一種oled顯示面板及其制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種OLED顯示面板及其制備方法、顯示裝置，包括：在電源供給線之上設(shè)置反射層，將眾多電源供給線與反射層建立電連接。此時，電源供給線與反射層并聯(lián)，電源供給線與反射層并聯(lián)后的整體電阻就會相對較小，沿電源供給線方向電壓不會相差很大，即減小了壓降，從而，避免壓降較大帶來的顯示質(zhì)量較差的問題。同時，反射層還可以作為微腔結(jié)構(gòu)的一個鏡面，利用三次精細(xì)對位，形成對應(yīng)RGB三色發(fā)光層的三個微腔結(jié)構(gòu)，保證僅通過調(diào)節(jié)光學(xué)調(diào)節(jié)層來調(diào)整微腔結(jié)構(gòu)的腔長，而且精細(xì)對位次數(shù)相對減少，從而，在簡化工藝制備復(fù)雜度的同時，保證精細(xì)對位的精度，提高了產(chǎn)品的良率。
【專利說明】—種OLED顯示面板及其制備方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種OLED顯示面板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)下，有機(jī)發(fā)光顯示器(Organic Light Emitting Display, OLED)越來越流行。有機(jī)發(fā)光顯示器的優(yōu)勢在于它是自發(fā)光的，所以不需要背光源，厚度上要比液晶顯示器小許多，也更為輕薄。
[0003]但是實(shí)際使用中，有機(jī)發(fā)光顯示器的電源供給線容易出現(xiàn)電壓壓降的情況，導(dǎo)致顯示質(zhì)量下降，并且，當(dāng)電源供給線電壓壓降增大時，會帶來顯示區(qū)域的不同位置處的顯示亮度不同的問題，特別是對于顯示區(qū)域較大的OLED而言，顯示亮度不均衡的問題更加明顯，如此，影響了顯示效果，降低了顯示品質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種OLED顯示面板及其制備方法、顯示裝置。
[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供一種OLED顯示面板，包括:基板；位于所述基板上的電源供給線；位于所述電源供給線上的反射層，所述反射層電連接于所述電源供給線；位于所述反射層與陽極之間的光學(xué)調(diào)節(jié)層；位于所述反射層上的陽極；位于所述陽極上的陰極；以及位于所述陽極和陰極之間的有機(jī)發(fā)光器件層；其中，所述反射層與所述陽極絕緣，所述OLED顯示面板在所述反射層背離基板的一側(cè)透光。
[0006]相應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種制備OLED顯示面板的方法，包括:提供基板；在所述基板上形成電源供給線；在所述電源供給線之上形成反射層，所述反射層電連接于所述電源供給線；在所述反射層上形成光學(xué)調(diào)節(jié)層；在所述光學(xué)調(diào)節(jié)層上形成陽極；在所述陽極上形成有機(jī)發(fā)光器件層；在所述有機(jī)發(fā)光器件層上形成陰極。其中，所述反射層與所述陽極絕緣，所述OLED顯示面板在所述反射層背離基板的一側(cè)透光。
[0007]相應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括如上所述的OLED顯示面板。
[0008]本發(fā)明實(shí)施例至少達(dá)到以下的有益效果之一:
[0009]在本發(fā)明實(shí)施例中，通過在電源供給線之上設(shè)置較厚的、具有導(dǎo)電性能的反射層，將眾多電源供給線與鋪滿整個基板的反射層建立電連接。此時，可以視為電源供給線與反射層并聯(lián)，那么，各顯示單元的整體電阻就會相對較小，沿電源供給線方向的各個位置處的電壓不會相差很大，即減小了壓降，從而，避免壓降較大帶來的顯示亮度的不均衡的問題，并且，設(shè)置光學(xué)調(diào)節(jié)層位于所述反射層與陽極之間，亦即，光學(xué)調(diào)節(jié)層位于所述有機(jī)發(fā)光器件層的下方，如此，當(dāng)發(fā)射光從陰極側(cè)透光時，光線不會被光學(xué)調(diào)節(jié)層阻擋，如此，不會減少光線的損失，提高了顯示效果。
【專利附圖】

【附圖說明】[0010]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0011]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一中提供的一種OLED顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2為本發(fā)明實(shí)施例一中反射層的俯視圖；
[0013]圖3為本發(fā)明實(shí)施例二中的微腔結(jié)構(gòu)簡圖；
[0014]圖4為本發(fā)明實(shí)施例二的顯示單元中微腔結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖5為本發(fā)明實(shí)施例三種提供的一種制備實(shí)施例一中的OLED顯示面板的方法步驟流程圖；
[0016]圖6為本發(fā)明實(shí)施例四種提供的制備實(shí)施例二中的顯示單元中微腔結(jié)構(gòu)的方法步驟流程圖；
[0017]圖7為利用精細(xì)對位掩膜板進(jìn)行蒸鍍的簡圖；
[0018]圖8a和圖Sb分別為現(xiàn)有技術(shù)中的微腔結(jié)構(gòu)圖和本發(fā)明的微腔結(jié)構(gòu)圖；
[0019]圖9為電源供給線(power line)與電源總線PVDD的連接關(guān)系；
