像素結(jié)構(gòu)及其制造方法
【專利摘要】一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，包括以下步驟：圖案化一第一金屬層以形成一源極以及一漏極，且圖案化一半導(dǎo)體材料層以形成一通道層以及一像素圖案。形成一第一絕緣層以覆蓋通道層、源極、漏極以及像素圖案。于通道層上方的第一絕緣層上形成一柵極。形成一第二絕緣層以覆蓋柵極以及第一絕緣層。于第一絕緣層以及第二絕緣層中形成一像素開(kāi)口以暴露出像素圖案的部分區(qū)域。對(duì)像素開(kāi)口所暴露出的像素圖案的部分區(qū)域進(jìn)行改質(zhì)以形成與漏極電性連接的一像素電極。
【專利說(shuō)明】像素結(jié)構(gòu)及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有改質(zhì)的像素電極的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]電致發(fā)光裝置是一種自發(fā)光性(Emissive)的裝置。由于電致發(fā)光裝置具有無(wú)視角限制、低制造成本、高應(yīng)答速度、省電、可使用于可攜式機(jī)器的直流驅(qū)動(dòng)、工作溫度范圍大以及重量輕且可隨硬件設(shè)備小型化及薄型化等等。因此，電致發(fā)光裝置具有極大的發(fā)展?jié)摿?，可望成為下一世代的新穎平面顯示器。
[0003]一般來(lái)說(shuō)，電致發(fā)光裝置是由一上電極層、一下電極層以及夾于兩電極層之間的一發(fā)光層所組成、其中下電極層一般是采用透明導(dǎo)電材質(zhì)，以使發(fā)光層所產(chǎn)生的光線可以穿透出。下電極層通常是由像素結(jié)構(gòu)中的像素電極構(gòu)成。然而，一般需以多道光罩工藝來(lái)制作像素結(jié)構(gòu)，其中有多層絕緣層存在于像素電極與基板之間，因此當(dāng)光線由像素電極往基板方向穿透出時(shí)，容易造成電致發(fā)光裝置的光源顯示強(qiáng)度不足以及色偏等現(xiàn)象發(fā)生。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，其工藝簡(jiǎn)單而且像素結(jié)構(gòu)可具有理想的光源顯示強(qiáng)度。
[0005]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括以下的步驟。于一基板上依序形成一半導(dǎo)體材料層以及一第一金屬層。圖案化第一金屬層以形成一源極以及一漏極，且圖案化半導(dǎo)體材料層以形成一通道層以及一像素圖案，其中源極以及漏極設(shè)置于通道層上。于基板上形成一第一絕緣層，第一絕緣層覆蓋通道層、源極、漏極以及像素圖案。于通道層上方的第一絕緣層上形成一柵極。于基板上形成一第二絕緣層，第二絕緣層覆蓋柵極以及第一絕緣層。于第一絕緣層以及第二絕緣層中形成一像素開(kāi)口，像素開(kāi)口暴露出像素圖案的至少一部分區(qū)域。對(duì)像素開(kāi)口所暴露出的像素圖案的至少一部分區(qū)域進(jìn)行改質(zhì)以形成與漏極電性連接的一像素電極。
[0006]上述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中對(duì)該像素開(kāi)口所暴露出的該像素圖案的至少一部分區(qū)域進(jìn)行改質(zhì)的方法包括一氮?dú)馔嘶鸸に嚒?br> [0007]上述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該半導(dǎo)體材料層的材料包括In(2_x)M3(x)03[Zn(1_y)iCyOLNW，其中O蘭X蘭2，O蘭y蘭1，O蘭m〈6，0蘭z蘭1，M2與M3各自獨(dú)立為Mg、Ca、Sr、Hf、Zn、Sn、B、Al、Ga、Y 或 La。
[0008]上述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該源極、該漏極、該通道層以及該像素圖案是以同一道光罩工藝形成。
[0009]上述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中還包括形成一第一接觸窗以及一第二接觸窗于該第一絕緣層中并分別暴露出該源極以及該漏極；以及形成該柵極、一源極連接線以及一漏極連接線于該第一絕緣層上，且該源極連接線透過(guò)該第一接觸窗連接該源極，以及該漏極連接線透過(guò)該第二接觸窗連接該漏極。
[0010]上述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在圖案化該第一金屬層時(shí)，還包括形成一儲(chǔ)存電容的一下電極，該第一絕緣層覆蓋該下電極，并且于該下電極上方的該第一絕緣層上形成對(duì)應(yīng)該下電極的該儲(chǔ)存電容的一上電極。
[0011]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括以下的步驟。于一基板上形成一半導(dǎo)體材料層。圖案化半導(dǎo)體材料層以形成一通道圖案以及一像素圖案，其中通道圖案包含一第一區(qū)域與分別位于第一區(qū)域兩側(cè)的第二區(qū)域。于通道圖案上形成一第一絕緣層，第一絕緣層覆蓋通道圖案的第一區(qū)域。于第一絕緣層上形成一柵極。形成一金屬層，覆蓋于該通道圖案的該等第二區(qū)域以及柵極。對(duì)金屬層進(jìn)行改質(zhì)以使金屬層形成一金屬氧化物層，并且與金屬層接觸的該等第二區(qū)域形成彼此分離的一源極以及一漏極，而與金屬層接觸的像素圖案形成一與漏極電性連接的像素電極。于基板上形成一第二絕緣層，第二絕緣層覆蓋源極、漏極、柵極以及像素電極。于第二絕緣層以及金屬氧化層中形成一像素開(kāi)口，像素開(kāi)口暴露出像素電極的至少一部分區(qū)域。
[0012]上述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中對(duì)該金屬層進(jìn)行改質(zhì)的方法包括一氧氣退火工藝。
[0013]上述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該半導(dǎo)體材料層的材料包括In(2_x)M3(x)03[Zn(1_y)iCyOLNW，其中O蘭X蘭2，O蘭y蘭1，O蘭m〈6，0蘭z蘭1，M2與M3各自獨(dú)立為Mg、Ca、Sr、Hf、Zn、Sn、B、Al、Ga、Y 或 La。
