基于特殊基底的led封裝方法及l(fā)ed裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種基于特殊基底的LED封裝方法及LED裝置。傳統(tǒng)的封裝工藝,基底材料價格很高,銀膠固晶的熱阻也很大,另外焊接芯片的金線很細(xì)導(dǎo)致在外力沖擊和溫度交變的情況下會發(fā)生斷裂,本發(fā)明步驟包括:1)用硅基材料制作成硅片;2)通過激光器在硅片上打孔,把打孔后的硅片進(jìn)行硅片清洗,去除硅片表面和孔內(nèi)的粉末;3)在整個硅片上蒸鍍銅膜,由于膜的厚度不足還需要電鍍銅膜以保證銅膜的導(dǎo)電率;4)在鍍膜后的硅片上圖形轉(zhuǎn)換,劃出絕緣區(qū)并腐蝕出所需的電路圖形,將LED芯片在電路上共晶焊接;5)在芯片上注塑透鏡,劃片形成單體LED。本發(fā)明用于LED封裝。
【專利說明】基于特殊基底的LED封裝方法及LED裝置
[0001]【技術(shù)領(lǐng)域】:
本發(fā)明涉及一種LED封裝工藝及LED裝置。
[0002]【背景技術(shù)】:
LED的封裝主要有點膠、灌封、模壓三種?;旧瞎に嚳刂频碾y點是氣泡、多缺料、黑點。設(shè)計上主要是對材料的選型,選用結(jié)合良好的環(huán)氧和支架。手動點膠封裝對操作水平要求很高主要難點是對點膠量的控制,因為環(huán)氧在使用過程中會變稠。白光LED的點膠還存在熒光粉沉淀導(dǎo)致出光色差的問題。
[0003]現(xiàn)有的LED封裝工藝都是通過在藍(lán)寶石襯底上利用銀膠進(jìn)行固晶,然后焊線并注塑透鏡形成的。傳統(tǒng)的封裝工藝,基底材料價格很高,銀膠固晶的熱阻也很大,另外焊接芯片的金線很細(xì)導(dǎo)致在外力沖擊和溫度交變的情況下會發(fā)生斷裂,整體有很多亟待改善的細(xì)節(jié)。
[0004]
【發(fā)明內(nèi)容】
:
本發(fā)明的目的在于提供一種基于特殊基底的LED封裝方法及LED裝置。
[0005]本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的:
一種基于特殊基底的LED封裝方法,其步驟包括:
1)用硅基材料制作成硅片;
2)通過激光器在硅片上打孔,把打孔后的硅片進(jìn)行硅片清洗,去除硅片表面和孔內(nèi)的粉末;
3)在整個硅片上蒸鍍銅膜,由于膜的厚度不足還需要電鍍銅膜以保證銅膜的導(dǎo)電率;
4)在鍍膜后的硅片上圖形轉(zhuǎn)換,劃出絕緣區(qū)并腐蝕出所需的電路圖形,將LED芯片在電路上共晶焊接;
5)在芯片上注塑透鏡,劃片形成單體LED。
[0006]所述的基于特殊基底的LED封裝方法封裝的裝置,其組成包括:硅片,所述的硅片上有開孔,在所述的硅片蒸鍍并電鍍銅膜,腐蝕出需要的電路圖形,把芯片的正負(fù)極共晶焊接到開孔上,在所述的芯片上注塑有硅膠透鏡。
[0007]有益效果:
1.本發(fā)明通過采用硅基板作為基底,降低了成本,降低了熱阻。
[0008]2.利用小孔內(nèi)的銅層代理了傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的金線,消除了金線熔斷導(dǎo)致LED熄滅的風(fēng)險。
[0009]3.本發(fā)明通過共晶焊接代替了傳統(tǒng)封裝工藝中的銀膠固晶,降低了 LED的熱阻。
[0010]4.本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單,制造工藝也極為簡便,開發(fā)和生產(chǎn)成本顯著降低。
[0011]【專利附圖】
【附圖說明】:
附圖1是LED裝置整體示意圖。
[0012]附圖2是單體LED裝置的示意圖。
[0013]附圖3是單體LED的剖面圖。
[0014]【具體實施方式】: 實施例1:
一種基于特殊基底的LED封裝方法,其步驟包括:
1)用硅基材料制作成硅片;
2)通過激光器在硅片上打孔,把打孔后的硅片進(jìn)行硅片清洗,去除硅片表面和孔內(nèi)的粉末;
3)在整個硅片上蒸鍍銅膜,由于膜的厚度不足還需要電鍍銅膜以保證銅膜的導(dǎo)電率;
4)在鍍膜后的硅片上圖形轉(zhuǎn)換,劃出絕緣區(qū)并腐蝕出所需的電路圖形,將LED芯片在電路上共晶焊接;
5)在芯片上注塑透鏡,劃片形成單體LED。
[0015] 實施例2:
根據(jù)實施例1所述的基于特殊基底的LED封裝方法封裝的裝置,其組成包括:硅片1,所述的硅片上有開孔3,在所述的硅片蒸鍍并電鍍銅膜4,腐蝕出需要的電路圖形,把芯片的正負(fù)極共晶焊接到開孔上,在所述的芯片上注塑有硅膠透鏡2。
【權(quán)利要求】
1.一種基于特殊基底的LED封裝方法,其特征是:其步驟包括: 1)用硅基材料制作成硅片; 2)通過激光器在硅片上打孔,把打孔后的硅片進(jìn)行硅片清洗,去除硅片表面和孔內(nèi)的粉末; 3)在整個硅片上蒸鍍銅膜,由于膜的厚度不足還需要電鍍銅膜以保證銅膜的導(dǎo)電率; 4)在鍍膜后的硅片上圖形轉(zhuǎn)換,劃出絕緣區(qū)并腐蝕出所需的電路圖形,將LED芯片在電路上共晶焊接; 5)在芯片上注塑透鏡,劃片形成單體LED。
2.—種權(quán)利要求1所述的基于特殊基底的LED封裝方法封裝的裝置,其組成包括:硅片,其特征是:所述的硅片上有開孔,在所述的硅片蒸鍍并電鍍銅膜,腐蝕出需要的電路圖形,把芯片的正負(fù)極共晶焊接到開孔上,在所述的芯片上注塑有硅膠透鏡。
【文檔編號】H01L33/00GK103700738SQ201310736256
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年12月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月29日
【發(fā)明者】趙宏偉 申請人:哈爾濱固泰電子有限責(zé)任公司