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      一種太陽能擴(kuò)散選擇性發(fā)射極的制備方法

      文檔序號:7016264閱讀:225來源:國知局
      一種太陽能擴(kuò)散選擇性發(fā)射極的制備方法
      【專利摘要】本發(fā)明涉及太陽能電池領(lǐng)域,特別涉及一種太陽能擴(kuò)散選擇性發(fā)射極的制備方法。本發(fā)明包含以下步驟:首先對硅片進(jìn)行激光制絨處理;然后在制絨后的硅片表面電極柵線網(wǎng)狀區(qū)域中印刷高濃度磷漿;再在充滿POCL3的氛圍中進(jìn)行短時間擴(kuò)散,先通3-5min的攜源氣體,關(guān)閉氣源后再繼續(xù)進(jìn)行擴(kuò)散;印刷磷漿的區(qū)域形成高參雜深擴(kuò)散區(qū),未印刷磷漿的區(qū)域形成低參雜淺擴(kuò)散區(qū),選擇性發(fā)射極制成。在技術(shù)上,高摻雜區(qū)做電極時可較容易形成歐姆接觸且體電阻小,從而減低串聯(lián)電阻,提高填充因子FF,還可以減少復(fù)合,增加光生載流子的收集,從而提高Isc,在生產(chǎn)中,相對于現(xiàn)行工業(yè)化生產(chǎn),由于在快速擴(kuò)散中擴(kuò)散時間短,總熱耗少,也可進(jìn)一步的降低工藝成本。
      【專利說明】一種太陽能擴(kuò)散選擇性發(fā)射極的制備方法
      [0001]
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0002]本發(fā)明涉及太陽能電池領(lǐng)域,特別涉及一種太陽能擴(kuò)散選擇性發(fā)射極的制備方法。
      【背景技術(shù)】
      [0003]隨著化石能源的日益減少,太陽能等綠色能源成為人們研究的熱點,目前太陽能行業(yè)的發(fā)展方向是低成本,高效率,尤其是對晶硅電池而言,如何進(jìn)一步提高電池的效率并降低成本是目前的一大難題,而擴(kuò)散選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)是晶體硅電池生產(chǎn)工藝中能實現(xiàn)高效率低成本的方法之一,但是這種技術(shù)目前還存在一些缺陷。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本發(fā)明針對上述問題,提供了一種工藝簡單、易于實現(xiàn)的太陽能擴(kuò)散選擇性發(fā)射極的制備方法。
      [0005]本發(fā)明是通過如下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
      一種太陽能擴(kuò)散選擇性發(fā)射極的制備方法,包含以下步驟:首先對硅片進(jìn)行激光制絨處理;然后在制絨后的硅片表面電極柵線網(wǎng)狀區(qū)域中印刷高濃度磷漿;再在充滿P0CL3的氛圍中進(jìn)行短時間擴(kuò)散,先通3-5min的攜源氣體,關(guān)閉氣源后再繼續(xù)進(jìn)行擴(kuò)散;印刷磷漿的區(qū)域形成高參雜深擴(kuò)散區(qū),未印刷磷漿的區(qū)域形成低參雜淺擴(kuò)散區(qū),選擇性發(fā)射極制成。
      [0006]在正面電極所印刷的高濃度磷漿柵線寬度約為55-65 μ m。
      [0007]本發(fā)明的有益效果是:該太陽能擴(kuò)散選擇性發(fā)射極的制備方法,在技術(shù)上,高摻雜區(qū)做電極時可較容易形成歐姆接觸且體電阻小,從而減低串聯(lián)電阻,提高填充因子FF,還可以減少復(fù)合,增加光生載流子的收集,從而提高Isc,在生產(chǎn)中,相對于現(xiàn)行工業(yè)化生產(chǎn),由于在快速擴(kuò)散中擴(kuò)散時間短,總熱耗少,也可進(jìn)一步的降低工藝成本。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0008]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。
      [0009]附圖1為本發(fā)明一種太陽能擴(kuò)散選擇性發(fā)射極的制備方法的原理圖。
      【具體實施方式】
      [0010]一種太陽能擴(kuò)散選擇性發(fā)射極的制備方法,包含以下步驟:首先對硅片進(jìn)行激光制絨處理;然后在制絨后的硅片表面電極柵線網(wǎng)狀區(qū)域中印刷高濃度磷漿,在正面電極所印刷的高濃度磷漿柵線寬度約為55-65μπι ;再在充滿P0CL3的氛圍中進(jìn)行短時間擴(kuò)散,先通3-5min的攜源氣體,關(guān)閉氣源后再繼續(xù)進(jìn)行擴(kuò)散;印刷磷漿的區(qū)域形成高參雜深擴(kuò)散區(qū),未印刷磷漿的區(qū)域形成低參雜淺擴(kuò)散區(qū),選擇性發(fā)射極制成;最后再進(jìn)行去除磷硅玻璃及周邊P-N結(jié)、鍍減反射膜、印刷鋁背場、印刷正電極、燒結(jié)、分類檢測工序,太陽能電池片制成。
      【權(quán)利要求】
      1.一種太陽能擴(kuò)散選擇性發(fā)射極的制備方法,包含以下步驟:首先對硅片進(jìn)行激光制絨處理;然后在制絨后的硅片表面電極柵線網(wǎng)狀區(qū)域中印刷高濃度磷漿;再在充滿P0CL3的氛圍中進(jìn)行短時間擴(kuò)散,先通3-5min的攜源氣體,關(guān)閉氣源后再繼續(xù)進(jìn)行擴(kuò)散;印刷磷漿的區(qū)域形成高參雜深擴(kuò)散區(qū),未印刷磷漿的區(qū)域形成低參雜淺擴(kuò)散區(qū),選擇性發(fā)射極制成。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能擴(kuò)散選擇性發(fā)射極的制備方法,其特征是:在正面電極所印刷的高濃度磷漿柵線寬度約為55-65 μ m。
      【文檔編號】H01L31/18GK103700730SQ201310748311
      【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
      【發(fā)明者】秦廣飛, 金保華, 燕飛, 汪文淵, 王鵬, 張建亮 申請人:秦廣飛
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