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      晶圓級(jí)芯片尺寸封裝中間結(jié)構(gòu)裝置和方法

      文檔序號(hào):7016499閱讀:194來(lái)源:國(guó)知局
      晶圓級(jí)芯片尺寸封裝中間結(jié)構(gòu)裝置和方法
      【專利摘要】本發(fā)明提供了一種WLCSP中間結(jié)構(gòu)及其形成方法,該方法包括:在載體上形成第一重分布層(RDL),以及在第一RDL的第二側(cè)上安裝中介層管芯,第一RDL具有設(shè)置在第一RDL上的安裝焊盤。在中介層管芯的第二側(cè)上方形成第二RDL,第二RDL具有與中介層管芯相鄰的第一側(cè),設(shè)置在第二RDL上的一個(gè)或多個(gè)接合件,一個(gè)或多個(gè)接合件中的至少一個(gè)與至少一個(gè)中介層管芯或至少一個(gè)安裝焊盤電接觸。在形成第二RDL之前,在所述中介層管芯周圍和在第一RDL的一部分的上方形成模塑料,并且第二RDL形成在模塑料的至少一部分的上方。本發(fā)明還公開(kāi)了晶圓級(jí)芯片尺寸封裝中間結(jié)構(gòu)裝置和方法。
      【專利說(shuō)明】晶圓級(jí)芯片尺寸封裝中間結(jié)構(gòu)裝置和方法
      [0001]相關(guān)申請(qǐng)交叉引用
      [0002]本申請(qǐng)要求2013年3月15日提交的、名稱為“Wafer Level Chip ScalePackaging Intermediate Structure Apparatus and Method,,的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)第61/788,470的優(yōu)先權(quán),該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合與此。

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0003]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】,更具體地,涉及晶圓級(jí)芯片尺寸封裝中間結(jié)構(gòu)裝置和方法。

      【背景技術(shù)】
      [0004]半導(dǎo)體器件用于各種電子應(yīng)用中,諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話、數(shù)碼相機(jī)和其他電子設(shè)備。通常通過(guò)在半導(dǎo)體襯底上方依次沉積絕緣或介電層、導(dǎo)電層以及半導(dǎo)體材料層,并且使用光刻技術(shù)圖案化各種材料層以在其上形成電路部件和元件來(lái)制造半導(dǎo)體器件。
      [0005]半導(dǎo)體工業(yè)通過(guò)持續(xù)減小最小部件尺寸以允許更多的部件被集成到給定的區(qū)域內(nèi),而持續(xù)提高各種電子部件(例如,晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度。在一些情況下,這些更小的電子部件也需要利用比過(guò)去的封裝件更少面積的更小封裝件。
      [0006]由于層疊封裝(PoP)技術(shù)允許集成電路更密集地集成到較小的整個(gè)封裝件中,因而該技術(shù)變得越來(lái)越流行。PoP技術(shù)用于多種先進(jìn)的手持設(shè)備中,諸如智能電話。雖然PoP技術(shù)允許更小的封裝輪廓,但是,整體厚度的降低目前受到焊球接點(diǎn)高度和相鄰接點(diǎn)之間的距離(稱為間距)的限制。有時(shí),使用諸如球柵陣列、平面柵格陣列(land grid array),管腳陣列等的導(dǎo)電安裝結(jié)構(gòu)將管芯安裝至中介層襯底或其他封裝載體。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0007]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問(wèn)題,根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了一種形成器件的方法,包括:
      [0008]在載體上形成第一重分布層(RDL),所述第一 RDL具有設(shè)置在所述第一 RDL的第一側(cè)上的一個(gè)或多個(gè)安裝焊盤;
      [0009]在所述第一 RDL的第二側(cè)上安裝一個(gè)或多個(gè)中介層管芯,所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第一側(cè)與所述第一 RDL相鄰;
