一種晶硅電池雙層鈍化減反結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及晶硅太陽能電池鈍化減反【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種晶硅電池雙層膜鈍化減反結(jié)構(gòu)。該晶硅電池雙層鈍化減反結(jié)構(gòu)，其特征是：晶硅電池片表面鍍有兩層氮化硅薄膜，晶硅電池上方的下層氮化硅薄膜及下層氮化硅薄膜上方的上層氮化硅薄膜，所述下層氮化硅薄膜的厚度為d2，折射率為n2，上層氮化硅薄膜的厚度d1，折射率為n1，且d1>d2，n1<n2；由于下層氮化硅膜的折射率較大，由于自身的消光系數(shù)大，會吸收一部分的短波，同時由于雙層氮化硅膜在結(jié)構(gòu)上的光學(xué)匹配性優(yōu)于單層氮化硅膜，從而減少了短波段的反射，沿著光入射的方向，氮化硅膜的折射率增加，膜中的Si-H鍵的密度呈上升趨勢，折射率越大，鈍化效果越好，從而實現(xiàn)了雙層膜減反、鈍化雙重效果的結(jié)合。
【專利說明】一種晶硅電池雙層鈍化減反結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及晶硅太陽能電池鈍化減反【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種晶硅電池雙層膜鈍化減反結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]目前市場上的晶硅太陽能電池普遍采用的是在晶硅電池片上鍍減反射膜的方法來減少電池對入射光的反射、鈍化電池表面來提高電池的效率、壽命等，但是單層膜的減反效果及鈍化效果不是十分理想，入射光損失仍然很大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明針對上述問題，提供了一種具有優(yōu)良的超寬帶減反射作用和增強(qiáng)鈍化效果的晶硅電池雙層鈍化減反結(jié)構(gòu)。
[0004]本發(fā)明是通過如下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
一種晶硅電池雙層鈍化減反結(jié)構(gòu)，其特征是:晶硅電池片表面鍍有兩層氮化硅薄膜，晶硅電池上方的下層氮化硅薄膜及下層氮化硅薄膜上方的上層氮化硅薄膜，所述下層氮化硅薄膜的厚度為d2，折射率為n2，上層氮化硅薄膜的厚度Cl1，折射率為Ii1，且Cl1M2, ηι〈η2。
[0005]所述叫 、n2、d2的關(guān)系為1^2=]--,其中nQ為空氣的折射率，I^d1=X。/4，入。為入射光波長。
[0006]該發(fā)明提供的晶硅電池雙層鈍化減反結(jié)構(gòu)，由于下層氮化硅膜的折射率112較大，其自身的消光系數(shù)也大，會吸收一部分的短波，同時雙層氮化硅膜在結(jié)構(gòu)上的光學(xué)匹配性優(yōu)于單層氮化硅膜，從而減少了短波段的反射。
[0007]本發(fā)明的有益效果是:沿著光入射的方向，氮化硅膜的折射率增加，膜中的S1-H鍵的密度呈上升趨勢，而S1-H鍵的含量能夠直接反應(yīng)氮化硅膜的鈍化效果，因此氮化硅膜的鈍化效果和折射率有很大關(guān)系，并且折射率越大，鈍化效果越好，從而實現(xiàn)了雙層膜減反、鈍化雙重效果的結(jié)合。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。
[0009]附圖1為現(xiàn)有的單層鈍化減反結(jié)構(gòu)的示意圖
附圖2為本發(fā)明所能提供的雙層鈍化減反結(jié)構(gòu)的示意圖；
附圖3為本發(fā)明所能提供的雙層鈍化減反結(jié)構(gòu)的工作原理示意圖；
圖中，I晶硅電池片，2下層氮化硅薄膜，3上層氮化硅薄膜。
【具體實施方式】
[0010]附圖為本發(fā)明的一種具體實施例。該晶硅電池雙層鈍化減反結(jié)構(gòu)，其特征是:晶硅電池片I表面鍍有兩層氮化硅薄膜，晶硅電池片I上方的下層氮化硅薄膜2及下層氮化硅薄膜2上方的上層氮化硅薄膜3，所述下層氮化硅薄膜3的厚度為d2，折射率為n2，上層氮化娃薄膜3的厚度屯，折射率為η”且(I1)Cl2, Ii^n2 ;所述Iiprvd2的關(guān)系為1^2=]--,其中n0為空氣的折射率，H1Cl1=Xci/^, λ 0為入射光波長。由于下層氮化硅薄膜2的折射率較大，且自身的消光系數(shù)大，會吸收一部分的短波，同時由于雙層氮化硅膜在結(jié)構(gòu)上的光學(xué)匹配性優(yōu)于單層氮化硅膜，從而減少了短波段的反射，隨著下層氮化硅膜2的折射率η2的增加，膜中的S1-H鍵的密度呈上升趨勢，而S1-H鍵的含量能夠直接反應(yīng)氮化硅膜的鈍化效果，因此氮化硅膜的鈍化效果和折射率有很大關(guān)系，并且折射率越大，鈍化效果越好，從而實現(xiàn)了雙層膜減反、鈍化雙重效果的結(jié)合。
【權(quán)利要求】
1.一種晶硅電池雙層膜鈍化減反結(jié)構(gòu)，其特征是:晶硅電池片(I)表面鍍有兩層氮化硅薄膜，晶硅電池片(I)上方的下層氮化硅薄膜(2)及下層氮化硅薄膜(2)上方的上層氮化硅薄膜(3)，所述下層氮化硅薄膜⑵的厚度為(12，折射率為n2，上層氮化硅薄膜(3)的厚度屯，折射率為η”且(I1)Cl2, Ii^n2O
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶硅電池雙層膜鈍化減反結(jié)構(gòu)，其特征是:所述A、η2、d2的關(guān)系為1^2=--，其中nQ為空氣的折射率，Ii1Cl1=X。/4，λ。為入射光波長。
【文檔編號】H01L31/0216GK103824890SQ201310748474
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】秦廣飛, 金保華, 燕飛, 汪文淵, 王鵬, 張建亮 申請人:秦廣飛