陣列基板及其制作方法，顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，公開了一種陣列基板制作方法，包括在襯底基板上形成包括薄膜晶體管、柵極引線及數(shù)據(jù)線引線的圖形，柵極引線和數(shù)據(jù)線引線位于PAD區(qū)；形成絕緣間隔層，第一透明電極及鈍化層的圖形，使陣列基板對應(yīng)的PAD區(qū)的絕緣間隔層的厚度小于其它區(qū)域的絕緣間隔層的厚度，并在對應(yīng)柵極引線和數(shù)據(jù)線引線對應(yīng)區(qū)域分別形成第一過孔和第二過孔，以暴露出柵極引線和數(shù)據(jù)線引線；形成包括第二透明電極、第一連接電極和第二連接電極的圖形，使第一連接電極通過第一過孔連接?xùn)艠O引線，第二連接電極通過第二過孔連接數(shù)據(jù)線引線。本發(fā)明還公開了一種陣列基板及顯示裝置。本發(fā)明使得PAD區(qū)在形成的連接電極能夠與相應(yīng)的信號(hào)引線充分接觸。
【專利說明】陣列基板及其制作方法，顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種陣列基板及其制作方法，顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來隨著人們對顯示效果的要求提高,液晶顯示器的PPI (Pixels per inch,每英寸所擁有像素?cái)?shù)目)不斷提高，這就要求顯示屏內(nèi)部單位面積上排布更多的像素，相應(yīng)地有更多的布線。這樣在各層金屬間的電容及電阻會(huì)隨之成倍增加，因此引起的時(shí)間延遲及功耗的增加就變得更為明顯，嚴(yán)重影響客戶使用，同現(xiàn)在提倡的節(jié)能環(huán)保相悖。為了降低金屬層間的電容需要采用更低介電常數(shù)、更厚的絕緣材料，現(xiàn)傳統(tǒng)的采用化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)方式制備的無機(jī)絕緣材料若要增加其厚度,對生產(chǎn)成本及工藝的要求會(huì)非常高，特別是在刻蝕時(shí)帶來的技術(shù)難題是很難克服的，同時(shí)工藝的時(shí)間會(huì)大大增加，這樣對產(chǎn)量會(huì)有很大影響，降低了企業(yè)的競爭力，為此選用有機(jī)絕緣材料具有生產(chǎn)工藝簡單，成本較低，易于調(diào)整厚度，對降低功耗有很明顯的效果，同時(shí)還降低公共電極的負(fù)載，對改善greenish (顯示偏綠現(xiàn)象)不良有很明顯的效果。
[0003]如圖1和圖2所示，示出了陣列基板的PAD區(qū)(顯示區(qū)域外圍的布線區(qū)域)的層次結(jié)構(gòu)示意圖，圖1中由下至上依次為:襯底基板1、柵極引線2、柵絕緣層3，鈍化層71、有機(jī)絕緣層8及其上過孔、像素電極9(電極材料為ΙΤ0)、光刻膠11。由于有機(jī)絕緣膜厚度是相對于其它層的10倍，這個(gè)厚度在外圍PAD區(qū)走線的過孔處產(chǎn)生一個(gè)較深的坑，這樣在隨后的像素電極9曝光制作圖形時(shí)，由于較厚的有機(jī)絕緣膜，會(huì)導(dǎo)致第一層透明電極的光刻膠在垂直光照時(shí)照射不充分，在孔的底部(如圖1所示中虛線橢圓框所示的區(qū)域)有部分光刻膠殘留，后續(xù)濕刻過程中會(huì)在孔內(nèi)有部分ITO殘留。如圖2所示，刻蝕像素電極9后沉積第二鈍化層72，然后刻蝕過孔處的第二鈍化層72和柵絕緣層3。在刻蝕像素電極9時(shí)殘留的ITO導(dǎo)致后面在刻蝕柵絕緣層3時(shí)只有部分刻透，比設(shè)計(jì)的第一連接電極12 (連接?xùn)沤饘賹拥倪B接電極，與公共電極同時(shí)形成，電極材料為ΙΤ0)與柵極引線2接觸面積大大減小，在后面第一連接電極12沉積后接觸不充分，會(huì)帶來屏的亮線高發(fā)及異常點(diǎn)燈等不良，不利于產(chǎn)品的不良檢測，及良率的提高，若在外圍走線處去除有機(jī)絕緣膜會(huì)由于膜層段差過大導(dǎo)致后面成盒工序配向膜取向(rubbing)時(shí)產(chǎn)生異常,造成產(chǎn)品后面畫面顯示不均。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004](一)要解決的技術(shù)問題
