陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠簡(jiǎn)化陣列基板的層結(jié)構(gòu)，降低陣列基板的制備難度，進(jìn)而提高陣列基板的生產(chǎn)良品率。該陣列基板包括襯底基板、位于所述襯底基板之上的薄膜晶體管單元、彩膜和平坦保護(hù)層，所述平坦保護(hù)層與所述薄膜晶體管單元的漏極電連接，其中，所述平坦保護(hù)層導(dǎo)電。
【專(zhuān)利說(shuō)明】陣列基板及其制備方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,簡(jiǎn)稱(chēng)0LED)是一種有機(jī)薄膜電致發(fā)光器件，其具有制備工藝簡(jiǎn)單、成本低、發(fā)光效率高、易形成柔性結(jié)構(gòu)、視角寬等優(yōu)點(diǎn)；因此，利用有機(jī)發(fā)光二極管的顯示技術(shù)已成為一種重要的顯示技術(shù)。
[0003]發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)OLED的陣列基板過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，為了防止在彩膜上形成OLED電極時(shí)斷線(xiàn)和不良，慣常技術(shù)需要在OLED的電極與彩膜之間設(shè)置平坦保護(hù)層，但這種結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜提高了陣列基板的制備難度，降低了陣列基板的生產(chǎn)良品率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，能夠有效保證生產(chǎn)安全和生產(chǎn)效率。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0006]本發(fā)明的第一方面提供了一種陣列基板，包括襯底基板、位于所述襯底基板之上的薄膜晶體管單元、彩膜和平坦保護(hù)層，所述平坦保護(hù)層與所述薄膜晶體管單元的漏極電連接，其中，所述平坦保護(hù)層導(dǎo)電。
[0007]所述的陣列基板還包括:位于所述薄膜晶體管單元和所述平坦保護(hù)層之間的第一絕緣層，所述第一絕緣層對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管單元的漏極的區(qū)域設(shè)置有第一過(guò)孔，所述平坦保護(hù)層通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述薄膜晶體管單元的漏極電連接。
[0008]所述的陣列基板還包括::位于所述平坦保護(hù)層之上的有機(jī)層和導(dǎo)電層，所述平坦保護(hù)層與所述導(dǎo)電層配合共同驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)層發(fā)光。
[0009]所述彩膜位于所述平坦保護(hù)層和所述薄膜晶體管單元之間。
[0010]所述平坦保護(hù)層之上形成有第二絕緣層，所述第二絕緣層設(shè)置有開(kāi)口，所述有機(jī)層通過(guò)所述開(kāi)口與所述平坦保護(hù)層電連接。
[0011]所述陣列基板還包括與所述平坦保護(hù)層配合的公共電極，以及位于所述平坦保護(hù)層和所述公共電極之間的第三絕緣層。
[0012]所述平坦保護(hù)層的材質(zhì)為透明導(dǎo)電樹(shù)脂。
[0013]在本發(fā)明實(shí)施例中，平坦保護(hù)層可導(dǎo)電，由于平坦保護(hù)層與薄膜晶體管單元的漏極電連接，使得平坦保護(hù)層可以充當(dāng)陣列基板的像素電極，且為導(dǎo)電材料的平坦保護(hù)層無(wú)需經(jīng)過(guò)濺射工藝，采用涂覆、沉積等其他工藝即可形成，能夠有效保證生產(chǎn)安全和生產(chǎn)效率。
[0014]本發(fā)明的第二方面提供了一種顯示裝置，其特征在于，包括上述的陣列基板。
[0015]本發(fā)明的第三方面提供了一種陣列基板的制備方法，包括:
[0016]形成包括薄膜晶體管單元的漏極的圖形、彩膜和與所述薄膜晶體管單元的漏極電連接的平坦保護(hù)層。
[0017]所述形成包括薄膜晶體管單元的漏極的圖形、彩膜和與所述薄膜晶體管單元的漏極電連接的平坦保護(hù)層。包括:
[0018]形成包括薄膜晶體管單元的漏極的圖形；
[0019]在所形成的薄膜晶體管單元的上方形成彩膜；
[0020]在所述彩膜的上方形成導(dǎo)電的平坦保護(hù)層，所述平坦保護(hù)層與所述薄膜晶體管單元的漏極電連接。
[0021]所述陣列基板的制備方法還包括:
[0022]在所形成的薄膜晶體管單元的漏極之上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管單元的漏極的區(qū)域設(shè)置有第一過(guò)孔，以使得所述平坦保護(hù)層通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述漏極電連接；或，
[0023]在所述平坦保護(hù)層之上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管單元的漏極的區(qū)域設(shè)置有第一過(guò)孔，以使得所述平坦保護(hù)層通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述漏極電連接。
[0024]所述陣列基板的制備方法還包括:
[0025]在所形成的平坦保護(hù)層的上方形成有機(jī)層，在所述有機(jī)層的上方形成導(dǎo)電層，以使得所述平坦保護(hù)層和所述有機(jī)層電連接、與所述導(dǎo)電層配合共同驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)層發(fā)光。
[0026]在所形成的平坦保護(hù)層的上方形成有機(jī)層，在所述有機(jī)層的上方形成導(dǎo)電層，以使得所述平坦保護(hù)層和所述有機(jī)層電連接、與所述導(dǎo)電層配合共同驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)層發(fā)光之前，還包括:
[0027]在所述平坦保護(hù)層之上形成第二絕緣層，所述第二絕緣層設(shè)置有開(kāi)口，以使得所述有機(jī)層通過(guò)所述開(kāi)口與所述平坦保護(hù)層電連接。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0030]圖2為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0031]圖3為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖三；
[0032]圖4為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖四；
[0033]圖5為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖五；
[0034]圖6為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖六；
[0035]圖7為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖七；
[0036]圖8為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖八；
[0037]圖9為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖九；
[0038]圖10為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的制備方法的流程圖一；
[0039]圖11為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的制備方法的流程圖二 ；[0040]圖12為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖十；
[0041]圖13為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖十一；
[0042]圖14為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖十二 ；
[0043]圖15為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖十三；
[0044]圖16為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖十四；
[0045]圖17為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖十五；
[0046]圖18為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的制備方法的流程圖三；
[0047]圖19為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖十六。
[0048]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0049]I一襯底基板；2—薄膜晶體管單元；21—柵極；
[0050]22—柵極絕緣層； 23—有源層；24—源極；
[0051]25一漏極；3—平坦保護(hù)層；4一彩膜；
[0052]5一有機(jī)層；6—導(dǎo)電層；7—第一絕緣層；
[0053]8—第一過(guò)孔；9 一第二絕緣層；10—開(kāi)口；
[0054]11—黑矩陣；12—第三絕緣層； 13—第四絕緣層；
[0055]14 一公共電極。
【具體實(shí)施方式】
[0056]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0057]實(shí)施例一
[0058]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖1所示，包括襯底基板1、位于所述襯底基板I之上的薄膜晶體管單元2、彩膜4和平坦保護(hù)層3，所述平坦保護(hù)層3與所述薄膜晶體管單元2的漏極25電連接，其中，所述平坦保護(hù)層3導(dǎo)電。
[0059]其中，陣列基板上形成的平坦保護(hù)層3，平坦保護(hù)層3通常利用具有一定粘度的樹(shù)脂形成，可以平坦化陣列基板上的凹凸不平的結(jié)構(gòu)，并且保護(hù)位于平坦保護(hù)層3之下的結(jié)構(gòu)不受到腐蝕，保證陣列基板之后的制作工藝可以順利進(jìn)行。
[0060] 但在本發(fā)明實(shí)施例中，平坦保護(hù)層3還可導(dǎo)電，使得該平坦保護(hù)層3不僅可起到平坦保護(hù)陣列基板的作用，而且由于平坦保護(hù)層3與薄膜晶體管單元2的漏極25電連接，使得平坦保護(hù)層3還可以充當(dāng)陣列基板的像素電極，且為導(dǎo)電材料的平坦保護(hù)層3無(wú)需經(jīng)過(guò)濺射工藝，采用涂覆、沉積等其他工藝即可形成，能夠有效保證生產(chǎn)安全和生產(chǎn)效率。
[0061]進(jìn)一步的，由于薄膜晶體管單元2主要是通過(guò)在有源層24中形成導(dǎo)電溝道，使得源極23和漏極25之間可以實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的傳遞。而光照會(huì)影響有源層24內(nèi)的導(dǎo)電溝道對(duì)載流子的傳輸能力，進(jìn)而影響薄膜晶體管單元2的工作效果。一般的，需要在對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管單元的有源層23設(shè)置黑矩陣11。
[0062]該黑矩陣11可選用黑色或深色的樹(shù)脂制作。由于黑矩陣11在制作過(guò)程中，首先在所形成的鈍化層上沉積一層遮光材料，之后通過(guò)包括刻蝕在內(nèi)的構(gòu)圖工藝形成對(duì)應(yīng)各個(gè)薄膜晶體管單元2的多個(gè)黑矩陣11。為了減少陣列基板的制備流程，優(yōu)選黑色的光刻膠來(lái)制作，利用光刻膠的感光性質(zhì)，制備黑矩陣11時(shí)可以省略光刻膠的使用。
[0063]由于近年來(lái)人們對(duì)于顯示裝置的透光率、分辨率、功耗等的要求越來(lái)越高，顯示裝置都在向著高透過(guò)率、高分辨率、低功耗等方向發(fā)展。其中，分辨率越高，使得每一個(gè)像素單元的尺寸越小，當(dāng)像素單元的邊長(zhǎng)由幾十微米變?yōu)槭畮孜⒚讜r(shí)，顯然，像素單元的尺寸得到了大幅度的減小，此時(shí)，若劃分像素單元的黑矩陣的寬度仍然保持不變，相對(duì)于像素單元而言，黑矩陣將變得明顯，將會(huì)影響顯示裝置的顯示效果。因此，黑矩陣的寬度應(yīng)相應(yīng)的減小以保證顯示裝置的顯示效果。之后，在黑矩陣界定出來(lái)的對(duì)應(yīng)像素單元的顯示區(qū)域上方形成彩膜。
