封裝片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種封裝片，其為用于封裝光半導(dǎo)體元件的封裝片，所述封裝片具備埋設(shè)層，其用于埋設(shè)光半導(dǎo)體元件；被覆層，其相對于埋設(shè)層配置于厚度方向的一側(cè)；以及，用于抑制被覆層所含的成分轉(zhuǎn)移至埋設(shè)層的阻隔層，其夾設(shè)于埋設(shè)層與被覆層之間，厚度為50μm以上且1000μm以下。
【專利說明】封裝片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及封裝片，詳細(xì)而言，涉及用于光學(xué)用途的封裝片。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，作為能夠發(fā)出高能量的光的發(fā)光裝置，已知有白色發(fā)光裝置(光半導(dǎo)體裝置)。
[0003]例如提出了一種光半導(dǎo)體裝置，其可以如下獲得:在凹型模具的底部依次裝載由有機硅彈性體成形而成的波長轉(zhuǎn)換層以及厚度為35 μ m的由玻璃制成的無機高熱傳導(dǎo)層，其后，填充其他有機硅彈性體，形成封裝樹脂層，在它們之上，以封裝樹脂層與藍色LED芯片相對的方式裝載安裝有藍色LED芯片的基板，通過加熱對它們進行封裝加工，然后進行脫模，由此得到光半導(dǎo)體裝置(例如參見日本特開2012-129361號公報)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]然而，在日本特開2012-129361號公報的由波長轉(zhuǎn)換層、無機高熱傳導(dǎo)層以及封裝樹脂層組成的層疊體中，通過將有機硅彈性體填充到凹型模具中來形成封裝樹脂層，然后在該封裝樹脂層上個別埋設(shè)藍色LED芯片，因此有無法充分實現(xiàn)提高光半導(dǎo)體裝置的制造效率的問題。
[0005]此外，在上述層疊體中，若已經(jīng)成形了的波長轉(zhuǎn)換層中所含的催化劑成分向仍未成形(即加熱)的封裝樹脂層轉(zhuǎn)移，則封裝樹脂層在與藍色LED芯片接觸前容易固化，因此變得難以確實地在這種封裝樹脂層中埋設(shè)藍色LED芯片。因此，在層疊體中，要求抑制上述轉(zhuǎn)移。
[0006]此外，對于層疊體還要求優(yōu)異的強度。
[0007]然而，在日本特開2012-129361號公報的層疊體中，無機高熱傳導(dǎo)層在抑制上述轉(zhuǎn)移方面不充分，進而層疊體的強度也不充分，因此會有無法得到可靠性優(yōu)異的光半導(dǎo)體裝置的問題。
[0008]本發(fā)明的目的在于提供不僅抑制被覆層所含的成分向埋設(shè)層轉(zhuǎn)移、而且強度也優(yōu)異、還可以高效地制造光半導(dǎo)體裝置的封裝片。
[0009]本發(fā)明的封裝片的特征在于，其為用于封裝光半導(dǎo)體元件的封裝片，所述封裝片具備:埋設(shè)層，其用于埋設(shè)前述光半導(dǎo)體元件；被覆層，其相對于前述埋設(shè)層設(shè)置于厚度方向的一側(cè)；以及，用于抑制前述被覆層所含的成分轉(zhuǎn)移至前述埋設(shè)層的阻隔層，其夾設(shè)于前述埋設(shè)層與前述被覆層之間，厚度為50 μ m以上且IOOOym以下。
[0010]通過該封裝片封裝光半導(dǎo)體元件時，能夠?qū)⒐獍雽?dǎo)體元件集中在一起封裝，因此可以高效地制造光半導(dǎo)體裝置。
