半導體模塊及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種能夠被容易地制造的半導體模塊和一種制造該半導體模塊的方法。所述半導體模塊包括：控制部，包括至少一個控制器件；功率部，包括至少一個功率器件，其中，控制部和功率部中的任何一個包括具有彈性的接觸引腳，控制部和功率部通過接觸引腳彼此電連接。
【專利說明】半導體模塊及其制造方法
[0001]本申請要求于2012年12月12日提交到韓國知識產權局的第10_2012_0144256號韓國專利申請的權益，該韓國專利申請的公開通過引用被包含于此。
【技術領域】
[0002]本公開涉及一種半導體模塊以及一種制造該半導體模塊的方法，更具體地說，涉及一種能夠被容易地制造的功率半導體模塊以及一種制造該功率半導體模塊的方法。
【背景技術】
[0003]近來，對便攜式電子產品的需求快速增長。為了滿足該需求，減小安裝在這種便攜式電子產品中的電子組件的尺寸和重量是必要的。
[0004]因此，除了減小電子組件自身尺寸的方法之外，在設計半導體模塊時，在有限空間中盡可能多地安裝器件和導線的方法也很重要。
[0005]同時，在驅動功率半導體器件時，會產生大量的熱。由于這種熱對電子產品的壽命和操作有影響，因此輻射半導體模塊的熱是重要的。
[0006]為此，根據(jù)相關技術中的功率半導體模塊具有功率器件和控制器件兩者安裝在電路板的一個表面上而熱輻射板安裝在電路板的另一表面上的結構。
[0007]然而，如上所述的根據(jù)相關技術的功率半導體模塊會具有下述問題。
[0008]首先，由于功率半導體模塊的小型化，安裝在相同空間中的半導體器件的數(shù)量增力口，從而在功率半導體模塊中可以產生大量的熱。然而，熱輻射板僅設置在功率半導體模塊的下表面上，使得熱不能被有效地輻射。
[0009]另外，根據(jù)相關技術的功率半導體模塊的缺點在于:由于器件設置在電路板的單個表面上，因此功率半導體模塊的尺寸會增加。
[0010]此外，設置在根據(jù)相關技術的功率半導體模塊中的器件或者器件和外部連接端子通常通過引線鍵合方式彼此連接。因此，由于引線鍵合導致制造工藝所需的時間增加。另夕卜，由于在制造功率半導體模塊過程中施加到鍵合引線的物理壓力導致鍵合引線會變形和被損壞，并且由于在驅動半導體模塊時產生的熱導致在鍵合引線和器件彼此結合的位置處會產生分層，從而在長時間使用功率半導體模塊時可靠性會降低。
[0011]因此，需要一種具有優(yōu)異的熱輻射特性、能夠容易地被制造并且使可靠性得到保證的功率半導體模塊。
[0012][相關技術文件]
[0013](專利文件I)第2007-0065207號韓國專利特開公布
【發(fā)明內容】

[0014]本公開的一方面可以提供一種具有優(yōu)異的熱輻射特性的功率半導體模塊和一種制造該功率半導體模塊的方法。
[0015]本公開的另一方面可以提供一種不使用鍵合引線的功率半導體模塊和一種制造該功率半導體模塊的方法。
[0016]本公開的另一方面可以提供一種能夠容易地被制造的功率半導體模塊和一種制造該功率半導體模塊的方法。
[0017]根據(jù)本公開的一方面，一種半導體模塊可以包括:控制部，包括至少一個控制器件；功率部，包括至少一個功率器件，其中，控制部和功率部中的任何一個包括具有彈性的接觸引腳，控制部和功率部通過接觸引腳彼此電連接。
[0018]控制部可以包括至少一個控制模塊基板，控制器件安裝在控制模塊基板的一個表面上，接觸引腳可以安裝在控制模塊基板的另一個表面上。
[0019]控制部還可以包括殼體，殼體將控制模塊基板和控制器件容納在殼體中，接觸引腳可以在貫穿殼體的同時向外突出。
[0020]控制部可以包括兩個控制模塊基板，其中，所述兩個控制模塊基板彼此結合，使得控制模塊基板的控制器件安裝在其上的表面彼此面對。