[0064]但是，黑矩陣的寬度減小有可能導(dǎo)致陣列基板和彩膜基板之間的對(duì)盒出現(xiàn)偏差，導(dǎo)致漏光等不良現(xiàn)象的產(chǎn)生，因此位于彩膜基板上的黑矩陣的寬度不能任意減小。人們?yōu)榱丝朔诰仃嚋p小帶來(lái)的漏光等不良現(xiàn)象，將黑矩陣和彩膜形成在陣列基板上。由于此時(shí)黑矩陣位于陣列基板上，在適當(dāng)減小黑矩陣的寬度時(shí)，也能保證黑矩陣能夠充分遮擋柵線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn)和薄膜晶體管單元等需遮光的結(jié)構(gòu)，同時(shí)，減少漏光現(xiàn)象發(fā)生的可能性，在提高分辨率、透過(guò)率的同時(shí)又保證了顯示裝置的顯示效果。這種技術(shù)又叫做COA (Color Filter onArray )技術(shù)。
[0065]在本發(fā)明實(shí)施例中，采用了 COA技術(shù)，將所述彩膜4與所述薄膜晶體管單元2都在同一襯底基板I上形成。
[0066]如圖1所示，該陣列基板還包括位于所述薄膜晶體管單元2和所述平坦保護(hù)層3之間的第一絕緣層7，所述第一絕緣層7對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管單元2的漏極25的區(qū)域設(shè)置有第一過(guò)孔8，所述平坦保護(hù)層3通過(guò)所述第一過(guò)孔8與所述薄膜晶體管單元2的漏極25電連接。
[0067]其中，平板保護(hù)層3可為平面板狀結(jié)構(gòu)或狹縫狀結(jié)構(gòu)等其他結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不進(jìn)行限制。
[0068]顯然，圖1所示的陣列基板中的薄膜晶體管單元2為一種底柵型的薄膜晶體管單元，即該薄膜晶體管單元2的結(jié)構(gòu)由下至上包括:柵極21、柵極絕緣層22、同層設(shè)置且絕緣的源極24和漏極25、以及連接源極24和漏極25的有源層23。
[0069]本說(shuō)明書(shū)雖然把底柵型薄膜晶體管作為實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但不限于此，例如頂柵型薄膜晶體管；底柵型薄膜晶體管應(yīng)該被解釋為底柵薄膜晶體管的統(tǒng)稱(chēng)，所謂底柵薄膜晶體管:薄膜晶體管的柵極位于薄膜晶體管半導(dǎo)體層下方的這一類(lèi)薄膜晶體管。依據(jù)同一理由，頂柵型薄膜晶體管應(yīng)該被解釋為頂柵薄膜晶體管的統(tǒng)稱(chēng)，所謂頂柵薄膜晶體管:薄膜晶體管的柵極位于薄膜晶體管半導(dǎo)體層上方的這一類(lèi)薄膜晶體管。
[0070]在圖1中，平坦保護(hù)層3位于薄膜晶體管單元2的上方，由于第一絕緣層7位于薄膜晶體管單元2的上方，此時(shí)，該第一絕緣層7通常又稱(chēng)為鈍化層，采用鈍化層工藝不僅提高了顯示裝置的耐嚴(yán)酷環(huán)境的能力，而且有助于改善薄膜晶體管單元2的光電參數(shù)性能。但是鈍化層通常采用氧化硅、氮化硅、氧化鉿、樹(shù)脂等絕緣材料，為了實(shí)現(xiàn)所述平坦保護(hù)層3與漏極25之間的電連接，可以在第一絕緣層7對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管單元2的漏極25的區(qū)域設(shè)置有貫穿第一絕緣層7的第一過(guò)孔8，使得所述平坦保護(hù)層3可以通過(guò)所述第一過(guò)孔8與所述漏極25電連接。[0071]需要說(shuō)明的是，由于如圖1所示，彩膜4位于平坦保護(hù)層3與第一絕緣層7之間，因此，第一過(guò)孔8還需貫穿彩膜4，才能實(shí)現(xiàn)平坦保護(hù)層3和漏極25的電連接。
[0072]另外，也可以如圖2所示，黑矩陣11和平坦保護(hù)層3同層設(shè)置，均位于第一絕緣層7之上，此時(shí)彩膜4位于平坦保護(hù)層3上方，因此第一過(guò)孔8只需貫穿第一絕緣層7即可。
[0073]薄膜晶體管單元2也可如圖3或圖4所示的頂柵型。在圖3或圖4中，頂柵型的薄膜晶體管單元2由下至上包括:同層設(shè)置且絕緣的源極24和漏極25、連接源極24和漏極25的有源層23、柵極絕緣層22和柵極21。
[0074]對(duì)比圖1和圖3，在圖3中，與圖1 一致的，第一絕緣層7之上依次設(shè)置有同層設(shè)置的黑矩陣11、彩膜4以及位于黑矩陣11和彩膜4之上的平坦保護(hù)層3，為了實(shí)現(xiàn)所述平坦保護(hù)層3與漏極25之間的電連接，可以在彩膜4、第一絕緣層7和柵極絕緣層22對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管單元2的漏極25的區(qū)域設(shè)置第一過(guò)孔8。即第一過(guò)孔8此時(shí)需要貫穿彩膜
4、第一絕緣層7和柵極絕緣層22三層絕緣層，方可使得所述平坦保護(hù)層3可以通過(guò)所述第一過(guò)孔8與所述漏極25電連接。
[0075]對(duì)比圖2和圖4，在圖4中，與圖2 —致的，第一絕緣層7之上依次設(shè)置有同層設(shè)置的平坦保護(hù)層3和黑矩陣11、以及位于之上的彩膜4，此時(shí)為了實(shí)現(xiàn)所述平坦保護(hù)層3與漏極25之間的電連接，可以在第一絕緣層7和柵極絕緣層22對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管單元2的漏極25的區(qū)域設(shè)置第一過(guò)孔7。即第一過(guò)孔7此時(shí)需要貫穿第一絕緣層7和柵極絕緣層22兩層絕緣層，方可使得所述彩膜3可以通過(guò)所述第一過(guò)孔7與所述漏極25電連接。
[0076]需要說(shuō)明的是，由于在本發(fā)明實(shí)施例中，平坦保護(hù)層3相當(dāng)于各個(gè)像素單元的像素電極，因此，各個(gè)像素單元的平坦保護(hù)層3之間應(yīng)該絕緣，可通過(guò)一次構(gòu)圖工藝的形式形成平坦保護(hù)層3的圖形，或者如在圖2或圖4所示的陣列基板的結(jié)構(gòu)中，可以直接利用黑矩陣11絕緣各個(gè)像素單元對(duì)應(yīng)的平坦保護(hù)層3，也可以通過(guò)另外在黑矩陣11上方設(shè)置一層絕緣層的方式實(shí)現(xiàn)平坦保護(hù)層3之間的絕緣。
