一種通過(guò)調(diào)節(jié)熒光粉濃度制作led器件的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種通過(guò)調(diào)節(jié)熒光粉濃度制作LED器件的方法，根據(jù)芯片發(fā)光坐標(biāo)值和LED器件發(fā)光的目標(biāo)色坐標(biāo)值選擇在CIE中向上偏離芯片發(fā)光坐標(biāo)值和LED器件發(fā)光的色坐標(biāo)值所在直線且最接近該直線的坐標(biāo)值對(duì)應(yīng)的單一熒光粉，增大該單一熒光粉的濃度，LED器件發(fā)光的色坐標(biāo)朝長(zhǎng)波方向偏離芯片發(fā)光坐標(biāo)值與熒光粉坐標(biāo)值所在的直線，直到LED器件發(fā)光的色坐標(biāo)達(dá)到LED器件發(fā)光的目標(biāo)色坐標(biāo)值為止。利用本發(fā)明的方法，不僅能調(diào)節(jié)到LED器件發(fā)光的目標(biāo)色坐標(biāo)，而且色純度高。
【專利說(shuō)明】一種通過(guò)調(diào)節(jié)熒光粉濃度制作[口器件的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及120器件的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]120器件發(fā)光的顏色豐富多樣，當(dāng)前[￡0器件實(shí)現(xiàn)不同顏色的發(fā)光主要是采用不同芯片的組合或芯片與熒光粉的組合方法?，F(xiàn)在，采用藍(lán)光芯片激發(fā)不同顏色的熒光粉來(lái)得到不同顏色的光是最為常見(jiàn)的方法。目前，在芯片顏色坐標(biāo)已定的情況下，要得到某一特定要求的發(fā)光顏色坐標(biāo)，一般采用如下兩種方法:
(1)選擇能實(shí)現(xiàn)該特定發(fā)光顏色坐標(biāo)的單粉進(jìn)行，但要求該單粉的顏色坐標(biāo)與芯片的顏色坐標(biāo)的連線必須通過(guò)發(fā)光顏色坐標(biāo)，雖然該種方法能得到色純度較高的發(fā)光顏色，但目前的熒光粉種類有限，要找到該符合要求的單粉非常的困難，對(duì)于大部分的發(fā)光顏色要求，一般難以實(shí)現(xiàn)。
[0003](2)通過(guò)不同熒光粉的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)，要求所選的不同顏色的熒光粉顏色坐標(biāo)與芯片顏色坐標(biāo)所圍成的色域包含發(fā)光顏色坐標(biāo)，這種方法操作難度大，效率低，而且對(duì)于色純度要求高的顏色坐標(biāo)，很難甚至不可能通過(guò)不同顏色熒光粉的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種通過(guò)調(diào)節(jié)熒光粉濃度來(lái)制作120器件的方法。
[0005]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種通過(guò)調(diào)節(jié)熒光粉濃度制作130器件的方法是:根據(jù)芯片發(fā)光坐標(biāo)值和120器件發(fā)光的目標(biāo)色坐標(biāo)值選擇在中向上偏離芯片發(fā)光坐標(biāo)值和[￡0器件發(fā)光的色坐標(biāo)值所在直線且最接近該直線的坐標(biāo)值對(duì)應(yīng)的單一熒光粉，增大該單一熒光粉的濃度，[￡0器件發(fā)光的色坐標(biāo)朝長(zhǎng)波方向偏離芯片發(fā)光坐標(biāo)值與熒光粉坐標(biāo)值所在的直線，直到[￡0器件發(fā)光的色坐標(biāo)達(dá)到1^0器件發(fā)光的目標(biāo)色坐標(biāo)值為止。
[0006]本發(fā)明的機(jī)理是:根據(jù)熒光粉的激發(fā)和發(fā)色圖譜發(fā)現(xiàn)，同一種熒光粉的激發(fā)光譜和發(fā)射光譜存在一定程度的重合，不同種類熒光粉的激發(fā)光譜和發(fā)射光譜同樣也會(huì)存在部分重疊的現(xiàn)象，這一性質(zhì)就會(huì)導(dǎo)致熒光粉發(fā)光時(shí)，熒光粉本身會(huì)存在自吸收的現(xiàn)象，這種自吸收會(huì)導(dǎo)致熒光粉發(fā)光向長(zhǎng)波方向偏移，這種發(fā)射波長(zhǎng)的偏移與熒光粉的濃度有關(guān)，當(dāng)熒光粉濃度很低時(shí)，自吸收可以忽略不計(jì)，只有當(dāng)熒光粉的濃度逐漸增大時(shí)，自吸收才能觀察至I』。