使用溝道自對準(zhǔn)硅化物布線層的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及使用溝道自對準(zhǔn)硅化物布線層的方法，所揭露的是使用分段式溝道自對準(zhǔn)硅化物層(segmented?trench?salicide?layer)而能選擇性連接鰭結(jié)構(gòu)(fin?structure)的方法以及所產(chǎn)生的裝置(resulting?device)。具體實(shí)施例包括：在基底上提供至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)；提供依垂直方向與至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)相交的第一與第二鰭結(jié)構(gòu)；以及提供自對準(zhǔn)硅化物層的第一區(qū)段(segment)，第一區(qū)段沿著水平方向形成并且與第二鰭結(jié)構(gòu)連接以及與第一鰭結(jié)構(gòu)分離。
【專利說明】使用溝道自對準(zhǔn)硅化物布線層的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本揭露關(guān)于利用溝道自對準(zhǔn)硅化物層對晶體管布線連接的半導(dǎo)體裝置的制造。本揭露尤其適用于針對20奈米(nm)技術(shù)及以后(and beyond)節(jié)點(diǎn)利用單側(cè)接觸多晶硅線距(pitch)的設(shè)計(jì)。
【背景技術(shù)】
[0002]在制造半導(dǎo)體裝置時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)單元(standard cell)是設(shè)計(jì)邏輯的建構(gòu)方塊。然而，降低標(biāo)準(zhǔn)單元的形成尺寸(resulting size)需要特征的邏輯縮減,其特別在20nm技術(shù)及以后節(jié)點(diǎn)受到限制。這依次導(dǎo)致功率、效能(performance)、以及漏電的損耗。然而，傳統(tǒng)方法使用不同主動區(qū)尺寸以最佳化晶體管尺寸，其阻礙對于標(biāo)準(zhǔn)單元有效的特征邏輯縮減。在如20nm及14nm等具有鰭式場效晶體管(finfet transistor)的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)中，裝置尺寸得以量化，并且電路功率、效能、以及漏電必需借由選擇適用于給定電路的鰭數(shù)目而予以最佳化。然而，從主動鰭移除虛擬鰭(du_y fin)可能會面臨圖樣化與蝕刻導(dǎo)致鰭變異更大的風(fēng)險(xiǎn)。
[0003]因此，能夠最佳化電路鰭數(shù)目的方法及所產(chǎn)生裝置存在必要性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本揭露的一態(tài)樣為使用溝道自對準(zhǔn)硅化物層，尤其是利用與第一鰭結(jié)構(gòu)連接并且與第二鰭結(jié)構(gòu)分離的自對準(zhǔn)硅化物層區(qū)段，選擇性連接特征的方法。
[0005]本揭露的另一態(tài)樣為尤其是具有與第一鰭結(jié)構(gòu)連接并且與第二鰭結(jié)構(gòu)分離的自對準(zhǔn)硅化物層區(qū)段的裝置。
[0006]本揭露的另外態(tài)樣及其它特征將在底下說明中提出并且對于具有本技術(shù)普通技能的人士在檢視下文后于某種程度將是顯而易知或可由本揭露的實(shí)踐得到學(xué)習(xí)。本揭露的優(yōu)點(diǎn)可如權(quán)利要求中所特別指出而予以實(shí)現(xiàn)并且獲得。
[0007]根據(jù)本揭露，可某種程度達(dá)到某些技術(shù)功效的方法包括:在基底上提供至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)；提供依垂直方向與至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)相交的第一與第二鰭結(jié)構(gòu)；以及提供自對準(zhǔn)硅化物層的第一區(qū)段，第一區(qū)段沿著水平方向形成以及與第二鰭結(jié)構(gòu)連接并且與第一鰭結(jié)構(gòu)分離。
[0008]態(tài)樣包括提供沿著水平方向形成并且借由至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)與第一區(qū)段垂直分離的自對準(zhǔn)硅化物層的第二區(qū)段，第二區(qū)段與第一鰭結(jié)構(gòu)連接并且與第二鰭結(jié)構(gòu)分離。進(jìn)一步態(tài)樣包括:提供與至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)相交的第三、第四、第五、以及第六鰭結(jié)構(gòu)，第二鰭結(jié)構(gòu)與第一和第三鰭結(jié)構(gòu)分離，第四鰭結(jié)構(gòu)與第一和第五鰭結(jié)構(gòu)分離，并且第五鰭結(jié)構(gòu)與第四和第六鰭結(jié)構(gòu)分離；提供沿著水平方向形成的自對準(zhǔn)硅化物層的第一、第二、以及第三組區(qū)段，第一、第二、以及第三組每一個(gè)都具有不同的垂直位置，借由至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的柵極結(jié)構(gòu)而彼此分離，其中第二組分開第一與第三組，以及第一組包括第一區(qū)段；提供具有與第二和第三鰭結(jié)構(gòu)連接的第一區(qū)段、與第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段以及與第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的第一組；提供具有與第一鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與第二和第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、以及與第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的第二組；以及提供具有與第一鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與第二和第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、以及與第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的第三組。