[0077]平坦保護(hù)層3也可位于薄膜晶體管單元2的下方。如圖5所示，此時(shí)薄膜晶體管單元2為頂柵型的。顯然，由于頂柵型的薄膜晶體管單元2的漏極25位于整個(gè)薄膜晶體管單元2的結(jié)構(gòu)中的最下層，為了實(shí)現(xiàn)漏極25與平坦保護(hù)層3之間的電連接，第一過(guò)孔8僅需要貫穿第一絕緣層7。
[0078]另外，圖5所示的彩膜4和黑矩陣11位于薄膜晶體管單元2的上方，但在其他結(jié)構(gòu)的陣列基板中，彩膜4和黑矩陣11也可以位于薄膜晶體管單元2的下方、平坦保護(hù)層3的上方，或是位于薄膜晶體管單元2的下方并且位于平坦保護(hù)層3的下方，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不進(jìn)行限制，在此不再贅述。
[0079]需要說(shuō)明的是，由于在圖5中，薄膜晶體管單元2的源極24和漏極25同層設(shè)置，因此還需要在平坦保護(hù)層3和源極24、漏極25之間形成一層第四絕緣層13，以保證平坦保護(hù)層3和源極21之間不會(huì)相互干擾。或如圖6所示，當(dāng)彩膜4和黑矩陣11位于薄膜晶體管單元2的下方、平坦保護(hù)層3的上方時(shí)，此時(shí)，可以直接利用彩膜4和黑矩陣11作為平坦保護(hù)層3和薄膜晶體管單元2的源極24、漏極25之間的絕緣層。
[0080]當(dāng)然，如圖7所示，圖5中的薄膜晶體管單元2也可為底柵型的，此時(shí)，彩膜4和黑矩陣11也可以位于薄膜晶體管單元2的下方、平坦保護(hù)層3的上方，或是位于薄膜晶體管單元2的下方并且位于平坦保護(hù)層3的下方，具體結(jié)構(gòu)在此不再贅述。[0081]其中，在圖7中，與圖5中類(lèi)似的，為了防止平坦保護(hù)層3和柵極21之間相互干擾，影響陣列基板的工作效果，需要在薄膜晶體管單元2的柵極21和平坦保護(hù)層3之間設(shè)置一層第四絕緣層13 ;或者，可以類(lèi)似圖6所示，利用彩膜4和黑矩陣11作為這一層絕緣層，在此不再贅述。
[0082]在本發(fā)明實(shí)施例中，優(yōu)選的，所述平坦保護(hù)層3位于薄膜晶體管單元2、黑矩陣11和彩膜4之上，如圖1或2所示，即所述彩膜4位于所述平坦保護(hù)層3和所述襯底基板I之間，使得平坦保護(hù)層3更接近液晶層，能夠更好地配合公共電極驅(qū)動(dòng)液晶的偏轉(zhuǎn)。
[0083]需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，薄膜晶體管單元2的源極24和漏極25都是同層設(shè)置且在同一次構(gòu)圖工藝中形成的，但是，源極24和漏極25非同層設(shè)置的薄膜晶體管單元2同樣適用于本發(fā)明實(shí)施例。
[0084]需要說(shuō)明的是，由于圖1-圖7所示的結(jié)構(gòu)具有一定的相似性，以下以圖1所示的陣列基板為例進(jìn)行具體說(shuō)明。
[0085]在前文中敘述過(guò)，由于平坦保護(hù)層3連接薄膜晶體管單元2的漏極25，且平坦保護(hù)層3 (相當(dāng)于板狀電極)采用透光的導(dǎo)電材料制作，則平坦保護(hù)層3相當(dāng)于現(xiàn)有技術(shù)中的像素電極，顯然，圖1-圖7所示的陣列基板為COA工藝的扭曲向列型(Twisted Nematic,簡(jiǎn)稱(chēng)TN)模式的陣列基板。在此基礎(chǔ)上，可以考慮對(duì)圖1所示的陣列基板的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，例如，如圖8所示，該陣列基板在圖1所示的陣列基板的基礎(chǔ)上還包括與所述平坦保護(hù)層3配合的公共電極14(相當(dāng)于狹縫狀電極)，以及位于所述平坦保護(hù)層3和所述公共電極14之間的第三絕緣層12,此時(shí)該陣列基板為COA工藝的高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換(Advanced Super DimensionSwitch,簡(jiǎn)稱(chēng)ADS)模式的陣列基板。
[0086]所謂高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)(ADvanced Super Dimension Switch),簡(jiǎn)稱(chēng)ADS,其核心技術(shù)特性描述為:通過(guò)同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-1XD產(chǎn)品的畫(huà)面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過(guò)率、低功耗、寬視角、高開(kāi)口率、低色差、無(wú)擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。針對(duì)不同應(yīng)用，ADS技術(shù)的改進(jìn)技術(shù)有高透過(guò)率1-ADS技術(shù)、高開(kāi)口率H-ADS和高分辨率S-ADS技術(shù)等。
[0087]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該可以理解，上述實(shí)施例的公共電極可以為板狀或者狹縫狀，像素電極也是如此；當(dāng)然，像素電極和公共電極的上下順序可顛倒，而且像素電極和公共電極均可以為狹縫狀電極。
[0088]當(dāng)然，本實(shí)施例的陣列基板還適用于水平電場(chǎng)模式(In-Plane Switch,簡(jiǎn)稱(chēng)IPS)，IPS其核心技術(shù)特性描述為:通過(guò)同一平面內(nèi)的狹縫狀的公共電極與狹縫狀的像素電極產(chǎn)生的電場(chǎng)形成水平電場(chǎng)。例如:同一層的平坦保護(hù)層一部分作為像素電極，一部分作為公共電極。
[0089]類(lèi)似的，可在圖2-圖7所示的陣列基板的基礎(chǔ)上添加與所述平坦保護(hù)層3配合的公共電極14，以及位于所述平坦保護(hù)層3和所述公共電極14之間的第三絕緣層12。
[0090]與第一絕緣層7、第四絕緣層13等類(lèi)似的，第三絕緣層12也可采用氧化硅、氮化硅、氧化鉿、樹(shù)脂等絕緣材料制成。
