有機發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法
【專利摘要】公開了一種有機發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法，包括：在被限定在基板中的每個子像素區(qū)上形成薄膜晶體管；在提供有薄膜晶體管的基板上形成鈍化層；在鈍化層的每個子像素區(qū)中形成有機發(fā)光二極管的第一電極；在鈍化層的子像素區(qū)的邊界中形成堤岸圖案；在堤岸圖案上形成暴露出第一子像素區(qū)的光致抗蝕劑圖案；通過在提供有光致抗蝕劑圖案的基板的整個表面上沉積有機材料，在第一子像素區(qū)內(nèi)的第一電極上形成有機發(fā)光層和在光致抗蝕劑圖案上形成有機材料層；和使用分離膜去除光致抗蝕劑圖案和有機材料圖案。該分離膜包括聚合物粘土并設(shè)置在有機材料圖案上，并且形成為包圍有機材料圖案和光致抗蝕劑圖案的側(cè)表面。
【專利說明】有機發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法
[0001]本申請要求2013年5月28日提交的韓國專利申請N0.10-2013-0060296的權(quán)益，在此通過參考將其整體并入本文。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本申請涉及一種有機發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法，更特別地，涉及一種適合實現(xiàn)高清晰度和較大尺寸的有機發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0003]有機發(fā)光顯示設(shè)備是自發(fā)光的顯示設(shè)備。如此，有機發(fā)光顯示設(shè)備不需要任何用在液晶顯示設(shè)備中的單獨光源。據(jù)此，有機發(fā)光顯示設(shè)備可以更輕和更薄。而且，與液晶顯示設(shè)備相比，有機發(fā)光顯示設(shè)備具有以下特點，更寬的視角、更優(yōu)良的對比度和更低的功耗。而且，可通過低直流電壓驅(qū)動有機發(fā)光顯示設(shè)備，且有機發(fā)光顯示設(shè)備可提供高速度響應。而且，由于具有固態(tài)部件，有機發(fā)光顯示設(shè)備可以很好地抵抗外部沖擊并且可在寬溫度范圍內(nèi)使用。
[0004]這種有機發(fā)光顯示設(shè)備包括疊置在基板上的兩個電極、和插入兩個電極之間的發(fā)光層EML。使用精細金屬掩模方法、噴墨方法、剝離方法等中的一種圖案化所述發(fā)光層EML。
[0005]由于掩模形成的技術(shù)限制，精細金屬掩模方法不能用于大尺寸和高清晰度的顯示設(shè)備。更具體地，大尺寸掩模由于其重量而下垂并且迫使不能形成所需圖案。而且，由于沉積部分和掩模之間的分隔距離，導致加劇了有機材料的擴散。如此，難以實現(xiàn)高清晰度。
[0006]噴墨方法噴射液體材料。如此，當執(zhí)行該工藝時必須暴露有機發(fā)光元件。由于這個原因，有機發(fā)光元件的性能必然變差。
[0007]使用現(xiàn)有蝕刻工藝的其他方法能使金屬直接接觸蝕刻劑。由于這個原因，會產(chǎn)生斷開連接的故障。而且，難以控制蝕刻深度。如此，有機發(fā)光元件的性能會變差。
