基膜210的第二表面上進(jìn)行等離子體處理來(lái)形成金屬氧化物層230。
[0064]在本發(fā)明中，封裝基板200面對(duì)基板100的表面由導(dǎo)電合金制成，并且也與第二電極190電連接，從而降低了第二電極190的電阻，并防止電壓降。
[0065]此外，由于封裝基板200的基膜210是由具有良好的導(dǎo)熱性的鎂(Mg)形成，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以不使用額外的絕熱板而提高熱絕緣效率。此外，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置不使用額外的絕熱板，以至于本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置能夠?qū)崿F(xiàn)輕薄化。
[0066]然后，輔助電極300使第二電極190與封裝基板200電連接。如圖2所示，輔助電極300可包括阻擋物310和連接電極320。
[0067]具有預(yù)定高度的阻擋物310形成在基板100的非發(fā)光區(qū)，使得連接電極320與封裝基板200相接觸。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，如圖4所示，阻擋物310可以在基板100上的發(fā)光區(qū)外周形成框形的閉合回路。
[0068]只要滿(mǎn)足該阻擋物310具有使連接電極320與封裝基板200接觸的預(yù)定高度，那么阻擋物310可以由任何材料形成而沒(méi)有限制。
[0069]根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，可使用形成薄膜晶體管所用的材料將阻擋物310與薄膜晶體管形成相同的層結(jié)構(gòu)，或者可以使用在薄膜晶體管中包括的層中的一些層，來(lái)形成阻擋物310。
[0070]此外，阻擋物310可通過(guò)在薄膜晶體管中包含的層中的至少一些層上另外沉積平坦化層160、第一電極170和堤層175中的至少其一而形成。
[0071]根據(jù)第一實(shí)例，阻擋物310可以具有這樣的層結(jié)構(gòu)，即形成柵電極110，在柵電極110上形成柵極絕緣膜120，在柵極絕緣膜120上形成有源層130，在有源層130上形成蝕刻阻擋層140，在蝕刻阻擋層140上形成源電極150a和漏電極150b，在源極150a和漏極電極150b上形成鈍化膜160，和在鈍化膜160上形成平坦化層165。
[0072]根據(jù)第二實(shí)例，阻擋物310可以具有這樣的層結(jié)構(gòu)，即在上面的第一實(shí)例中所示的層結(jié)構(gòu)上依次沉積第一電極170和堤層175，或者可以具有這樣的層結(jié)構(gòu)，即在上面的第一實(shí)例中所示的層結(jié)構(gòu)上另外沉積第一電極170和堤層175中的任何一個(gè)。
[0073]此外，阻擋物310可具有依次沉積柵電極110，源電極150a和漏電極150b，以及第一電極170的層結(jié)構(gòu)；可以具有依次沉積柵電極110,源電極和漏電極150a和150b,第一電極170以及堤層175的層結(jié)構(gòu)；可以具有依次沉積柵電極110，柵極絕緣膜120，源極150a和漏電極150b，以及第一電極170的層結(jié)構(gòu)，或者可以具有依次沉積柵電極110，柵極絕緣膜120，源電極150a和漏電極150b，第一電極170以及堤層175的層結(jié)構(gòu)。
[0074]然后，在阻擋物310上形成連接電極320，并使連接電極320與封裝基板200相接觸。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，如圖2所示，連接電極320可以與第二電極190形成為一體。
[0075]因?yàn)楸景l(fā)明的連接電極320與第二電極190形成為一體，并同時(shí)與封裝基板200相接觸，第二電極190與封裝基板200電連接，從而第二電極190的表面電阻降低，而第二電極190的厚度沒(méi)有增加，從而防止了由第二電極190引起的電壓降。
[0076]再次參照?qǐng)D2，密封圖案400被插入基板100和封裝基板200之間，從而將基板100和封裝基板200彼此粘合。密封圖案400的形狀可以改變。
[0077]例如，如圖2-4所示，密封圖案400可以包括在輔助電極300的外周、形成為圍繞輔助電極300的框形的閉合回路的第一密封圖案410，或者還可以包括用于覆蓋輔助電極300內(nèi)部的發(fā)光區(qū)的第二密封圖案420。
[0078]在下文中，將在下面詳細(xì)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法。