某些態(tài)樣包括在基底上提供具有第一與第二拉降(ro)、溝道柵(PG)(pass gate)、以及拉升(PU)晶體管的靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)位單元，第一組區(qū)段在第一 PD、PG、以及PU晶體管上形成并且第三組區(qū)段在第二 H)、PG、以及PU晶體管上形成，其中第一區(qū)段位于第一 PG晶體管上。另外的態(tài)樣包括:提供與至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)相交的第三、第四、第五、以及第六鰭結(jié)構(gòu)，第三鰭結(jié)構(gòu)將第二與第四鰭結(jié)構(gòu)分開，并且第五鰭結(jié)構(gòu)將第四與第六鰭結(jié)構(gòu)分開；提供沿著水平方向形成的第一、第二、以及第三組自對準(zhǔn)硅化物層區(qū)段，第一、第二、以及第三組中每一個(gè)都具有不同的垂直位置，借由至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)而彼此分離，其中第二組將第一與第三組分開，并且第一組包括第一區(qū)段；提供具有與第二鰭結(jié)構(gòu)連接的第一區(qū)段、與第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、以及與第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的第一組；提供具有與第一和第二鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、以及與第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的第二組；以及提供具有與第一和第二鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、以及與第五鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的第三組。進(jìn)一步態(tài)樣包括在基底上提供具有第一和第二 ro、PG、以及PU晶體管的SRAM位單元，第一組區(qū)段在第一 PD、PG、以及PU晶體管上形成并且第三組區(qū)段在第二 PD、PG、以及PU晶體管上形成，其中第一區(qū)段位于第一PG晶體管上。某些態(tài)樣包括:在基底上提供只讀存儲器(ROM)位單元，第二鰭結(jié)構(gòu)和第一區(qū)段在ROM位單元上形成；以及提供沿著水平方向形成的溝道自對準(zhǔn)硅化物層第二區(qū)段借由予以連接或與第二鰭結(jié)構(gòu)分離而指示ROM位單元的狀態(tài)，第一和第二區(qū)段在基底上具有不同的垂直位置，并且借由至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的柵極結(jié)構(gòu)而彼此分離。另外的態(tài)樣包括方法，其中自對準(zhǔn)硅化物層為溝道自對準(zhǔn)硅化物層，方法更包括:提供依垂直方向具有相等并且未中斷的跨距的第一與第二鰭結(jié)構(gòu)；以及在基底上提供與自對準(zhǔn)硅化物層分開的第三鰭結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步態(tài)樣包括方法，其中第二鰭結(jié)構(gòu)基于與自對準(zhǔn)硅化物層連接而含括在網(wǎng)表內(nèi)并且第一鰭結(jié)構(gòu)基于與自對準(zhǔn)硅化物層分開而排除在網(wǎng)表外。
[0009]本揭露的另一態(tài)樣為裝置，其具有:位于基底上的至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)；依垂直方向與至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)相交的第一與第二鰭結(jié)構(gòu)；以及自對準(zhǔn)硅化物層的第一區(qū)段，第一區(qū)段沿著水平方向形成以及與第二鰭結(jié)構(gòu)連接并且與第一鰭結(jié)構(gòu)分離。
[0010]態(tài)樣包括裝置，其具有沿著水平方向形成并且借由至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)與第一區(qū)段垂直分離的自對準(zhǔn)硅化物層的第二區(qū)段，第二區(qū)段與第一鰭結(jié)構(gòu)連接并且與第二鰭結(jié)構(gòu)分離。某些態(tài)樣包括裝置，其具有:與至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)相交的第三、第四、第五、以及第六鰭結(jié)構(gòu)，第二鰭結(jié)構(gòu)與第一和第三鰭結(jié)構(gòu)分離，第四鰭結(jié)構(gòu)與第一和第五鰭結(jié)構(gòu)分離，并且第五鰭結(jié)構(gòu)與第四和第六鰭結(jié)構(gòu)分離；具有與第二和第三鰭結(jié)構(gòu)連接的第一區(qū)段、與第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段以及與第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的第一組區(qū)段；具有與第一鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與第二和第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、以及與第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的第二組區(qū)段；以及具有與第一鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與第二和第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、以及與第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的第三組區(qū)段，其中第一、第二、以及第三組區(qū)段沿著水平方向形成，第一、第二、以及第三組中每一個(gè)都具有不同的垂直位置，借由至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的柵極結(jié)構(gòu)而彼此分離，并且第二組將第一與第三組分開。