[0014]上述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中還包括形成一第一接觸窗以及一第二接觸窗于該第二絕緣層以及該金屬氧化物層中并分別暴露出部分該源極以及部分該漏極；形成一源極連接線以及一漏極連接線于該第二絕緣層上且該源極連接線透過(guò)該第一接觸窗連接該源極，以及該漏極連接線透過(guò)該第二接觸窗連接該漏極。
[0015]上述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中還包括形成一儲(chǔ)存電容，該儲(chǔ)存電容的形成方法包括:在圖案化該半導(dǎo)體材料層時(shí)，還包括形成一電容圖案，該電容圖案包含一第三區(qū)域與分別位于該第三區(qū)域兩側(cè)的第四區(qū)域；該第一絕緣層還形成于該電容圖案的該第三區(qū)域；于該第三區(qū)域上方的該第一絕緣層上形成一上電極，其中該金屬層還覆蓋于該電容圖案的該等第四區(qū)域以及該上電極，而在對(duì)該金屬層進(jìn)行改質(zhì)時(shí)，與該金屬層接觸的該電容圖案的該等第四區(qū)域形成一下電極。
[0016]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)設(shè)置于一基板上。像素結(jié)構(gòu)包括一通道層、一源極、一漏極、一像素電極、一第一絕緣層、一柵極以及一第二絕緣層。通道層設(shè)置于基板上。源極設(shè)置于通道層上。漏極設(shè)置于通道層上，源極以及漏極彼此分離。像素電極設(shè)置于基板上，像素電極與漏極電性連接，其中通道層與像素電極包括一半導(dǎo)體材料層，并且像素電極的氧氣含量低于通道層的氧氣含量。第一絕緣層覆蓋通道層。柵極設(shè)置于通道層上方的第一絕緣層上。第二絕緣層覆蓋柵極以及第一絕緣層，其中第二絕緣層中具有一像素開(kāi)口，像素開(kāi)口暴露出像素電極的至少一部分區(qū)域。
[0017]上述的像素結(jié)構(gòu)，其中該通道層與該像素電極位于同一表面上。
[0018]上述的像素結(jié)構(gòu)，其中該通道層與該像素電極系由同一半導(dǎo)體材料層所制作，該半導(dǎo)體材料層包括 In(2_x)M3(x)03[Zn(1_y)M2(y)0]mN(z)，其中 O ≤x ≤2，O ≤y ≤1，O ≤m〈6，O ^ z ^ 1，M2 與 M3 各自獨(dú)立為 Mg、Ca、Sr、Hf、Zn、Sn、B、Al、Ga、Y 或 La。[0019]上述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一絕緣層還覆蓋該源極以及該漏極，并且暴露出該像素電極的至少一部分區(qū)域。
[0020]上述的像素結(jié)構(gòu)，其中該像素電極包括一導(dǎo)體部以及一半導(dǎo)體部，該像素開(kāi)口暴露出該像素電極的該導(dǎo)體部，該第一絕緣層以及該第二絕緣層覆蓋該像素電極的該半導(dǎo)體部。
[0021]上述的像素結(jié)構(gòu)，其中還包括:一第一接觸窗以及一第二接觸窗，設(shè)置于該第一絕緣層內(nèi)，且該第一接觸窗和該第二接觸窗分別暴露出該源極以及該漏極；以及一源極連接線以及一漏極連接線，設(shè)置于該第一絕緣層上，其中該源極連接線透過(guò)該第一接觸窗和該源極連接，且該漏極連接線透過(guò)該第二接觸窗和該漏極連接。
[0022]上述的像素結(jié)構(gòu)，其中還包括一儲(chǔ)存電容，該儲(chǔ)存電容包括:一下電極，設(shè)置于該基板上，該第一絕緣層還覆蓋該下電極，其中該下電極包含與該源極以及該漏極相同的膜層；以及一上電極，設(shè)置于該下電極上方的該第一絕緣層上，該上電極與該柵極屬于同一膜層。
[0023]上述的像素結(jié)構(gòu)，其中還包括一金屬氧化物層，該金屬氧化物層覆蓋于該柵極、該第一絕緣層、該源極以及該漏極上，并且暴露出該像素電極的至少一部分區(qū)域，而該第二絕緣層設(shè)置于該金屬氧化物層上。
[0024]上述的像素結(jié)構(gòu)，其中該像素電極包括一導(dǎo)體部以及一半導(dǎo)體部，該半導(dǎo)體部設(shè)置于該基板上，且該導(dǎo)體部設(shè)置于該半導(dǎo)體部上，該像素開(kāi)口暴露出該像素電極的該導(dǎo)體部。
[0025]上述的像素結(jié)構(gòu)，其中還包括:一第一接觸窗、一第二接觸窗以及一第三接觸窗，設(shè)置于該第二絕緣層以及該金屬氧化物層中，且該第一接觸窗與該第二接觸窗分別暴露出該源極以及該漏極，該第三接觸窗暴露出該出像素電極；以及一源極連接線以及一漏極連接線，設(shè)置于該第二絕緣層上，其中該源極連接線透過(guò)該第一接觸窗和該源極連接，且該漏極連接線透過(guò)該第二接觸窗與該第三接觸窗連接該漏極和該像素電極。
[0026]上述的像素結(jié)構(gòu)，其中還包括一儲(chǔ)存電容，該儲(chǔ)存電容包括:一下電極，設(shè)置于該基板上，該下電極包括一非改質(zhì)部以及位于該非改質(zhì)部?jī)蓚?cè)的一改質(zhì)部，該改質(zhì)部與該源極以及該漏極屬于同一膜層，且該第一絕緣層還覆蓋該非改質(zhì)部；一上電極，設(shè)置于該非改質(zhì)部上方的該第一絕緣層上，該上電極與該柵極屬于同一膜層。
[0027]基于上述，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制造方法同時(shí)形成通道層以及像素圖案，并改質(zhì)像素圖案以形成具有導(dǎo)體特性的像素電極，其工藝簡(jiǎn)單可降低制作成本。此外，以像素電極作為電致發(fā)光裝置的透明下電極時(shí)，由于像素電極與基板之間幾乎沒(méi)有絕緣層的存在，因此可以確保光源的顯示強(qiáng)度并減少色偏的現(xiàn)象發(fā)生。
[0028]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0029]圖1A至圖1E為本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的制造流程剖面示意圖；
[0030]圖1F為本發(fā)明另一實(shí)施例的電致發(fā)光裝置的剖面示意圖；