[0091]或者，如圖9所示，該陣列基板在圖1所示的陣列基板的基礎(chǔ)上還包括位于所述平坦保護(hù)層3之上的有機(jī)層5和導(dǎo)電層6，所述平坦保護(hù)層3與所述導(dǎo)電層6配合共同驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)層5發(fā)光，即此時(shí)的陣列基板為有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,簡(jiǎn)稱(chēng)OLED )模式的陣列基板。
[0092]在圖9所示的陣列基板的結(jié)構(gòu)中，由于平坦保護(hù)層3連接薄膜晶體管單元2的漏極25且為導(dǎo)電材料，即該平坦保護(hù)層3相當(dāng)于現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)層5的金屬陽(yáng)極，因而，該陣列基板中可省去金屬陽(yáng)極這一層結(jié)構(gòu)；顯著地簡(jiǎn)化了 OLED模式的陣列基板的層結(jié)構(gòu)，同時(shí)由于該OLED模式的陣列基板的層結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化了，該OLED模式的陣列基板的制備流程、制備難度也減少了，進(jìn)而提高了該OLED模式的陣列基板的生產(chǎn)良品率。
[0093]一般的，OLED模式的陣列基板的出光方向如圖9中的虛線(xiàn)箭頭所示，為自有機(jī)層5發(fā)出、經(jīng)過(guò)多層結(jié)構(gòu)后從襯底基板I出射。
[0094]其中的有機(jī)層5優(yōu)選能發(fā)出白光的材料，則在本發(fā)明實(shí)施例中，與平坦保護(hù)層3配合驅(qū)動(dòng)有機(jī)層5發(fā)光的導(dǎo)電層6優(yōu)選招等成本較低、不透光的材料,可將有機(jī)層5發(fā)出的光反射進(jìn)入彩膜4中，提高有機(jī)層5發(fā)出的光的利用率。同時(shí)，還可防止有機(jī)層5發(fā)出的光經(jīng)由導(dǎo)電層反射后變色，保證顯示裝置的顯示效果。
[0095]另外，由于并不是整個(gè)陣列基板在工作中都需要觀(guān)看者發(fā)出光，因此，可以在平坦保護(hù)層3上不需要發(fā)光的區(qū)域(例如薄膜晶體管單元2的對(duì)應(yīng)區(qū)域、黑矩陣11的覆蓋區(qū)域等)設(shè)置第二絕緣層9，以將平坦保護(hù)層3和有機(jī)層5絕緣，防止該區(qū)域的有機(jī)層5發(fā)光；而在需要發(fā)光的區(qū)域，即亞像素區(qū)域，則通過(guò)在第二絕緣層9上設(shè)置有開(kāi)口 10，使得有機(jī)層5通過(guò)所述開(kāi)口 10與所述平坦保護(hù)層3電連接。由于該第二絕緣層9可對(duì)出光區(qū)域進(jìn)行限定，即對(duì)亞像素區(qū)域進(jìn)行限定，通常，該第二絕緣層9又稱(chēng)為像素限定層，則開(kāi)口 10對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)榘l(fā)光區(qū)域，而第二絕緣層9覆蓋的區(qū)域不發(fā)光。
[0096]類(lèi)似的，可在圖2-圖4所示的陣列基板的基礎(chǔ)上添加位于所述平坦保護(hù)層3之上的有機(jī)層5、第二絕緣層9和導(dǎo)電層6等結(jié)構(gòu)，形成OLED模式的陣列基板，在此不再贅述。
[0097]與第一絕緣層7、第四絕緣層13等類(lèi)似的，第二絕緣層9也可采用氧化硅、氮化硅、氧化鉿、樹(shù)脂等絕緣材料制成。
[0098]在本發(fā)明實(shí)施例中，該平坦保護(hù)層3不僅需要具有良好的導(dǎo)電效果，還需要具有較高的固化性、透光度等性質(zhì)，例如:平坦保護(hù)層3作為OLED陽(yáng)極時(shí)，平坦保護(hù)層3不僅滿(mǎn)足透光度，還具有與有機(jī)層匹配的功函數(shù)。因此，平坦保護(hù)層3的材質(zhì)優(yōu)選透明導(dǎo)電樹(shù)脂，具體的，可通過(guò)如下方法制成透明導(dǎo)電樹(shù)脂:
[0099]將10?50質(zhì)量份透光基體樹(shù)脂，I?20質(zhì)量份有機(jī)酸摻雜的聚苯胺，加入到40?90質(zhì)量份甲苯中，攪拌至完全溶解形成所述透明導(dǎo)電樹(shù)脂。
[0100]或者將10?50質(zhì)量份透光基體樹(shù)脂，I?20質(zhì)量份有機(jī)酸摻雜的聚苯胺，I?15質(zhì)量份交聯(lián)單體，加入到40?90質(zhì)量份甲苯中，攪拌至完全溶解形成所述透明導(dǎo)電樹(shù)脂。
[0101]另外，也可將納米級(jí)的摻銻的SnO2通過(guò)和高分子聚合物單體、分散劑、表面活性劑等均勻混合，形成制作平坦保護(hù)層3的透明導(dǎo)電樹(shù)脂。
[0102]導(dǎo)電粒子除了可采用納米級(jí)的摻銻的SnO2之外，還可采用納米級(jí)氧化銦錫或納米銀等納米級(jí)的導(dǎo)電粒子。一般的，導(dǎo)電粒子的尺寸為20?50nm。
[0103]另外，通過(guò)調(diào)節(jié)樹(shù)脂的固化溫度、導(dǎo)電粒子的大小、光照等因素可以改變最終形成的平坦保護(hù)層3的電阻率，保證平坦保護(hù)層3可以為漏極25和有機(jī)層5提供良好的電連接。[0104]進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括上述任意一種陣列基板。具體的，該顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0105]實(shí)施例二
[0106]本發(fā)明實(shí)施例提供一種實(shí)施例一所記載的陣列基板的制備方法，如圖10所示，該制備方法包括:
[0107]步驟S101、形成包括薄膜晶體管單元的漏極的圖形、彩膜和與所述薄膜晶體管單元的漏極電連接的平坦保護(hù)層。
[0108]由此，可以形成圖1-圖7所示的平坦保護(hù)層3和漏極25電連接的陣列基板。具體的，由實(shí)施例一可知，本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板至少有如圖1-7所示七種結(jié)構(gòu)，即薄膜晶體管單元2的漏極25既可以在所述平坦保護(hù)層3的上方，也可以在所述平坦保護(hù)層3的下方，并且，薄膜晶體管單元2可以為底柵型也可以為頂柵型。