進(jìn)一步態(tài)樣包括裝置，其具有:與至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)相交的第三、第四、第五、以及第六鰭結(jié)構(gòu)，第三鰭結(jié)構(gòu)將第二與第四鰭結(jié)構(gòu)分開，并且第五鰭結(jié)構(gòu)將第四與第六鰭結(jié)構(gòu)分開；具有與第二鰭結(jié)構(gòu)連接的第一區(qū)段、與第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、以及與第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的第一組區(qū)段；具有與第一和第二鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、
[0011]以及與第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的第二組區(qū)段；以及具有與第一和第二鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、以及與第五鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的第三組區(qū)段，其中第一、第二、以及第三組區(qū)段沿著水平方向形成，第一、第二、以及第三組中每一個(gè)都具有不同的垂直位置，借由至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)而彼此分離，并且第二組將第一與第三組分開。另外的態(tài)樣包括裝置，其具有第一與第二 PD、PG、以及PU晶體管的SRAM位單元，第一組區(qū)段在第一 ro、PG、以及PU晶體管上形成并且第三組區(qū)段在第二 ro、PG、以及Pu晶體管上形成，其中第一區(qū)段位于第一 PG晶體管上。某些態(tài)樣包括裝置，其具有ROM位單元，第二鰭結(jié)構(gòu)和第一區(qū)段在ROM位單元上形成；以及沿著水平方向形成的溝道自對準(zhǔn)硅化物層的第二區(qū)段，借由予以連接或與第二鰭結(jié)構(gòu)分離而指示ROM位單元的狀態(tài)，第一和第二區(qū)段在基底上具有不同的垂直位置，并且借由至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的柵極結(jié)構(gòu)而彼此分離。進(jìn)一步態(tài)樣包括裝置，其中:自對準(zhǔn)硅化物層為溝道自對準(zhǔn)硅化物層，以及第一與第二鰭結(jié)構(gòu)依垂直方向具有相等并且未中斷的跨距，并且其中設(shè)備再包含在基底上與自對準(zhǔn)硅化物層分開的第三鰭結(jié)構(gòu)。
[0012]本揭露的另一態(tài)樣為方法，其包括:在基底上提供多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)；提供依垂直方向與柵極結(jié)構(gòu)相交的第一、第二、第三、第四、第五、以及第六鰭結(jié)構(gòu)，每一個(gè)都依垂直方向具有相等并且未中斷的跨距，第二鰭結(jié)構(gòu)將第一與第三鰭結(jié)構(gòu)分開，第四鰭結(jié)構(gòu)將第三與第五鰭結(jié)構(gòu)分開，第五鰭結(jié)構(gòu)將第四與第六鰭結(jié)構(gòu)分開；提供在基底上具有第一與第二拉降(H))、柵溝道(PG)、和拉升(PU)晶體管的第一靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)位單元以及在基底上具有第三與第四ro、PG、和PU晶體管的第二 SRAM位單元；提供沿著水平方向形成的溝道自對準(zhǔn)硅化物層的第一組區(qū)段，第一組具有在第一 ro晶體管上與第一和第二鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、在第一 PU晶體管上與第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、在第一 PG晶體管上與第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段；提供沿著水平方向形成的溝道自對準(zhǔn)硅化物層第二組區(qū)段，第二組具有與第一和第二鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、以及與第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段；提供沿著水平方向形成的溝道自對準(zhǔn)硅化物層的第三組區(qū)段，第三組具有在第二 PG晶體管上與第一和第二鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、在第二 晶體管上與第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、在第二 ro晶體管上與第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段；提供沿著水平方向形成的溝道自對準(zhǔn)硅化物層的第四組區(qū)段，第四組具有在第三PD晶體管上與第一和第二鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、在第三PU晶體管上與第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、在第一 