[0008]與包括曝光、顯影和蝕刻工藝的光掩模工序不同，剝離方法可僅使用曝光工藝和顯影工藝而不使用蝕刻工藝以形成精細圖案。當去除光致抗蝕劑圖案時，光致抗蝕劑的強粘附力導致殘留下膜，并且必須將有機發(fā)光層EML暴露到用于去除光致抗蝕劑圖案的溶齊U。如此，殘留的膜和溶劑會導致有機發(fā)光層EML的故障。由于這個原因，有機發(fā)光顯示設(shè)備的發(fā)光性能必然變差。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]一種有機發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法，包括:在限定在基板中的每個子像素區(qū)上形成薄膜晶體管；在提供有薄膜晶體管的基板上形成鈍化層；在鈍化層的每個子像素區(qū)中形成有機發(fā)光二極管的第一電極；在鈍化層的子像素區(qū)的邊界中形成堤岸圖案；在堤岸圖案上形成暴露出第一子像素區(qū)的光致抗蝕劑圖案；通過在提供有光致抗蝕劑圖案的基板的整個表面上沉積有機材料，在第一子像素區(qū)內(nèi)的第一電極上形成有機發(fā)光層和在光致抗蝕劑圖案上形成有機材料層；和使用分離膜去除光致抗蝕劑圖案和有機材料圖案。所述分離膜包括聚合物粘土并且被設(shè)置在有機材料圖案上，并形成為包圍有機材料圖案和光致抗蝕劑圖案的側(cè)表面。
[0010]一旦查閱了下文附圖和具體描述，其他系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)勢將會或者將變得對于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見。所有這種其他系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)勢都意在于包括在本說明書中，在本公開的范圍內(nèi)，且受到以下權(quán)利要求的保護。該部分中的內(nèi)容不構(gòu)成對權(quán)利要求的限制。下文將結(jié)合實施例討論其他方面和優(yōu)勢。將理解，本公開上文的一般描述和下文的具體描述都是示意性和說明性的，且意在提供如所要求保護的本公開的進一步解釋。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]本文包括附圖以提供本實施例的進一步理解，附圖結(jié)合到本文中并構(gòu)成本申請的一部分，附圖示出了本公開的實施例且與文字描述一起用于解釋本發(fā)明。附圖中:
[0012]圖1A至IF是示出根據(jù)本公開實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法的截面圖；
[0013]圖2是示出根據(jù)本公開實施例的分離膜的截面圖；
[0014]圖3是示出使用圖2的分離膜的分離工藝的截面圖；和
[0015]圖4是示出根據(jù)本公開實施例的分離膜的效果的數(shù)據(jù)表。

【具體實施方式】
[0016]現(xiàn)在將具體參考本公開的實施例，其實例于附圖中示出。提供下文引入的實施例作為實例以將本公開的精神傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。因此，這些實施例體現(xiàn)為不同形式，因此不限于本文描述的這些實施例。在附圖中，可放大設(shè)備的尺寸、厚度等以便于解釋。只要可以，在包括附圖的本公開中，使用相同參考數(shù)字表示相同或相似部分。
[0017]圖1A至IF是示出根據(jù)本公開實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法的截面圖。
[0018]參考圖1A，根據(jù)本公開的有機發(fā)光顯示設(shè)備包括其上形成了柵極線和數(shù)據(jù)線的基板100，柵極線和數(shù)據(jù)線之間具有柵極絕緣膜。柵極線和數(shù)據(jù)線彼此垂直交叉并將基板100限定為多個子像素區(qū)SP1、SP2和SP3。而且，有機發(fā)光顯示設(shè)備包括形成在提供有柵極線和數(shù)據(jù)線的基板100上的薄膜晶體管101、鈍化層102、有機發(fā)光二級管的第一電極103和堤岸圖案104。