[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:如何使第二層透明電極沉積后接觸不充分，且不會(huì)產(chǎn)生取向異常。
[0006](二)技術(shù)方案
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種陣列基板制作方法，包括步驟:
[0008]在襯底基板上形成包括薄膜晶體管、柵極引線及數(shù)據(jù)線引線的圖形，所述柵極引線和數(shù)據(jù)線引線位于PAD區(qū)；[0009]形成絕緣間隔層，第一透明電極及鈍化層的圖形，使所述陣列基板對應(yīng)的PAD區(qū)的絕緣間隔層的厚度小于其它區(qū)域的絕緣間隔層的厚度，并在對應(yīng)柵極引線和數(shù)據(jù)線引線對應(yīng)區(qū)域分別形成第一過孔和第二過孔，以暴露出所述柵極引線和數(shù)據(jù)線引線；
[0010]形成包括第二透明電極、第一連接電極和第二連接電極的圖形，使所述第一連接電極通過所述第一過孔連接所述柵極引線，所述第二連接電極通過所述第二過孔連接所述數(shù)據(jù)線引線。
[0011]其中，所述形成絕緣間隔層，第一透明電極及鈍化層的圖形，使所述陣列基板對應(yīng)的PAD區(qū)的絕緣間隔層的厚度小于其它區(qū)域的絕緣間隔層的厚度，并在對應(yīng)柵極引線和數(shù)據(jù)線引線對應(yīng)區(qū)域分別形成第一過孔和第二過孔，以暴露出所述柵極引線和數(shù)據(jù)線引線的步驟具體包括:
[0012]形成絕緣材料薄膜，通過構(gòu)圖工藝去除所述第一透明電極與薄膜晶體管的漏極連接區(qū)域、所述柵極引線區(qū)域及數(shù)據(jù)線引線區(qū)域的絕緣材料薄膜，以分別形成連接過孔、第一子過孔和第二子過孔的圖形，且使得PAD區(qū)的絕緣材料薄膜的厚度小于其它區(qū)域的絕緣材料薄膜的厚度，以形成所述絕緣間隔層；
[0013]通過構(gòu)圖工藝在非PAD區(qū)形成所述第一透明電極的圖形，且所述第一透明電極通過所述連接過孔連接薄膜晶體管的漏極；
[0014]形成鈍化層，通過構(gòu)圖工藝分別在所述第一子過孔和第二子過孔對應(yīng)區(qū)域繼續(xù)刻蝕，直到分別暴露出所述柵極引線和數(shù)據(jù)線引線，以形成所述第一過孔和第二過孔。
[0015]其中，所述陣列基板對應(yīng)的PAD區(qū)的絕緣間隔層厚度為其它區(qū)域的絕緣間隔層厚
度的一半。
[0016]其中，非PAD區(qū)的絕緣間隔層厚度為20000A?30000A。
[0017]其中，所述絕緣間隔層為有機(jī)材料制成。
[0018]本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括形成在襯底基板上的薄膜晶體管、第一透明電極、第二透明電極、柵極引線及數(shù)據(jù)線引線，所述柵極引線及數(shù)據(jù)線引線位于PAD區(qū)，還包括位于薄膜晶體管、柵極引線及數(shù)據(jù)線引線上方的絕緣間隔層，所述第一透明電極位于所述絕緣件間隔層之上的非PAD區(qū)，且連接所述薄膜晶體管的漏極，第二透明電極位于第一透明電極上方，兩者之間間隔有鈍化層，且在所述PAD區(qū)的絕緣間隔層的厚度小于其它區(qū)域的絕緣間隔層的厚度，所述絕緣間隔層對應(yīng)PAD區(qū)形成有第一過孔和第二過孔，絕緣間隔層上方還形成有與所述第二透明電極位于同一層的第一連接電極和第二連接電極，所述第一連接電極和第二連接電極分別通過第一過孔和第二過孔連接所述柵極引線和數(shù)據(jù)線引線。
[0019]其中，所述PAD區(qū)的絕緣間隔層厚度為其它區(qū)域的絕緣間隔層厚度的一半。
[0020]其中，所述第一透明電極連接所述薄膜晶體管的漏極。