PG晶體管上與第五鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段；提供沿著水平方向形成的溝道自對準(zhǔn)硅化物層的第五組區(qū)段，第五組具有與第一和第二鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、以及與第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段；以及提供沿著水平方向形成的溝道自對準(zhǔn)硅化物層的第六組區(qū)段，第六組具有在第四PG晶體管上與第二鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、在第四PU晶體管上與第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、在第四ro晶體管上與第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段，其中第二組將第一和第三組分開，第三組將第二和第四組分開，第四組將第三和第五組分開，以及第五組將第四和第六組分開，以及第一、第二、第三、第四、第五、和第六組在基底上具有不同的垂直位置，并且每一個(gè)都借由柵極結(jié)構(gòu)的柵極結(jié)構(gòu)而彼此分離。
[0013]某些態(tài)樣包括提供依垂直方向與基底上分離自溝道自對準(zhǔn)硅化物層的柵極結(jié)構(gòu)相交的第七鰭結(jié)構(gòu)。另外的態(tài)樣包括方法，其中第七鰭結(jié)構(gòu)基于與溝道自對準(zhǔn)硅化物層分開而排除在網(wǎng)表外。某些態(tài)樣包括:在基底上提供ROM位單元，第一鰭結(jié)構(gòu)在ROM位單元上形成；在ROM位單元上提供沿著水平方向形成并且與第一鰭結(jié)構(gòu)連接的溝道自對準(zhǔn)硅化物層的第一區(qū)段；以及提供沿著水平方向形成的溝道自對準(zhǔn)硅化物層的第二區(qū)段，借由予以連接或與第一鰭結(jié)構(gòu)分離而指示ROM位單元的狀態(tài)，第一和第二區(qū)段在基底上具有不同的垂直位置，并且借由柵極結(jié)構(gòu)的柵極結(jié)構(gòu)而彼此分離。
[0014]本揭露另外的態(tài)樣及技術(shù)功效對于熟悉本技術(shù)的人士經(jīng)由底下的詳細(xì)說明將變得顯而易知，其中本揭露的具體實(shí)施例單純地借由深思后用以實(shí)施本揭露最佳模式的描述予以說明。將了解的是，本揭露能夠有其它及不同的具體實(shí)施例，并且其許多細(xì)節(jié)能以各種明顯態(tài)樣作改進(jìn)，全部都不違背本揭露。因此，圖式及說明視為描述性本質(zhì)而非具有限制性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]本揭露借由 附圖的圖標(biāo)中的實(shí)施例予以描述，而非限制，其中相稱符號意指類似組件，以及其中:
[0016]圖1A及IB根據(jù)示例性具體實(shí)施例示意性描述利用自對準(zhǔn)硅化物層區(qū)段的SRAM位單元(bitcell)；
[0017]圖2A和2B根據(jù)示例性具體實(shí)施例示意性描述利用自對準(zhǔn)硅化物層區(qū)段的ROM位單元；
[0018]圖3根據(jù)示例性具體實(shí)施例示意性描述利用自對準(zhǔn)硅化物層區(qū)段合并(merge)兩個(gè)主動鰭；
[0019]圖4根據(jù)示例性具體實(shí)施例示意性描述利用自對準(zhǔn)硅化物層區(qū)段致能網(wǎng)表(netlist)內(nèi)晶體管的縮減(reduction)。
[0020]符號說明
[0021]
【權(quán)利要求】
1.一種方法，包含: 在基底上提供至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)； 提供朝垂直方向與該至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)相交的第一與第二鰭結(jié)構(gòu)；以及提供自對準(zhǔn)硅化物層的第一區(qū)段，該第一區(qū)段沿著水平方向形成以及與該第二鰭結(jié)構(gòu)連接并且與該第一鰭結(jié)構(gòu)分離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包含: 提供沿著該水平方向形成并且借由該至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)與該第一區(qū)段垂直分離的該自對準(zhǔn)硅化物層的第二區(qū)段，該第二區(qū)段與該第一鰭結(jié)構(gòu)連接并且與該第二鰭結(jié)構(gòu)分離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包含: 提供與該至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)相交的第三、第四、第五以及第六鰭結(jié)構(gòu)，該第二鰭結(jié)構(gòu)與該第一和第三鰭結(jié)構(gòu)分離，該第四鰭結(jié)構(gòu)與該第一和第五鰭結(jié)構(gòu)分離，并且該第五鰭結(jié)構(gòu)與該第四和第六鰭結(jié)構(gòu)分離； 提供沿著該水平方向形成的該自對準(zhǔn)硅化物層的第一、第二以及第三組區(qū)段，該第一、第二以及第三組中的每一個(gè)具有不同的垂直位置，借由該至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的柵極結(jié)構(gòu)而彼此分離，其中，該第二組分開該第一與第三組，以及該第一組包括該第一區(qū)段； 提供具有與該第二和第三鰭結(jié)構(gòu)連接的該第一區(qū)段、與該第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段以及與該第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的該第一組； 提供具有與該第一鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與該第二和第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與該第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段以及與該第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的該第二組；以及 提供具有與該第一鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與該第二和第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段以及與該第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的該第三組。