[0019]每個薄膜晶體管101都形成在柵極線和數(shù)據(jù)線的交點處，使得該薄膜晶體管具有半導體層、柵極、源極和漏極。每個薄膜晶體管101都經(jīng)由接觸孔電連接到各自有機發(fā)光二極管的第一電極103，該接觸孔形成在鈍化層102中。薄膜晶體管101不限于圖中所示的形狀。換句話說，可將薄膜晶體管101形成為多種形狀。而且，可在每個子像素區(qū)SP中形成多個驅(qū)動元件，其包括開關(guān)薄膜晶體管、驅(qū)動薄膜晶體管、被配置成補償驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓的補償電路?？蓪⑦@些驅(qū)動元件自由地設(shè)置在子像素區(qū)SP中。
[0020]有機發(fā)光二極管的第一電極103可以是陽極。而且，有機發(fā)光二極管的第一電極103以彼此分離的方式與子像素區(qū)SP1、SP2和SP3對應地形成在鈍化層102上。而且，有機發(fā)光二極管的第一電極103與各自漏極接觸。有機發(fā)光二極管的第一電極可形成為透明電極和反射電極中的一種，且可由多種導電材料形成。例如，當有機發(fā)光二極管的第一電極103是透明電極時，有機發(fā)光二極管的第一電極103可由ITO (氧化銦錫)、ΙΖ0 (氧化銦鋅)、ZnO和In2O3中的一種形成。換句話說，如果有機發(fā)光二級管的第一電極是反射電極，則第一電極可配置有由銀Ag、鎂Mg、鋁Al、鉬Pt、鉛Pb、金Au、鎳N1、釹Nd、銥Ir、鉻Cr及其合金中的一種形成的反射膜和由ITO (氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)、ZnO和In2O3形成的透明導電膜。但是，有機發(fā)光二級管的第一電極103不限于上述形成材料。
[0021]以暴露出每一有機發(fā)光二極管的一部分第一電極103的方式形成堤岸圖案104。更具體地，可形成堤岸圖案104以覆蓋有機發(fā)光二極管的第一電極103的邊緣。換句話說，堤岸圖案104可形成在子像素區(qū)SP1、SP2和SP3之間的邊界中。之后將有機發(fā)光層形成在由堤岸圖案104暴露的有機發(fā)光二級管的第一電極103上。這種堤岸圖案104可由絕緣材料，諸如氧化硅S1x、氮化硅SiNx或其他材料形成?；蛘?，堤岸圖案104可由多種有機絕緣材料形成。
[0022]參考圖1B和1C，將光致抗蝕劑膜200層疊在堤岸圖案104上。通過將光致抗蝕劑膜200暴露到激光150，將光致抗蝕劑膜200圖案化成光致抗蝕劑圖案231。
[0023]更具體地，以面對形成在鈍化層102上的堤岸圖案104上表面的方式，設(shè)置并均勻?qū)盈B光致抗蝕劑膜200。光致抗蝕劑膜200必須是均勻?qū)盈B的，在由堤岸圖案104形成的開口中沒有下陷(sagging)。盡管圖中未示出，但是可將輔助堤岸層形成在堤岸圖案104之間(具體地，在由堤岸圖案104形成的開口中)。輔助堤岸層能實現(xiàn)更加均勻地層疊光致抗蝕劑膜200。
[0024]之后，將激光150照射在除了第一子像素區(qū)SPl之外的光致抗蝕劑膜200其余區(qū)域上。激光可具有紅外波長。換句話說，可使用掃描模式或者附加掩模將具有至少100nm紅外波長的激光150照射到光致抗蝕劑膜200的照射區(qū)域上?？苫诠潭芰棵芏?，通過調(diào)整波長和照射時間設(shè)計紅外光的照射?；蛘撸苫谥辽?00nm的固定波長帶，通過控制能量密度和照射時間設(shè)計紅外光的照射。
[0025]光致抗蝕劑膜200可包括支撐層210、光膨脹(photo expans1n)層220和光致抗蝕劑組合物層230?；蛘?，光致抗蝕劑膜200可進一步包括插入到光膨脹層220和光致抗蝕劑組合物層230之間的中間層。所述中間層能防止光致抗蝕劑組合物層230被污染并使光致抗蝕劑組合物層230容易貼附和容易分離。