      [0010]在所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第二側(cè)上方形成第二 RDL,所述第二 RDL具有與所述中介層管芯相鄰的第一側(cè)和與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè),一個(gè)或多個(gè)接合件設(shè)置在所述第二 RDL的第二側(cè)上,所述一個(gè)或多個(gè)接合件中的至少一個(gè)與所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯中的至少一個(gè)電接觸或者與所述一個(gè)或多個(gè)安裝焊盤中的至少一個(gè)電接觸;以及
      [0011]將第二部件安裝在所述第二 RDL的第二側(cè)上設(shè)置的所述接合件上。
      [0012]在可選實(shí)施例中,所述方法還包括:在形成所述第二 RDL之前,在所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯周圍以及所述第一 RDL的一部分上方形成模塑料,其中,形成所述第二 RDL包括在所述模塑料的至少一部分上方形成所述第二 RDL。
      [0013]在可選實(shí)施例中,形成所述模塑料包括:形成延伸穿過(guò)所述模塑料的一個(gè)或多個(gè)中介層通孔。
      [0014]在可選實(shí)施例中,所述方法還包括減少所述模塑料。
      [0015]在可選實(shí)施例中,所述方法還包括:在所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯和所述第一RDL之間形成底部填充物。
      [0016]在可選實(shí)施例中,所述方法還包括:在所述第一 RDL的安裝焊盤上形成一個(gè)或多個(gè)安裝結(jié)構(gòu)。
      [0017]根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供了一種形成器件的方法,包括:
      [0018]位于載體上的第一重分布層(RDL),所述第一 RDL具有設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)介電層中的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電元件以及設(shè)置在所述第一 RDL的第一側(cè)上的一個(gè)或多個(gè)安裝焊盤;
      [0019]安裝設(shè)置在所述第一 RDL的第二側(cè)上的一個(gè)或多個(gè)中介層管芯,所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第一側(cè)與所述第一 RDL相鄰,并且與設(shè)置在所述第一 RDL中的所述一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電元件中的至少一個(gè)電接觸;和
      [0020]在所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯周圍和在所述第一 RDL的一部分上方施加模塑料;
      [0021]在所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第二側(cè)上方形成第二 RDL ;以及
      [0022]在所述第二 RDL的第二側(cè)上形成一個(gè)或多個(gè)接合件,所述一個(gè)或多個(gè)接合件中的至少一個(gè)與所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯中的至少一個(gè)電接觸或者與所述一個(gè)或多個(gè)安裝焊盤中的至少一個(gè)電接觸。
      [0023]在可選實(shí)施例中,所述方法還包括:在所述模塑料中并且延伸穿過(guò)所述模塑料形成一個(gè)或多個(gè)中介層通孔。
      [0024]在可選實(shí)施例中,所述方法還包括:減少所述模塑料,以使所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第二側(cè)與所述模塑料的第一側(cè)基本上共面,并且所述第二 RDL被形成為與所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第二側(cè)和所述模塑料相接觸。
      [0025]在可選實(shí)施例中,所述第一 RDL與所述第二 RDL電接觸。
      [0026]在可選實(shí)施例中,所述方法還包括:在所述第二 RDL的第二側(cè)上的所述接合件上安裝第二部件。
      [0027]在可選實(shí)施例中,所述第二部件與所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯中的至少一個(gè)電接觸。
      [0028]在可選實(shí)施例中,安裝至少一個(gè)中介層管芯包括:安裝至少兩個(gè)中介層管芯,以使所述至少兩個(gè)中介層管芯中的第一個(gè)與所述至少兩個(gè)中介層管芯中的第二個(gè)電接觸。
      [0029]根據(jù)本發(fā)明的又一方面,提供了一種器件,包括:
      [0030]第一重分布層(RDL),具有設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)介電層中的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電元件;
      [0031]一個(gè)或多個(gè)安裝焊盤,設(shè)置在所述第一 RDL的第一側(cè)上;
      [0032]中介層,設(shè)置在所述第一 RDL的第二側(cè)上,所述中介層包括:
      [0033]一個(gè)或多個(gè)中介層管芯,設(shè)置在所述第一 RDL的第二側(cè)上,所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第一側(cè)與所述第一 RDL相鄰;和
      [0034]模塑料,設(shè)置在所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯周圍和所述第一 RDL的一部分的上方;
      [0035]第二 RDL,設(shè)置在所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第二側(cè)上方;以及
      [0036]—個(gè)或多個(gè)接合件,設(shè)置在所述第二 RDL的第二側(cè)上,所述一個(gè)或多個(gè)接合件中的至少一個(gè)與所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯中的至少一個(gè)電接觸或者與所述一個(gè)或多個(gè)安裝焊盤中的至少一個(gè)電接觸。
      [0037]在可選實(shí)施例中,所述器件還包括:設(shè)置在所述模塑料中并且延伸穿過(guò)所述模塑料的一個(gè)或多個(gè)中介層通孔。
      [0038]在可選實(shí)施例中,所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第二側(cè)與所述模塑料的第一側(cè)基本共面,并且所述第二 RDL與所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第二側(cè)和所述模塑料相接觸。
      [0039]在可選實(shí)施例中,所述第一 RDL與所述第二 RDL電接觸。
      [0040]在可選實(shí)施例中,所述器件還包括:設(shè)置在所述接合件上的第二部件,所述結(jié)合件設(shè)置在所述第二 RDL的第二側(cè)上。
      [0041 ] 在可選實(shí)施例中,所述第二部件與所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯中的至少一個(gè)電接觸。
      [0042]在可選實(shí)施例中,所述至少兩個(gè)中介層管芯中的第一個(gè)是有源器件。

      【專利附圖】

      【附圖說(shuō)明】
      [0043]為更完整的理解本發(fā)明的實(shí)施例及其優(yōu)勢(shì),現(xiàn)將結(jié)合附圖所進(jìn)行的以下描述作為參考,其中:
      [0044]圖1至圖9示出了根據(jù)實(shí)施例的在形成晶圓級(jí)芯片尺寸封裝(WLCSP)中間結(jié)構(gòu)的中間步驟的截面圖;以及
      [0045]圖10是示出根據(jù)實(shí)施例的形成WLCSP中間結(jié)構(gòu)的方法的流程圖。
      [0046]除非另有說(shuō)明,否則不同視圖中的相應(yīng)標(biāo)號(hào)和符號(hào)通常代表相應(yīng)的部件。繪制視圖以示出實(shí)施例的相關(guān)方面,并且不必按比例繪制視圖。

      【具體實(shí)施方式】
      [0047]以下詳細(xì)論述了本實(shí)施例的制造和使用。然而,應(yīng)該理解,本發(fā)明提供了許多在各種具體環(huán)境中可實(shí)現(xiàn)的可應(yīng)用概念。所論述的特定實(shí)施例僅為制造和使用所描述的導(dǎo)電晶圓級(jí)芯片尺寸封裝(WLCSP)中間結(jié)構(gòu)的示例性的特定方式,并不限制本發(fā)明的范圍。
      [0048]將結(jié)合特定環(huán)境來(lái)描述實(shí)施例,即,例如,制造和使用WLCSP組件中有用的中間結(jié)構(gòu)。然而,其他實(shí)施例也可應(yīng)用于其他電連接部件,包括但不限于:在組裝封裝方面,處理襯底、中介層、襯底等,或者,安裝輸入部件、板、管芯或其他部件方面,或者,用于任何類型的集成電路或電部件的封裝或安裝組合的連接方面的層疊封裝組件、管芯-管芯組件、晶圓-晶圓組件、管芯-襯底組件。
      [0049]參考圖1至圖10描述了本發(fā)明的實(shí)施例,并且還論述了實(shí)施例的變化例。貫穿本發(fā)明的各個(gè)視圖和示例性實(shí)施例,相似的參考標(biāo)號(hào)用于代表相似的元件。此外,這些視圖預(yù)期僅為示例性的,并未按比例繪制并且預(yù)期不用于限制。值得注意的是,為了簡(jiǎn)化起見(jiàn),在每個(gè)隨后的視圖中并非包括所有的元件標(biāo)號(hào)。更確切地說(shuō),每個(gè)視圖中包括與每個(gè)附圖的描述最相關(guān)的元件標(biāo)號(hào)。
