專利名稱：一種防止邊緣破裂的影像傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及影像傳感器制造領(lǐng)域，具體涉及一種防止邊緣破裂的影像傳感器。
背景技術(shù)：
在背照式影像傳感器封裝前，需將對(duì)載片進(jìn)行研磨，研磨過(guò)程中容易在晶圓的邊界會(huì)有很嚴(yán)重的破裂，影響影像傳感器質(zhì)量，導(dǎo)致影像傳感器良品率低的問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種防止邊緣破裂的影像傳感器來(lái)解決現(xiàn)有技術(shù)中影像傳感器邊緣易破裂而導(dǎo)致影像傳感器良品率低的問(wèn)題。本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下:一種防止邊緣破裂的影像傳感器，包括器件晶圓和載片晶圓，所述器件晶圓與載片晶圓鍵合在一起，所述器件晶圓邊緣與載片晶圓邊緣包裹有膠層，所述器件晶圓與載片晶圓鍵合邊緣處設(shè)有伸至載片晶圓內(nèi)的直角缺口，所述深入載片晶圓內(nèi)直角缺口的缺口深度小于膠層的厚度本實(shí)用新型的有益效果是:在使用本新型后，通過(guò)包裹在晶圓邊緣與載片晶圓邊緣的膠層，且膠層的厚度大于修邊切出的矩形槽深能有效防止晶圓邊緣破裂的問(wèn)題。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型還可以做如下改進(jìn)。進(jìn)一步，所述載片晶圓邊緣的厚度為140微米至160微米；進(jìn)一步，所述膠 層的厚度為50微米至70微米。采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是:通過(guò)載片晶圓的厚度來(lái)控制膠層的厚度，減小晶圓邊緣破裂的幾率，進(jìn)一步提高影像傳感器的質(zhì)量。進(jìn)一步，所述載片晶圓與器件晶圓之間設(shè)有一層鍵合氧化物層。采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是:能使載片晶圓與器件晶圓牢固的鍵合在一起，進(jìn)一步提聞?dòng)跋駛鞲衅鞯馁|(zhì)量。

圖1為本實(shí)用新型研磨前結(jié)構(gòu)圖；圖2為本實(shí)用新型研磨后結(jié)構(gòu)圖。附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件如下:1、載片晶圓，2、器件晶圓，3、膠層，4、直角缺口，5、缺口深度，6、鍵合氧化物層。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本實(shí)用新型，并非用于限定本實(shí)用新型的范圍。如圖1所示，為本實(shí)用新型研磨前結(jié)構(gòu)圖，包括器件晶圓2和載片晶圓1，所述器件晶圓2與載片晶圓I鍵合在一起，所述器件晶圓2邊緣與載片晶圓I邊緣包裹有膠層3，所述器件晶圓2與載片晶圓I鍵合邊緣處設(shè)有沿器件晶圓表面方向伸至載片晶圓2內(nèi)的直角缺口 4，所述直角缺口的缺口深度5小于膠層3的厚度。圖2為為本實(shí)用新型研磨后結(jié)構(gòu)圖，包括器件晶圓2和載片晶圓1，所述器件晶圓2與載片晶圓I鍵合在一起，所述器件晶圓2邊緣與載片晶圓I邊緣包裹有膠層3，所述器件晶圓2與載片晶圓I鍵合邊緣處設(shè)有沿器件晶圓表面方向伸至載片晶圓2內(nèi)的直角缺口 4，所述直角缺口的缺口深度5小于膠層3的厚度，所述載片晶圓I的厚度為140微米至160微米。所述膠層3的厚度為50微米至70微米，所述載片晶圓I與器件晶圓2之間設(shè)有一層鍵合氧化物層6，所述載片晶圓I的厚度為140微米至160微米。以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍 之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種防止邊緣破裂的影像傳感器，其特征是:包括器件晶圓和載片晶圓，所述器件晶圓與載片晶圓鍵合在一起，所述器件晶圓邊緣與載片晶圓邊緣包裹有膠層，所述器件晶圓與載片晶圓鍵合邊緣處設(shè)有伸至載片晶圓內(nèi)的直角缺口，所述深入載片晶圓內(nèi)直角缺口的缺口深度小于膠層的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止邊緣破裂的影像傳感器，其特征是:所述載片晶圓與器件晶圓之間設(shè)有一層鍵合氧化物層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種防止邊緣破裂的影像傳感器，其特征是:所述膠層的厚度為50微米至70微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種防止邊緣破裂的影像傳感器，其特征是:所述載片晶圓的厚度為140微米至16 0微米。
專利摘要本實(shí)用新型涉及影像傳感器制造領(lǐng)域，具體涉及一種防止邊緣破裂的影像傳感器。包括器件晶圓和載片晶圓,所述器件晶圓與載片晶圓鍵合在一起,所述器件晶圓邊緣與載片晶圓邊緣包裹有膠層,所述器件晶圓與載片晶圓鍵合邊緣處設(shè)有伸至載片晶圓內(nèi)的直角缺口，所述深入載片晶圓內(nèi)直角缺口的缺口深度小于膠層的厚度，所述載片晶圓邊緣的厚度為140微米至160微米，所述膠層的厚度為50微米至70微米。在使用本新型后，能使載片晶圓與器件晶圓牢固的鍵合在一起，通過(guò)載片晶圓的厚度來(lái)控制膠層的厚度，減小晶圓邊緣破裂的幾率，提高影像傳感器的質(zhì)量，通過(guò)包裹在晶圓邊緣與載片晶圓邊緣的膠層，能有效防止晶圓邊緣破裂的問(wèn)題。
文檔編號(hào)H01L27/146GK203085540SQ20132001660
公開日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2013年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月11日
發(fā)明者李平 申請(qǐng)人:陸偉