[0031]圖2為圖1E的實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；[0032]圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0033]圖4A至圖4F為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的制造流程剖面示意圖；
[0034]圖5為圖4F的實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；
[0035]圖6為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0036]圖7為本發(fā)明一實(shí)施例的主動(dòng)元件的電流對(duì)電壓的關(guān)系圖。
[0037]其中，附圖標(biāo)記:
[0038]100、100a、200:像素結(jié)構(gòu)102、202:基板
[0039]104、204:半導(dǎo)體材料層106:第一金屬層
[0040]108:下電極110:下導(dǎo)電層
[0041]112:像素圖案114a、114b、114c:墊層
[0042]116:第一絕緣層118:上電極
[0043]120:上導(dǎo)電層122:第二絕緣層
[0044]122a:第一材料層122b:第二材料層
[0045]124:像素開(kāi)口126:導(dǎo)體部
[0046]128:半導(dǎo)體部206:通道圖案
[0047]206a:第一區(qū)域206b:第二區(qū)域
[0048]208:像素圖案210:電容圖案
[0049]210a:第三區(qū)域210b:第四區(qū)域
[0050]212:接墊圖案214:第一絕緣層
[0051]216:上電極218:金屬層
[0052]220:金屬氧化物層222:導(dǎo)體部
[0053]224:半導(dǎo)體部226:下電極
[0054]226a:非改質(zhì)部226b:改質(zhì)部
[0055]228:下導(dǎo)電層229:墊層
[0056]230:第二絕緣層230a:第一材料層
[0057]230b:第二材料層232:像素開(kāi)口
[0058]234:上導(dǎo)電層Cl~C12:接觸窗
[0059]CC:電容連接線CH:通道層
[0060]CS:儲(chǔ)存電容D:漏極
[0061]DC:漏極連接線DL:數(shù)據(jù)線
[0062]G:柵極PE:像素電極
[0063]PD:接墊PL:電源線
[0064]SL:掃描線S:源極
[0065]SC:源極連接線Tl~T4:主動(dòng)元件
[0066]Ι- 、I1-1I ’ JI1-1II，、IV -1V:剖線
【具體實(shí)施方式】
[0067]圖1A至圖1E為本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的制造流程剖面示意圖。圖2為圖1E的實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖，其中圖1A至圖1E的剖面位置可參考圖2所繪示的剖線位置。為清楚繪示像素結(jié)構(gòu)的構(gòu)件位置，圖2省略繪示部分構(gòu)件。
[0068]請(qǐng)參照?qǐng)D1A與圖2,首先,于一基板102上形成一半導(dǎo)體材料層104以及一第一金屬層106。半導(dǎo)體材料層104的材料包括In(2_x)M3(x)03[Zn(1_y)M2(y)0]mN(z)，其中O蘭x蘭2，O ^ y ^ 1,0 ^ m〈6，0 ^ z ^ I，M2 與 M3 各自獨(dú)立為 Mg、Ca、Sr、Hf、Zn、Sn、B、Al、Ga、Y 或La。其中半導(dǎo)體材料層104的電子遷移率會(huì)隨著載子濃度增加而增加。第一金屬層106的材料包括鋁(Al)、氮化鑰/鋁(MoN/Al)堆疊膜、氮化鑰/鋁/氮化鑰(MoN/Al/MoN)堆疊膜、鈦/銅/鈦(Ti/Cu/Ti)堆疊膜、鈦合金/銅/鈦合金(Ti alloy/Cu/Ti alloy)堆疊膜、氮化鑰/釹化鋁(MoN/AINd)堆疊膜、鈦/釹化鋁(Ti/AINd)堆疊膜、鈦合金/釹化鋁(Tialloy/AINd)堆疊膜。
[0069]請(qǐng)參照?qǐng)D1B與圖2，圖案化半導(dǎo)體材料層104以及第一金屬層106以形成一源極
S、一漏極D、一下電極108、一數(shù)據(jù)線DL、一下導(dǎo)電層110、一通道層CH、一像素圖案112以及多個(gè)墊層114a、114b、114c。漏極S、漏極D、下電極108、數(shù)據(jù)線DL以及下導(dǎo)電層110屬于同一膜層。通道層CH、像素電極112以及墊層114a、114b、114c屬于同一膜層。詳細(xì)而言,可先透過(guò)一半色調(diào)光罩(half tonemask)工藝來(lái)圖案化半導(dǎo)體材料層104以形成通道層CH、像素圖案112以及墊層114a、114b、114c。此時(shí)，通道層CH、像素圖案112以及墊層114a、114b、114c上方還殘留著待圖案化的部分第一金屬層106。接著，再次透過(guò)該半色調(diào)光罩工藝圖案化上述待圖案化的部分第一金屬層106以形成源極S、漏極D、下電極108、數(shù)據(jù)線DL以及下導(dǎo)電層110。換言之，本實(shí)施例可使用同一道光罩工藝形成源極S、漏極D、通道層CH以及像素圖案112。
[0070]在本實(shí)施例中，源極S以及漏極D設(shè)置于通道層CH上，且源極S以及漏極D彼此分離。下電極108設(shè)置于墊層114a上。數(shù)據(jù)線DL設(shè)置于墊層114b上。下導(dǎo)電層110設(shè)置于墊層114c上。換言之，墊層114a位于基板102與下電極108之間。墊層114b位于基板102與數(shù)據(jù)線DL之間。墊層114c位于基板102與下導(dǎo)電層110之間。
[0071]接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1C與圖2，于基板102上形成一第一絕緣層116。第一絕緣層116覆蓋源極S、漏極D、通道層CH、像素圖案112、下電極108以及數(shù)據(jù)線DL。第一絕緣層116中具有多個(gè)接觸窗以暴露出部分構(gòu)件，這些接觸窗例如是以一道光罩工藝形成。具體而言，一第一接觸窗Cl暴露出源極S的部分區(qū)域，一第二接觸窗C2暴露出一電源線PL的部分區(qū)域，一第三接觸窗C3暴露出漏極D的部分區(qū)域，一第四接觸窗C4暴露出像素圖案112的部分區(qū)域，一第五接觸窗C5暴露出下導(dǎo)電層110。第一絕緣層116的材料包括鈦氧化物(TiOx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、鋁氧化物(AlOx)、鋯氧化物(ZrOx)、鉿氧化物(HfOx)、鎂鉿氧化物(MgZrOx)、鋇鈦氧化物(BaTiOx, χ>1)以及上述材料的堆疊膜。