      [0050]WLCSP結(jié)構(gòu)或?qū)盈B封裝(PoP)結(jié)構(gòu)可包括接合至在器件之間提供電連接的中間結(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)管芯、芯片、集成電路、板、組件、封裝件或其他部件。在一些中間封裝件中,將諸如中介層的基底層用作基底以構(gòu)建一個(gè)或多個(gè)重分布層(RDL)結(jié)構(gòu),重分布層結(jié)構(gòu)允許部件被安裝并且相互之間進(jìn)行通信,或與外部器件進(jìn)行通信。已發(fā)現(xiàn)可以在中介層中設(shè)置一個(gè)或多個(gè)部件,并且在器件上方形成RDL結(jié)構(gòu)以在中介層部件、安裝在中間結(jié)構(gòu)上的部件之間或與外部器件之間提供電連接。認(rèn)為這種中間結(jié)構(gòu)可在減小封裝尺寸和制造成本的同時(shí),提供更大的器件密度和功率密度。
      [0051]圖1示出了根據(jù)實(shí)施例的第一 RDL104的初始層的截面圖??稍谳d體晶圓102上形成第一 RDL104??商峁┹d體晶圓102以在中間結(jié)構(gòu)形成期間承載或支撐后續(xù)的層。載體晶圓102由玻璃、硅、陶瓷、金屬或其他材料形成并且具有足夠的剛性以防止在工藝期間對(duì)中間結(jié)構(gòu)造成明顯的彎曲或損害。例如,載體晶圓102的直徑約為12英寸,但是可具有被選擇為用于在工藝期間處理一個(gè)或多個(gè)中間結(jié)構(gòu)的尺寸。諸如管芯附接膜(DAF)或光-熱轉(zhuǎn)化(LTHC)膜的層壓可附接膜(未示出)可應(yīng)用于載體晶圓102的表面以允許在中間結(jié)構(gòu)的處理期間或之后從載體晶圓剝離。
      [0052]第一 RDL104具有設(shè)置在初始介電層108中的一個(gè)或多個(gè)安裝焊盤110和/或一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電元件106。在實(shí)施例中,介電層108的材料是氧化物、氮化物、聚合物等。介電層108與導(dǎo)電兀件106相互之間電絕緣。在實(shí)施例中,介電層108將具有k值或介電常數(shù),以通過(guò)減小導(dǎo)電元件106中的信號(hào)在介電層108中產(chǎn)生的電場(chǎng)的量級(jí)來(lái)防止單獨(dú)元件之間的串?dāng)_。
      [0053]在實(shí)施例中,安裝焊盤110和導(dǎo)電元件106由銅(Cu)形成,但是可為多晶硅、金(Au)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鎢(W)或任何其他適合的導(dǎo)電材料或化合物??墒褂霉饪毯统练e工藝(諸如等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)、物理汽相沉積(PVD)、濺射或其他沉積工藝)來(lái)形成安裝焊盤110或?qū)щ娫?06。
      [0054]可在載體晶圓102上形成安裝焊盤110,并且在安裝焊盤110上方形成初始介電層108。例如,可通過(guò)光刻來(lái)蝕刻介電層108,以形成延伸穿過(guò)介電層108的一個(gè)或多個(gè)開(kāi)口??稍陂_(kāi)口中和介電層108的頂部表面上方形成導(dǎo)電元件106。導(dǎo)電元件106包括延伸穿過(guò)介電層108的通孔和設(shè)置在介電層108上方的跡線以提供電信號(hào)的路由。
      [0055]圖2是示出根據(jù)實(shí)施例形成第一 RDL104的附加層的截面圖。附加的介電層108形成在初始介電層108上方,并且可具有設(shè)置在其中的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電元件106。導(dǎo)電元件106可在最高介電層108上形成一個(gè)或多個(gè)接合焊盤。
      [0056]圖3是示出在第一 RDL104上安裝中介層管芯302的截面圖。中介層管芯302可為管芯、芯片、集成電路、板、組件、封裝件等,并可安裝在設(shè)置在RDL104的頂部的導(dǎo)電元件106或接合焊盤上。中介層管芯302可通過(guò)互連件304的陣列(諸如球柵陣列、平面柵格陣列等)的方式附接至導(dǎo)電元件106。在實(shí)施例中,如圖7至圖9所示,可在第一 RDL104上安裝多個(gè)中介層管芯302。此外,中介層管芯302可以是部件類型的組合。例如,一個(gè)中介層管芯302可為諸如處理器的有源器件,而第二中介層管芯302是具有一個(gè)或多個(gè)無(wú)源器件(諸如電阻器、電容器、放大器等)的襯底。在另一實(shí)例中,中介層管芯302可為微電子機(jī)械(MEM)器件,電源管理電路、諸如收發(fā)器或信號(hào)處理電路的RF電路、圖像傳感器或圖像傳感控制器等。在實(shí)施例中,一個(gè)或多個(gè)中介層管芯也可為填充管芯或偽管芯,諸如硅或玻璃/氧化硅結(jié)構(gòu)。例如,在封裝件具有三個(gè)有源中介層管芯302,但尺寸為接受4個(gè)或更多中介層管芯302的情況下,填充管芯可用于中介層(504,圖5)中以提供結(jié)構(gòu)剛性或標(biāo)準(zhǔn)化中介層布局或制造工藝。