[0020]圖10本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0022]在本發(fā)明實(shí)施例中，通過在電源供給線之上設(shè)置較厚的、具有導(dǎo)電性能的反射層，將眾多電源供給線與整個面的反射層建立電連接，由于反射層的厚度可以設(shè)置得足夠厚(相當(dāng)于截面積很大)，從而可以減小電阻值，而且，由于各電源供給線連接整個面的反射層，因此，各個顯示單元的電源供給線上的電壓水平將基本一致，即減小了壓降，從而，消除不同顯示單元存在的壓降問題。
[0023]優(yōu)選地，在消除壓降問題的同時，還可以利用反射層與陰極形成的微腔結(jié)構(gòu)，通過調(diào)節(jié)光學(xué)調(diào)節(jié)層的厚度來確定滿足條件的腔長，進(jìn)而將發(fā)光層的三色光分別進(jìn)行最大程度的諧振，使得從陰極出射的光的光強(qiáng)最大，提高發(fā)光效率。而且，本法案中僅需要利用三次精細(xì)對位即可蒸鍍形成所需發(fā)光層，在簡化工藝復(fù)雜度的同時，還保證精細(xì)對位的精度，提聞了廣品的良率。
[0024]需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中所述的例如“X位于Y之上”或“X位于Y上”中的“之上”、“上”只表示層級關(guān)系，并不一定表示是直接覆蓋；本發(fā)明實(shí)施例所述的“距離”皆為“光程距離”，本發(fā)明中如附圖1所示，將基板定義為設(shè)置于最下方；
[0025]以下通過具體的實(shí)施例對本發(fā)明的方案進(jìn)行詳細(xì)描述，然而，本發(fā)明包括但不限于以下實(shí)施例。
[0026]下面通過實(shí)施例一介紹一種OLED顯不面板,該OLED顯不面板在反射層背離基板的一側(cè)透光，即該OLED顯示面板為頂發(fā)射結(jié)構(gòu)的OLED顯示面板。[0027]如圖1所示，為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種OLED顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，OLED顯示面板包括:基板201，電源供給線202，反射層203，陽極204、有機(jī)發(fā)光器件層205、陰極206。
[0028]電源供給線202位于所述基板201之上。分布在每個顯示單元中，且各電源供給線202匯總至電源總線(參見圖9中電源供給線(power line)與電源總線PVDD的連接關(guān)系);
[0029]反射層203位于電源供給線202之上。該反射層203電連接于電源供給線202，且與陽極204絕緣，其中，反射層203鋪滿整個基板201，反射層203采用導(dǎo)電材料，且所述導(dǎo)電材料的等效電阻小于100 Ω。
[0030]優(yōu)選地,在本發(fā)明實(shí)施例中，反射層203可以由方塊電阻來表不，由于方塊電阻一般針對薄膜使用，無論其面積大小都為相等的電阻，只有其厚度決定電阻的大小。因此，可以選用等效電阻小于100 Ω的方塊電阻作為反射層203。
[0031]陽極204位于反射層203之上，陰極206位于陽極204之上，有機(jī)發(fā)光器件層205位于陽極204和陰極206之間，陽極204和陰極206均連接于有機(jī)發(fā)光器件層205，進(jìn)一步的，OLED顯示面板還包括像素定義層207，位于該有機(jī)發(fā)光器件層205與陽極204之間，用于定義該顯示面板的顯示單元。
[0032]優(yōu)選地，所述OLED顯示面板還包括第一絕緣層208，位于電源供給線202之上，并鋪滿整個基板201范圍，第一絕緣層208包括第一過孔209，該第一過孔209貫穿第一絕緣層208而暴露出電源供給線202，從而，使得反射層203通過該第一過孔209電連接于電源供給線202。
[0033]當(dāng)為了增加顯示裝置的像素密度時，即增加顯示單元的數(shù)量時，電源供給線202的數(shù)量也會增加，同時，使得電源供給線202的線寬減小，因此，電源供給線202的電阻就會增大，進(jìn)而使得沿電源供給線202方向的各個位置處的壓降較大。由于反射層203與電源供給線202通過第一過孔209實(shí)現(xiàn)了電連接，使得所有顯示單元的電源供給線202通過鋪滿整個基板201的反射層203實(shí)現(xiàn)了電連接。由此，鋪滿整個基板201的反射層203可以看成一個電阻，電源供給線202視為與反射層203并聯(lián)的另一個電阻，那么，顯示單元的整體電阻(電源供給線202與反射層203并聯(lián)后的電阻)一定小于反射層203的電阻，沿電源供給線方向的各個位置處的電壓不會相差很大，即減少了壓降，從而，避免壓降較大帶來的顯示亮度的不均衡的問題。
[0034]優(yōu)選地，由于反射層203的電阻與自身的厚度成反比，因此，為了得到更小的壓降，可以通過增加反射層203的厚度的方式來減小反射層203的電阻。
[0035]優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例一中，反射層203可以為單層結(jié)構(gòu)，則反射層203為金屬層(未示出)?；蛘?，反射層203可以為多層結(jié)構(gòu)，則反射層203包括層疊的金屬層(未示出)和透明導(dǎo)電層(未示出)，且為了能夠起到反射的作用，將金屬層設(shè)置在靠近有機(jī)發(fā)光器件層205 —側(cè)，而將透明導(dǎo)電層設(shè)置在靠近基板201的一側(cè)。
[0036]無論是反射層203為單層結(jié)構(gòu)還是多層結(jié)構(gòu)，金屬層都可以為銀、鑰、鋁、金、銅、欽、鎮(zhèn)、鐵、絡(luò)、鶴中的一種，或者銀、鑰、招、金、銅、欽、鎮(zhèn)、鐵、絡(luò)、鶴中的多種的任意組合所構(gòu)成的合金結(jié)構(gòu)，具體構(gòu)成合金的比例由實(shí)際需求設(shè)定，在此不再一一贅述。
