一種陣列基板公共電極結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板公共電極結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板，其中，陣列基板公共電極結(jié)構(gòu)（1）包括：一對(duì)橫向平行排列的條狀柵金屬（11），一對(duì)縱向排列且分別與所述柵金屬（11）垂直相接的條狀源漏極金屬（12），以及采用與所述源漏極金屬（12）同層的金屬制成的至少一根公共電極線（13），所述公共電極線（13）縱向排列，兩端分別與所述柵金屬（11）相接。本發(fā)明實(shí)通過將作為存儲(chǔ)電容的公共電極線采用與源漏極金屬同層的金屬，使得存儲(chǔ)電容介電層只有鈍化絕緣保護(hù)層，因此，在不減小存儲(chǔ)電容的情況下可以大大降低公共電極線的線寬，提高面板開口率，進(jìn)而降低背光LED功耗。
【專利說明】一種陣列基板公共電極結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及圖像顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板公共電極結(jié)構(gòu)及其制造方法、液晶顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]近來,液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)技術(shù)有了飛速的發(fā)展,從屏幕的尺寸到顯示的質(zhì)量都取得了極大的進(jìn)步，LCD具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn)，現(xiàn)已占據(jù)了平面顯示領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。
[0003]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，人們對(duì)視覺享受的要求越來越高，其中主要體現(xiàn)在分辨率、亮度、色彩、刷新速度、視角等。除此之外，功耗也是一個(gè)衡量液晶顯示器質(zhì)量的重要的指標(biāo)。
[0004]液晶顯示器的功耗主要包括兩個(gè)部分，一部分是面板邏輯功耗，另一部分是背光LED功耗，其中背光LED功耗為液晶顯示器的主要功耗，其中LED的功耗主要取決于面板的尺寸和面板開口率，面板尺寸越大背光LED功耗越大,而面板開口率越高則LED功耗越低。面板的開口率主要取決于材料，分辨率以及面板電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。材料和分辨率取決于面板的價(jià)格定位，面板電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)則是比較靈活的。
[0005]如圖1所示為現(xiàn)有TFT面板的電路結(jié)構(gòu)示意圖，包括:交錯(cuò)排列的柵極掃描線I’和數(shù)據(jù)線2’、電連接在柵極掃描線I’和數(shù)據(jù)線2’上的像素開關(guān)TFT 3’、存儲(chǔ)電容Cstdf晶電容Clc以及公共電極C0M，其中公共電極包括兩部分，一部分是位于TFT側(cè)的存儲(chǔ)電容端COM電極，一部分是位于CF側(cè)的液晶電容端COM電極(扭曲向列型TN和垂直排列型VA顯示模式)。TFT側(cè)的COM電極主要是起到存儲(chǔ)電容的作用，傳統(tǒng)的COM電極4’設(shè)計(jì)如圖2所示，陣列基板布線結(jié)構(gòu)如圖3所示，作為存儲(chǔ)電容的COM線43’主要是采用與柵極同層的金屬，而這種結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)電容介電層包括柵絕緣層和鈍化絕緣保護(hù)層，因此為了保證有足夠的存儲(chǔ)電容，COM線43’的線寬通常較大，制約了開口率的提高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種陣列基板公共電極結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板。
[0007]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種陣列基板公共電極結(jié)構(gòu)，包括:一對(duì)橫向平行排列的條狀柵金屬，一對(duì)縱向排列且分別與所述柵金屬垂直相接的條狀源漏極金屬，以及采用與所述源漏極金屬同層的金屬制成的至少一根公共電極線，所述公共電極線縱向排列，兩端分別與所述柵金屬相接。
[0008]其中，多根所述公共電極線相互等間距排列。
[0009]其中，所述公共電極線平行于所述源漏極金屬。
[0010]本發(fā)明還提供一種陣列基板，包括:公共電極結(jié)構(gòu)，多條交錯(cuò)排列的柵掃描線和數(shù)據(jù)線，其中，所述公共電極結(jié)構(gòu)包括:一對(duì)橫向平行排列的條狀柵金屬，一對(duì)縱向排列且分別與所述柵金屬垂直相接的條狀源漏極金屬，以及采用與所述源漏極金屬同層的金屬制成的至少一根公共電極線，所述公共電極線縱向排列，兩端分別與所述柵金屬相接。
[0011 ] 其中，多根所述公共電極線相互等間距排列。
[0012]其中，所述公共電極線平行于所述源漏極金屬。
[0013]本發(fā)明還提供一種陣列基板公共電極結(jié)構(gòu)的制造方法，包括:
步驟Si，提供一對(duì)橫向平行排列的柵金屬；
步驟S2，提供一對(duì)縱向排列且分別與所述柵金屬垂直相接的源漏極金屬；以及步驟S3，提供采用與所述源漏極金屬同層的金屬制成的至少一根公共電極線，所述公共電極線縱向排列，兩端分別與所述柵金屬相接。
[0014]其中，多根所述公共電極線相互等間距排列。
[0015]其中，所述公共電極線平行于所述源漏極金屬。
[0016]本發(fā)明實(shí)施例通過將作為存儲(chǔ)電容的公共電極線采用與源漏極金屬同層的金屬，使得存儲(chǔ)電容介電層只有鈍化絕緣保護(hù)層，因此，在不減小存儲(chǔ)電容的情況下可以大大降低公共電極線的線寬，提高面板開口率，進(jìn)而降低背光LED功耗。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0018]圖1是TFT-1XD陣列基板簡(jiǎn)化電路示意圖。