      [0057]在實(shí)施例中,在應(yīng)用于第一 RDL104時(shí),中介層管芯302具有約500 μ m或更大的高度。在實(shí)施例中,互連件304具有約40 μ m的間距并且在附接中介層管芯302之后具有約150 μ m或更小的高度。
      [0058]圖4是示出根據(jù)實(shí)施例施加底部填充物402的截面圖。在實(shí)施例中,底部填充物402作為液體或膠體來(lái)施加,并被注入在中介層管芯302和第一 RDL104之間以填充任何的空隙并為中介層管芯302提供支撐。底部填充物402控制中介層管芯302的彎曲并且允許更小的互連件304間距。
      [0059]圖5是示出根據(jù)實(shí)施例應(yīng)用模塑料502和形成中介層504的截面圖。中介層504包括中介層管芯302、模塑料502和底部填充物402。在實(shí)施例中,模塑料502可以是非導(dǎo)電材料,諸如環(huán)氧基樹(shù)脂、樹(shù)脂、可模制聚合物等。模塑料502可形成為提供在其上形成后續(xù)的層并支撐中介層管芯302的表面。在實(shí)施例中,例如,可使用模具(未示出)來(lái)對(duì)模塑料502成形或模制,模具具有在應(yīng)用時(shí)用于保持模塑料502的邊界或其他特征。在實(shí)施例中,模具可用于模壓模塑料502以迫使模塑料502進(jìn)入開(kāi)口或凹槽內(nèi),并且可防止在模塑料502中出現(xiàn)氣穴等??赏ㄟ^(guò)化學(xué)反應(yīng)來(lái)固化模塑料502,諸如在環(huán)氧基樹(shù)脂和樹(shù)脂中。在另一實(shí)施例中,模塑料502可以是紫外線(UV)固化的聚合物。
      [0060]圖6是示出了根據(jù)實(shí)施例減少中介層504的截面圖。可通過(guò)研磨等使模塑料502的頂面降低從而減小中介層504的厚度。在實(shí)施例中,在減少中介層504期間,可研磨中介層管芯302的頂面。在實(shí)施例中,中介層504的減少可將中介層504的厚度降低至約500 μ m或更小。
      [0061]圖7是示出根據(jù)實(shí)施例形成中介層通孔702的截面圖。中介層通孔702可從模塑料502的頂面延伸到至少第一 RDL104的頂面以接觸第一 RDL104上的導(dǎo)電元件106。在實(shí)施例中,中介層通孔702可延伸至第一 RDL104內(nèi)以接觸第一 RDL104的最高層下方的第一RDL104層中的導(dǎo)電元件106。在實(shí)施例中,中介層通孔702可設(shè)置在中介層管芯302中或在中介層504中的其他結(jié)構(gòu)中。在實(shí)施例中,可沿著模塑料502和中介層管芯302減小中介層通孔702以形成中介層504的基本平坦表面。
      [0062]在實(shí)施例中,在施加模塑料502之后,形成中介層通孔702。例如,可對(duì)模塑料502進(jìn)行蝕刻、精磨或其他處理以形成延伸穿過(guò)模塑料而到達(dá)至少第一 RDL104的開(kāi)口。然后,通過(guò)電鍍、沉積等在開(kāi)口中形成中介層通孔702。在另一實(shí)施例中,在施加模塑料502之前或期間形成中介層通孔702。在這樣的實(shí)施例中,中介層通孔702可以預(yù)先形成并放置在導(dǎo)電元件106上或在施加模塑料502之前形成在導(dǎo)電元件106上。然后,圍繞所放置的中介層通孔702來(lái)形成模塑料502。例如,中介層通孔702可通過(guò)精磨、模制等來(lái)形成,然后使用超聲接合、焊料等將中介層通孔702接合至導(dǎo)電元件106。在另一實(shí)施例中,在將中介層通孔702切割成一定長(zhǎng)度之前,可使用引線接合器將引線接合在導(dǎo)電元件106上來(lái)形成中介層通孔702。在另一實(shí)例中,可使用掩模和沉積技術(shù)來(lái)形成中介層通孔702。
      [0063]圖8是示出根據(jù)實(shí)施例的中間結(jié)構(gòu)800和形成第二 RDL804的截面圖。第二 RDL804包括其中設(shè)置有導(dǎo)電元件106的一個(gè)或多個(gè)介電層108??墒褂门c以上針對(duì)圖1至圖2示出的形成第一 RDL104描述的工藝相似的工藝來(lái)形成第二 RDL804。一個(gè)或多個(gè)焊盤802可設(shè)置在第二 RDL804的頂面處或頂面上,并且可以被配置為接收安裝在其上的一個(gè)或多個(gè)部件。
      [0064]圖9是示出根據(jù)實(shí)施例的位于中間結(jié)構(gòu)800上方的具有第二部件902的封裝件900的截面圖。載體晶圓102可被剝離或去除并且諸如球柵陣列、連接盤網(wǎng)格陣列等的互連件904可應(yīng)用于安裝焊盤110。可將一個(gè)或多個(gè)第二部件902安裝在第二 RDL804上的接合件上。第二部件902可以是管芯、芯片、集成電路、板、組件、封裝件或其他部件,或各種組件類型的組合。