[0037]優(yōu)選地，反射層203還可以包括第二過孔210，第二過孔210貫穿反射層203，OLED顯示面板還包括光學(xué)調(diào)節(jié)層211，位于反射層203與陽極204之間，光學(xué)調(diào)節(jié)層211采用透明的絕緣材料，光學(xué)調(diào)節(jié)層211包括第三過孔212，且第三過孔212貫穿光學(xué)調(diào)節(jié)層211，且第二過孔210與第三過孔212相通，進(jìn)一步的，OLED顯示面板還包括TFT陣列，位于所述基板201上，所述第二過孔210暴露所述TFT的源極213，以使得陽極204通過所述相通的第二過孔210和第三過孔212電連接于所述TFT的源極213。并且，由于所述第二過孔210在所述基板201上的投影涵蓋所述第三過孔212在所述基板201上的投影，使得陽極204不會與反射層203連接接觸而導(dǎo)致短路。
[0038]如圖2所示，為反射層203的俯視圖，反射層203包括多個第二過孔210，需要說明的是，本實(shí)施例的方案中，第二過孔210在平面上呈圓形僅為舉例而非限定，本發(fā)明實(shí)施例不對第二過孔的形狀做限定。
[0039]在本發(fā)明實(shí)施例中，通過在電源供給線之上設(shè)置較厚的、具有導(dǎo)電性能的反射層，將眾多電源供給線與鋪滿整個基板的反射層建立電連接。此時，可以視為電源供給線與反射層并聯(lián)，那么，各顯示單元的整體電阻就會減小，沿電源供給線方向的各個位置處的電壓不會相差很大，即減小了壓降，從而，避免壓降較大帶來的顯示質(zhì)量差的問題，尤其是顯示亮度不均衡的問題。同時，所述反射層還可以作為微腔結(jié)構(gòu)的其中一個鏡面，利用三次精細(xì)對位，形成對應(yīng)R、G、B三色發(fā)光層的三個微腔結(jié)構(gòu)，保證僅通過調(diào)節(jié)光學(xué)調(diào)節(jié)層來調(diào)整微腔結(jié)構(gòu)的腔長，而且精細(xì)對位次數(shù)相對減少，從而，在簡化工藝制備復(fù)雜度的同時，保證精細(xì)對位的精度，提高了產(chǎn)品的良率，并且，設(shè)置光學(xué)調(diào)節(jié)層位于所述反射層與陽極之間，亦即，光學(xué)調(diào)節(jié)層位于所述有機(jī)發(fā)光器件層的下方，如此，發(fā)射光從陰極側(cè)透光時，光線不會被光學(xué)調(diào)節(jié)層阻擋，如此，不會減少光線的損失，提高了顯示效果。
[0040]然而，需要說明的是，在上述實(shí)施例一中，是以頂發(fā)射結(jié)構(gòu)的顯示面板為例進(jìn)行說明的，因此，需要將電源供給線之上的具有導(dǎo)電性能的反射層設(shè)置成具有一定反射能力的膜層。而對于底發(fā)射結(jié)構(gòu)的顯示面板，其膜層的性能會有所改變，使得OLED顯示面板在反射層靠近基板的一側(cè)透光。但是，對于上述兩種發(fā)射結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實(shí)施例一所涉及的反射層都是適用的，只是在頂發(fā)射結(jié)構(gòu)中，反射層的反射率可能要高一些，進(jìn)而形成微腔結(jié)構(gòu)；在底發(fā)射結(jié)構(gòu)中，反射層的透過率要高一些，反射率要較低，才能使光從基板底部穿出。由于底發(fā)射結(jié)構(gòu)中反射層與頂發(fā)射結(jié)構(gòu)中的反射層類似，因此，可參見上述頂發(fā)射結(jié)構(gòu)的方案，在此不對底發(fā)射結(jié)構(gòu)的顯示面板做具體描述。
[0041]本發(fā)明進(jìn)一步的提供實(shí)施例二，基于以上實(shí)施例一提供的OLED顯示面板，本發(fā)明實(shí)施例二介紹了另一種OLED顯示面板，其中，本發(fā)明實(shí)施例二提供的OLED顯示面板是對實(shí)施例一中的顯示面板的改進(jìn)，因此，具備與實(shí)施例一中的顯示面板同樣的結(jié)構(gòu)，只是，在實(shí)施例一中的顯示面板的基礎(chǔ)上，對結(jié)構(gòu)膜層的性能做了改變。
[0042]以下實(shí)施例二仍以圖1的頂發(fā)射結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說明，但本發(fā)明并不局限于以下實(shí)施例。
[0043]進(jìn)一步的，如圖1所示，在該OLED顯示面板中，反射層203是反射率很高的膜層，其反射率大于90% ;陽極204、有機(jī)發(fā)光器件層205和光學(xué)調(diào)節(jié)層211均是透過率很高的膜層，陽極204、有機(jī)發(fā)光器件層205和光學(xué)調(diào)節(jié)層211的透過率均大于80%，其中，光學(xué)調(diào)節(jié)層211的折射率一般為I?3，進(jìn)一步的，光學(xué)調(diào)節(jié)層211的折射率為1.7，光學(xué)調(diào)節(jié)層211的材料可以為透明聚合物材料或無機(jī)物材料，還可以是光阻；陰極207是具有一定反射率和一定透過率的膜層，優(yōu)選地，陰極207的透過率可以為大于50%。
[0044]由此，如圖3所示，陰極207和反射層203之間形成微腔結(jié)構(gòu)W，即微腔結(jié)構(gòu)W包括204、205、211，反射層203靠近陽極204的一側(cè)表面為該微腔結(jié)構(gòu)W的一個鏡面，陰極207，靠近陽極204的一側(cè)表面為該微腔結(jié)構(gòu)W的另一個鏡面，其中，微腔結(jié)構(gòu)W的腔長L為光學(xué)調(diào)節(jié)層211、陽極204和有機(jī)發(fā)光器件層205的厚度之和(即陰極207靠近陽極204的一側(cè)表面與反射層203靠近陽極204的一側(cè)表面之間的距離);當(dāng)微腔結(jié)構(gòu)W的腔長L滿足以下公式時:
[0045]L=-N(I)