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，包含: 在該基底上提供具有第一與第二拉降(ro)、溝道柵(PG)以及拉升(PU)晶體管的靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)位單元，該第一組區(qū)段在該第一拉降、溝道柵以及拉升晶體管上形成，以及該第三組區(qū)段在該第二拉降、溝道柵以及拉升晶體管上形成，其中該第一區(qū)段于該第一溝道柵晶體管上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包含: 提供與該至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)相交的第三、第四、第五以及第六鰭結(jié)構(gòu)，該第三鰭結(jié)構(gòu)將該第二與第四鰭結(jié)構(gòu)分開，并且該第五鰭結(jié)構(gòu)將該第四與第六鰭結(jié)構(gòu)分開； 提供沿著該水平方向形成的第一、第二以及第三組該自對準(zhǔn)硅化物層的區(qū)段，該第一、第二以及第三組中的每一個(gè)具有不同的垂直位置，借由該至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)而彼此分離，其中，該第二組將該第一與第三組分開，以及該第一組包括該第一區(qū)段； 提供具有與該第二鰭結(jié)構(gòu)連接的該第一區(qū)段、與該第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段以及與該第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的該第一組； 提供具有與該第一和第二鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與該第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與該第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段以及與該第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的該第二組；以及 提供具有與該第一和第二鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與該第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段以及與該第五鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的 該第三組。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，包含:在該基底上提供具有第一和第二拉降、溝道柵以及拉升晶體管的靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存位單元，該第一組區(qū)段在該第一拉降、溝道柵以及拉升晶體管上形成，以及該第三組區(qū)段在該第二拉降、溝道柵以及拉升晶體管上形成，其中，該第一區(qū)段于該第一溝道柵晶體管上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包含: 在該基底上提供只讀存儲器(ROM)位單元，該第二鰭結(jié)構(gòu)和該第一區(qū)段在該只讀存儲器位單元上形成；以及 提供沿著該水平方向形成的溝道自對準(zhǔn)硅化物層的第二區(qū)段，借由予以連接或與該第二鰭結(jié)構(gòu)分離而指示該只讀存儲器位單元的狀態(tài)，該第一和第二區(qū)段在該基底上具有不同的垂直位置，并且借由該至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的柵極結(jié)構(gòu)而彼此分離。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該自對準(zhǔn)硅化物層為溝道自對準(zhǔn)硅化物層，該方法更包含: 提供依該垂直方向具有相等并且未中斷的跨距的該第一與第二鰭結(jié)構(gòu)；以及 在該基底上提供與該自對準(zhǔn)硅化物層分離的第三鰭結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán) 利要求1所述的方法，其特征在于，該第二鰭結(jié)構(gòu)基于與該自對準(zhǔn)硅化物層連接而含括在網(wǎng)表內(nèi)，以及該第一鰭結(jié)構(gòu)基于與該自對準(zhǔn)硅化物層分離而排除在該網(wǎng)表外。