[0026]支撐層210可保護和支撐光膨脹層220和光致抗蝕劑組合物層230。而且，支撐層210可由具有高透光性的玻璃、透明膜和高聚合物膜中的一種形成。優(yōu)選地，支撐層210由聚酯基膜形成。例如，支撐層210可以是聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜和聚萘二甲酸乙二酯(PEN)膜中的一種。但是，支撐層210不限于上述形成材料。換句話說，支撐層210可由各種材料形成。
[0027]光膨脹層220僅選擇性吸收具有紅外波長帶的光并將所吸收的光轉(zhuǎn)換成熱能。而且，光膨脹層220由于所轉(zhuǎn)換的熱能而膨脹。如此，光膨脹層220可由具有優(yōu)良光吸收性和高光熱能轉(zhuǎn)換效率的材料形成。例如，光膨脹層220可由炭黑、石墨色素、諸如紅外染料的有機化合物、諸如鋁Al、錫Sn、鈦T1、的金屬、其氧化物及其化合物中的一種形成。
[0028]光致抗蝕劑組合物層230包括UV固化樹脂和各種添加劑。如此，光致抗蝕劑組合物層230具有優(yōu)良的收縮性。包含在光致抗蝕劑組合物層230中的UV固化樹脂可由具有丙烯基或乙烯基中一種的有機化合物形成。例如，UV固化樹脂可由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、甲基丙烯酸丁酯BMA、聚氨酯丙烯酸酯和聚乙烯醇中的一種形成。
[0029]包含在光致抗蝕劑組合物層230中的添加劑可包括光引發(fā)劑(light initiator)和光敏產(chǎn)酸物(photo-acid generator)0而且，添加劑可進一步包括粘合劑或包括粘合劑的單體。
[0030]當照射光時，光引發(fā)劑硬化粘合劑。如此，光引發(fā)劑可用于增強光致抗蝕劑膜200的硬度。例如，光引發(fā)劑可包括苯乙酮、苯甲酮、肟等中的一種。光引發(fā)劑的種類或者其含量取決于用在曝光工藝中的光的所需圖案的形狀或者波長帶。
[0031]當照射光時，光敏產(chǎn)酸物能產(chǎn)生酸。例如，光敏產(chǎn)酸物可包括三芳基锍(triaryl sulfonium)、二芳基碘鹽、磺酸鹽及其混合物中的一種。
[0032]當照射光時，粘合劑可用作交聯(lián)劑。例如，粘合劑可包括酚醛清漆、聚酯丙烯酸酯(polyester acylate)、環(huán)氧樹脂丙烯酸酯(epoxy acylate)、聚氨酯丙烯酸酯、或其他。但是，光致抗蝕劑組合物層230不限于上述材料。換句話說，光致抗蝕劑組合物層230可由多種材料形成。
[0033]光致抗蝕劑膜200僅在向其照射激光150的區(qū)域中區(qū)域化地體積膨脹并層間分離。更具體地，暴露到激光150的光膨脹層220的一部分體積膨脹，之后光致抗蝕劑組合物層230與光膨脹層220膨脹部分對應的部分與光膨脹層220分離。另一方面，光膨脹層220和光致抗蝕劑組合物層230在不暴露到激光150的其他區(qū)域(即，第一子像素區(qū)SPl)中不會彼此層間分離。換句話說，僅在暴露到激光150的光致抗蝕劑膜200區(qū)域中產(chǎn)生層間分離。如此，通過去除層間分離的光膨脹層220，光致抗蝕劑圖案231僅保留在暴露到激光150的區(qū)域中。
[0034]以這種方式，能如圖中所示地形成在第一子像素區(qū)SPl中形成開口的光致抗蝕劑圖案231。如此，有機發(fā)光層可沉積在第一子像素區(qū)SPl內(nèi)的有機發(fā)光二級管的第一電極103上。盡管圖中未示出，但是可在堤岸圖案104上選擇性地形成在第二子像素區(qū)SP2中形成另一開口的另一光致抗蝕劑圖案、或者在第三子像素區(qū)SP3中形成再一開口的再一光致抗蝕劑圖案，而非上述光致抗蝕劑圖案231。
[0035]可通過在照射紅外激光的同時調(diào)整溫度來形成光致抗蝕劑圖案231。根據(jù)光致抗蝕劑膜200的特性，可選擇性采用諸如調(diào)整溫度的附加處理。