[0072]接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1D與圖2，于基板102上形成一圖案化金屬層，其例如是以一道光罩工藝 第一絕緣層116上形成一源極連接線SC、一柵極G、一漏極連接線DC、一上電極118、一掃描線SL以及一上導(dǎo)電層120。換言之，源極連接線SC、柵極G、漏極連接線DC、上電極118、掃描線SL以及上導(dǎo)電層120屬于同一膜層。具體而言，柵極G設(shè)置于通道層CH上方的第一絕緣層116上。源極連接線SC透過(guò)第一接觸窗Cl以及第二接觸窗C2分別與源極S以及電源線PL電性連接(如圖2的俯視圖所示)，其中電源線PL可經(jīng)由源極連接線SC提供一電流源至源極S。漏極連接線DC透過(guò)第三接觸窗C3與漏極D連接，且漏極連接線DC更進(jìn)一步透過(guò)第四接觸窗C4與像素圖案112連接。上電極118設(shè)置于下電極108上方的第一絕緣層116上，其中對(duì)應(yīng)的上電極108與下電極118可形成一儲(chǔ)存電容CS。上導(dǎo)電層120設(shè)置于下導(dǎo)電層110上，其中上導(dǎo)電層120與下導(dǎo)電層110直接接觸而形成一接墊H)。接墊ro例如是位于數(shù)據(jù)線DL或掃描線SL的末端而用以和印刷電路板或是驅(qū)動(dòng)芯片電性連接的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
[0073]接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1E與圖2，于基板102上形成一第二絕緣層122，并且以一道光罩工藝于第一絕緣層116以及第二絕緣層122中形成一像素開(kāi)口 124以暴露出像素圖案112的部分區(qū)域。但不以此為限，在其他實(shí)施例中亦可先于第二絕緣層122中形成一開(kāi)口，再于第一絕緣層116中形成另一開(kāi)口，以共同構(gòu)成一像素開(kāi)口 124暴露出像素圖案112的部分區(qū)域。第二絕緣層122覆蓋上電極118以及掃描線SL，且第二絕緣層122暴露出上導(dǎo)電層120。接著，對(duì)像素開(kāi)口 124所暴露出的像素圖案112的部分區(qū)域進(jìn)行改質(zhì)以形成一像素電極PE。具體而言,第二絕緣層122包括一第一材料層122a以及一第二材料層122b,其中第一材料層122a的材料包括鈦氧化物(TiOx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、鋁氧化物(AlOx)、鋯氧化物(ZrOx)、鉿氧化物(HfOx)、鎂鉿氧化物(MgZrOx)JJl鈦氧化物(BaTi0x，x大于I)以及上述材料的堆疊膜。第一材料層122a的材料也可以是有機(jī)材料，例如碳?xì)溲趸衔?CxOyHz, x、y及z皆大于I)。第二材料層122b的材料包括鈦氧化物(TiOx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、鋁氧化物(AlOx)Jg氧化物(ZrOx)、鉿氧化物(HfOx)、鎂鉿氧化物(MgZrOx)、鋇鈦氧化物(BaTiOx, χ>1)以及上述材料的堆疊膜。第二材料層122b的材料也可以是有機(jī)材料，例如碳?xì)溲趸衔?CxOyHz，x、y及z皆大于I)。在此，是以第二絕緣層122包括兩層材料層為例說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定第二絕緣層122的材料層數(shù)目。
[0074]具體而言，上述改質(zhì)像素圖案112的方法例如是對(duì)像素開(kāi)口 124所暴露出的像素圖案112的部分區(qū)域進(jìn)行一氮?dú)馔嘶鸸に?。氮?dú)馔嘶鸸に嚨臏囟燃s為150°C至450°C。被像素開(kāi)口 124暴露出而進(jìn)行氮?dú)馔嘶鸸に嚭蟮南袼貓D案112的部分區(qū)域會(huì)轉(zhuǎn)變成具有導(dǎo)體特性的一導(dǎo)體部126，其中導(dǎo)體部126的氧氣含量為小于4at%(原子百分比)。被第一絕緣層116以及第二絕緣層122覆蓋而未受氮?dú)馔嘶鸸に囉绊懙南袼貓D案112的部分區(qū)域則維持半導(dǎo)體特性而形成一半導(dǎo)體部128，其中半導(dǎo)體部128的氧氣含量為大于等于4at%(原子百分比)。導(dǎo)體部126與半導(dǎo)體部128構(gòu)成像素電極PE。像素電極PE與通道層CH位于同一表面上。本實(shí)施例以四道光罩工藝完成像素結(jié)構(gòu)100的制作，因此具有簡(jiǎn)易的工藝并可節(jié)省制作成本。
[0075]以另一方面來(lái)看，像素電極PE與通道層CH都包括半導(dǎo)體材料層，其中像素電極PE的導(dǎo)體部126的氧氣含量低于通道層CH的氧氣含量。像素電極PE的導(dǎo)體部126的氧氣含量為小于4at%。通道層CH的氧氣含量為大于等于4at%。半導(dǎo)體材料層的氧氣含量影響其片電阻，在本實(shí)施例中，像素電極PE的導(dǎo)體部126的片電阻為小于120 Ω/ □，通道層CH的片電阻約大于1500Ω/□。進(jìn)一步而言，像素電極PE包括導(dǎo)體部126以及半導(dǎo)體部128。導(dǎo)體部126具有透明導(dǎo)電性質(zhì)，因此其可用以作為電致發(fā)光裝置的透明下電極。具體而言，如圖1F所示，像素開(kāi)口 124中可以更進(jìn)一步設(shè)置一發(fā)光層130以及一上電極層132以形成電致發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)100a。在本實(shí)施例中，由于像素電極PE是直接設(shè)置于基板102上，因此相較于公知下電極與基板之間具有多層絕緣層的電致發(fā)光裝置，本實(shí)施例的像素電極PE作為電致發(fā)光裝置10的透明下電極，當(dāng)光線由像素電極PE往基板102射出時(shí)，可保有較強(qiáng)的光源顯示強(qiáng)度而且不易有色偏的現(xiàn)象發(fā)生。