[0019]圖2是現(xiàn)有公共電極結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖3是現(xiàn)有陣列基板布線結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖4是本發(fā)明實(shí)施例陣列基板公共電極結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0022]圖5是包含本發(fā)明實(shí)施例公共電極結(jié)構(gòu)的陣列基板布線結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖6是本發(fā)明實(shí)施例陣列基板公共電極結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]以下各實(shí)施例的說明是參考附圖，用以示例本發(fā)明可以用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向和位置用語，例如「上」、「中」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「橫」、「縱」、「?jìng)?cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向和位置。因此，使用的方向和位置用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。
[0025]請(qǐng)參照?qǐng)D4所示，本發(fā)明實(shí)施例一提供一種陣列基板公共電極結(jié)構(gòu)1，包括:一對(duì)橫向平行排列的柵金屬11，一對(duì)縱向排列且分別與柵金屬11垂直相接的源漏極金屬12，以及采用與源漏極金屬12同層的金屬制成的至少一根公共電極線13，公共電極線13縱向排列，兩端分別與柵金屬11相接。
[0026]具體的，多根公共電極線13相互等間距排列，且平行于源漏極金屬12。
[0027]本實(shí)施例的公共電極線13將作為存儲(chǔ)電容，采用與源漏極金屬12同層的金屬，這種結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)電容介電層只有鈍化絕緣保護(hù)層，因此，在不減小存儲(chǔ)電容的情況下可以大大降低公共電極線13的線寬，提高面板開口率，進(jìn)而降低背光LED功耗。
[0028]再如圖5所示，相應(yīng)于本發(fā)明實(shí)施例一的陣列基板公共電極結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實(shí)施例二提供一種陣列基板，包括:公共電極結(jié)構(gòu)1，多條交錯(cuò)排列的柵掃描線21和數(shù)據(jù)線22，其中，公共電極結(jié)構(gòu)I包括:一對(duì)橫向平行排列的柵金屬11，一對(duì)縱向排列且分別與柵金屬11垂直相接的源漏極金屬12，以及采用與源漏極金屬12同層的金屬制成的至少一根公共電極線13，公共電極線13縱向排列，兩端分別與柵金屬11相接；柵掃描線21平行于柵金屬11，間隔設(shè)置在兩柵金屬11之間；數(shù)據(jù)線21平行于公共電極線線13，且與公共電極線13間隔排列。
[0029]具體的，多根公共電極線13相互等間距排列，且平行于源漏極金屬12。
[0030]相應(yīng)于本發(fā)明實(shí)施例一的陣列基板公共電極結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實(shí)施例三提供一種陣列基板公共電極結(jié)構(gòu)的制造方法，包括:
步驟SI，提供一對(duì)橫向平行排列的柵金屬；
步驟S2，提供一對(duì)縱向排列且分別與柵金屬垂直相接的源漏極金屬；以及步驟S3，提供采用與源漏極金屬同層的金屬制成的至少一根公共電極線，公共電極線縱向排列，兩端分別與柵金屬相接。
[0031]具體的，多根公共電極線相互等間距排列，且平行于源漏極金屬。
[0032]有關(guān)本實(shí)施例中陣列基板公共電極結(jié)構(gòu)的具體結(jié)構(gòu)及相應(yīng)技術(shù)效果請(qǐng)參照本發(fā)明實(shí)施例一的說明及圖4-5所示，此處不再贅述。
[0033]本發(fā)明實(shí)施例通過將作為存儲(chǔ)電容的公共電極線采用與源漏極金屬同層的金屬，使得存儲(chǔ)電容介電層只有鈍化絕緣保護(hù)層，因此，在不減小存儲(chǔ)電容的情況下可以大大降低公共電極線的線寬，提高面板開口率，進(jìn)而降低背光LED功耗。
[0034]以上所揭露的僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，因此依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板公共電極結(jié)構(gòu)(I),其特征在于,包括:一對(duì)橫向平行排列的條狀柵金屬(11 )，一對(duì)縱向排列且分別與所述柵金屬(11)垂直相接的條狀源漏極金屬(12)，以及采用與所述源漏極金屬(12)同層的金屬制成的至少一根公共電極線(13)，所述公共電極線(13)縱向排列，兩端分別與所述柵金屬(11)相接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板公共電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，多根所述公共電極線(13)相互等間距排列。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板公共電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述公共電極線(13)平行于所述源漏極金屬(12)。
4.一種陣列基板，其特征在于，包括:公共電極結(jié)構(gòu)(1)，多條交錯(cuò)排列的柵掃描線(21)和數(shù)據(jù)線(22)，其中，所述公共電極結(jié)構(gòu)(I)包括:一對(duì)橫向平行排列的條狀柵金屬(11)，一對(duì)縱向排列且分別與所述柵金屬(11)垂直相接的條狀源漏極金屬(12)，以及采用與所述源漏極金屬(12)同層的金屬制成的至少一根公共電極線(13)，所述公共電極線(13)縱向排列，兩端分別與所述柵金屬(11)相接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，多根所述公共電極線(13)相互等間距排列。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線(13)平行于所述源漏極金屬(12)。
7.—種陣列基板公共電極結(jié)構(gòu)的制造方法，包括: 步驟SI，提供一對(duì)橫向平行排列的柵金屬； 步驟S2，提供一對(duì)縱向排列且分別與所述柵金屬垂直相接的源漏極金屬；以及步驟S3，提供采用與所述源漏極金屬同層的金屬制成的至少一根公共電極線，所述公共電極線縱向排列，兩端分別與所述柵金屬相接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，多根所述公共電極線相互等間距排列。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述公共電極線平行于所述源漏極金屬。
【文檔編號(hào)】H01L23/50GK103728795SQ201310730040
【公開日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2013年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月26日
【發(fā)明者】徐向陽 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司