[0021]控制部還可以包括介于兩個控制模塊基板之間的至少一個分隔件，以維持兩個控制模塊基板之間的間隔。
[0022]控制部還可以包括設置在控制模塊基板的一側上并且電連接到外部的連接部。
[0023]功率部可以包括:至少一個功率模塊基板，功率器件安裝在所述至少一個功率模塊基板的一個表面上；框架，沿功率模塊基板的邊緣設置在功率模塊的一個表面上以形成功率部的厚度。
[0024]功率部還可以包括形成在功率模塊基板的一個表面上或者功率器件的外表面上并且接觸接觸引腳的至少一個接觸焊盤。
[0025]所述半導體模塊還可以包括:箱體，將控制部和控制部容納在箱體中；至少一個熱輻射部，緊固到箱體的外表面。
[0026]箱體可以包括:第一容納部，功率部以滑動方式插入到第一容納部中的同時結合到第一容納部；第二容納部，將控制部容納在第二容納部中。
[0027]第一容納部和第二容納部之間可以形成有開放部，功率部可以結合到第一容納部使得功率器件通過開放部面對控制部。
[0028]根據(jù)本公開的另一方面，一種半導體模塊可以包括:控制部，包括在控制部的兩側上突出的多個接觸引腳；兩個功率部，分別設置在控制部的兩側上，其中，功率部在接觸接觸引腳的同時電連接到控制部。
[0029]根據(jù)本公開的另一方面，一種制造半導體模塊的方法可以包括:準備控制部，控制部包括在控制部的兩側上突出的多個接觸引腳；在控制部的兩側上分別設置功率部；在將功率部和控制部彼此緊密地附著的同時將功率部和控制部彼此固定地結合，使得功率部接觸接觸引腳。
[0030]準備控制部的步驟可以包括:準備兩個控制模塊基板，控制器件安裝在所述控制模塊基板的一個表面上，接觸引腳安裝在所述控制模塊基板的另一個表面上；將所述兩個控制模塊基板彼此結合，使得控制模塊基板的安裝有接觸引腳的表面指向外部。
[0031]設置功率部的步驟可以包括以滑動方式分別將功率部插入到上箱體中和下箱體中。
[0032]功率部和控制部的固定地結合步驟可以包括使上箱體和下箱體彼此結合并固定，從而控制部被容納在通過上箱體和下箱體形成的空間中。
[0033]所述方法還可以包括將至少一個熱輻射部緊固到上箱體和下箱體的外表面。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]通過下面結合附圖進行的詳細描述，本公開的上述和其他方面、特點及其他優(yōu)點將會被更加清楚地理解，在附圖中:
[0035]圖1是示意性地示出了根據(jù)本公開示例性實施例的半導體模塊的透視圖；
[0036]圖2是沿圖1中的A-A’線截取的半導體模塊的剖視圖；
[0037]圖3是圖2中示出的半導體模塊的分解透視圖；
[0038]圖4是沿圖3中的B-B’線截取的功率部的平面圖；
[0039]圖5和圖6是沿圖3中的C-C’線截取的控制部的平面圖；
[0040]圖7是沿圖3中的D-D’線截取的控制部的平面圖。
【具體實施方式】
[0041 ] 現(xiàn)在，將參照附圖詳細描述本公開的示例性實施例。
[0042]圖1是示意性地示出了根據(jù)本公開示例性實施例的半導體模塊的透視圖；圖2是沿圖1中的A-A’線截取的半導體模塊的剖視圖；圖3是圖2中示出的半導體模塊的分解透視圖。
[0043]另外，圖4是沿圖3中的B-B’線截取的功率部的平面圖；圖5和圖6是沿圖3中的C-C’線截取的控制部的平面圖；圖7是沿圖3中的D-D’線截取的控制部的平面圖。這里，圖6和圖7示出了在沒有殼體的情況下的控制部。
[0044]參照圖1到圖7，根據(jù)本公開示例性實施例的半導體模塊100可以包括功率部10、控制部20、箱體30和熱輻射部40。