[0076]在本實(shí)施例中，源極S、漏極D、通道層CH以及柵極G大致上構(gòu)成一第一主動(dòng)元件Tl。此外，像素結(jié)構(gòu)100可以還包括一第二主動(dòng)元件T2而形成包括兩個(gè)主動(dòng)元件與一個(gè)電容(即2T1C)的電路結(jié)構(gòu)。換言之，本實(shí)施例的電致發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)IOOa是以2T1C的電路結(jié)構(gòu)來(lái)驅(qū)動(dòng)，其中主動(dòng)元件Tl、T2例如是頂部柵極型薄膜電晶體，但其僅為舉例說(shuō)明，本發(fā)明并不限定必須為2T1C的電路結(jié)構(gòu)。
[0077]本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)100的第一主動(dòng)元件Tl的評(píng)價(jià)結(jié)果如圖7所示，由圖7可知，第一主動(dòng)兀件Tl具有良好的電性表現(xiàn),其中第一主動(dòng)兀件Tl的載子遷移率大于20cm2/Vs。
[0078]在本實(shí)施例中，像素電極PE的半導(dǎo)體部128與通道層CH彼此分離且與漏極連接線DC連接，因此像素電極PE可透過(guò)漏極連接線DC與漏極D電性連接。但本發(fā)明不限于此，在圖3所示的實(shí)施例中，像素電極PE的半導(dǎo)體層128可與通道層CH彼此連接，以使像素電極PE直接透過(guò)通道層CH與漏極D電性連接。
[0079]圖4A至圖4F為本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的制造流程剖面示意圖。圖5為圖4F的實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖，其中圖4A至圖4F的剖面位置可參考圖5所繪示的剖線位置。為清楚繪示像素結(jié)構(gòu)的構(gòu)件位置，圖5省略繪示部分構(gòu)件，如絕緣層。[0080]請(qǐng)參照?qǐng)D4A與圖5，首先，于一基板202上形成一半導(dǎo)體材料層204。半導(dǎo)體材料層 204 的材料包括 In(2_x)M3(x)03[Zn(1_y)M2(y)0]mN(z)，其中 O 蘭 x 蘭 2，O 蘭 y 蘭 1，O 蘭 m〈6，O ^ z ^ I, M2 與 M3 各自獨(dú)立為 Mg、Ca、Sr、Hf、Zn、Sn、B、Al、Ga、Y 或 La。
[0081]請(qǐng)參照?qǐng)D4B與圖5，以一道光罩工藝圖案化半導(dǎo)體材料層204以形成一通道圖案206、一像素圖案208、一電容圖案210以及一接墊圖案212。通道圖案206包括一第一區(qū)域206a以及一第二區(qū)域206b，其中第二區(qū)域206b位于第一區(qū)域206a的兩側(cè)。電容圖案210包括一第三區(qū)域210a以及一第四區(qū)域210b，其中第四區(qū)域210b位于第三區(qū)域210a的兩側(cè)。
[0082]請(qǐng)參照?qǐng)D4C與圖5，于基板202上形成一絕緣材料層(未繪示)以及一金屬材料層(未繪示)，以一道光罩工藝圖案化絕緣材料層以及金屬材料層以形成一第一絕緣層214以及一圖案化金屬層。絕緣材料層的材料包括鈦氧化物(TiOx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、鋁氧化物(AlOx)、鋯氧化物(ZrOx)、鉿氧化物(HfOx)、鎂鉿氧化物(MgZrOx)、鋇鈦氧化物(BaTiOx, X大于I)以及上述材料的堆疊膜。絕緣材料層的材料也可以是有機(jī)材料，例如碳?xì)溲趸衔?CxOyHz, X、y及z皆大于I)。。金屬材料層的材料包括鋁(Al)、氮化鑰/鋁(MoN/Al)堆疊膜、氮化鑰/鋁/氮化鑰(MoN/Al/MoN)堆疊膜、鈦/銅/鈦(Ti/Cu/Ti)堆疊膜、鈦合金/銅/鈦合金(Ti alloy/Cu/Ti alloy)堆疊膜、氮化鑰/釹化鋁(MoN/AINd)堆疊膜、鈦/釹化鋁(Ti/AINd)堆疊膜、鈦合金/釹化鋁(Tialloy/AlNd)堆疊膜。圖案化金屬層位于第一絕緣層214上且包括一柵極G、一上電極216以及一掃描線SL。具體而言，第一絕緣層214覆蓋通道圖案206的第一區(qū)域206a以及電容圖案210的第三區(qū)域210a。柵極G位于第一區(qū)域206a上方的第一絕緣層214上。上電極216位于第三區(qū)域210a上方的第一絕緣層214上。
[0083]接著，于基板202上形成一金屬層218。金屬層218至少覆蓋通道圖案206的第二區(qū)域206b、柵極G、像素圖案208、電容圖案210的第四區(qū)域210b、上電極216、掃描線SL以及接墊圖案212。金屬層218的材料包括鋁、鈦、硅或鑰。金屬層218的厚度例如是小于150 埃(A)。
[0084]請(qǐng)參照?qǐng)D4C、圖4D以及圖5，對(duì)金屬層218進(jìn)行改質(zhì)以形成一金屬氧化物層220。具體而言，對(duì)金屬層218進(jìn)行改質(zhì)的方法例如是進(jìn)行一氧氣退火工藝以使金屬層218氧化成一金屬氧化物層220。氧氣退火工藝的溫度約為150°C至450°C。在此，金屬氧化物層220可視為絕緣材料。通道圖案206、像素圖案208、電容圖案210以及接墊圖案212中與金屬層218接觸的區(qū)域會(huì)受到氧化退火工藝的溫度影響而產(chǎn)生材料性質(zhì)的轉(zhuǎn)變，例如是由半導(dǎo)體改質(zhì)成導(dǎo)體。在進(jìn)行氧氣退火工藝后，一源極S、一漏極D、一導(dǎo)體部222、一半導(dǎo)體部224、一下電極226、一下導(dǎo)電層228以及一墊層229可被形成。
[0085]具體而言，與金屬層218接觸的位于第二區(qū)域206b的通道圖案206會(huì)形成彼此分離的源極S以及漏極D。位于第一區(qū)域206a的通道圖案206形成一通道層CH，通道層CH位于源極S以及漏極D之間。在本實(shí)施例中，位于源極S以及漏極D下方的未改質(zhì)的通道圖案206可視為是通道層CH的一部分。