2 [0046]從該微腔結(jié)構(gòu)W所在的有機(jī)發(fā)光器件層205發(fā)射出的光可以在該微腔結(jié)構(gòu)W中得到最大強(qiáng)度的諧振效果，進(jìn)而，提高發(fā)光效率。其中，L表示所述陰極207靠近所述陽極204的一側(cè)表面與所述反射層203靠近所述陽極204的一側(cè)表面之間的距離；λ表示發(fā)射光的波長；Ν為正整數(shù)。
[0047]如圖4所示，為本發(fā)明實(shí)施例的RGB像素示意圖，R、G、B像素分別對應(yīng)發(fā)射光是紅光、綠光和藍(lán)光。需要說明的是，由于紅光、綠光和藍(lán)光三者的波長不一致，而上述微腔結(jié)構(gòu)的腔長是受波長影響的，因此，對于不同顏色的光來說，其所在顯示單元的R、G、B像素對應(yīng)的微腔結(jié)構(gòu)的腔長也是不一樣的。
[0048]在該RGB像素中，包括反射層203，位于反射層203之上的第一光學(xué)調(diào)節(jié)層2111、第二光學(xué)調(diào)節(jié)層2112和第三光學(xué)調(diào)節(jié)層2113 ;分別位于各光學(xué)調(diào)節(jié)層之上的第一陽極2041、第二陽極2042和第三陽極2043 ；以及位于有機(jī)發(fā)光器件層205之上的第一陰極2071、第二陰極2072和第三陰極2073，該有機(jī)發(fā)光器件層位于陽極(第一陽極2041、第二陽極2042和第三陽極2043)與陰極(第一陰極2071、第二陰極2072和第三陰極2073)之間。
[0049]其中，有機(jī)發(fā)光器件層205包括:位于各陽極之上的空穴注入層301 ;位于空穴注入層301之上的空穴傳輸層302 ；以及位于空穴傳輸層302之上的第一發(fā)光層3031、第二發(fā)光層3032、第三發(fā)光層3033,分別發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光；位于各發(fā)光層之上依次包括電子傳輸層304和電子注入層305。其中，第一光學(xué)調(diào)節(jié)層2111對應(yīng)發(fā)射光為紅光,第二光學(xué)調(diào)節(jié)層2112對應(yīng)發(fā)射光為綠光，第三光學(xué)調(diào)節(jié)層2113對應(yīng)發(fā)射光為藍(lán)光；其中，第一光學(xué)調(diào)節(jié)層2111的厚度大于第二光學(xué)調(diào)節(jié)層2112的厚度，且第二光學(xué)調(diào)節(jié)層2112的厚度大于第三光學(xué)調(diào)節(jié)層2113的厚度。
[0050]相應(yīng)的,第一陽極2041和第一陰極2071對應(yīng)發(fā)射光為紅光,第二陽極2042和第二陰極2072對應(yīng)發(fā)射光為綠光，第三陽極2043和第三陰極2073對應(yīng)發(fā)射光為藍(lán)光。
[0051]進(jìn)一步的，第一陰極2071靠近第一陽極2041的一側(cè)表面與反射層203靠近第一
陽極2041的一側(cè)表面之間的距離為LI，&=.#，此時，對應(yīng)的波長X1S紅光的波長；第二陰極2072靠近第二陽極2042的一側(cè)表面與反射層203靠近第二陽極2042的一側(cè)表面之間的距尚為L2,Ar，此時,對應(yīng)的波長λ 2為綠光的波長；第三陰極2073靠近
第三陽極2043的一側(cè)表面與反射層203靠近第三陽極2043的一側(cè)表面之間的距離為L3，i3 =|況，此時，對應(yīng)的波長λ 3為藍(lán)光的波長。而且L1、L2、L3滿足以下公式:L1>L2>L3。
換言之，第一微腔結(jié)構(gòu)的腔長LI〉第二微腔結(jié)構(gòu)的腔長L2>第三微腔結(jié)構(gòu)的腔長L3。
[0052]通過上述微腔結(jié)構(gòu)，在基于實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，設(shè)置如圖4所示的具有不同腔長的微腔結(jié)構(gòu)，在消除壓降問題的同時，還可以利用反射層與陰極形成的微腔結(jié)構(gòu)，通過調(diào)節(jié)光學(xué)調(diào)節(jié)層的厚度來確定滿足條件的腔長，進(jìn)而將發(fā)光層的三色光分別進(jìn)行最大程度的諧振，使得從陰極出射的光的光強(qiáng)最大，提高發(fā)光效率。
[0053]優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例二中，可以將R像素對應(yīng)的有機(jī)發(fā)光器件層定義為第一有機(jī)發(fā)光器件層，包括空穴注入層301、空穴傳輸層302、第一發(fā)光層3031、電子傳輸層304和電子注入層305 ;將G像素對應(yīng)的有機(jī)發(fā)光器件層定義為第二有機(jī)發(fā)光器件層，包括:空穴注入層301、空穴傳輸層302、第二發(fā)光層3032、電子傳輸層304和電子注入層305 ;將B像素對應(yīng)的有機(jī)發(fā)光器件層定義為第三有機(jī)發(fā)光器件層，包括:空穴注入層301、空穴傳輸層302、第三發(fā)光層3033、電子傳輸層304和電子注入層305 ;并令第一有機(jī)發(fā)光器件層、第二有機(jī)發(fā)光器件層和第三有機(jī)發(fā)光器件層的厚度相等。即便如此，還是可以通過調(diào)節(jié)各發(fā)光區(qū)域的光學(xué)調(diào)節(jié)層的厚度來調(diào)節(jié)微腔結(jié)構(gòu)的腔長，進(jìn)而使得出射的光得到最大程度的諧振增強(qiáng)，提高發(fā)光效率，并且，設(shè)置光學(xué)調(diào)節(jié)層位于所述反射層與陽極之間，亦即，光學(xué)調(diào)節(jié)層位于所述有機(jī)發(fā)光器件層的下方，如此，發(fā)射光從陰極側(cè)透光時，光線不會被光學(xué)調(diào)節(jié)層阻擋，如此，不會減少光線的損失，提高了顯示效果。