[0045]同時，根據(jù)本公開示例性實施例的半導體模塊100可以具有基于中心水平線(圖2中的S)豎直對稱的結構。因此，在下面的描述中，相同的組件可以設置在基于中心水平線彼此對稱的位置中。因此，將省略重復組件的描述。
[0046]功率部10可以包括功率模塊基板11、至少一個功率器件12和框架13。
[0047]功率模塊基板11可以是印刷電路板(PCB)、陶瓷基板、預成型基板、直接敷銅(DBC)基板或者絕緣金屬基板(MS)。
[0048]另外，雖然未示出，但是具有各種形式的布線圖案、安裝電極等可以形成在功率模塊基板11的一個表面上。
[0049]功率模塊基板11可以具有安裝在其一個表面上的至少一個功率器件12。功率器件12可以是用于控制功率的功率轉換器件或功率電路器件，諸如伺服驅動器、逆變器、功率調節(jié)器、轉換器等。
[0050]例如，功率器件12可以包括功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(M0SFET)、雙極結型晶體管(BJT)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、二極管或它們的組合。S卩，在本公開示例性實施例中，功率器件12可以包括上述器件中的全部或部分。
[0051]具體地說，根據(jù)本公開示例性實施例的功率器件12可以被構造成幾對。每個功率器件12包括絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和二極管。然而，這僅僅是示例，并且本公開不必須限制于此。
[0052]功率器件12可以通過粘合構件(未示出)附著到功率模炔基板11的一個表面，將在下面描述。這里，粘合構件可以是導電的或不導電的。例如，粘合構件可以是導電焊料、導電膏或膠帶。另外，可以使用焊料、金屬環(huán)氧樹脂、金屬膏、環(huán)氧基樹脂、具有優(yōu)異耐熱性的粘性膠帶等作為粘合構件。
[0053]同時，至少一個接觸焊盤IIa可以形成在功率模炔基板11的一個表面上或者功率器件12的外表面上，從而被電連接到控制部20，將在下面描述。因此，接觸焊盤Ila可以設置在與控制部20的接觸引腳23的末端相對應的位置中。
[0054]在本公開的示例性實施例中，以示例的方式描述了所有的接觸焊盤Ila設置在功率器件12的外表面上的情況。然而，本公開不限于此。即，如果需要，接觸焊盤Ila可以選擇性地設置在功率模炔基板11上或者功率器件12上。
[0055]框架13可以結合到功率模炔基板11的一個表面，被形成為具有邊緣形狀，并且沿著功率模炔基板11的邊緣設置。框架13可以被設置為用來保證功率部10的厚度。即，框架13可以被設置為用來保證當功率部10結合到箱體30時將要安裝功率部10的功率器件12的空間14。[0056]框架13可以由各種材料(諸如金屬材料、樹脂材料等)形成，只要框架13的形狀不
容易改變即可。
[0057]控制部20可以包括控制模炔基板21、控制器件22、接觸引腳23和殼體27。
[0058]與功率模炔基板11相似，其上安裝有控制器件22和接觸引腳23的控制模炔基板21可以是印刷電路板(PCB)、陶瓷基板、預成型基板、直接敷銅(DBC)基板或者絕緣金屬基^(IMS)0
[0059]控制器件22可以安裝在控制模炔基板21的一個表面上，即，控制模炔基板21的內表面上?？刂破骷?2可以電連接到接觸引腳23 (將在下面描述)并且可以通過接觸引腳23電連接到功率器件12。因此，控制器件22可以控制功率器件12的操作。
[0060]例如，控制器件22可以是微處理器。另外，控制器件22可以是諸如電阻器、逆變器或電容器的無源器件或者諸如晶體管的有源器件。
[0061]同時，可以針對一個功率器件12設置一個控制器件22或者多個控制器件22。SP，控制器件22的種類和數(shù)量可以根據(jù)功率器件12的種類和數(shù)量適當?shù)剡x取。