[0021]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0022](三)有益效果
[0023]本發(fā)明的陣列基板制作方法使得顯示外圍區(qū)(PAD)形成厚度較薄的絕緣間隔層，使得PAD區(qū)在形成的連接電極能夠與相應(yīng)的信號(hào)引線充分接觸，同時(shí)不會(huì)導(dǎo)致在后續(xù)rubbing時(shí)產(chǎn)生rubbing mura (取向不良),提高產(chǎn)品檢出率。【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板的PAD區(qū)刻蝕像素電極的示意圖；
[0025]圖2是在陣列基板的PAD區(qū)形成第一連接電極后的示意圖；
[0026]圖3是本發(fā)明實(shí)施例的制作方法中，形成絕緣間隔層后的示意圖；
[0027]圖4是在圖3的基礎(chǔ)上形成像素電極的示意圖；
[0028]圖5是在圖4的基礎(chǔ)上形成鈍化層的示意圖；
[0029]圖6是在圖5的基礎(chǔ)上形成公共電極、第一連接電極和第二連接電極的示意圖；
[0030]圖7是圖6中第一過孔處的放大示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0032]如圖3?6所示，本實(shí)施例的陣列基板制作方法流程包括:
[0033]步驟一，在襯底基板I上形成包括薄膜晶體管TFT、柵極引線21及數(shù)據(jù)線引線61的圖形，所述柵極引線21和數(shù)據(jù)線引線61位于PAD區(qū)；在基板I上形成包括柵線及薄膜晶體管(TFT)的層次結(jié)構(gòu)。其中，TFT形成在非PAD區(qū)(即顯示區(qū))包括:柵極2、柵絕緣層3、有源層4及源極5及漏極6。柵極引線21與柵極2同層形成，數(shù)據(jù)線引線61與源極5和漏極6同層形成。
[0034]步驟二，形成絕緣間隔層，第一透明電極及鈍化層的圖形，使陣列基板對應(yīng)的PAD區(qū)的絕緣間隔層的厚度小于其它區(qū)域的絕緣間隔層的厚度，并在對應(yīng)柵極引線和數(shù)據(jù)線引線對應(yīng)區(qū)域分別形成第一過孔和第二過孔，以暴露出柵極引線和數(shù)據(jù)線引線。該步驟具體包括:
[0035]形成絕緣材料薄膜(在形成絕緣材料薄膜之前通常還形成一層鈍化層71 )，通過構(gòu)圖工藝(通常包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝，本實(shí)施例中，具體采用半色調(diào)掩膜板Half Tone mask)去除所述第一透明電極與薄膜晶體管的漏極連接區(qū)域、所述柵極引線21區(qū)域及數(shù)據(jù)線引線61區(qū)域的絕緣材料薄膜(若形成鈍化層71，也去除相應(yīng)區(qū)域的鈍化層71)，以分別形成連接過孔14、第一子過孔15'和第二子過孔16'的圖形，且使得PAD區(qū)的絕緣材料薄膜的厚度小于其它區(qū)域的絕緣材料薄膜的厚度，以形成所述絕緣間隔層8。所述間隔絕緣膜能夠增加像素電極和源漏極之間的距離，進(jìn)而減少寄生電容，降低功耗。形成絕緣間隔層8后的圖形如圖3所示，PAD區(qū)A的絕緣間隔層8的厚度h2小于其它區(qū)域的絕緣間隔層8的厚度hi。本實(shí)施例中，為了盡量減小高PPI陣列基板中各層導(dǎo)電層的電容及電阻，非PAD區(qū)的絕緣間隔層8的厚度優(yōu)選為20000A?30000A,絕緣間隔層8采用有機(jī)絕緣材料。
[0036]形成絕緣間隔層8之后，通過構(gòu)圖工藝在非PAD區(qū)形成所述第一透明電極的圖形。如圖4所示，本實(shí)施例中，第一透明電極為像素電極9，該像素電極9通過連接過孔14連接薄膜晶體管的漏極6。本實(shí)施例中，形成像素電極9的過程為:
[0037]在形成有絕緣間隔層8之后的基板表面沉積一層ITO薄膜，即第一子過孔15'和第二子過孔16'中也沉積有ΙΤ0。通過構(gòu)圖工藝形成圖4中像素電極9的圖形，在該構(gòu)圖工藝中，由于PAD區(qū)的絕緣間隔層8厚度較小，第一子過孔15'和第二子過孔16'的深度較淺，其中光刻膠能夠得到充分曝光被去除，因此在刻蝕第一子過孔15'和第二子過孔16'中的ITO時(shí)不會(huì)像圖2中殘留一部分ΙΤ0。優(yōu)選地，在形成絕緣間隔層8時(shí)，使得h2的高度為hi的一半,這樣能使光刻膠充分曝光,不容易殘留ΙΤ0,也便于采用Half Tone mask實(shí)現(xiàn)，同時(shí)兼具改善rubbing mura,若厚度差異過大(如:2um以上),則容易產(chǎn)生rubbing mura。
[0038]如圖5所示，形成像素電極9之后，在其上形成一定厚度的鈍化層72
(2000A?4000A)，通過構(gòu)圖工藝分別在所述第一子過孔15'和第二子過孔16'對應(yīng)區(qū)
域繼續(xù)刻蝕，直到分別暴露出柵極引線21和數(shù)據(jù)線引線61，以形成所述第一過孔15和第二過孔16。
[0039]步驟三，形成包括第二透明電極、第一連接電極和第二連接電極的圖形，使所述第一連接電極通過所述第一過孔連接所述柵極弓I線，所述第二連接電極通過所述第二過孔連接所述數(shù)據(jù)線引線。如圖6所示，該步驟具體包括:
[0040]在鈍化層72上形成ITO薄膜，公共構(gòu)圖工藝形成圖6中所示的第二透明電極、第一連接電極12和第二連接電極13。本實(shí)施例中，第二透明電極為公共電極10 (公共電極10連接公共電極線，公共電極線與柵極2及柵極引線21同時(shí)形成，圖中未示出)。第一連接電極12通過第一過孔15連接?xùn)艠O引線21，第二連接電極13通過第二過孔16連接數(shù)據(jù)線引線61，最終形成如圖6所示的陣列基板。
[0041]由于在步驟二中第一子過孔15'和第二子過孔16'中不會(huì)殘留制作像素電極9時(shí)的ΙΤ0，如圖7所示，因此能夠保證第一連接電極12和第二連接電極13分別與柵極引線21和數(shù)據(jù)線引線61有足夠的接觸面積，從而降低了顯示裝置的亮線高發(fā)及異常點(diǎn)燈等不良。
[0042]本發(fā)明還提供了一種按上述方法制成的陣列基板，如圖6所示，包括形成在襯底基板上的薄膜晶體管、第一透明電極、第二透明電極、柵極引線21及數(shù)據(jù)線引線61。柵極引線21及數(shù)據(jù)線引線61位于PAD區(qū)，還包括位于薄膜晶體管、柵極引線21及數(shù)據(jù)線引線61上方的絕緣間隔層8(薄膜晶體管、柵極引線21及數(shù)據(jù)線引線61和絕緣間隔層8之間通常還形成有鈍化層71)。所述第一透明電極位于所述絕緣件間隔層8之上的非PAD區(qū)，第一透明電極為像素電極9，且連接所述薄膜晶體管的漏極6。第二透明電極為公共電極10，位于像素電極9上方，兩者之間間隔有鈍化層72，且在所述PAD區(qū)的絕緣間隔層8的厚度小于其它區(qū)域的絕緣間隔層8的厚度，絕緣間隔層8對應(yīng)PAD區(qū)形成有第一過孔15和第二過孔16，絕緣間隔層8上方還形成有與所述公共電極10位于同一層的第一連接電極12和第二連接電極13，第一連接電極12和第二連接電極13分別通過第一過孔15和第二過孔16連接?xùn)艠O引線21和數(shù)據(jù)線引線61。
[0043]其中，所述PAD區(qū)的絕緣間隔層8厚度為其它區(qū)域的絕緣間隔層8厚度的一半。
[0044]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。該顯示裝置可以為:液晶面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0045]以上實(shí)施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對本發(fā)明的限制，有關(guān)【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板制作方法，其特征在于，包括步驟: 在襯底基板上形成包括薄膜晶體管、柵極引線及數(shù)據(jù)線引線的圖形，所述柵極引線和數(shù)據(jù)線引線位于PAD區(qū)； 形成絕緣間隔層，第一透明電極及鈍化層的圖形，使所述陣列基板對應(yīng)的PAD區(qū)的絕緣間隔層的厚度小于其它區(qū)域的絕緣間隔層的厚度，并在對應(yīng)柵極引線和數(shù)據(jù)線引線對應(yīng)區(qū)域分別形成第一過孔和第二過孔，以暴露出所述柵極引線和數(shù)據(jù)線引線； 形成包括第二透明電極、第一連接電極和第二連接電極的圖形，使所述第一連接電極通過所述第一過孔連接所述柵極引 線，所述第二連接電極通過所述第二過孔連接所述數(shù)據(jù)線引線。