而在芯片光源激發(fā)熒光 粉發(fā)光的過(guò)程中，光穿過(guò)熒光粉層時(shí)會(huì)發(fā)生光的吸收、散射和反射現(xiàn)象，在這種情況下，波長(zhǎng)越長(zhǎng)的光穿透能力越強(qiáng)，被散射的概率越低，相反，波長(zhǎng)越短的光穿透力越弱，被散射的概率越高，當(dāng)熒光粉濃度逐漸增大時(shí)，光穿越熒光粉層時(shí)，散射和反射對(duì)光的傳播影響最大，波長(zhǎng)較短的光散射的概率高，這使得短波光在熒光粉層所走的光程臂長(zhǎng)波光長(zhǎng)，短波長(zhǎng)光被吸收損失的概率比長(zhǎng)波大，使得[￡0器件發(fā)射波長(zhǎng)也會(huì)往長(zhǎng)波方向偏移。[0007]本發(fā)明的有益效果是:根據(jù)上述機(jī)理，當(dāng)選擇一單一的與[￡0器件發(fā)光的目標(biāo)色坐標(biāo)值最為接近的且向上偏離的坐標(biāo)值對(duì)應(yīng)的熒光粉，當(dāng)增大熒光粉的濃度，則[即器件發(fā)光色坐標(biāo)會(huì)向長(zhǎng)波方向偏離，因此，不僅能得到120器件發(fā)光的目標(biāo)色坐標(biāo)值，而且色純度高。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為實(shí)施例1對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品打靶圖。
[0009]圖2為不同濃度黃色熒光粉坐標(biāo)打靶曲線。
[0010]圖3為不同濃度橙色熒光粉打靶圖。
[0011]圖4為鋁酸鹽熒光粉激發(fā)與發(fā)射圖譜。
[0012]圖5為氮化物熒光粉激發(fā)與發(fā)射圖譜。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0014]通過(guò)調(diào)節(jié)熒光粉濃度制作120器件的方法是:根據(jù)芯片發(fā)光坐標(biāo)值和1^0器件發(fā)光的目標(biāo)色坐標(biāo)值選擇在012中向上偏離芯片發(fā)光坐標(biāo)值和120器件發(fā)光的色坐標(biāo)值所在直線且最接近該直線的坐標(biāo)值對(duì)應(yīng)的單一熒光粉，增大該單一熒光粉的濃度，[￡0器件發(fā)光的色坐標(biāo)朝長(zhǎng)波方向偏離芯片發(fā)光坐標(biāo)值與突光粉坐標(biāo)值所在的直線，直到[￡￡)器件發(fā)光的色坐標(biāo)達(dá)到[￡0器件發(fā)光的目標(biāo)色坐標(biāo)值為止。`
[0015]實(shí)施例1。
[0016]如圖1所示，芯片的發(fā)光坐標(biāo)值為(0.151，0.03),要求[￡0器件發(fā)光的目標(biāo)色坐標(biāo)是(0.575,0.416),這一 [￡0器件發(fā)光的目標(biāo)色坐標(biāo)非常的特殊，利用常規(guī)的方法和現(xiàn)有的熒光粉，無(wú)論是單一熒光粉還是組合熒光粉都難以實(shí)現(xiàn)，目前能夠提供的且與[即器件發(fā)光的目標(biāo)色坐標(biāo)值接近的熒光粉是坐標(biāo)值為(0.55，0.44)和(0.582，0.417),根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案，選擇坐標(biāo)值為(0.55，0.44)的橙色熒光粉，并增大熒光粉的濃度到三倍，發(fā)現(xiàn)120器件發(fā)光的色坐標(biāo)已經(jīng)偏離了芯片和熒光粉坐標(biāo)值所在的直線，其坐標(biāo)打靶圖以(0.575,0.416)為中心貼著012色坐標(biāo)變線，[￡0器件發(fā)光的目標(biāo)色坐標(biāo)符合要求。因此，利用本發(fā)明的方法，不僅能使[￡0器件發(fā)光的目標(biāo)色坐標(biāo)達(dá)到要求，而且其色純度高。
[0017]實(shí)施例2。
[0018]如圖2所示，芯片發(fā)光坐標(biāo)值為(0.151,0.03),熒光粉的坐標(biāo)值為(0.444,0.537),如圖2所示，當(dāng)熒光粉的濃度較低時(shí)，增大熒光粉的濃度，[￡0器件的色坐標(biāo)值沿著芯片和熒光粉坐標(biāo)值所在直線逐漸靠近熒光粉坐標(biāo)點(diǎn)，當(dāng)繼續(xù)增大熒光粉的濃度時(shí)，120器件的色坐標(biāo)值朝長(zhǎng)波方向偏離芯片和熒光粉坐標(biāo)值所在的直線，直到貼著