[0062]另外，與上述功率器件12類似地，控制器件22可以通過諸如導電焊料的粘合構件(未示出)安裝在控制模炔基板21上。
[0063]接觸引腳23可以安裝在控制模炔基板21的另一表面上，即控制模炔基板21的外表面上。接觸引腳23可以以下述形式被設置:接觸引腳23從控制模炔基板21向外突出并且接觸引腳23具有接觸功率模炔基板11的接觸焊盤Ila的末端。
[0064]具體地說，根據(jù)本公開示例性實施例的接觸引腳23可以形成為具有片簧的形狀，并且沿接觸引腳23突出的方向具有彈性。因此，在接觸引腳23接觸接觸焊盤Ila的情況下，接觸引腳23可以彈性地接觸接觸焊盤11a。
[0065]接觸引腳23可以通過分開的固定引腳23a固定地緊固到控制模炔基板21。固定引腳23a可以被設置為即使在接觸引腳23被按壓的情況下仍維持接觸引腳23和控制模塊基板21之間的結合力。因此，當確保接觸引腳23和控制模炔基板21之間的結合力時，可以省略固定引腳23a。
[0066]另外，在根據(jù)本公開示例性實施例的控制部20中，兩個控制模塊基板21可以以兩個控制模塊基板21彼此面對的形式而彼此結合。這里，控制模塊基板21可以彼此結合，使得控制模塊基板21的其上安裝有控制器件22的表面彼此面對。因此，當控制模塊基板21彼此結合時，控制模塊基板21的兩個外表面可以具有接觸引腳23在其上突出的形狀。
[0067]這里，兩個控制模塊基板21可以具有介于其間的分隔件24。分隔件24可以用來使兩個控制模塊基板21彼此分隔開預定的間隔。因此，即使在控制模塊基板21彼此結合的情況下，仍可以防止設置在彼此面對的表面上的控制器件22之間的接觸。
[0068]為了將半導體模塊100電連接到外部，可以設置連接部26。為此，連接部26可以緊固到至少一個控制模塊基板21，從而被電連接到控制模塊基板21。
[0069]在本公開的示例性實施例中，以示例的方式描述了在控制部20的兩端中的每端處形成一個連接部26的情況，即，總共形成兩個連接部26的情況。這里，兩個控制模塊基板21都可以被構造為電連接到一個連接部26。因此，在這種情況下，即使僅使用兩個連接部26中的任意一個連接部26，它仍可以電連接到兩個控制模塊基板21。
[0070]然而，本公開不必須限制于上述構造，而是可以各種地實施。例如，一個控制模塊基板21還可以被構造為僅電連接到連接部26中的任何一個。
[0071]另外，僅設置一個連接部26而不是設置兩個連接部26并且兩個控制模塊基板21通過一個連接部26彼此電連接的構造也是可以的。
[0072]殼體27可以形成控制部20的外殼，并保護控制部20不受外部影響。因此，上述兩個控制模塊基板21可以結合到并被容納在形成殼體27的內部空間中。
[0073]另外，殼體27可以具有形成在其中的至少一個貫穿孔28。貫穿孔28可以被用作上述接觸引腳23通過其向外突出的通道。因此，貫穿孔28可以形成為尺寸比接觸引腳23的尺寸大的開口。
[0074]參照附圖，在本公開的示例性實施例中描述了三個接觸引腳23設置為穿過一個貫穿孔28的情況。然而，本公開不限于上述構造，而是可以各種地實施。即，可以在一個貫穿孔28中僅設置一個接觸引腳23，或者一個貫穿孔28可以被形成為較大的尺寸使得三個或更多個接觸引腳23可以被設置為貫穿一個貫穿孔28。
[0075]箱體30可以形成整個半導體模塊100的外殼并保護功率部10和控制部20不受外部環(huán)境的影響。為此，箱體30可以包括上箱體30a和下箱體30b。
[0076]上箱體30a和下箱體30b可以具有相同的形狀并且是彼此對稱的，上箱體30a和下箱體30b可以以上箱體30a和下箱體30b彼此面對的方式彼此結合。另外，隨著上箱體30a和下箱體30b彼此結合，可以在箱體30內形成容納空間，功率部10和控制部20可以被容納在該容納空間內。