      [0065]在實(shí)施例中,第一 RDL104通過(guò)至少一個(gè)中介層通孔702的方式與第二 RDL804電接觸,并且第二部件902通過(guò)至少第二 RDL804、中介層通孔702或第一 RDL104的方式與另一第二部件902、中介層管芯302或互連件904電接觸。在實(shí)施例中,第一中介層管芯302通過(guò)第一 RDL或第二 RDL的方式與第二中介層管芯302電接觸,并且在實(shí)施例中,中介層管芯302中的一個(gè)與至少一個(gè)安裝焊盤110接觸。
      [0066]圖10是示出根據(jù)實(shí)施例的形成WLCPS中間結(jié)構(gòu)的方法1000的流程圖。在框1002中,在載體晶圓上形成第一 RDL。第一 RDL具有設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)介電層中的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電元件。在框1004中,一個(gè)或多個(gè)中介層管芯安裝在第一 RDL上并且與至少一個(gè)導(dǎo)電元件接觸。在框1006中,在第一 RDL和中介層管芯之間施加底部填充物,以及,在框1008中,在中介層管芯和第一 RDL的至少一部分上方形成模塑料。在框1010中,作為形成模塑料的一部分或者在施加模塑料之后,可在模塑襯底中形成一個(gè)或多個(gè)中介層通孔。在框1012中,可選地減少模塑料,并且所述減少可以是諸如采用CMP等的研磨。在框1014中,形成第二RDL,且第二 RDL設(shè)置在中介層管芯和模塑料上方。第二 RDL可與中介層管芯和/或模塑料接觸,并且可具有設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)介電層中的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電元件。將一個(gè)或多個(gè)接合件設(shè)置在第二 RDL上或者設(shè)置在第二 RDL的最高層中。在框1016中,在第二 RDL的接合件上安裝第二部件。在框1018中,剝離載體晶圓,并且在框1020中,在第一 RDL的安裝焊盤上形成一個(gè)或多個(gè)安裝結(jié)構(gòu)。必要時(shí),包括第二部件和中介層的封裝件可被切割,并在后續(xù)通過(guò)安裝結(jié)構(gòu)的方式安裝至諸如PCB、載體封裝件等的另一器件,或者可被封裝、囊封或其他處理。
      [0067]因此,根據(jù)實(shí)施例,一種形成器件的方法,包括:在載體上形成第一 RDL,第一 RDL具有設(shè)置在第一 RDL的第一側(cè)上的一個(gè)或多個(gè)安裝焊盤并且將一個(gè)或多個(gè)中介層管芯安裝在第一 RDL的第二側(cè)上,一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第一側(cè)與第一 RDL相鄰。在一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第二側(cè)上方形成第二 RDL,第二 RDL具有與中介層管芯相鄰的第一側(cè)和與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)。在第二 RDL的第二側(cè)上設(shè)置一個(gè)或多個(gè)接合件,一個(gè)或多個(gè)接合件中的至少一個(gè)與一個(gè)或多個(gè)中介層管芯中的至少一個(gè)電接觸或者與一個(gè)或多個(gè)安裝焊盤中的至少一個(gè)電接觸。在形成第二 RDL之前,在一個(gè)或多個(gè)中介層管芯周圍和在第一 RDL的一部分上方形成模塑料,其中形成第二 RDL包括在模塑料的至少一部分上方形成第二 RDL。形成延伸穿過(guò)模塑料的一個(gè)或多個(gè)中介層通孔。所述方法還包括減少模塑料以及在一個(gè)或多個(gè)中介層管芯和第一 RDL之間形成底部填充物。在設(shè)置在第二 RDL的第二側(cè)上的接合件上安裝第二部件,并且在第一 RDL的安裝焊盤上形成一個(gè)或多個(gè)安裝結(jié)構(gòu)。
      [0068]根據(jù)實(shí)施例,一種器件,包括:第一 RDL,所述第一 RDL具有設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)介電層中的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電元件,以及,設(shè)置在RDL的第一側(cè)上的一個(gè)或多個(gè)安裝焊盤,以及設(shè)置在第一 RDL的第二側(cè)上的中介層。中介層包括設(shè)置在第一 RDL的第二側(cè)上的一個(gè)或多個(gè)中介層管芯,一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第一側(cè)與第一 RDL相鄰,并且模塑料設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)中介層管芯周圍和第一 RDL的一部分上方。