[0086]與金屬層218接觸的像素圖案208的表面會(huì)形成導(dǎo)體部222，而未與金屬層218接觸的像素圖案208的部分會(huì)形成半導(dǎo)體部224。導(dǎo)體部222的氧氣含量為小于4at%，半導(dǎo)體部224的氧氣含量為大于等于4at%。導(dǎo)體部222與半導(dǎo)體部224構(gòu)成一像素電極PE,其中半導(dǎo)體部224位于導(dǎo)體部222與基板202之間。在本實(shí)施例中，像素電極PE與通道層CH屬于同一膜層。像素電極PE與通道層CH位于同一表面上。
[0087]以另一方面來(lái)看，像素電極PE與通道層CH都包括半導(dǎo)體材料層，其中像素電極PE的導(dǎo)體部222的氧氣含量低于通道層CH的氧氣含量。像素電極PE的導(dǎo)體部222的氧氣含量為小于4at%。通道層CH的氧氣含量為大于等于4at%。半導(dǎo)體材料層的氧氣含量影響其片電阻，在本實(shí)施例中，像素電極PE的導(dǎo)體部222的片電阻為小于120 Ω / 口，通道層CH的片電阻約大于1500 Ω / □。
[0088]與金屬層218接觸的 位于第四區(qū)域210b的電容圖案210會(huì)形成一改質(zhì)部226b。位于第三區(qū)域210a的電容圖案210會(huì)形成一非改質(zhì)部226a，其中改質(zhì)部226b位于非改質(zhì)部226a的兩側(cè)。改質(zhì)部226b與源極S以及漏極D屬于同一膜層。第一絕緣層214覆蓋非改質(zhì)部226a。非改質(zhì)部226a與改質(zhì)部226b共同構(gòu)成下電極226。
[0089]與金屬層218接觸的接墊圖案212的表面會(huì)形成下導(dǎo)電層228，下導(dǎo)電層228與源極S以及漏極D屬于同一膜層。位于下導(dǎo)電層228下方的未改質(zhì)的接墊圖案212形成墊層229，其中墊層229位于下導(dǎo)電層228與基板202之間。
[0090]接著，請(qǐng)參照?qǐng)D4E以及圖5，于基板202上形成一第二絕緣層230，并且以一道光罩工藝于第二絕緣層230中形成一像素開(kāi)口 232以暴露出像素電極PE的導(dǎo)體部222的部分區(qū)域。第二絕緣層230覆蓋金屬氧化物層220。具體而言，第二絕緣層230包括一第一材料層230a以及一第二材料層230b，其中第一材料層230a覆蓋金屬氧化物層220。第一材料層230a的材料包括鈦氧化物(TiOx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、鋁氧化物(AlOx)、鋯氧化物(ZrOx)、鉿氧化物(HfOx)、鎂鉿氧化物(MgZrOx)JJ^jc氧化物(BaTi0x，x大于I)以及上述材料的堆疊膜。第一材料層230a的材料也可以是有機(jī)材料，例如碳?xì)溲趸衔?CxOyHz, X、y及z皆大于I)。第二材料層230b的材料包括鈦氧化物(TiOx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、鋁氧化物(AlOx)Jg氧化物(ZrOx)、鉿氧化物(HfOx)、鎂鉿氧化物(MgZrOx)、鋇鈦氧化物(BaTiOx, χ>1)以及上述材料的堆疊膜。第二材料層230b的材料也可以是有機(jī)材料，例如碳?xì)溲趸衔?CxOyHz，x、y及z皆大于I)。在此，是以第二絕緣層230包括兩層材料層為例說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定第二絕緣層230的材料層數(shù)目。
[0091]第二絕緣層230以及金屬氧化物層220中還具有多個(gè)接觸窗以暴露出部分構(gòu)件，這些接觸窗例如是與像素開(kāi)口 232同時(shí)形成。換言之，在形成這些接觸窗時(shí)，除了移除部分第二絕緣層230外，還進(jìn)一步移除部分金屬氧化物層220以暴露出部分構(gòu)件。詳細(xì)而言，一第六接觸窗C6暴露出源極S的部分區(qū)域，一第七接觸窗C7暴露出漏極D的部分區(qū)域，一第八接觸窗C8暴露出像素電極PE的部分區(qū)域，一第九接觸窗C9以及一第十接觸窗ClO暴露出下電極226的改質(zhì)部226b，一第十一接觸窗Cll暴露出下導(dǎo)電層228。
[0092]接著，請(qǐng)參照?qǐng)D4F以及圖5，于基板202上形成一圖案化金屬層，其例如是以一道光罩工藝于第二絕緣層230上形成一電源線PL、一源極連接線SC、一漏極連接線DC、一電容連接線CC、一數(shù)據(jù)線DL以及一上導(dǎo)電層234。換言之，電源線PL、源極連接線SC、漏極連接線DC、電容連接線CC、數(shù)據(jù)線DL以及上導(dǎo)電層234屬于同一膜層。具體而言，源極連接線SC與電源線PL連接，且源極連接線SC透過(guò)第六接觸窗C6與源極S連接，因此電源線PL可經(jīng)由源極連接線SC提供一電流源至源極S。在此，是以電源線PL與源極連接線SC以同一道工藝制作為例說(shuō)明。但本發(fā)明不限于此。電源線PL也可以透過(guò)其他工藝制作而與源極遲接線SC不屬于同一膜層。 [0093]漏極連接線DC透過(guò)第七接觸窗C7與漏極D連接，且漏極連接線DC還進(jìn)一步透過(guò)第八接觸窗C8與像素電極PE連接。電容連接線CC透過(guò)第九接觸窗C9以及第十接觸窗ClO與下電極226連接。上導(dǎo)電層234透過(guò)第十一接觸窗Cll與下導(dǎo)電層228連接。上電極216設(shè)置于下電極226上方的第一絕緣層214上,其中對(duì)應(yīng)的上電極216與下電極226可形成一儲(chǔ)存電容CS。上導(dǎo)電層234設(shè)置于下導(dǎo)電層228上，其中上導(dǎo)電層234與下導(dǎo)電層228直接接觸而形成一接墊H)。接墊H)例如是位于數(shù)據(jù)線DL或掃描線SL的末端而與印刷電路板或是驅(qū)動(dòng)芯片電性連接的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
[0094]在本實(shí)施例中，被像素開(kāi)口 232暴露出的像素電極PE是直接設(shè)置于基板202上，因此相較于公知下電極與基板之間具有多層絕緣層的電致發(fā)光裝置，本實(shí)施例的像素電極PE作為電致發(fā)光裝置的透明下電極，當(dāng)光線經(jīng)過(guò)像素電極PE往基板202射出時(shí)，可保有較強(qiáng)的光源顯示強(qiáng)度而且不易有色偏的現(xiàn)象發(fā)生。而且，本實(shí)施例以四道光罩工藝完成像素結(jié)構(gòu)200的制作，因此具有簡(jiǎn)易的工藝并可節(jié)省制作成本。