[0054]本發(fā)明進(jìn)一步的提供實(shí)施例三，以下結(jié)合說明書附圖1和圖5對實(shí)施例三進(jìn)行詳細(xì)說明，需要說明的是，本發(fā)明包括但不限于以下實(shí)施例。OLED顯示面板在所述反射層背離基板的一側(cè)透光。
[0055]如圖1和圖5所示，本發(fā)明實(shí)施例三種提供的一種制備實(shí)施例一中的OLED顯示面板的方法具體包括以下步驟:
[0056]步驟401:提供基板。
[0057]步驟402:在所述基板上形成電源供給線。
[0058]在本步驟402中，并不是直接在所述基板201之上制備電源供給線202，而是首先需要在基板201上制備薄膜晶體管陣列，即TFT陣列，通常TFT采用頂柵結(jié)構(gòu)；在沉積鈍化層214后，在每個顯示單元區(qū)域的下方形成電源供給線。其實(shí)，本發(fā)明并不對電源供給線的制備方式做限定，可以是現(xiàn)有技術(shù)中的任一方式。
[0059]步驟403:在所述電源供給線之上形成反射層，所述反射層采用導(dǎo)電材料，所述反射層電連接于所述電源供給線。
[0060]在完成電源供給線202之后，需要沉積第一絕緣層208，且第一絕緣層208包含有第一過孔209，且該第一過孔209貫穿第一絕緣層208，暴露出電源供給線202。之后，利用化學(xué)沉積或物理沉積形成反射層203，使得該反射層203通過第一過孔209與電源供給線202電連接。其中，反射層203采用導(dǎo)電材料。
[0061]由于，所述第二過孔210在所述基板201上的投影涵蓋所述第三過孔212在所述基板201上的投影，因此，反射層203與陽極204絕緣，以避免短路。其中，反射層203的等效電阻小于100 Ω。
[0062]步驟404:在反射層上形成光學(xué)調(diào)節(jié)層。[0063]步驟405:在所述光學(xué)調(diào)節(jié)層上形成陽極。
[0064]在光學(xué)調(diào)節(jié)層211之上形成陽極204，其中，陽極204通過相通的第二過孔210和第三過孔212與TFT結(jié)構(gòu)的源極電連接。
[0065]步驟406:在所述陽極上形成有機(jī)發(fā)光器件層。
[0066]在陽極204之上通過蒸鍍形成有機(jī)發(fā)光器件層205，其中，該有機(jī)發(fā)光器件層包括像素定義區(qū)域207。
[0067]步驟407:在所述有機(jī)發(fā)光器件層上形成陰極。
[0068]在有機(jī)發(fā)光器件層205之上形成陰極206。
[0069]在本發(fā)明實(shí)施例三中，通過在電源供給線之上設(shè)置較厚的、具有導(dǎo)電性能的反射層的方式，將眾多電源供給線與整個面的反射層建立電連接，由于反射層的厚度可以設(shè)置得足夠厚(相當(dāng)于截面積很大)，那么就可以減小電阻值，而且，由于各電源供給線連接整個面的反射層，因此，各個顯示單元的電源供給線上的電壓水平將基板一致，即減小了壓降，從而，消除不同顯示單元存在的壓降問題，并且，設(shè)置光學(xué)調(diào)節(jié)層位于所述反射層與陽極之間，亦即，光學(xué)調(diào)節(jié)層位于所述所述有機(jī)發(fā)光器件層的下方，如此，發(fā)射光從陰極側(cè)透光時，光線不會被光學(xué)調(diào)節(jié)層阻擋，如此，不會減少光線的損失，提高了顯示效果。
[0070]本發(fā)明進(jìn)一步的提供實(shí)施例四，在本發(fā)明實(shí)施例四中，介紹了一種制備實(shí)施例二中的OLED顯示面板的方法，在該方案中，制備OLED顯示面板的方法步驟與實(shí)施例三中基板一致，因此，本發(fā)明結(jié)合圖4僅介紹實(shí)施例二中的顯示單元中微腔結(jié)構(gòu)的制備方法，如圖6所示，為本發(fā)明實(shí)施例四種提供的制備實(shí)施例二中的顯示單元中微腔結(jié)構(gòu)的方法步驟流程圖，包括以下步驟:
[0071]步驟501:沉積形成反射層。
[0072]其中，該反射層203可以為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，其中:反射層203可以為單層結(jié)構(gòu)，則該反射層203為金屬層；或者，反射層203可以為多層結(jié)構(gòu)，則反射層203包括層疊的金屬層和透明導(dǎo)電層，且為了能夠起到反射的作用，將金屬層設(shè)置在靠近有機(jī)發(fā)光器件層205—側(cè)，而透明導(dǎo)電層設(shè)置在靠近基板201的一側(cè)。無論是反射層為單層結(jié)構(gòu)還是多層結(jié)構(gòu)，其金屬層都可以為銀、鑰、鋁、金、銅、鈦、鎳、鐵、鉻、鎢中的一種，或者銀、鑰、鋁、金、銅、鈦、鎳、鐵、鉻、鎢的多種的任意組合所構(gòu)成的合金結(jié)構(gòu)，具體構(gòu)成合金的比例由實(shí)際需求設(shè)定。
[0073]步驟502:利用第一光罩圖案化所述光學(xué)調(diào)節(jié)層形成第一光學(xué)調(diào)節(jié)層、第二光學(xué)調(diào)節(jié)層和第三光學(xué)調(diào)節(jié)層。
[0074]在本步驟502中，可以通過普通掩模板對所述光學(xué)調(diào)節(jié)層進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕等光刻工藝，利用第一光罩對光學(xué)調(diào)節(jié)層進(jìn)行圖案化，分別形成圖4中的第一光學(xué)調(diào)節(jié)層2111、第二光學(xué)調(diào)節(jié)層2112和第三光學(xué)調(diào)節(jié)層2113。其中，第一光學(xué)調(diào)節(jié)層2111對應(yīng)發(fā)射光為紅光，第二光學(xué)調(diào)節(jié)層2112對應(yīng)發(fā)射光為綠光，第三光學(xué)調(diào)節(jié)層2113對應(yīng)發(fā)射光為藍(lán)光；所述第一光學(xué)調(diào)節(jié)層2111的厚度大于第二光學(xué)調(diào)節(jié)層2112的厚度，且所述第二光學(xué)調(diào)節(jié)層2112的厚度大于所述第三光學(xué)調(diào)節(jié)層2113的厚度。