[0036]參考圖1D，有機材料層105和106可形成在提供有光致抗蝕劑圖案231的基板100的整個表面上。有機材料層105和106可包括有機發(fā)光層105和有機材料圖案106。包含紅色發(fā)光材料的有機發(fā)光層105形成在光致抗蝕劑圖案231暴露出的有機發(fā)光二級管的第一電極103上(即在第一子像素區(qū)SPl中)。另一方面，有機材料圖案106形成在占據(jù)了除了第一子像素區(qū)SPl以外的基板100其余區(qū)域的光致抗蝕劑圖案231上。換句話說，有機發(fā)光層105和有機材料圖案106由相同材料形成，但是位于彼此不同的位置中。而且，在隨后的工藝中，如圖1F中所示，不僅在第二子像素區(qū)SP2內(nèi)的有機發(fā)光二級管的第一電極103上沉積包含綠色發(fā)光材料的另一有機發(fā)光層，還在第三子像素區(qū)SP3內(nèi)的有機發(fā)光二級管的第一電極103上沉積包含藍色發(fā)光材料的再一有機發(fā)光層。
[0037]有機發(fā)光層105可以是由發(fā)光材料形成的單層。或者，為了增強發(fā)光效率，有機發(fā)光層105可配置有多層，其包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光材料層、電子傳輸層和電子注入層。
[0038]空穴注入層能使空穴自有機發(fā)光二級管的第一電極103順利注入到發(fā)光材料層中。這種空穴注入層可由CuPc (銅酞青),PEDOT (聚(3，4-乙烯二氧噻吩))，PANI (聚苯胺)和 NPD (N, N- 二蔡基-N, N’ - 二苯基聯(lián)苯胺)(N, N-dinaphthy-N, N’ -diphenyl benzidine)中的一種形成，但是不限于此。
[0039]空穴傳輸層用于使空穴易于傳輸?shù)桨l(fā)光材料層和抑制在陰極產(chǎn)生的電子向發(fā)光區(qū)移動以增強發(fā)光效率。換句話說，空穴傳輸層用于順利傳輸空穴。這種空穴傳輸層可由NPD (N, N- 二萘基-N, N’ - 二苯基聯(lián)苯胺)，TPD (N, N’ -雙(3-甲基苯基)-N, N’ -雙-(苯基)_ 聯(lián)苯胺)(N, N' -bis- (3-methylphenyl) -N, N' -bis- (phenyl) -benzidine), s_TAD 和MTDATA (4，4’，4〃-三(N_3_ 甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺)(4，4’，4〃_Tris (N-3-methylpheny 1-N-phenyl-amino)-triphenylamine)中的一種形成，但是不限于此。
[0040]發(fā)光材料層可包括主材料和摻雜劑。而且，發(fā)光材料層可由發(fā)出紅光、綠光、藍光和白光中一種的發(fā)光材料形成。發(fā)光材料可以是磷光材料和突光材料中的一種。如此，可使用多種發(fā)光材料形成發(fā)光材料層。
[0041]電子傳輸層能使電子易于傳輸。這種電子傳輸層可由Alq3 (三(8_輕基喹啉)招)(tris (8-hydroxyquinolino) aluminum)、PBD、TAZ、螺旋 _PBD、BAlq 和 SAlq 中的一種形成，但是不限于此。
[0042]電子注入層能順利注入電子。這種電子注入層可由Alq3(三(8_羥基喹啉)鋁)、PBD、TAZ、_PBD、BAlq和SAlq中的一種形成，但不限于此。
[0043]包含在有機發(fā)光層105中的紅色發(fā)光材料可以是磷光材料和突光材料中的一種。磷光材料可以包括主材料和摻雜劑，所述主材料包括CBP (咔唑聯(lián)苯)和mCP(l，3-雙(咔唑-9-基)((1，3-bis (carbazol-9-yl))中一種，所述摻雜劑包括選自由PIQIr (acac)(雙(1-苯基異喹啉)乙酰丙酮化銥)、PIQIr (acac)(雙(1-苯基喹啉)乙酰丙酮化銥)、PQIr (三(1-苯基喹啉)銥)和PtOEP (八乙烷基卟啉鉬)構(gòu)成的組的至少一種。熒光材料可包括PBD:Eu(DBM) 3 (Phen)和二萘嵌苯中的一種。但是，本公開不限于此。