[0109]具體的，若要形成圖1所示的陣列基板，則如圖11所示，步驟SlOl具體包括:
[0110]步驟S201、依次形成位于襯底基板上的包括薄膜晶體管單元的柵極、柵極絕緣層、有源層的圖形。
[0111]如圖12所示，該薄膜晶體管單元2由下到上依次包括柵極21、位于柵極21之上的柵極絕緣層22、位于柵極絕緣層22之上的有源層23，因此在制作時(shí)，依次在陣列基板上形成柵極21、柵極絕緣層22、有源層23。
[0112]需要說(shuō)明的是，在形成薄膜晶體管單元2的柵極21的同時(shí)，襯底基板上的柵線(xiàn)(圖中未示出)等結(jié)構(gòu)也一體成型。
[0113]步驟S202、形成包括薄膜晶體管單元的漏極的圖形。
[0114]除了上述的柵極21、柵極絕緣層22、有源層23、漏極25等結(jié)構(gòu)外，薄膜晶體管單元2還包括源極24。在本發(fā)明實(shí)施例中，薄膜晶體管單元2的源極24和漏極25同層設(shè)置，因此可以考慮在步驟S202形成漏極25的同時(shí)形成源極24，如圖13所示。
[0115]若是源極24與漏極25不同層設(shè)置，則可以考慮根據(jù)實(shí)際情況，在形成漏極25之前或之后形成源極24，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不進(jìn)行限制。
[0116]步驟S203、在所形成的薄膜晶體管單元的漏極之上形成第一絕緣層。
[0117]在步驟S202對(duì)應(yīng)的圖13的基礎(chǔ)上，通過(guò)涂覆、沉積等方式在所述薄膜晶體管單元的漏極之上形成第一絕緣層7。因此第一絕緣層7位于薄膜晶體管單元2的上方，此時(shí)，該第一絕緣層7通常又稱(chēng)為鈍化層，采用鈍化層工藝不僅提高了顯示裝置的耐嚴(yán)酷環(huán)境的能力，而且有助于改善薄膜晶體管單元2的光電參數(shù)性能。但是鈍化層通常采用氧化硅、氮化硅、氧化鉿、樹(shù)脂等絕緣材料。
[0118]步驟S204、在所述第一絕緣層之上形成包括黑矩陣的圖形，所述黑矩陣對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管單元的有源層設(shè)置。
[0119]在所形成的第一絕緣層7的圖形之上，通過(guò)涂覆、沉積等形式形成一層遮光材料，之后通過(guò)包括刻蝕在內(nèi)的構(gòu)圖工藝形成對(duì)應(yīng)各個(gè)薄膜晶體管單元2的有源層23的多個(gè)黑矩陣11，如圖15所示。為了簡(jiǎn)化陣列基板的制備流程，優(yōu)選黑色的光刻膠來(lái)制作，利用光刻膠的感光性質(zhì)，制備黑矩陣11時(shí)可以省略光刻膠的使用。
[0120]需要說(shuō)明的是，為了保證薄膜晶體管單元2在工作時(shí)，其有源層23內(nèi)形成的導(dǎo)電溝道不會(huì)被光照射到，因此黑矩陣11通常要對(duì)應(yīng)覆蓋整個(gè)有源層23。
[0121]步驟S205、在所形成的薄膜晶體管單元的上方形成彩膜。
[0122]進(jìn)一步的，在形成彩膜4后，還需通過(guò)構(gòu)圖工藝，在對(duì)應(yīng)于所示薄膜晶體管單元2的漏極25的區(qū)域設(shè)置第一過(guò)孔8，如圖16所示，第一過(guò)孔8貫穿彩膜4和第一絕緣層7，以保證之后形成的平坦保護(hù)層3和漏極25的有效電連接。
[0123]步驟S206、在所述彩膜的上方形成導(dǎo)電的平坦保護(hù)層，所述平坦保護(hù)層與所述薄膜晶體管單元的漏極電連接。
[0124]如圖17所示，在步驟S204的基礎(chǔ)上，在所形成的薄膜晶體管單元2的漏極25的上方形成平坦保護(hù)層3，該平坦保護(hù)層3可以通過(guò)貫穿彩膜3和第一絕緣層7的第一過(guò)孔8與薄膜晶體管單元2的漏極25電連接。
[0125]為了保證平坦保護(hù)層3不僅具有良好的導(dǎo)電能力，還具有較高的固化性、透光度等性質(zhì)，在本發(fā)明實(shí)施例中，優(yōu)選的，所述平坦保護(hù)層3的材質(zhì)為透明導(dǎo)電樹(shù)脂。具體的，可通過(guò)如下方法制成透明導(dǎo)電樹(shù)脂:
[0126]將10?50質(zhì)量份透光基體樹(shù)脂，I?20質(zhì)量份有機(jī)酸摻雜的聚苯胺，加入到40?90質(zhì)量份甲苯中，攪拌至完全溶解形成所述透明導(dǎo)電樹(shù)脂。
[0127]或者將10?50質(zhì)量份透光基體樹(shù)脂，I?20質(zhì)量份有機(jī)酸摻雜的聚苯胺，I?15質(zhì)量份交聯(lián)單體，加入到40?90質(zhì)量份甲苯中，攪拌至完全溶解形成所述透明導(dǎo)電樹(shù)脂。
[0128]或者將10?50質(zhì)量份透光基體樹(shù)脂，I?20質(zhì)量份有機(jī)酸摻雜的聚苯胺，I?15質(zhì)量份交聯(lián)單體，0.1?I質(zhì)量份固化引發(fā)劑，加入到40?90質(zhì)量份甲苯中，攪拌至完全溶解形成所述透明導(dǎo)電樹(shù)脂。
[0129]另外，也可將納米級(jí)的摻銻的SnO2通過(guò)和高分子聚合物單體、分散劑、表面活性劑等均勻混合，形成制作平坦保護(hù)層3的透明導(dǎo)電樹(shù)脂。
[0130]例如可以將納米級(jí)的導(dǎo)電粒子、高分子聚合物單體、分散劑、表面活性劑等均勻混合后，通過(guò)涂覆、沉積等形式，形成平坦保護(hù)層3的透明導(dǎo)電樹(shù)脂。
[0131]其中，納米級(jí)的導(dǎo)電粒子可選為納米級(jí)的摻銻的SnO2之外，還可采用納米級(jí)氧化銦錫或納米銀等。
[0132]在前文中敘述過(guò)，由于平坦保護(hù)層3連接薄膜晶體管單元2的漏極25，且平坦保護(hù)層3采用透光的導(dǎo)電材料制作，則平坦保護(hù)層3相當(dāng)于現(xiàn)有技術(shù)中的像素電極，顯然，圖1所示的陣列基板為COA工藝的扭曲向列型(Twisted Nematic,簡(jiǎn)稱(chēng)TN)模式的顯示面板中的陣列基板。在此基礎(chǔ)上，可以考慮對(duì)圖1所示的陣列基板的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，例如，如圖8所示，該陣列基板在圖1所示的陣列基板的基礎(chǔ)上還形成與所述平坦保護(hù)層3配合的公共電極14，以及位于所述平坦保護(hù)層3和所述公共電極14之間的第三絕緣層12，此時(shí)該陣列基板為COA工藝的高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換(Advanced Super Dimension Switch,簡(jiǎn)稱(chēng)ADS)模式的顯示面板中的陣列基板。