[0075]步驟503:利用第二光罩圖案化所述陽極形成第一陽極、第二陽極和第三陽極。
[0076]在本步驟503中，可以通過普通掩模板對所述陽極進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕等光刻工藝，利用第二光罩對陽極進(jìn)行圖案化，分別形成第一陽極2041、第二陽極2042和第三陽極2043。其中，第一陽極2041對應(yīng)發(fā)射光為紅光，第二陽極2042對應(yīng)發(fā)射光為綠光，第三陽極2043對應(yīng)發(fā)射光為藍(lán)光。
[0077]在上述步驟502與步驟503中的光罩工藝均使用的普通掩模板，其曝光精度均在5 um以內(nèi)。
[0078]步驟504:利用掩模板圖案化形成第一有機(jī)發(fā)光器件層、第二有機(jī)發(fā)光器件層和第三有機(jī)發(fā)光器件層。
[0079]在本步驟504中，與上述步驟不同的是，在本步驟中，都是通過蒸鍍工藝形成的。具體地，首先，通過普通對位掩模板在各陽極之上蒸鍍形成空穴注入層301，其次，仍利用普通對位掩模板在空穴注入層301之上蒸鍍形成空穴傳輸層302，然后，利用精細(xì)對位掩模板，分別在空穴傳輸層302之上進(jìn)行三次精確對位蒸鍍形成第一發(fā)光層3031、第二發(fā)光層3032和第三發(fā)光層3033。最后，利用普通對位掩模板蒸鍍依次形成電子傳輸層304和電子注入層305。
[0080]優(yōu)選地，可以利用四次普通對位(空穴注入層301、空穴傳輸層302、電子傳輸層304和電子注入層305)和三次精細(xì)對位(第一發(fā)光層3031、第二發(fā)光層3032和第三發(fā)光層3033)，蒸鍍形成厚度相等的第一有機(jī)發(fā)光器件層、第二有機(jī)發(fā)光器件層和第三有機(jī)發(fā)光器件層。如圖7所示，為利用精細(xì)對位掩膜板M進(jìn)行蒸鍍的簡圖，當(dāng)利用精細(xì)對位掩膜板M與基板N精確對位之后，通過控制蒸鍍源噴射膜層材料的時間，得到如圖7所示的厚度的膜層A。可見，蒸鍍時形成的膜層的厚度是由蒸鍍源噴射的時間決定的。
[0081]其中，所述精細(xì)對位的精度在I?2um范圍內(nèi)。由于在選擇精細(xì)對位掩膜板時，需要根據(jù)實(shí)際的顯示單元的大小來選擇合適的精細(xì)對位掩膜板，一般情況下，所針對的顯示單元越小，那么需要選擇精細(xì)對位的精度越高的精細(xì)對位掩膜板。而且，針對精細(xì)對位掩模板的對位操作而言，要比普通對位的難度更高，在工藝流程的制備過程中，更容易發(fā)生對位偏差，從而影響生廣的良率。
[0082]步驟505:在所述有機(jī)發(fā)光器件層上形成陰極，所述陰極包括第一陰極、第二陰極和第二陰極。
[0083]通過以上制備過程，得到如圖3所示的微腔結(jié)構(gòu)，其中，所述第一光學(xué)調(diào)節(jié)層2111、第一陽極2041、第一有機(jī)發(fā)光器件層和第一陰極2071對應(yīng)的發(fā)射光為紅光；第二光學(xué)調(diào)節(jié)層2112、第二陽極2042、第二有機(jī)發(fā)光器件層和第二陰極2072對應(yīng)的發(fā)射光為綠光；第三光學(xué)調(diào)節(jié)層2113、第三陽極2043、第三有機(jī)發(fā)光器件層和第三陰極2073對應(yīng)的發(fā)射光為藍(lán)光；而且，第一陰極靠近所述第一陽極的一側(cè)表面與所述反射層靠近所述第一陽
極的一側(cè)表面之間的距離為LLL1 ，對應(yīng)的波長X1S紅光的波長；第二陰極靠近
所述第二陽極的一側(cè)表面與所述反射層靠近所述第二陽極的一側(cè)表面之間的距離為L2，
L2對應(yīng)的波長λ 2為綠光的波長；第三陰極靠近所述第三陽極的一側(cè)表面與所述
反射層靠近所述第三陽極的一側(cè)表面之間的距離為L3，h今N，對應(yīng)的波長λ 3為藍(lán)光
的波長。與此同時，L1、L2、L3還滿足:第一微腔結(jié)構(gòu)的腔長LI〉第二微腔結(jié)構(gòu)的腔長L2>第三微腔結(jié)構(gòu)的腔長L3。[0084]由此可知，在本發(fā)明實(shí)施例中，當(dāng)形成如圖3所示的微腔結(jié)構(gòu)時，針對每一種顏色像素，只需通過調(diào)節(jié)光學(xué)調(diào)節(jié)層的厚度即可調(diào)節(jié)微腔結(jié)構(gòu)的腔長。而且，在確定了所述發(fā)光層的波長之后，可以根據(jù)公式(I)選取合適的腔長，通常，在制備陣列基板的過程中，空穴注入層301、空穴傳輸層302、電子傳輸層304和電子注入層305的厚度在三色發(fā)光區(qū)域的厚度都是相等的，而發(fā)光層(第一發(fā)光層3031、第二發(fā)光層3032和第三發(fā)光層3033)在三色發(fā)光區(qū)域的厚度可能是不等的，另外，由于這三個發(fā)光層的材料不一樣，因此，只能分別制作，即分別經(jīng)過三次精細(xì)對位蒸鍍形成。
[0085]如圖8a和圖8b所示，圖8a為現(xiàn)有技術(shù)中的微腔結(jié)構(gòu)示意圖，圖8b為本發(fā)明的微腔結(jié)構(gòu)示意圖。