[0079]圖5A-?是示出制造根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的工藝的剖視圖，其涉及制造圖2和3所示的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的工藝。在下文中，將省略對(duì)于每個(gè)元件的材料和結(jié)構(gòu)的詳細(xì)說(shuō)明。
[0080]首先，如圖5A所示，在基板100上形成薄膜晶體管(T)，并在基板100上形成與所述薄膜晶體管(T)電連接的第一電極170。然后,在第一電極170上形成有機(jī)發(fā)光層180。
[0081]在這種情況下，可通過(guò)用于形成薄膜晶體管(T)的一般方法制造薄膜晶體管(T)。另外，該用于制造薄膜晶體管(T)的方法不是重點(diǎn)，由此將省略對(duì)薄膜晶體管(T)的制造工藝的詳細(xì)說(shuō)明。
[0082]然后，如圖5B所示，在基板100的非發(fā)光區(qū)形成阻擋物310。根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，可于基板100的發(fā)光區(qū)的外周形成框形的閉合回路的阻擋物310。
[0083]為了便于說(shuō)明，圖5B示出了在薄膜晶體管(T)、第一電極170和有機(jī)發(fā)光層180之后形成阻擋物310，但并不局限于此方法。
[0084]例如，阻擋物310可與薄膜晶體管(T)、第一電極170和有機(jī)發(fā)光層180在同一時(shí)間制造；或者在形成第一電極170和有機(jī)發(fā)光層180之前，在制造薄膜晶體管(T)的過(guò)程中制造。
[0085]例如，阻擋物310可以是在形成薄膜晶體管(T)的過(guò)程中，通過(guò)使用用于形成薄膜晶體管(T)的材料，形成與薄膜晶體管(T)相同的層結(jié)構(gòu)，或者阻擋物310可以通過(guò)另外沉積平坦化層160、第一電極170和堤層175中的至少其一，形成在薄膜晶體管中包含的至少
一些層上。
[0086]如圖5C所示，在包括有機(jī)發(fā)光層180和阻擋物310的基板100上形成第二電極190。第二電極190以這樣的方式提供，即第二電極190被共同應(yīng)用于所有像素而不被每個(gè)像素所分割。在這種情況下，在阻擋物310上提供的第二電極190形成連接電極320，由此在基板100上形成輔助電極300。
[0087]然后，如圖所示，使用密封圖案400使基板100和封裝基板200彼此結(jié)合。在這種情形下，密封圖案400可包括在輔助電極300的外周、圍繞輔助電極300的第一密封圖案410以及覆蓋輔助電極300內(nèi)部的發(fā)光區(qū)的第二密封圖案420。
[0088]同時(shí)，當(dāng)將基板100和封裝基板200彼此結(jié)合時(shí)，封裝基板200與輔助電極300相接觸。由于與第二電極190電連接的輔助電極300是與封裝基板200電連接，因此能夠防止由第二電極190的電阻造成的電壓降。
[0089]根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，可以通過(guò)使用銀(Ag)、鈦(Ti )、鎢(W)和鐵(Fe)中的任何一種與鎂(Mg)的合金在鎂(Mg)基膜210的第一表面上形成連接層220，以及通過(guò)在基膜210的第二表面上的陽(yáng)極化處理來(lái)形成金屬氧化物層230，制造封裝基板200。在這種情況下，連接層200可通過(guò)在基膜210的第一表面上進(jìn)行等離子體處理來(lái)形成。
[0090]基膜210的第一面是指與第二電極190相連接的表面，并且基膜210的第二表面是指與設(shè)有連接層220的表面相反的表面。
[0091]另外，在上述本發(fā)明的實(shí)施方式中，金屬氧化物層230是由陽(yáng)極氧化技術(shù)形成的，但并不局限于此方法。金屬氧化物層230可以通過(guò)各種方法來(lái)制造。例如，金屬氧化物層230可以通過(guò)在基膜210的第二表面上進(jìn)行等離子體處理來(lái)制造。
[0092]根據(jù)本發(fā)明，封裝基板200的面對(duì)基板100的表面是由導(dǎo)電合金制成的，并且封裝基板200的表面與輔助電極300電連接，由此能夠減小第二電極190的電阻，從而防止電壓降。
[0093]在本發(fā)明中，封裝基板200的基膜210是由具有良好的導(dǎo)熱性的含鎂(Mg)的金屬材料形成。因此，即使沒(méi)有額外的絕熱板，也能夠提高有機(jī)發(fā)光顯示裝置的熱絕緣效率。此夕卜，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置不需要額外的絕熱板，以至于本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置能夠?qū)崿F(xiàn)輕薄化。