[0077]箱體30可以在將功率部10和控制部20容納在其中的同時將功率部10和控制部20彼此固定地結合。為此，箱體30可以包括容納功率部10的第一容納部31和容納控制部20的第二容納部32。
[0078]第一容納部31可以使功率部10固定地結合到第一容納部31。根據(jù)本公開示例性實施例的功率部10可以以滑動方式插入到第一容納部31中的同時結合到箱體30。因此，第一容納部31可以形成為具有與功率部10的外殼相對應的尺寸的空間，使得功率部10可以滑動地結合到第一容納部31。
[0079]另外，第一容納部31可以包括分別形成在上箱體30a和下箱體30b中并且具有局部開放的一個表面的開放部33。開放部33可以用作功率器件12和控制部20的接觸引腳23彼此電連接的通道。因此，功率部10可以結合到第一容納部31，從而功率器件12朝向開放部33，控制部20的接觸引腳23可以通過開放部33電連接到功率模塊基板11。
[0080]第二容納部32可以被限定為在上箱體30a和下箱體30b彼此結合的狀態(tài)下在中心形成的容納空間。第二容納部32可以將控制部20容納在第二容納部32中。因此，第二容納部32可以形成為與控制部20的形狀或尺寸相對應的形狀。
[0081]在如上所述的箱體30中，上箱體30a和下箱體30b可以通過諸如螺釘?shù)葐为毜墓潭嫾?5彼此結合。然而，本公開不限于上述構造。即，如果需要，可以使用諸如組裝結合方式、使用粘合構件的方式等各種方式。
[0082]另外，箱體30可以由絕緣材料形成。具體地說，可以使用諸如具有高導熱率的硅凝膠、導熱環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺等材料作為箱體30的材料。然而，本公開不限于此。
[0083]在如上所述的箱體30中，上箱體30a和下箱體30b可以通過單獨的固定構件35彼此結合。然而，本公開不限于上述構造。即，上箱體30a和下箱體30b還可以通過介于上箱體30a和下箱體30b之間的粘合構件彼此附著以及彼此一體地形成。這里，可以使用粘合劑、膠帶等作為粘合構件。
[0084]熱輻射部40可以緊固到箱體30的至少一個外表面，以使從功率部10產生的熱輻射到外部。
[0085]為了有效地將熱輻射到外部，熱輻射部40可以由金屬材料形成。例如，可以使用能夠以相對低的成本容易地使用并具有優(yōu)異導熱率的鋁(Al)或鋁合金作為熱輻射部40的材料。然而，本公開不限于此。即，可以使用具有優(yōu)異導熱率的各種材料(諸如石墨等)來作為熱輻射部40的材料，即使它們不是金屬。
[0086]另外，熱輻射部40可以包括形成在其外表面上的多個突起42或者狹縫，以增加外部面積。
[0087]熱輻射部40可以通過單獨的固定構件45固定地緊固到箱體30。然而，本公開不限于上述構造。即，熱輻射部40還可以通過介于熱輻射部40和箱體30之間的粘合構件而附著到箱體30。在這種情況下，可以使用各種材料作為粘合構件的材料，只要它們可以具有高的導熱率并且能夠將熱輻射部40和箱體30彼此結合并固定地安裝即可。
[0088]接下來，將描述根據(jù)本公開示例性實施例的制造半導體模塊的方法。
[0089]參照圖3，在根據(jù)本公開示例性實施例的制造半導體模塊的方法中，首先準備控制部20。這里，如上所述，可以通過將兩個控制模塊基板21彼此結合而形成控制部20。SP，可以通過下述步驟來形成控制部20:通過使兩個控制模塊基板21通過分隔件24彼此結合使得其上安裝有控制器件22的兩個控制模塊基板21的表面彼此面對，并且利用殼體27來覆蓋兩個控制模塊基板21的外部，以將兩個控制模塊基板21彼此固定。