[0095]在本實(shí)施例中，源極S、漏極D、通道層CH以及柵極G大致上構(gòu)成一第三主動(dòng)元件T3。此外，像素結(jié)構(gòu)200可以還包括一第四主動(dòng)元件T4而形成包括兩個(gè)主動(dòng)元件與一個(gè)電容(即2T1C)的電路結(jié)構(gòu)。換言之，本實(shí)施例是以2T1C的電路結(jié)構(gòu)來(lái)驅(qū)動(dòng)發(fā)光層，其中主動(dòng)元件T3、T4例如是頂部柵極型薄膜電晶體，但其僅為舉例說(shuō)明，本發(fā)明并不限定必須為2T1C的電路結(jié)構(gòu)。
[0096]在本實(shí)施例中，像素電極PE與通道層CH彼此分離且與漏極連接線DC連接，因此像素電極PE可透過(guò)漏極連接線DC與漏極D電性連接。但本發(fā)明不限于此，在圖6所示的實(shí)施例中，像素電極PE可與通道層CH彼此連接，以使像素電極PE直接與漏極D電性連接。
[0097]上述于圖2以及圖5所揭露的是應(yīng)用于電致發(fā)光裝置的像素設(shè)計(jì)。然，本發(fā)明改質(zhì)像素圖案以形成像素電極的方法不限于僅能應(yīng)用于電致發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)中。換言之，本發(fā)明改質(zhì)像素圖案以形成像素電極的方法也可使用在其他需要較少光罩工藝數(shù)目來(lái)完成的像素結(jié)構(gòu)中。
[0098]綜上所述，本發(fā)明在形成通道層時(shí)一并形成像素圖案，并將像素圖案改質(zhì)成具有導(dǎo)體特性的像素電極，如此一來(lái)，可以減少光罩工藝的數(shù)目，以降低制作成本。此外，當(dāng)像素電極作為電致發(fā)光裝置的透明下電極時(shí)，由于改質(zhì)后的像素電極與基板之間幾乎沒(méi)有絕緣層的存在，因此可以確保光源的顯示強(qiáng)度并減少色偏的現(xiàn)象發(fā)生。
【權(quán)利要求】
1.一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括: 于一基板上依序形成一半導(dǎo)體材料層以及一第一金屬層； 圖案化該第一金屬層以形成一源極以及一漏極，且圖案化該半導(dǎo)體材料層以形成一通道層以及一像素圖案，其中該源極以及該漏極設(shè)置于該通道層上； 于該基板上形成一第一絕緣層，該第一絕緣層覆蓋該通道層、該源極、該漏極以及該像素圖案； 于該通道層上方的該第一絕緣層上形成一柵極； 于該基板上形成一第二絕緣層，該第二絕緣層覆蓋該柵極以及該第一絕緣層； 于該第一絕緣層以及該第二絕緣層中形成一像素開(kāi)口，該像素開(kāi)口暴露出該像素圖案的至少一部分區(qū)域；以及 對(duì)該像素開(kāi)口所暴露出的該像素圖案的至少一部分區(qū)域進(jìn)行改質(zhì)，以形成與該漏極電性連接的一像素電極。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的 制造方法，其特征在于，對(duì)該像素開(kāi)口所暴露出的該像素圖案的至少一部分區(qū)域進(jìn)行改質(zhì)的方法包括一氮?dú)馔嘶鸸に嚒?br> 3.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該半導(dǎo)體材料層的材料包括，其中 O ≤ x ≤ 2，O ≤ y ≤ 1，O ≤ m〈6，0 ≤ z ≤ 1，M2 與 M3各自獨(dú)立為 Mg、Ca、Sr、Hf、Zn、Sn、B、Al、Ga、Y 或 La。
4.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該源極、該漏極、該通道層以及該像素圖案是以同一道光罩工藝形成。
5.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括形成一第一接觸窗以及一第二接觸窗于該第一絕緣層中并分別暴露出該源極以及該漏極；以及 形成該柵極、一源極連接線以及一漏極連接線于該第一絕緣層上，且該源極連接線透過(guò)該第一接觸窗連接該源極，以及該漏極連接線透過(guò)該第二接觸窗連接該漏極。
6.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在圖案化該第一金屬層時(shí)，還包括形成一儲(chǔ)存電容的一下電極，該第一絕緣層覆蓋該下電極，并且于該下電極上方的該第一絕緣層上形成對(duì)應(yīng)該下電極的該儲(chǔ)存電容的一上電極。
7.一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括: 于一基板上形成一半導(dǎo)體材料層； 圖案化該半導(dǎo)體材料層以形成一通道圖案以及一像素圖案，其中該通道圖案包含一第一區(qū)域與分別位于該第一區(qū)域兩側(cè)的第二區(qū)域； 于該通道圖案上形成一第一絕緣層，該第一絕緣層覆蓋該通道圖案的該第一區(qū)域； 于該第一絕緣層上形成一柵極； 形成一金屬層，覆蓋于該通道圖案的該等第二區(qū)域以及該柵極； 對(duì)該金屬層進(jìn)行改質(zhì)，以使該金屬層形成一金屬氧化物層，并且與該金屬層接觸的該等第二區(qū)域形成彼此分離的一源極以及一漏極，而與該金屬層接觸的該像素圖案形成一與該漏極電性連接的像素電極； 于該基板上形成一第二絕緣層，該第二絕緣層覆蓋該源極、該漏極、該柵極以及該像素電極； 于該第二絕緣層以及該金屬氧化層中形成一像素開(kāi)口，該像素開(kāi)口暴露出該像素電極的至少一部分區(qū)域。
8.如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，對(duì)該金屬層進(jìn)行改質(zhì)的方法包括一氧氣退火工藝。
9.如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該半導(dǎo)體材料層的材料包括，其中 O 蘭 x 蘭 2，O 蘭 y 蘭 1，O 蘭 m〈6，0 ^ z ^ 1，M2 與 M3各自獨(dú)立為 Mg、Ca、Sr、Hf、Zn、Sn、B、Al、Ga、Y 或 La。