第二 RDL設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第二側(cè)上方,并且一個(gè)或多個(gè)接合件設(shè)置在第二 RDL的第二側(cè)上。一個(gè)或多個(gè)接合件中的至少一個(gè)與一個(gè)或多個(gè)中介層管芯中的至少一個(gè)電接觸或者與一個(gè)或多個(gè)安裝焊盤中的至少一個(gè)電接觸。一個(gè)或多個(gè)中介層通孔設(shè)置在模塑料中并且延伸穿過(guò)模塑料。一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第二側(cè)與模塑料的第一側(cè)基本共面,并且第二 RDL與一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第二側(cè)和模塑料相接觸。第一 RDL與第二 RDL電接觸。第二部件設(shè)置在接合件上,接合件設(shè)置在第二 RDL的第二側(cè)上。第二部件與一個(gè)或多個(gè)中介層管芯中的至少一個(gè)電接觸。中介層可包括至少兩個(gè)中介層管芯,且至少兩個(gè)中介層管芯中的第一個(gè)與至少兩個(gè)中介層管芯中的第二個(gè)電接觸。至少兩個(gè)中介層管芯中的第一個(gè)是有源器件。
      [0069]盡管已經(jīng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明的實(shí)施例及其優(yōu)勢(shì),但應(yīng)該理解,可以在不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下,可以對(duì)本發(fā)明做出各種各種改變、替換和更改。例如,本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解,本文描述的許多部件、功能、工藝以及材料可以變化,并且仍然在本發(fā)明的范圍內(nèi)。而且,本申請(qǐng)的范圍預(yù)期不限于本說(shuō)明書中描述的工藝、機(jī)器、制造、以及物質(zhì)組成、工具、方法或步驟的特定實(shí)施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解,根據(jù)本發(fā)明,可以使用現(xiàn)有的或今后開(kāi)發(fā)的用于執(zhí)行與根據(jù)本發(fā)明所述的相應(yīng)實(shí)施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、工具、方法或步驟。因此,所附權(quán)利要求預(yù)期將這些工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、工具、方法或步驟包括在它們的范圍內(nèi)。
      【權(quán)利要求】
      1.一種形成器件的方法,包括: 在載體上形成第一重分布層(RDL),所述第一 RDL具有設(shè)置在所述第一 RDL的第一側(cè)上的一個(gè)或多個(gè)安裝焊盤; 在所述第一 RDL的第二側(cè)上安裝一個(gè)或多個(gè)中介層管芯,所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第一側(cè)與所述第一 RDL相鄰; 在所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第二側(cè)上方形成第二 RDL,所述第二 RDL具有與所述中介層管芯相鄰的第一側(cè)和與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè),一個(gè)或多個(gè)接合件設(shè)置在所述第二 RDL的第二側(cè)上,所述一個(gè)或多個(gè)接合件中的至少一個(gè)與所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯中的至少一個(gè)電接觸或者與所述一個(gè)或多個(gè)安裝焊盤中的至少一個(gè)電接觸;以及將第二部件安裝在所述第二 RDL的第二側(cè)上設(shè)置的所述接合件上。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:在形成所述第二RDL之前,在所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯周圍以及所述第一 RDL的一部分上方形成模塑料,其中,形成所述第二 RDL包括在所述模塑料的至少一部分上方形成所述第二 RDL。