[0133]進(jìn)一步的，還可以在圖1所示的基礎(chǔ)上形成有機(jī)發(fā)光二極管(OrganicLight-Emitting Diode,簡(jiǎn)稱(chēng)0LED)顯示面板中的陣列基板,具體的,如圖18所示,在步驟S205之后還包括:
[0134]步驟S301、在所述平坦保護(hù)層之上形成第二絕緣層，所述第二絕緣層設(shè)置有開(kāi)口，以使得所述有機(jī)層通過(guò)所述開(kāi)口與所述平坦保護(hù)層電連接。[0135]與第一絕緣層7類(lèi)似的，所述第二絕緣層9也可采用氧化硅、氮化硅、氧化鉿、樹(shù)脂等絕緣材料制成，如圖19所示，但是由于同樣需要對(duì)第二絕緣層9進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成開(kāi)口 10，因而優(yōu)選的，可以采用光刻膠形成第二絕緣層9。利用光刻膠的感光性質(zhì)，制備開(kāi)口10時(shí)可以省略光刻膠的使用，簡(jiǎn)化陣列基板的制備流程，降低陣列基板的制作成本。
[0136]在本發(fā)明實(shí)施例中，該開(kāi)口 10所對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)樵撽嚵谢逶诠ぷ鲿r(shí)的發(fā)光區(qū)域，而開(kāi)口 10周?chē)Ａ粲械诙^緣層9為不發(fā)光區(qū)域，如圖19所示，因此，第二絕緣層9又稱(chēng)為像素限定層。
[0137]步驟S302、在所形成的平坦保護(hù)層的上方形成有機(jī)層，在所述有機(jī)層的上方形成導(dǎo)電層，以使得所述平坦保護(hù)層和所述有機(jī)層電連接、與所述導(dǎo)電層配合共同驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)層發(fā)光。
[0138]步驟S302之后，該陣列基板的結(jié)構(gòu)如圖9所示。
[0139]具體的，有機(jī)層5內(nèi)包括空穴傳輸層、發(fā)光層與電子傳輸層，當(dāng)平坦保護(hù)層3和導(dǎo)電層6之間的電壓適當(dāng)時(shí),空穴傳輸層中的正極空穴與電子傳輸層中的陰極電荷就會(huì)在發(fā)光層中結(jié)合，使發(fā)光層產(chǎn)生光亮。
[0140]需要說(shuō)明的是，由于適合傳遞電子的有機(jī)材料不一定適合傳遞空穴，所以有機(jī)發(fā)光二極體的電子傳輸層和空穴傳輸層應(yīng)選用不同的有機(jī)材料或僅是摻雜的雜質(zhì)不同的有機(jī)材料。目前最常被用來(lái)制作電子傳輸層的材料必須制膜安定性高、熱穩(wěn)定且電子傳輸性佳，一般通常采用熒光染料化合物，如蒽二唑類(lèi)衍生物、含萘環(huán)類(lèi)衍生物、1-萘基、3-甲基苯基等。而空穴傳輸層的材料屬于一種芳香胺熒光化合物，如1-萘基等有機(jī)材料。
[0141]有機(jī)層5的材料須具備固態(tài)下有較強(qiáng)突光、載子傳輸性能好、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性佳、量子效率高且能夠真空蒸鍍的特性，例如可采用八羥基喹啉鋁。
[0142]其中，優(yōu)選能夠發(fā)出白光的有機(jī)層5。
[0143]通常，通過(guò)蒸鍍、濺射等方式形成導(dǎo)電層6。在本發(fā)明實(shí)施例中，與彩膜3配合驅(qū)動(dòng)有機(jī)層5發(fā)光的導(dǎo)電層6成本較低、表面平滑、不透光的材料，可防止有機(jī)層5發(fā)出的光從導(dǎo)電層6 —側(cè)射出，降低陣列基板對(duì)光線(xiàn)的利用率。
[0144]進(jìn)一步的，若有機(jī)層5發(fā)出的光為白色的，則導(dǎo)電層6優(yōu)選白色的表面光滑的金屬，如鋁，可以防止有機(jī)層5發(fā)出的光被導(dǎo)電層6反射后變色，保證顯示裝置的顯示效果。
[0145]該制備方法制備形成的陣列基板中的平坦保護(hù)層采用透明導(dǎo)電樹(shù)脂制成，所述平坦保護(hù)層與所述薄膜晶體管單元的漏極和所述有機(jī)層電連接，所述平坦保護(hù)層與所述導(dǎo)電層配合共同驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)層發(fā)光，因而，該陣列基板中可省去金屬陽(yáng)極這一層結(jié)構(gòu)，顯著地簡(jiǎn)化了陣列基板的層結(jié)構(gòu)，同時(shí)由于陣列基板的層結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化了，陣列基板的制備流程、制備難度也減少了，進(jìn)而提聞了陣列基板的生廣良品率。
[0146]進(jìn)一步的，由圖11所示的陣列基板的制備方法，可以推知其他圖2-圖7各陣列基板的制備方法，具體如下:
[0147]例如，圖2和圖1之間的區(qū)別在于圖2中的薄膜晶體管單元2為頂柵型的，則由圖11所示的制作步驟可知圖2的陣列基板的制作步驟大致如下:
[0148]頂柵型的薄膜晶體管單元2由下至上包括:同層設(shè)置且絕緣的源極24和漏極25、連接源極24和漏極25的有源層23、柵極絕緣層22和柵極21，因此首先需要在襯底基板上形成包括漏極25、源極24、有源層23、柵極絕緣層22和柵極21等薄膜晶體管單元2的各結(jié)構(gòu)，類(lèi)似的，漏極25和源極24可以同層形成也可以非同層形成。
[0149]之后，在薄膜晶體管單元2的上方形成第一絕緣層7，并在第一絕緣層7上對(duì)應(yīng)有源層23之處形成黑矩陣11。之后，為了使得平坦保護(hù)層3可以與位于底層的漏極25電連接，在第一絕緣層7和柵極絕緣層22上形成第一過(guò)孔8。最后，透明導(dǎo)電樹(shù)脂形成該導(dǎo)電的平坦保護(hù)層3，同時(shí)，第一過(guò)孔8內(nèi)也填充有平坦保護(hù)層3，使得平坦保護(hù)層3可以與漏極25電連接。至此，可形成圖2所示的陣列基板。
[0150]顯然，如圖1和圖2所示，平坦保護(hù)層3都位于漏極25的上方。類(lèi)似的，也可考慮采用順序不同的制備方法，使得平坦保護(hù)層3位于漏極25的下方，在此不再贅述。此時(shí)，需要在所述平坦保護(hù)層3之上形成第一絕緣層7，所述第一絕緣層7對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管單元2的漏極25的區(qū)域設(shè)置有第一過(guò)孔8，以使得所述平坦保護(hù)層3通過(guò)所述第一過(guò)孔8與所述漏極25電連接。