色坐標(biāo)邊線并繼續(xù)隨著熒光粉濃度增加逐漸紅移。同理，如圖3所示，當(dāng)熒光粉坐標(biāo)值為(0.582，0.417)時(shí)也同樣發(fā)現(xiàn)偏移現(xiàn)象。
[0019]通過(guò)實(shí)施例1和實(shí)施例2說(shuō)明:當(dāng)選擇一單一的與120器件發(fā)光的目標(biāo)色坐標(biāo)值最為接近的且向上偏離的坐標(biāo)值對(duì)應(yīng)的熒光粉，當(dāng)增大熒光粉的濃度，則[￡0器件發(fā)光色坐標(biāo)會(huì)向長(zhǎng)波方向偏離，因此，不僅能得到120器件發(fā)光的目標(biāo)色坐標(biāo)值，而且色純度高。
[0020]這與如下的機(jī)理向一致:如圖4和圖5所示，根據(jù)熒光粉的激發(fā)和發(fā)色圖譜發(fā)現(xiàn)，同一種熒光粉的激發(fā)光譜和發(fā)射光譜存在一定程度的重合，不同種類熒光粉的激發(fā)光譜和發(fā)射光譜同樣也會(huì)存在部分重疊的現(xiàn)象，這一性質(zhì)就會(huì)導(dǎo)致熒光粉發(fā)光時(shí)，熒光粉本身會(huì)存在自吸收的現(xiàn)象，這種自吸收會(huì)導(dǎo)致熒光粉發(fā)光向長(zhǎng)波方向偏移，這種發(fā)射波長(zhǎng)的偏移與熒光粉的濃度有關(guān)，當(dāng)熒光粉濃度很低時(shí)，自吸收可以忽略不計(jì)，只有當(dāng)熒光粉的濃度逐漸增大時(shí)，自吸收才能觀察到。而在芯片光源激發(fā)熒光粉發(fā)光的過(guò)程中，光穿過(guò)熒光粉層時(shí)會(huì)發(fā)生光的吸收、散射和反射現(xiàn)象，在這種情況下，波長(zhǎng)越長(zhǎng)的光穿透能力越強(qiáng)，被散射的概率越低，相反，波長(zhǎng)越短的光穿透力越弱，被散射的概率越高，當(dāng)熒光粉濃度逐漸增大時(shí)，光穿越熒光粉層時(shí)，散射和反射對(duì)光的傳播影響最大，波長(zhǎng)較短的光散射的概率高，這使得短波光在熒光粉層所走的光程臂長(zhǎng)波光長(zhǎng)，短波長(zhǎng)光被吸收損失的概率比長(zhǎng)波大，使得120器件發(fā)射波長(zhǎng)也會(huì)往長(zhǎng)波方向偏移。
[0021]因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和具體實(shí)施例可以得知當(dāng)增大熒光粉的濃度時(shí)，可以讓[￡0器件發(fā)光的色坐`標(biāo)偏離，從而得到…!)器件發(fā)光的目標(biāo)色坐標(biāo)。
【權(quán)利要求】
1.一種通過(guò)調(diào)節(jié)熒光粉濃度制作120器件的方法，其特征在于:根據(jù)芯片發(fā)光坐標(biāo)值和120器件發(fā)光的目標(biāo)色坐標(biāo)值選擇在中向上偏離芯片發(fā)光坐標(biāo)值和120器件發(fā)光的色坐標(biāo)值所在直線且最接近該直線的坐標(biāo)值對(duì)應(yīng)的單一熒光粉，增大該單一熒光粉的濃度，120器件發(fā)光的色坐標(biāo)朝長(zhǎng)波方向偏離芯片發(fā)光坐標(biāo)值與突光粉坐標(biāo)值所在的直線，直到120器件發(fā)光的色坐標(biāo)達(dá)到1^0器件發(fā)光的目標(biāo)色坐標(biāo)值為止。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所 述的通過(guò)調(diào)節(jié)熒光粉濃度制作[￡0器件的方法，其特征在于:當(dāng)逐漸增大熒光粉濃度時(shí)，光穿越熒光粉層時(shí)，短波光在熒光粉層所走的光程臂長(zhǎng)波光長(zhǎng)，短波長(zhǎng)光被吸收損失的概率比長(zhǎng)波大，使得[￡0器件發(fā)射波長(zhǎng)往長(zhǎng)波方向偏移。
【文檔編號(hào)】H01L33/50GK103840066SQ201310742515
【公開(kāi)日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2013年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月30日
【發(fā)明者】熊毅, 焦祺, 李坤錐 申請(qǐng)人:廣州市鴻利光電股份有限公司