10.一種設(shè)備，包含: 于基底上的至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)； 依垂直方向與該至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)相交的第一與第二鰭結(jié)構(gòu)；以及 自對準(zhǔn)硅化物層的第一區(qū)段，該第一區(qū)段沿著水平方向形成以及與該第二鰭結(jié)構(gòu)連接并且與該第一鰭結(jié)構(gòu)分離。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，包含: 沿著該水平方向形成并且借由該至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)與該第一區(qū)段垂直分離的該自對準(zhǔn)硅化物層的第二區(qū)段，該第二區(qū)段與該第一鰭結(jié)構(gòu)連接并且與該第二鰭結(jié)構(gòu)分離。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，包含: 與該至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)相交的第三、第四、第五以及第六鰭結(jié)構(gòu)，該第二鰭結(jié)構(gòu)與該第一和第三鰭結(jié)構(gòu)分離，該第四鰭結(jié)構(gòu)與該第一和第五鰭結(jié)構(gòu)分離，并且該第五鰭結(jié)構(gòu)與該第四和第六鰭結(jié)構(gòu)分離； 具有與該第二和第三鰭結(jié)構(gòu)連接的該第一區(qū)段、與該第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段以及與該第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的第一組區(qū)段； 具有與該第一鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與該第二和第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與該第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段以及與該第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的第二組區(qū)段；以及 具有與該第一鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與該第二和第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、以及與該第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的第三組區(qū)段，其中，該第一、第二以及第三組區(qū)段沿著該水平方向形成，該第一、第二以及第三組中的每一個(gè)具有不同的垂直位置，借由該至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的柵極結(jié)構(gòu)而彼此分離，以及該第二組將該第一與第三組分開。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，包含: 與該至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)相交的第三、第四、第五以及第六鰭結(jié)構(gòu)，該第三鰭結(jié)構(gòu)將該第二與第四鰭結(jié)構(gòu)分開，以及該第五鰭結(jié)構(gòu)將該第四與第六鰭結(jié)構(gòu)分開；具有與該第二鰭結(jié)構(gòu)連接的該第一區(qū)段、與該第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段以及與該第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的第一組區(qū)段； 具有與該第一和第二鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與該第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與該第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段以及與該第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的第二組區(qū)段；以及 具有與該第一和第二鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與該第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段以及與該第五鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段的第三組區(qū)段，其中，該第一、第二以及第三組區(qū)段沿著該水平方向形成，該第一、第二以及第三組中的每一個(gè)具有不同的垂直位置，借由該至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的柵極結(jié)構(gòu)而彼此分離，以及該第二組將該第一與第三組分開。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，包含: 具有第一與第二拉降、溝道柵以及拉升晶體管的靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存位單元，該第一組區(qū)段在該第一拉降、溝道柵以及拉升晶體管上形成，以及該第三組區(qū)段在該第二拉降、溝道柵以及拉升晶體管上形成，其中，該第一區(qū)段于該第一溝道柵晶體管上。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，包含: 只讀存儲器(ROM)位單元，該第二鰭結(jié)構(gòu)和該第一區(qū)段在該只讀存儲器位單元上形成；以及 沿著該水平方向形成的該溝道自對準(zhǔn)硅化物層的第二區(qū)段，借由予以連接或與該第二鰭結(jié)構(gòu)分離而指示該只讀存儲器位單元的狀態(tài)，該第一和第二區(qū)段在該基底上具有不同的垂直位置，并且借由該至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的柵極結(jié)構(gòu)而彼此分離。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中，該自對準(zhǔn)硅化物層為溝道自對準(zhǔn)硅化物層，以及該第一與第二鰭結(jié)構(gòu)依該垂直方向具有相等并且未中斷的跨距，并且其中該設(shè)備更包含在該基底上與該自對準(zhǔn)硅化物層分離的第三鰭結(jié)構(gòu)。