[0011]此外，該封裝片具備用于抑制被覆層所含的成分轉(zhuǎn)移至埋設(shè)層的、厚度為50 μ m以上且1000 μ m以下的阻隔層，因此能夠抑制被覆層所含的成分轉(zhuǎn)移至埋設(shè)層，并抑制埋設(shè)光半導(dǎo)體元件前的埋設(shè)層的固化。因此，通過該固化前的埋設(shè)層能夠確實地埋設(shè)光半導(dǎo)體元件，其后，若將埋設(shè)層固化，則能夠確實地封裝光半導(dǎo)體元件。因此，能夠得到尺寸穩(wěn)定性優(yōu)異的光半導(dǎo)體裝置。
[0012]并且，在該封裝片中，阻隔層的厚度為50 μ m以上且1000 μ m以下，因此能夠確保優(yōu)異的強度并實現(xiàn)薄型化。因此，若通過該封裝片封裝光半導(dǎo)體元件，則可以在薄型的同時提高光半導(dǎo)體裝置的強度和可靠性。
[0013]此外，在本發(fā)明的封裝片中，適宜的是，前述埋設(shè)層由B階的熱固化性樹脂形成，前述被覆層由C階的熱固化性樹脂形成。
[0014]在該封裝片中，由于埋設(shè)層由B階的熱固化性樹脂形成，因此可以利用柔軟的埋設(shè)層可靠地埋設(shè)光半導(dǎo)體元件。此外，由于被覆層由C階的熱固化性樹脂形成，因此可以更進一步提聞封裝片的強度。
[0015]此外，在本發(fā)明的封裝片中，前述阻隔層的厚度相對于前述埋設(shè)層的厚度之比為
0.10以上且1.00以下是適宜的。
[0016]在該封裝片中，由于阻隔層的厚度相對于前述埋設(shè)層的厚度之比為0.10以上且
1.00以下，因此能夠在提高阻隔性的同時提高封裝片的強度，并在實現(xiàn)封裝片的薄型化的同時確實地埋設(shè)光半導(dǎo)體元件。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是示出本發(fā)明的封裝片的一個實施方式的剖面圖。
[0018]圖2是通過圖1的封裝片封裝光半導(dǎo)體元件，從而制造光半導(dǎo)體裝置的方法的工序圖，
[0019]圖2的(a)示出準(zhǔn)備封裝片和基板的工序，
[0020]圖2的(b)示出通過封裝片封裝光半導(dǎo)體元件的工序。
【具體實施方式】
[0021]在圖1中，將紙面上下方向作為上下方向(厚度方向、第I方向)、將紙面左右方向作為左右方向(第2方向)、將紙厚方向作為縱深方向(第3方向)，圖2以上述方向和圖1的方向箭頭為基準(zhǔn)。
[0022]在圖1中，該封裝片I是用于封裝后述的光半導(dǎo)體元件5 (參見圖2)的封裝片，并形成為沿面方向(與厚度方向垂直的方向，即左右方向和前后方向)延展的大致矩形平板形狀。封裝片I具備埋設(shè)層2、在埋設(shè)層2上(厚度方向的一側(cè))隔著間隔設(shè)置的被覆層3、和夾設(shè)于埋設(shè)層2與被覆層3之間的阻隔層4。即，在封裝片中，阻隔層4的下方設(shè)置有埋設(shè)層2，阻隔層4的上方設(shè)置有被覆層3。
[0023]埋設(shè)層2是用于埋設(shè)光半導(dǎo)體元件5 (參見圖2)的層，由樹脂形成為大致薄片形狀。此外，埋設(shè)層2設(shè)置于封裝片I的最下側(cè)。
[0024]樹脂例如由封裝樹脂組合物等形成，這樣的封裝樹脂組合物包含用于埋設(shè)及封裝光半導(dǎo)體元件5 (后述，參見圖2的(b))的公知的透明性樹脂，作為透明性樹脂，可列舉出:例如有機硅樹脂、環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂等熱固化性樹脂；例如丙烯酸樹脂、苯乙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚烯烴樹脂等熱塑性樹脂等。