[0090]同時，可以與上述過程分開地執(zhí)行將功率部10結合到箱體30的過程。功率部10可以在以滑動方式插入到箱體30的第一容納部31中的同時結合到箱體30。這里，功率部10可以結合到箱體30，使得功率部10的其上安裝有功率器件12的表面暴露到殼體27的開放表面。[0091]由于將功率部10結合到箱體30的過程可以與上述準備功率部20的過程分開執(zhí)行，因此可以在準備控制部20的過程之前或之后執(zhí)行將功率部10結合到箱體30的過程。選擇性地，可以與準備控制部20的過程同時地執(zhí)行將功率部10結合到箱體30的過程。在與準備控制部20的過程同時地執(zhí)行將功率部10結合到箱體30的過程的情況下，可以減少制造時間。
[0092]接下來，結合有功率部10的箱體30和控制部20可以彼此結合?？刂撇?0可以在被容納在由箱體30形成的第二容納部32中的同時結合到箱體30。在這個過程中，控制部20的接觸引腳23可以通過箱體30的開放部33接觸功率部10的接觸焊盤11a。因此，控制部20和功率部10可以彼此電連接。
[0093]同時，在這個過程中，接觸引腳23可以在被功率部10朝著控制模塊基板21按壓的同時接觸功率部10。因此，由于接觸引腳23彈性地接觸功率部10的接觸焊盤11a，因此可以保證電接觸和物理接觸的可靠性。
[0094]隨后，熱輻射部40可以結合到箱體30的外部。因此，可以完成根據(jù)本公開示例性實施例的半導體模塊100。
[0095]如上所述，在根據(jù)本公開示例性實施例的半導體模塊中，可以以控制部和功率部彼此對稱的形式成對地設置控制部和功率部。另外，用于與外部連接的連接部可以設置在半導體模塊的側部。此外，控制部和功率部可以在通過具有彈性的接觸引腳而不是鍵合引線彼此彈性接觸的同時彼此電連接。
[0096]因此，由于可以省略根據(jù)相關技術中已經用來在器件之間電連接或器件和外部端子之間連接的鍵合引線，因此可以有效地設置多個功率器件和控制器件。因此，與相關技術相比，半導體模塊可以具有減小的尺寸，從而半導體模塊可以容易地在需要小型化和高度集成的各種電子設備中使用。
[0097]另外，由于與使用鍵合引線的相關技術相比可以保證結合可靠性并且可以解決鍵合引線在制造半導體模塊的過程中變形的問題，因此可以顯著減少在制造半導體模塊的過程中產生的缺陷。
[0098]另外，在根據(jù)本公開示例性實施例的半導體模塊中，可以使用熱輻射部分別設置在箱體的兩個表面上的雙側散熱結構，并且安裝功率器件的功率部與熱輻射部可以設置為彼此顯著地相鄰。因此，可以顯著減小熱的傳導路徑，并且熱可以通過半導體模塊的兩表面輻射。因此，由于可以獲得與相關技術的熱輻射特性相比顯著提高的熱輻射特性，因此可以保證半導體模塊的長期可靠性。
[0099]此外，在根據(jù)本公開示例性實施例的制造半導體模塊的方法中，由于使用具有彈性的接觸引腳，因此接觸部和功率部可以僅通過將控制部和功率部彼此機械地結合的過程而彼此電連接。因此，由于省略了根據(jù)相關技術中已經使用的鍵合引線等的過程，因此制造半導體模塊的過程會非常容易，并且制造半導體模塊所需的時間會顯著減少。
[0100]上面描述的根據(jù)本公開示例性實施例的半導體模塊不限于上述示例性實施例，而是可以各種實施。例如，雖然已經以示例的方式描述了半導體模塊大體上具有矩形平行六面體的形狀的情況，但是本公開不限于此。即，如果需要，半導體模塊可以具有諸如圓柱體的形狀、多棱柱(poly prismatic)的形狀等的各種形狀。
[0101]另外，雖然在上述示例性實施例中已經通過示例的方式描述了功率半導體模塊，但是本公開不限于此，而是可以不同地實施為封裝有至少一個功率器件的電子組件。