[0151]類(lèi)似的，可在圖2-圖7所示的陣列基板的基礎(chǔ)上添加與所述平坦保護(hù)層3配合的公共電極14，以及位于所述平坦保護(hù)層3和所述公共電極14之間的第三絕緣層12，同樣形成ADS模式的陣列基板。
[0152]進(jìn)一步的，也可類(lèi)似圖18所示的步驟，在圖3所示的陣列基板的基礎(chǔ)上添加第二絕緣層8、有機(jī)層5和導(dǎo)電層6等結(jié)構(gòu)，形成OLED模式的陣列基板。具體不再贅述。
[0153]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底基板、位于所述襯底基板之上的薄膜晶體管單元、彩膜和平坦保護(hù)層，所述平坦保護(hù)層與所述薄膜晶體管單元的漏極電連接，其中，所述平坦保護(hù)層導(dǎo)電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括:位于所述薄膜晶體管單元和所述平坦保護(hù)層之間的第一絕緣層，所述第一絕緣層對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管單元的漏極的區(qū)域設(shè)置有第一過(guò)孔，所述平坦保護(hù)層通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述薄膜晶體管單元的漏極電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括:位于所述平坦保護(hù)層之上的有機(jī)層和導(dǎo)電層，所述平坦保護(hù)層與所述導(dǎo)電層配合共同驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)層發(fā)光。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜位于所述平坦保護(hù)層和所述薄膜晶體管單元之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述平坦保護(hù)層之上形成有第二絕緣層，所述第二絕緣層設(shè)置有開(kāi)口，所述有機(jī)層通過(guò)所述開(kāi)口與所述平坦保護(hù)層電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括與所述平坦保護(hù)層配合的公共電極，以及位于所述平坦保護(hù)層和所述公共電極之間的第三絕緣層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于， 所述平坦保護(hù)層的材質(zhì)為透明導(dǎo)電樹(shù)脂。
8.—種顯示裝置，其 特征在于，包括如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的陣列基板。
9.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括: 形成包括薄膜晶體管單元的漏極的圖形、彩膜和與所述薄膜晶體管單元的漏極電連接的平坦保護(hù)層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，形成包括薄膜晶體管單元的漏極的圖形、彩膜和與所述薄膜晶體管單元的漏極電連接的平坦保護(hù)層包括: 形成包括薄膜晶體管單元的漏極的圖形； 在所形成的薄膜晶體管單元的上方形成彩膜； 在所述彩膜的上方形成導(dǎo)電的平坦保護(hù)層，所述平坦保護(hù)層與所述薄膜晶體管單元的漏極電連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于，還包括: 在所形成的薄膜晶體管單元的漏極之上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管單元的漏極的區(qū)域設(shè)置有第一過(guò)孔，以使得所述平坦保護(hù)層通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述漏極電連接；或， 在所述平坦保護(hù)層之上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管單元的漏極的區(qū)域設(shè)置有第一過(guò)孔，以使得所述平坦保護(hù)層通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述漏極電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的制備方法，其特征在于，還包括: 在所形成的平坦保護(hù)層的上方形成有機(jī)層，在所述有機(jī)層的上方形成導(dǎo)電層，以使得所述平坦保護(hù)層和所述有機(jī)層電連接、與所述導(dǎo)電層配合共同驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)層發(fā)光。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于，在所形成的平坦保護(hù)層的上方形成有機(jī)層，在所述有機(jī)層的上方形成導(dǎo)電層，以使得所述平坦保護(hù)層和所述有機(jī)層電連接、與所述導(dǎo)電層配合共同驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)層發(fā)光之前，還包括: 在所述平坦保護(hù)層之上形成第二絕緣層，所述第二絕緣層設(shè)置有開(kāi)口，以使得所述有機(jī)層通過(guò)所述開(kāi)口與所述平坦保護(hù)`層電連接。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK103700674SQ201310741375
【公開(kāi)日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年12月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月27日
【發(fā)明者】齊永蓮, 舒適, 趙明 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司