[0094]根據(jù)本發(fā)明，金屬材料的封裝基板200電連接第二電極190，這樣不需增加第二電極190的厚度就能夠防止由于第二電極190的電阻增加所造成的電壓下降，從而降低了有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造成本。[0095]由于防止了因第二電極190的電阻增加所造成的電壓下降，因此能夠防止功耗增力口，同時(shí)也實(shí)現(xiàn)了均勻的亮度，從而提高了有機(jī)發(fā)光顯示裝置的可靠性。
[0096]此外，由于金屬材料的封裝基板200用作絕熱功能，因此沒(méi)有必要提供額外的絕熱板，從而使有機(jī)發(fā)光顯示裝置最大限度地輕薄化。
[0097]對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的是可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變型而不脫離本發(fā)明的精神或范圍。因此，只要這些修改和變型在所附權(quán)利要求及其等同物的范圍之內(nèi)，本發(fā)明意圖覆蓋這些修改和變型。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括: 基板； 在基板上的第一電極； 在第一電極上的有機(jī)發(fā)光層； 在包括有機(jī)發(fā)光層的基板上的第二電極；和 面對(duì)所述基板的封裝基板， 其中所述封裝基板是由金屬材料形成，并與第二電極電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述封裝基板包括: 由包括鎂(Mg)的金屬材料形成的基膜； 連接層，由導(dǎo)電性金屬材料形成在基膜的第一表面上，以允許與所述第二電極電連接；和 形成在基膜的第二表面上的金屬氧化物層，所述第二表面與基膜的第一表面相對(duì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述連接層是由選自銀(Ag)、鈦(Ti)、鎢(W)和鐵(Fe)中的任何一種與鎂(Mg)的合金形成的。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述金屬氧化物層是通過(guò)在基膜的第二表面上執(zhí)行陽(yáng)極化處理或等離子體處理而形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括在基板的非發(fā)光區(qū)中的輔助電極，其中第二電極與封裝基板是通過(guò)使用輔助電極彼此電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述輔助電極包括: 阻擋物，在基板的非發(fā)光區(qū)外周上、形成為圍繞發(fā)光區(qū)的閉合回路；和 連接電極，設(shè)置在阻擋物上并與第二電極形成為一體。
7.—種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，包括: 在基板的預(yù)定區(qū)域上形成第一電極； 在第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層； 在包括有機(jī)發(fā)光層的基板上形成第二電極；和 將金屬材料的封裝基板與所述基板結(jié)合，以使封裝基板和第二電極彼此電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括: 制造該封裝基板， 其中制造封裝基板的方法包括: 使用導(dǎo)電性金屬材料，在由含有鎂(Mg)的金屬材料形成的基膜的第一表面上進(jìn)行等離子體處理，形成連接層；和 在基膜的與第一表面相對(duì)的第二表面上執(zhí)行陽(yáng)極化處理或等離子體處理，形成金屬氧化物層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述導(dǎo)電金屬材料包括選自銀(Ag)、鈦(Ti)、鎢(W)和鐵(Fe)的至少其一。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括: 在基板的非發(fā)光區(qū)上形成圍繞基板的發(fā)光區(qū)的阻擋物；和 在阻擋物上提供連接電極，其中所述連接電極與第二電極形成為一體， 其中所述封裝基板通過(guò)連接電極與第二電極電連接。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK103855322SQ201310632520
【公開(kāi)日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2013年12月2日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月4日
【發(fā)明者】安炳喆, 李鳳錦 申請(qǐng)人:樂(lè)金顯示有限公司