[0086]在圖8a中，由于微腔結(jié)構(gòu)的腔長為陽極的上表面至陰極的下表面之間的距離，因此，若要形成如圖8a所示的微腔結(jié)構(gòu)，則需要利用一次普通對位掩膜板進(jìn)行蒸鍍形成空穴注入層602，再利用一次普通對位掩膜板進(jìn)行蒸鍍形成空穴傳輸層603，之后，分別利用五次精細(xì)對位蒸鍍形成第一空穴傳輸層6031、第二空穴傳輸層6032、第一發(fā)光層6041、第二發(fā)光層6042和第三發(fā)光層6043。之所以要進(jìn)行五次精細(xì)對位，那是因?yàn)榈谝豢昭▊鬏攲?031、第二空穴傳輸層6032、第一發(fā)光層6041、第二發(fā)光層6042和第三發(fā)光層6043的材料分別不同，且膜層厚度不一致。因此，需要進(jìn)行五次精細(xì)對位。然而，精細(xì)對位次數(shù)的增多，不僅增加了工藝的復(fù)雜度，還有可能對對位精度造成影響，降低產(chǎn)品良率。
[0087]而在發(fā)明的方案中，若要形成如圖Sb所示的微腔結(jié)構(gòu)，僅需要利用上述實(shí)施例四中的方法步驟，進(jìn)行三次精細(xì)對位即可，相比于圖8a的方案，精細(xì)對位次數(shù)減少了，從而，在簡化工藝制備復(fù)雜度的同時，保證精細(xì)對位的精度，提高了產(chǎn)品的良率。
[0088]此外，如圖10所述，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置7，包括OLED顯示面板8，其中，OLED顯示面板8采用上述實(shí)施例一、實(shí)施例二、實(shí)施例三和實(shí)施例四所述的OLED顯示面板。
[0089]綜上，本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED顯示面板及其制備方法和顯示裝置，通過在電源供給線之上設(shè)置較厚的、具有導(dǎo)電性能的反射層，將眾多電源供給線與鋪滿整個基板的反射層建立電連接。此時，可以視為電源供給線與反射層并聯(lián)，那么，各顯示單元的整體電阻就會相對較小，沿電源供給線方向的各個位置處的電壓不會相差很大，即減小了壓降，從而，避免壓降較大帶來的顯示亮度的不均衡的問題；同時，所述反射層還可以作為微腔結(jié)構(gòu)的其中一個鏡面，利用三次精細(xì)對位，形成對應(yīng)R、G、B三色發(fā)光層的三個微腔結(jié)構(gòu)，保證僅通過調(diào)節(jié)光學(xué)調(diào)節(jié)層來調(diào)整微腔結(jié)構(gòu)的腔長，而且精細(xì)對位次數(shù)相對減少，從而，在簡化工藝制備復(fù)雜度的同時，避免降低精細(xì)對位的精度，提高了產(chǎn)品的良率，并且，設(shè)置光學(xué)調(diào)節(jié)層位于所述反射層與陽極之間，亦即，光學(xué)調(diào)節(jié)層位于所述所述有機(jī)發(fā)光器件層的下方，如此，發(fā)射光從陰極側(cè)透光時，光線不會被光學(xué)調(diào)節(jié)層阻擋，如此，不會減少光線的損失，提高了顯示效果。
[0090]盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0091]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種OLED顯示面板,包括: 基板； 位于所述基板上的電源供給線； 位于所述電源供給線上的反射層，所述反射層電連接于所述電源供給線； 位于所述反射層上的陽極； 位于所述反射層與陽極之間的光學(xué)調(diào)節(jié)層； 位于所述陽極上的陰極； 位于所述陽極和陰極之間的有機(jī)發(fā)光器件層； 其中，所述反射層與所述陽極絕緣，所述OLED顯示面板在所述反射層背離基板的一側(cè)透光。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，還包括第一絕緣層，位于所述電源供給線上，所述第一絕緣層上包括第一過孔，所述第一過孔貫穿所述第一絕緣層而暴露所述電源供給線，所述反射層通過所述第一過孔電連接于所述電源供給線。
3.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于， 所述反射層為單層結(jié)構(gòu)，所述反射層為金屬層，或者， 所述反射層為多層結(jié)構(gòu)，所述反射層包括層疊的金屬層和透明導(dǎo)電層，且所述金屬層比所述透明導(dǎo)電層靠近所述有機(jī)發(fā)光器件層。
4.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述反射層的厚度為200nm~2000nm。
5.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述反射層包括第二過孔，所述第二過孔貫穿所述反射層。
6.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述OLED顯示面板還包括: 光學(xué)調(diào)節(jié)層采用透明的絕緣材料，使得所述反射層絕緣于所述陽極，所述光學(xué)調(diào)節(jié)層包括第三過孔。
7.如權(quán)利要求6所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述第三過孔貫穿所述光學(xué)調(diào)節(jié)層，所述第二過孔與所述第三過孔相通，且所述第二過孔在所述基板上的投影涵蓋所述第三過孔在所述基板上的投影。
8.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述反射層的反射率大于90%，所述陽極和有機(jī)發(fā)光器件層的透過率均大于80%，所述陰極的透過率大于40%。
9.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述光學(xué)調(diào)節(jié)層的透過率大于80%，所述光學(xué)調(diào)節(jié)層的折射率為I~3。