[0044]包含在形成于第二子像素區(qū)SP2中的有機發(fā)光層中的綠色發(fā)光材料可以是磷光材料和熒光材料中的一種。磷光材料可包括主材料和摻雜劑，所述主材料包括CBP和mCP中的一種，所述摻雜劑包括Ir(ppy)3(fac三(2-苯基卩比唳)銥)(Ir (ppy) 3 (factris (2-phenylpyridine) iridium))。突光材料可包括 alq3 (三(8-輕基喹啉)招)。但是，本公開不限于此。
[0045]包含在形成于第三子像素區(qū)SP3中的有機發(fā)光層中的藍色發(fā)光材料可以是磷光材料和熒光材料中的一種。磷光材料可包括主材料和摻雜劑，所述主材料包括CBP和mCP中的一種，所述摻雜劑包括(4，5-F2ppy)2Irpic和L2BD111中的一種。熒光材料可包括選自由螺旋-6P、二苯乙烯基苯(DSB)、聯(lián)苯乙烯(DSA)、PFO基高聚物和PPV基高聚物構(gòu)成的組中的一種。但是本公開不限于此。
[0046]例如，有機紅色發(fā)光層105可由紅色發(fā)光材料形成，其包括例如Alq3(主材料)/DCJTB (熒光摻雜劑)、Alq3 (主材料)/DCM (熒光摻雜劑)、CBP (主材料)/PtOEP (磷光有機金屬復合物)或其他的低聚物材料，和例如PFO基高聚物、PPV-基高聚物或其他的高聚物材料。有機綠色發(fā)光層可由綠色發(fā)光材料形成，其包括例如Alq3、Alq3 (主材料)/C545t (摻雜劑)、CBP (主材料)/IrPPY (磷光有機材料復合物)或其他的低聚物材料，和例如PFO基高聚物、PPV基高聚物或其他的高聚物材料。有機藍色發(fā)光層可由藍色發(fā)光材料形成，其包括例如DPVB1、螺旋-DPVB1、螺旋-6P、二苯乙烯基苯(DSB)、聯(lián)苯乙烯(DSA)或其他的低聚物材料，和例如PFO基高聚物、PPV基高聚物或其他的高聚物材料。
[0047]如圖1E中所示，使用分離膜350和分離輥300將提供有有機材料圖案106的光致抗蝕劑圖案231自基板100去除。此時，可通過暴露到紫外線來硬化光致抗蝕劑圖案231，從而降低光致抗蝕劑圖案231和堤岸圖案104之間的內(nèi)聚力。光致抗蝕劑圖案231和堤岸圖案104之間降低的內(nèi)聚力能使光致抗蝕劑圖案231與堤岸圖案104容易被分離膜350分離。
[0048]通過在光致抗蝕劑圖案231和有機材料圖案106上定位纏繞有分離膜350的分離輥300，和在旋轉(zhuǎn)方向上旋轉(zhuǎn)分離輥300，可自堤岸圖案104去除有機材料圖案106和光致抗蝕劑圖案231。現(xiàn)在將參考圖2和3描述纏繞在分離輥300周圍的分離膜350。
[0049]圖2是示出根據(jù)本公開實施例的分離膜的截面圖。圖3是示出使用圖2的分離膜的分離工藝的截面圖。
[0050]參考圖2，分離膜350包括支撐層351和粘著層352。支撐層351可以是被配置成支撐粘著層352的基膜。粘著層352由適合于同時分離有機材料圖案106和光致抗蝕劑圖案231的粘合材料形成。如果粘著層352不具有所需強度、厚度、柔性、彈性等，則可能會由于部分去除光致抗蝕劑圖案231而導致產(chǎn)生外來物質(zhì)，所述外來物質(zhì)包括光致抗蝕劑圖案231的殘余物和細小灰塵。由于這個原因，有機發(fā)光顯示設(shè)備的質(zhì)量會變差。為了解決這個問題，可執(zhí)行多次分離工藝。這種情況下，由于增加了工藝時間導致生產(chǎn)效率變差。
[0051]因此，本公開旨在提供適合于增強分離工藝的效率并防止產(chǎn)生外來物質(zhì)的分離膜350。