17.一種方法，包含: 在基底上提供多個(gè)棚極結(jié)構(gòu)； 提供依垂直方向與該等柵極結(jié)構(gòu)相交的第一、第二、第三、第四、第五以及第六鰭結(jié)構(gòu)，每一個(gè)都依該垂直方向具有相等并且未中斷的跨距，該第二鰭結(jié)構(gòu)將該第一與第三鰭結(jié)構(gòu)分開，該第四鰭結(jié)構(gòu)將該第三與第五鰭結(jié)構(gòu)分開，該第五鰭結(jié)構(gòu)將該第四與第六鰭結(jié)構(gòu)分開； 提供在該基底上具有第一與第二拉降(ro)、柵溝道(PG)和拉升(Pu)晶體管的第一靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)位單元以及在該基底上具有第三與第四拉降、溝道柵和拉升晶體管的第二靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存位單元； 提供沿著水平方向形成的該溝道自對準(zhǔn)硅化物層的第一組區(qū)段，該第一組具有在該第一拉降晶體管上與該第一和第二鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、在該第一拉升晶體管上與該第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、在該第一溝道柵晶體管上與該第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段； 提供沿著該水平方向形成的該溝道自對準(zhǔn)硅化物層的第二組區(qū)段，該第二組具有與該第一和第二鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與該第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與該第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段以及與該第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段； 提供沿著該水平方向形成的該溝道自對準(zhǔn)硅化物層的第三組區(qū)段，該第三組具有在該第二溝道柵晶體管上與該第一和第二鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、在該第二拉升晶體管上與該第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、在該第二拉降晶體管上與該第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段；提供沿著該水平方向形成的該溝道自對準(zhǔn)硅化物層的第四組區(qū)段，該第四組具有在該第三拉降晶體管上與該第一和第二鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、在該第三拉升晶體管上與該第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、在該第一溝道柵晶體管上與該第五鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段； 提供沿著該水平方向形成的該溝道自對準(zhǔn)硅化物層的第五組區(qū)段，該第五組具有與該第一和第二鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與該第三鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、與該第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段以及與該第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段；以及 提供沿著該水平方向形成的該溝道自對準(zhǔn)硅化物層的第六組區(qū)段，該第六組具有在該第四溝道柵晶體管上與該第二鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、在該第四拉升晶體管上與該第四鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段、在該第四拉降晶體管上與該第五和第六鰭結(jié)構(gòu)連接的區(qū)段，其中，該第二組將該第一和第三組分開，該第三組將該第二和第四組分開，該第四組將該第三和第五組分開，以及該第五組將該第四和第六組分開，以及該第一、第二、第三、第四、第五和第六組在該基底上具有不同的垂直位置，并且每一個(gè)都借由該等柵極結(jié)構(gòu)的柵極結(jié)構(gòu)而彼此分離。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，包含提供依該垂直方向與該基底上分離自該溝道自對準(zhǔn)硅化物層的該等柵極結(jié)構(gòu)相交的第七鰭結(jié)構(gòu)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，該第七鰭結(jié)構(gòu)基于與該溝道自對準(zhǔn)硅化物層分離而排除在網(wǎng)表外。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，包含: 在該基底上提供只讀存儲器(ROM)位單元，該第一鰭結(jié)構(gòu)在該只讀存儲器位單元上形成； 在該只讀存儲器位單元上提供沿著該水平方向形成并且與該第一鰭結(jié)構(gòu)連接的該溝道自對準(zhǔn)硅化物層的第一區(qū)段；以及 提供沿著該水平方向形成的該溝道自對準(zhǔn)硅化物層的第二區(qū)段，借由予以連接或與該第一鰭結(jié)構(gòu)分離而指示該只讀存儲器位單元的狀態(tài)，該第一和第二區(qū)段在該基底上具有不同的垂直位置，并且借由該等柵極結(jié)構(gòu)的柵極結(jié)構(gòu)而彼此分離。
【文檔編號】H01L21/768GK103915325SQ201310741479
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2013年12月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月28日
【發(fā)明者】M·拉希德, S·沙曼維德姆, D·多曼, N·加恩, S·坎格瑞, S·文卡特桑 申請人:格羅方德半導(dǎo)體公司