10.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述反射層的等效電阻小于100 Ω。
11.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述陰極靠近所述陽極的一側(cè)表面與所述反射層靠近所述陽極的一側(cè)表面之間的距離滿足以下公式:
λ L=-N
2 其中，L表示所述陰極靠近所述陽極的一側(cè)表面與所述反射層靠近所述陽極的一側(cè)表面之間的距離；λ表示發(fā)射光的波長；Ν為正整數(shù)。
12.如權(quán)利要求11所述的OLED顯示面板，其特征在于， 陽極包括第一陽極、第二陽極和第三陽極； 陰極包括第一陰極、第二陰極和第三陰極；其中， 所述第一陽極和第一陰極對應(yīng)發(fā)射光為紅光， 所述第二陽極和第二陰極對應(yīng)發(fā)射光為綠光， 所述第三陽極和第三陰極對應(yīng)發(fā)射光為藍(lán)光， LI表示所述第一陰極靠近所述第一陽極的一側(cè)表面與所述反射層靠近所述第一陽極的一側(cè)表面之間的距離； L2表示所述第二陰極靠近所述第二陽極的一側(cè)表面與所述反射層靠近所述第二陽極的一側(cè)表面之間的距離； L3表示所述第三陰極靠近所述第三陽極的一側(cè)表面與所述反射層靠近所述第三陽極的一側(cè)表面之間的距離，L1、L2、L3滿足以下公式:L1>L2>L3。
13.如權(quán)利要求12所述的OLED顯示面板，其特征在于， 光學(xué)調(diào)節(jié)層包括第一光學(xué)調(diào)節(jié)層、第二光學(xué)調(diào)節(jié)層和第三光學(xué)調(diào)節(jié)層；其中， 所述第一光學(xué)調(diào)節(jié)層對應(yīng)發(fā)射光為紅光， 所述第二光學(xué)調(diào)節(jié)層對應(yīng)發(fā)射光為綠光， 所述第三光學(xué)調(diào)節(jié)層對應(yīng)發(fā)射光為藍(lán)光， 所述第一光學(xué)調(diào)節(jié)層的厚度大于第二光學(xué)調(diào)節(jié)層的厚度，且所述第二光學(xué)調(diào)節(jié)層的厚度大于所述第三光學(xué)調(diào)節(jié)層的厚度。
14.如權(quán)利要求13所述的OLED顯示面板，其特征在于， 第一有機(jī)發(fā)光器件層、第二有機(jī)發(fā)光器件層和第三有機(jī)發(fā)光器件層的厚度相等。
15.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，還包括TFT陣列，位于所述基板上，所述第二過孔暴露所述TFT的源極，所述陽極通過所述第二過孔和第三過孔電連接于所述TFT的源極。
16.—種制備OLED顯不面板的方法,包括: 提供基板； 在所述基板上形成電源供給線； 在所述電源供給線之上形成反射層，所述反射層電連接于所述電源供給線； 在所述反射層上形成光學(xué)調(diào)節(jié)層； 在所述光學(xué)調(diào)節(jié)層 上形成陽極； 在所述陽極上形成有機(jī)發(fā)光器件層； 在所述有機(jī)發(fā)光器件層上形成陰極； 其中，所述反射層與所述陽極絕緣，所述OLED顯示面板在所述反射層背離基板的一側(cè)透光。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，還包括 利用第一光罩圖案化所述光學(xué)調(diào)節(jié)層形成第一光學(xué)調(diào)節(jié)層、第二光學(xué)調(diào)節(jié)層和第三光學(xué)調(diào)節(jié)層； 利用第二光罩圖案化所述陽極形成第一陽極、第二陽極和第三陽極； 利用第三光罩圖案化所述有機(jī)發(fā)光器件層形成第一有機(jī)發(fā)光器件層、第二有機(jī)發(fā)光器件層和第三有機(jī)發(fā)光器件層； 所述陰極包括第一陰極、第二陰極和第三陰極；其中， 所述第一光學(xué)調(diào)節(jié)層、第一陽極、第一有機(jī)發(fā)光器件層和第一陰極對應(yīng)的反射光為紅光; 所述第二光學(xué)調(diào)節(jié)層、第二陽極、第二有機(jī)發(fā)光器件層和第二陰極對應(yīng)的反射光為綠光; 所述第三光學(xué)調(diào)節(jié)層、第三陽極、第三有機(jī)發(fā)光器件層和第三陰極對應(yīng)的反射光為藍(lán)光;其中， L1表示所述第一陰極靠近所述第一陽極的一側(cè)表面與所述反射層靠近所述第一陽極的一側(cè)表面之間的距離； L2表示所述第二陰極靠近所述第二陽極的一側(cè)表面與所述反射層靠近所述第二陽極的一側(cè)表面之間的距離； L3表示所述第三陰極靠近所述第三陽極的一側(cè)表面與所述反射層靠近所述第三陽極的一側(cè)表面之間的距離，L1、L2、L3滿足以下公式:L1>L2>L3。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述第一光學(xué)調(diào)節(jié)層的厚度大于第二光學(xué)調(diào)節(jié)層的厚度，且所述第二光學(xué)調(diào)節(jié)層的厚度大于所述第三光學(xué)調(diào)節(jié)層的厚度。
19.如權(quán)利要求18所述的方法,其特征在于,第一有機(jī)發(fā)光器件層、第二有機(jī)發(fā)光器件層和第三有機(jī)發(fā)光器件層的厚度相等。
20.—種顯不裝置,包括如權(quán)利要求1-15中任一項(xiàng)所述的OLED顯不面板。
【文檔編號】H01L51/52GK103928495SQ201310754193
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】王國立, 黃大勇, 趙本剛 申請人:上海天馬有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)有限公司, 天馬微電子股份有限公司