[0025]這種透明性樹脂可以單獨使用，或者也可以組合使用。[0026]此外，在這種透明性樹脂中，可優(yōu)選列舉出熱固化性樹脂，從耐久性、耐熱性及耐光性的觀點出發(fā)，可進一步優(yōu)選列舉出有機硅樹脂。
[0027]在這種封裝樹脂組合物中，可優(yōu)選例舉出含有有機硅樹脂的樹脂組合物(以下稱為有機娃樹脂組合物。)。
[0028]作為有機硅樹脂組合物，可列舉出例如縮合?加成反應(yīng)固化型有機硅樹脂組合物、含雜原子的改性有機硅樹脂組合物、加成反應(yīng)固化型有機硅樹脂組合物、含無機氧化物的有機娃樹脂組合物等。
[0029]在這種有機硅樹脂組合物中，從埋設(shè)層2的固化前的柔軟性以及固化后的強度的觀點出發(fā)，可優(yōu)選列舉出縮合.加成反應(yīng)固化型有機硅樹脂組合物。
[0030]縮合.加成反應(yīng)固化型有機硅樹脂組合物是能夠進行縮合反應(yīng)(具體而言為硅醇縮合反應(yīng))及加成反應(yīng)(具體而言為氫化硅烷化反應(yīng))的有機娃樹脂組合物，更具體而言，是能夠通過加熱進行縮合反應(yīng)而形成半固化狀態(tài)(B階狀態(tài))，然后能夠通過進一步的加熱進行加成反應(yīng)而形成固化狀態(tài)(完全固化，C階狀態(tài))的有機硅樹脂組合物。
[0031]作為縮合反應(yīng)，可列舉出例如硅醇縮合反應(yīng)；作為加成反應(yīng)，可列舉出例如環(huán)氧開環(huán)反應(yīng)及氫化硅烷化反應(yīng)。
[0032]需要說明的是，B階是有機硅樹脂組合物處于液狀的A階和完全固化的C階之間的狀態(tài)，是固化及凝膠化稍加進行，彈性模量比C階的彈性模量小的狀態(tài)。
[0033]縮合.加成反應(yīng)固化型有機硅樹脂組合物含有例如兩末端為硅烷醇基的聚硅氧烷、含有烯屬不飽和烴基的硅化合物(以下稱為烯系硅化合物。)、含環(huán)氧基硅化合物及有機
氫硅氧烷。
[0034]需要說明的是，兩末端為硅烷醇基的聚硅氧烷、烯系硅化合物及含環(huán)氧基的硅化合物是縮合原料(供于縮合反應(yīng)的原料)，烯系硅化合物及有機氫硅氧烷是加成原料(供于加成反應(yīng)的原料)。
[0035]兩末端為硅烷醇基的聚硅氧烷是分子的兩末端含有硅烷醇基(SiOH基)的有機娃氧烷具體而言由下述通式(1)表示。
[0036]通式(1):
[0037]
【權(quán)利要求】
1.一種封裝片，其特征在于， 其為用于封裝光半導(dǎo)體元件的封裝片，所述封裝片具備: 埋設(shè)層，其用于埋設(shè)所述光半導(dǎo)體元件； 被覆層，其相對于所述埋設(shè)層配置于厚度方向的一側(cè)；以及， 用于抑制所述被覆層所含的成分轉(zhuǎn)移至所述埋設(shè)層的阻隔層，其夾設(shè)于所述埋設(shè)層與所述被覆層之間，厚度為50 μ m以上且1000um以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝片，其特征在于， 所述埋設(shè)層由B階的熱固化性樹脂形成， 所述被覆層由C階的熱固化性樹脂形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝片，其特征在于，所述阻隔層的厚度相對于所述埋設(shè)層的厚度之比為0.10以上且1.00以下。
【文檔編號】H01L33/54GK103904200SQ201310731773
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2013年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月26日
【發(fā)明者】松田廣和, 小名春華 申請人:日東電工株式會社