[0052]圖3是示出圖1E中的區(qū)域A的側(cè)表面并圖示分離工藝的截面圖。本文中公開的分離膜350可與將要分離的有機材料圖案106的上表面以及有機材料圖案106和光致抗蝕劑圖案231的側(cè)表面接觸。換句話說，為了克服分離膜350僅與將要分離的圖案的上表面接觸的限制性，分離膜可形成為具有足夠的粘合面積以接觸將要去除的所有材料。為此，可應用覆蓋效應(capping effect)于分離膜350。覆蓋效應的意思是包圍材料層的側(cè)表面的技術(shù)。
[0053][等式I]

I μ.窗-Λ J....J.....
[0054]fc ~
[0055]在等式I中，“k”是粘著材料層的硬度，“A”是粘著材料層的截面積，“E”是楊氏模量，“L”是粘著材料層的長度。隨著硬度變高，很難應用覆蓋效應。換句話說，必須降低楊氏模量以降低硬度。據(jù)此，分離膜350可形成為足以包圍有機材料圖案106的上表面以及有機材料圖案106和光致抗蝕劑圖案231的側(cè)表面。
[0056]為了降低楊氏模量，分離膜350的粘著層352可包括聚合物粘土和彈性材料。分離膜350的粘著層352進一步包括增粘劑(tackifier)以增加粘合力。而且，為了增加粘合力，可以調(diào)整粘著層352的硬化條件和密度。優(yōu)選地，在完全使用非反應的可交聯(lián)官能團之前結(jié)束硬化反應。為此，可控制硬化程度不低于17%且不高于85%。換句話說，可通過降低硬化密度來保留非反應的可交聯(lián)官能團從而降低楊氏模量。而且，當接觸面積變寬時，非反應的可交聯(lián)官能團與增粘劑一起增強粘合力。
[0057]分離膜350可由具有容易變長而不折斷性質(zhì)的材料形成。換句話說，分離膜350可由至少兩種材料的混合物形成。而且，分離膜350的粘著層352的厚度可形成在約2 μ m~200 μ m范圍內(nèi)，以包圍將要被去除的有機材料圖案106和光致抗蝕劑圖案231。
[0058]聚合物粘土可包括聚乙烯基材料和氨基甲酸酯基材料作為主要材料。例如，聚合物粘土可包括PVC、PS、PE、PP、PVA、PMMA, PVAc等中的一種。但是，屬于聚合物粘土的材料可用于形成粘著層352。如此，本公開不限于此。而且，聚合物粘土可包括發(fā)泡劑。該發(fā)泡劑可增加聚合物主鏈(backbone)之間的距離和引起楊氏模量退化。聚合物粘土可進一步包括鄰苯二甲酸基(phthalate-based)添加劑，以增強柔韌性。
[0059]彈性體可包括選自以下組中的一種，作為實例，該組由氯磺化聚乙烯、共聚酯TPE、環(huán)氧氯丙烷橡膠、環(huán)氧樹脂、乙烯丙烯酸酯橡膠、乙烯丙烯橡膠、乙烯醋酸乙烯酯共聚物、碳氟化合物橡膠、氟硅橡膠、鹵化丁基橡膠、氫化丁腈橡膠、熔融加工橡膠、天然橡膠、氯丁橡膠、丁腈橡膠、聚醚嵌段酰胺、聚丙烯酸酯橡膠、聚異戊二烯橡膠、聚烯烴彈性體、聚(環(huán)氧丙烷)橡膠、聚硫橡膠、有機硅改性EPDM、硅樹脂橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、苯乙烯TPE及其組合物構(gòu)成。但是，屬于彈性體的所有材料都可用于形成粘著層352。如此，本公開不限于此。
[0060]增粘劑可以是香豆酮卻(cumarone inden)樹脂、碘基樹脂、職烯基樹脂、苯酹基樹脂等中的一種。優(yōu)選地，增粘劑包括甲醛、縮醛及其組合物中的一種。但是，屬于增粘劑的所有材料都可用于形成粘著層352。如此，本公開不限于此。
[0061]根據(jù)本公開的分離膜的實例可獲得如圖4中所示的效果。
[0062]圖4是示出根據(jù)本公開的分離膜的效果的數(shù)據(jù)表。
[0063]根據(jù)本公開的分離膜可體現(xiàn)或修改為多種模式。如此，分離膜350的范圍不限于以下實例。
[0064]第一至第三實例