      3.一種形成器件的方法,包括: 位于載體上的第一重分布層(RDL),所述第一 RDL具有設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)介電層中的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電元件以及設(shè)置在所述第一 RDL的第一側(cè)上的一個(gè)或多個(gè)安裝焊盤; 安裝設(shè)置在所述 第一 RDL的第二側(cè)上的一個(gè)或多個(gè)中介層管芯,所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第一側(cè)與所述第一 RDL相鄰,并且與設(shè)置在所述第一 RDL中的所述一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電元件中的至少一個(gè)電接觸;和 在所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯周圍和在所述第一 RDL的一部分上方施加模塑料; 在所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第二側(cè)上方形成第二 RDL ;以及在所述第二 RDL的第二側(cè)上形成一個(gè)或多個(gè)接合件,所述一個(gè)或多個(gè)接合件中的至少一個(gè)與所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯中的至少一個(gè)電接觸或者與所述一個(gè)或多個(gè)安裝焊盤中的至少一個(gè)電接觸。
      4.一種器件,包括: 第一重分布層(RDL),具有設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)介電層中的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電元件; 一個(gè)或多個(gè)安裝焊盤,設(shè)置在所述第一 RDL的第一側(cè)上; 中介層,設(shè)置在所述第一 RDL的第二側(cè)上,所述中介層包括: 一個(gè)或多個(gè)中介層管芯,設(shè)置在所述第一 RDL的第二側(cè)上,所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第一側(cè)與所述第一 RDL相鄰;和 模塑料,設(shè)置在所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯周圍和所述第一 RDL的一部分的上方;第二 RDL,設(shè)置在所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第二側(cè)上方;以及一個(gè)或多個(gè)接合件,設(shè)置在所述第二 RDL的第二側(cè)上,所述一個(gè)或多個(gè)接合件中的至少一個(gè)與所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯中的至少一個(gè)電接觸或者與所述一個(gè)或多個(gè)安裝焊盤中的至少一個(gè)電接觸。
      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件,還包括:設(shè)置在所述模塑料中并且延伸穿過(guò)所述模塑料的一個(gè)或多個(gè)中介層通孔。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件,其中,所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第二側(cè)與所述模塑料的第一側(cè)基本共面,并且所述第二 RDL與所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯的第二側(cè)和所述模塑料相接觸。
      7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件,其中,所述第一RDL與所述第二 RDL電接觸。
      8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件,還包括:設(shè)置在所述接合件上的第二部件,所述結(jié)合件設(shè)置在所述第二 RDL的第二側(cè)上。
      9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件,其中,所述第二部件與所述一個(gè)或多個(gè)中介層管芯中的至少一個(gè)電接觸。
      10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件,其中,所述至少兩個(gè)中介層管芯中的第一個(gè)是有源器件。
      【文檔編號(hào)】H01L21/56GK104051399SQ201310755093
      【公開(kāi)日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2013年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月15日
      【發(fā)明者】余振華, 葉德強(qiáng) 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
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