10.如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括形成一第一接觸窗以及一第二接觸窗于該第二絕緣層以及該金屬氧化物層中并分別暴露出部分該源極以及部分該漏極； 形成一源極連接線以及一漏極連接線于該第二絕緣層上且該源極連接線透過(guò)該第一接觸窗連接該源極，以及該漏極連接線透過(guò)該第二接觸窗連接該漏極。
11.如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括形成一儲(chǔ)存電容，該儲(chǔ)存電容的形成方法包括: 在圖案化該半導(dǎo)體材料層時(shí)，還包括形成一電容圖案，該電容圖案包含一第三區(qū)域與分別位于該第三區(qū)域兩側(cè)的第四區(qū)域； 該第一絕緣層還形成于該電容圖案的該第三區(qū)域； 于該第三區(qū)域上方的該第一絕緣層上形成一上電極，其中 該金屬層還覆蓋于該電容圖案的該等第四區(qū)域以及該上電極，而在對(duì)該金屬層進(jìn)行改質(zhì)時(shí)，與該金屬層接觸的該電容圖案的該等第四區(qū)域形成一下電極?！?br> 12.—種像素結(jié)構(gòu)，設(shè)置于一基板上，其特征在于，該像素結(jié)構(gòu)包括: 一通道層，設(shè)置于該基板上； 一源極以及一漏極，設(shè)置于該通道層上，且該源極與該漏極彼此分離； 一像素電極，設(shè)置于該基板上，該像素電極與該漏極電性連接，其中該通道層與該像素電極包括一半導(dǎo)體材料層，并且該像素電極的氧氣含量低于該通道層的氧氣含量； 一第一絕緣層，覆蓋該通道層； 一柵極，設(shè)置于該通道層上方的該第一絕緣層上；以及 一第二絕緣層，覆蓋該柵極以及該第一絕緣層，其中該第二絕緣層中具有一像素開(kāi)口，該像素開(kāi)口暴露出該像素電極的至少一部分區(qū)域。
13.如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該通道層與該像素電極位于同一表面上。
14.如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該通道層與該像素電極系由同一半導(dǎo)體材料層所制作，該半導(dǎo)體材料層包括In(2_x)M3(x)03[Zn(1_y)M2(y)0]mN(z)，其中O蘭x蘭2，O ^ y ^ 1,0 ^ m〈6，0 ^ z ^ I，M2 與 M3 各自獨(dú)立為 Mg、Ca、Sr、Hf、Zn、Sn、B、Al、Ga、Y 或Lb ο
15.如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一絕緣層還覆蓋該源極以及該漏極，并且暴露出該像素電極的至少一部分區(qū)域。
16.如權(quán)利要求15所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素電極包括一導(dǎo)體部以及一半導(dǎo)體部，該像素開(kāi)口暴露出該像素電極的該導(dǎo)體部，該第一絕緣層以及該第二絕緣層覆蓋該像素電極的該半導(dǎo)體部。
17.如權(quán)利要求15所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括: 一第一接觸窗以及一第二接觸窗，設(shè)置于該第一絕緣層內(nèi)，且該第一接觸窗和該第二接觸窗分別暴露出該源極以及該漏極；以及 一源極連接線以及一漏極連接線，設(shè)置于該第一絕緣層上，其中該源極連接線透過(guò)該第一接觸窗和該源極連接，且該漏極連接線透過(guò)該第二接觸窗和該漏極連接。
18.如權(quán)利要求15所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一儲(chǔ)存電容，該儲(chǔ)存電容包括: 一下電極，設(shè)置于該基板上，該第一絕緣層還覆蓋該下電極，其中該下電極包含與該源極以及該漏極相同的膜層；以及 一上電極，設(shè)置于該下電極上方的該第一絕緣層上，該上電極與該柵極屬于同一膜層。
19.如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一金屬氧化物層，該金屬氧化物層覆蓋于該柵極、該第一絕緣層、該源極以及該漏極上，并且暴露出該像素電極的至少一部分區(qū)域，而該第二絕緣層設(shè)置于該金屬氧化物層上。
20.如權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素電極包括一導(dǎo)體部以及一半導(dǎo)體部，該半導(dǎo)體部設(shè)置于該基板上，且該導(dǎo)體部設(shè)置于該半導(dǎo)體部上，該像素開(kāi)口暴露出該像素電極的該導(dǎo)體部。
21.如權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括: 一第一接觸窗、一第二接觸窗·以及一第三接觸窗，設(shè)置于該第二絕緣層以及該金屬氧化物層中，且該第一接觸窗與該第二接觸窗分別暴露出該源極以及該漏極，該第三接觸窗暴露出該出像素電極；以及 一源極連接線以及一漏極連接線，設(shè)置于該第二絕緣層上，其中該源極連接線透過(guò)該第一接觸窗和該源極連接，且該漏極連接線透過(guò)該第二接觸窗與該第三接觸窗連接該漏極和該像素電極。
22.如權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一儲(chǔ)存電容，該儲(chǔ)存電容包括: 一下電極，設(shè)置于該基板上，該下電極包括一非改質(zhì)部以及位于該非改質(zhì)部?jī)蓚?cè)的一改質(zhì)部，該改質(zhì)部與該源極以及該漏極屬于同一膜層，且該第一絕緣層還覆蓋該非改質(zhì)部; 一上電極，設(shè)置于該非改質(zhì)部上方的該第一絕緣層上，該上電極與該柵極屬于同一膜層。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK103824809SQ201310716573
【公開(kāi)日】2014年5月28日 申請(qǐng)日期:2013年12月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月6日
【發(fā)明者】曾偉豪, 張凡偉, 方紹為, 陳泓旭, 李仁佑, 石宗祥, 丁宏哲 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司