[0102]盡管已經在上面描述并且示出了示例性實施例，但是本領域的技術人員將清楚的是，在不脫離由權利要求限定的本公開的精神和范圍的情況下，可進行修改和變型。
【權利要求】
1.一種半導體模塊，所述半導體模塊包括: 控制部，包括至少一個控制器件；以及 功率部，包括至少一個功率器件， 其中，控制部和功率部中的任何一個包括具有彈性的接觸引腳，控制部和功率部通過接觸引腳彼此電連接。
2.如權利要求1所述的半導體模塊，其中，控制部包括至少一個控制模炔基板，控制器件安裝在控制模炔基板的一個表面上，接觸引腳安裝在控制模炔基板的另一個表面上。
3.如權利要求2所述的半導體模塊，其中，控制部還包括殼體，殼體將控制模炔基板和控制器件容納在殼體中，接觸引腳在貫穿殼體的同時向外突出。
4.如權利要求2所述的半導體模塊，其中，控制部包括兩個控制模炔基板，所述兩個控制模炔基板彼此結合，使得控制模炔基板的控制器件安裝在其上的表面彼此面對。
5.如權利要求4所述的半導體模塊，其中，控制部還包括介于兩個控制模炔基板之間的至少一個分隔件，以維持兩個控制模炔基板之間的間隔。
6.如權利要求2所述的半導體模塊，其中，控制部還包括設置在控制模炔基板的一側上并且電連接到外部的連接部。
7.如權利要求2所述的半導體模塊，其中，功率部包括: 至少一個功率模炔基板，功率器件安裝在所述至少一個功率模炔基板的一個表面上； 框架，沿功率模炔基板的邊緣設置在功率模塊的一個表面上以形成功率部的厚度。
8.如權利要求7所述的半導體模塊，其中，功率部還包括形成在功率模炔基板的一個表面上或者功率 器件的外表面上并且接觸接觸引腳的至少一個接觸焊盤。
9.如權利要求2所述的半導體模塊，所述半導體模塊還包括: 箱體，將控制部和控制部各納在箱體中； 至少一個熱輻射部，緊固到箱體的外表面。
10.如權利要求9所述的半導體模塊，其中，箱體包括: 第一容納部，功率部以滑動方式插入到第一容納部中的同時結合到第一容納部； 第二容納部，將控制部容納在第二容納部中。
11.如權利要求10所述的半導體模塊，其中，第一容納部和第二容納部之間形成有開放部，功率部結合到第一容納部使得功率器件通過開放部面對控制部。
12.—種半導體模塊，所述半導體模塊包括: 控制部，包括在控制部的兩側上突出的多個接觸引腳； 兩個功率部，分別設置在控制部的兩側上， 其中，功率部在接觸接觸引腳的同時電連接到控制部。
13.—種制造半導體模塊的方法，所述方法包括: 準備控制部，控制部包括在控制部的兩側上突出的多個接觸引腳； 在控制部的兩側上分別設置功率部；以及 在將功率部和控制部彼此緊密地附著的同時將功率部和控制部彼此固定地結合，使得功率部接觸接觸引腳。
14.如權利要求13所述的方法，其中，準備控制部的步驟包括:準備兩個控制模炔基板，控制器件安裝在所述控制模炔基板的一個表面上，接觸引腳安裝在所述控制模炔基板的另一個表面上；將所述兩個控制模炔基板彼此結合，使得控制模炔基板的安裝有接觸引腳的表面指向外部。
15.如權利要求13所述的方法，其中，設置功率部的步驟包括以滑動方式分別將功率部插入到上箱體中和下箱體中。
16.如權利要求15所述的方法，其中，功率部和控制部的固定地結合步驟包括使上箱體和下箱體彼此結合并固定，從而控制部被容納在通過上箱體和下箱體形成的空間中。
17.如權利要求16所述的方法，所述方法還包括將至少一個熱輻射部緊固到上箱體和下箱體的外表面。`
【文檔編號】H01L21/60GK103872036SQ201310682416
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2013年12月12日 優(yōu)先權日:2012年12月12日
【發(fā)明者】孫瑩豪, 趙銀貞, 林栽賢, 金泰賢 申請人:三星電機株式會社