[0065]分離膜350的粘著層352的第一至第三實例可由下表1中描述的組合物形成。根據(jù)第一至第三實例的粘著層352的厚度可形成為2 μ m。
[0066][表 I]
[0067]

【權(quán)利要求】
1.一種制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述方法包括: 在被限定在基板中的每個子像素區(qū)上形成薄膜晶體管； 在具有薄膜晶體管形成于其上的基板上形成鈍化層； 在鈍化層的每個子像素區(qū)中形成有機發(fā)光二級管的第一電極； 在鈍化層的子像素區(qū)的邊界中形成堤岸圖案； 在堤岸圖案上形成暴露第一子像素區(qū)的光致抗蝕劑圖案； 通過在具有光致抗蝕劑圖案的基板的整個表面上沉積有機材料，在第一子像素區(qū)內(nèi)的第一電極上形成有機發(fā)光層和在光致抗蝕劑圖案上形成有機材料層；和使用分離膜去除光致抗蝕劑圖案和有機材料圖案， 其中所述分離膜包括聚合物粘土，被設(shè)置在有機材料圖案上，并形成為包圍有機材料圖案和光致抗蝕劑圖案的側(cè)表面。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分離膜還包括彈性體。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分離膜還包括增粘劑。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述聚合物粘土包括發(fā)泡劑。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述聚合物粘土包括鄰苯二甲酸基添加劑。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分離膜包括支撐層和粘著層。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述分離膜的粘著層在17%?85%的范圍內(nèi)硬化。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分離膜的厚度形成在2μπι?200μπι范圍內(nèi)。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分離膜纏繞在分離輥周圍，所述光致抗蝕劑圖案和有機材料圖案的分離包括: 設(shè)置纏繞有分離膜的分離輥； 使分離膜與有機材料圖案的上表面以及有機材料圖案和光致抗蝕劑圖案的側(cè)表面接觸；和 通過旋轉(zhuǎn)分離輥去除光致抗蝕劑圖案和有機材料圖案。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在使用分離膜去除光致抗蝕劑圖案和有機材料圖案之前，通過照射紫外線到光致抗蝕劑圖案來硬化光致抗蝕劑圖案。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述光致抗蝕劑圖案包括: 將第一光致抗蝕劑膜層疊在堤岸圖案上；和 照射激光到除了第一子像素區(qū)之外的光致抗蝕劑膜的其余區(qū)域；和 除了光致抗蝕劑圖案之外，自堤岸圖案去除第一光致抗蝕劑膜。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中第一光致抗蝕劑膜包括: 與堤岸圖案接觸的光致抗蝕劑組合物層； 形成在光致抗蝕劑組合物層上的光膨脹層；和 形成在光膨脹層上的支撐層。
【文檔編號】H01L51/56GK104183547SQ201310712479
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2013年12月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月28日
【發(fā)明者】樸宰賢, 金珍郁, 金瑋镕 申請人:樂金顯示有限公司