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述形成絕緣間隔層，第一透明電極及鈍化層的圖形，使所述陣列基板對應(yīng)的PAD區(qū)的絕緣間隔層的厚度小于其它區(qū)域的絕緣間隔層的厚度，并在對應(yīng)柵極引線和數(shù)據(jù)線引線對應(yīng)區(qū)域分別形成第一過孔和第二過孔，以暴露出所述柵極引線和數(shù)據(jù)線引線的步驟具體包括: 形成絕緣材料薄膜，通過構(gòu)圖工藝去除所述第一透明電極與薄膜晶體管的漏極連接區(qū)域、所述柵極引線區(qū)域及數(shù)據(jù)線引線區(qū)域的絕緣材料薄膜，以分別形成連接過孔、第一子過孔和第二子過孔的圖形，且使得PAD區(qū)的絕緣材料薄膜的厚度小于其它區(qū)域的絕緣材料薄膜的厚度，以形成所述絕緣間隔層； 通過構(gòu)圖工藝在非PAD區(qū)形成所述第一透明電極的圖形，且所述第一透明電極通過所述連接過孔連接薄膜晶體管的漏極； 形成鈍化層，通過構(gòu)圖工藝分別在所述第一子過孔和第二子過孔對應(yīng)區(qū)域繼續(xù)刻蝕，直到分別暴露出所述柵極引線和數(shù)據(jù)線引線，以形成所述第一過孔和第二過孔。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述陣列基板對應(yīng)的PAD區(qū)的絕緣間隔層厚度為其它區(qū)域的絕緣間隔層厚度的一半。
4.如權(quán)利要求2所述的陣列基板制作方法，其特征在于，非PAD區(qū)的絕緣間隔層厚度為20000A ~3 OOOOA。
5.如權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述絕緣間隔層為有機(jī)材料制成。
6.一種陣列基板，包括形成在襯底基板上的薄膜晶體管、第一透明電極、第二透明電極、柵極引線及數(shù)據(jù)線引線，所述柵極引線及數(shù)據(jù)線引線位于PAD區(qū)，還包括位于薄膜晶體管、柵極引線及數(shù)據(jù)線引線上方的絕緣間隔層，所述第一透明電極位于所述絕緣間隔層之上的非PAD區(qū)，第二透明電極位于第一透明電極上方，兩者之間間隔有鈍化層，其特征在于，且在所述PAD區(qū)的絕緣間隔層的厚度小于其它區(qū)域的絕緣間隔層的厚度，所述絕緣間隔層對應(yīng)PAD區(qū)形成有第一過孔和第二過孔，絕緣間隔層上方還形成有與所述第二透明電極位于同一層的第一連接電極和第二連接電極，所述第一連接電極和第二連接電極分別通過第一過孔和第二過孔連接所述柵極引線和數(shù)據(jù)線引線。
7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述PAD區(qū)的絕緣間隔層厚度為其它區(qū)域的絕緣間隔層厚度的一半。
8.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明電極連接所述薄膜晶體管的漏極。
9.一種顯示裝置，其特`征在于，包括如權(quán)利要求6~8中任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK103681488SQ201310689196
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年12月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月16日
【發(fā)明者】王凱 申請人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司