專利名稱：小型化陶瓷電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種小型化陶瓷電容器，屬于電容器技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
近年來，伴隨著攜帶電話等移動機器的普及、作為個人電腦等的主要部件的半導(dǎo)體元件的高速化及高頻化，對于搭載于此種電了機器中的疊層陶瓷電容器，為了滿足作為旁通電容器的特性，小型、高容量化的要求不斷提高。但存在以下技術(shù)問題:現(xiàn)有陶瓷電容器體積較大，提高電容量會導(dǎo)致占用電子產(chǎn)品的較大的空間，因此在減小器件體積時增加電容量成為技術(shù)難點，且現(xiàn)有射頻用電容的饋入點及接地點設(shè)置在固定的位置，故在將天線安裝至電路板時，只能安裝于電路板特定位置，不能靈活設(shè)置；其次，陶瓷電容器需要將基板兩面上的相互分離電路點做導(dǎo)通連接或者是做基板兩面間的導(dǎo)熱處理時，容易發(fā)生于連接孔中未完全填滿而有孔洞，從而在產(chǎn)品的良率控管上有其瓶頸。因此，如何解決上述技術(shù)問題，成為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員努力的方向。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型目的是提供一種小型化陶瓷電容器，該陶瓷電容器大大降了燒結(jié)時連接孔內(nèi)的金屬表面產(chǎn)生凹陷的幾率，從而有效避免了空洞的產(chǎn)生，提高了產(chǎn)品的可靠性和良率；且減小器件體積時增加了電容量，從而有利于器件小型化。為達到上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是:一種小型化陶瓷電容器，包括氮化鋁基片和氧化鋁基片，此氮化鋁基片和氧化鋁基片之間夾有具有位于同一平面的第一 U型導(dǎo)電層、第二 U型導(dǎo)電層，此第`一 U型導(dǎo)電層和第二 U型導(dǎo)電層之間電隔離；所述氮化鋁基片、第一 U型導(dǎo)電層和氧化鋁基片中具有兩個貫通三者的第一連通孔，此第一連通孔內(nèi)填充有第一金屬柱，所述氮化鋁基片、第二 U型導(dǎo)電層和氧化鋁基片中具有兩個貫通三者的第二連通孔，此第二連通孔內(nèi)填充有第二金屬柱；一銀漿焊接層分別覆蓋于所述氮化鋁基片的第一連通孔、氧化鋁基片的第二連通孔各自的端面，一用于與電路板電接觸的金屬貼片固定于所述銀漿焊接層與第一連通孔、第二連通孔相背的表面。上述技術(shù)方案中進一步改進的技術(shù)方案如下:作為優(yōu)選，所述第一 U型導(dǎo)電層、第二 U型導(dǎo)電層均包括兩個側(cè)電極和連接兩個側(cè)電極底端的底電極；所述第一 U型導(dǎo)電層的一個側(cè)電極嵌入由第二 U型導(dǎo)電層的側(cè)電極和底電極形成的凹槽區(qū)內(nèi)。作為優(yōu)選，所述氮化鋁基片和氧化鋁基片的厚度比為1:1.2^1.5。由于上述技術(shù)方案運用，本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點和效果:本實用新型小型化陶瓷電容器，其銀漿焊接層分別覆蓋于所述氮化鋁基片的第一連通孔、氧化鋁基片的第二連通孔各自的端面，由于銀漿未固化前流延性好，大大降了連接孔內(nèi)的金屬表面產(chǎn)生凹陷的幾率，從而有效避免了空洞的產(chǎn)生，提高了產(chǎn)品的可靠性和良率；其次，其第一 U型導(dǎo)電層、第二 U型導(dǎo)電層均包括兩個側(cè)電極和連接兩個側(cè)電極底端的底電極；所述第一 U型導(dǎo)電層的一個側(cè)電極嵌入由第二 U型導(dǎo)電層的側(cè)電極和底電極形成的凹槽區(qū)內(nèi)，減小器件體積時增加了電容量，從而有利于器件小型化，提高了產(chǎn)品的可靠性和良率；再次，陶瓷燒結(jié)體由氮化鋁基片和氧化鋁基片組成，此氮化鋁基片的下表面和氧化鋁基片的上表面之間具有一金屬圖形層，提高了陶瓷燒結(jié)體機械加工性能。

附圖1為本實用新型小型化陶瓷電容器中間層結(jié)構(gòu)示意圖；附圖2為本實用新型小型化陶瓷電容器截面結(jié)構(gòu)示意圖。以上附圖中:1、氮化鋁基片；2、氧化鋁基片；3、第一 U型導(dǎo)電層；4、第二 U型導(dǎo)電層；5、第一連通孔；6、第一金屬柱；7、第二連通孔；8、第二金屬柱；9、銀漿焊接層；10、金屬貼片；11、側(cè)電極；12、底電極；13、凹槽區(qū)。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述:實施例1:一種小型化陶瓷電容器，包括氮化鋁基片I和氧化鋁基片2，此氮化鋁基片I和氧化鋁基片2之間夾有具有位于同一平面的第一 U型導(dǎo)電層3、第二 U型導(dǎo)電層4，此第一 U型導(dǎo)電層3和第二 U型導(dǎo)電層4之間電隔離；所述氮化鋁基片1、第一 U型導(dǎo)電層3和氧化鋁基片2中具有兩個貫通三者的第一連通孔5，此第一連通孔5內(nèi)填充有第一金屬柱6，所述氮化鋁基片1、第二 U型導(dǎo)電層4和氧化鋁基片2中具有兩個貫通三者的第二連通孔7，此第二連通孔7內(nèi)填充有第二金屬柱8 ;一銀漿焊接層9分別覆蓋于所述氮化鋁基片I的第一連通孔5、氧化鋁基片2的第二連通孔7各自的端面，一用于與電路板電接觸的金屬貼片10固定于所述銀漿焊接層9與第一連通孔5、第二連通孔7相背的表面。實施例2: —種小型化陶瓷電容器，包括氮化鋁基片I和氧化鋁基片2，此氮化鋁基片I和氧化鋁基片2之間夾有具有位于同一平面的第一 U型導(dǎo)電層3、第二 U型導(dǎo)電層4，此第一 U型導(dǎo)電層3和第二 U型導(dǎo)電層4之間電隔離；所述氮化鋁基片1、第一 U型導(dǎo)電層3和氧化鋁基片2中具有兩個貫通三者的第一連通孔5，此第一連通孔5內(nèi)填充有第一金屬柱6，所述氮化鋁基片1、第二 U型導(dǎo)電層4和氧化鋁基片2中具有兩個貫通三者的第二連通孔7，此第二連通孔7內(nèi)填充有第二金屬柱8 ;一銀漿焊接層9分別覆蓋于所述氮化鋁基片I的第一連通孔5、氧化鋁基片2的第二連通孔7各自的端面，一用于與電路板電接觸的金屬貼片10固定于所述銀漿焊接層9與第一連通孔5、第二連通孔7相背的表面。上述第一 U型導(dǎo)電層3、第二 U型導(dǎo)電層4均包括兩個側(cè)電極11和連接兩個側(cè)電極11底端的底電極12 ;所述第一 U型導(dǎo)電層3的一個側(cè)電極11嵌入由第二 U型導(dǎo)電層4的側(cè)電極11和底電極12形成的凹槽區(qū)13內(nèi)。上述氣化招基片I和氧化招基片2的厚度比為1:1.25或者1.4。采用上述小型化陶瓷電容器時，其銀漿焊接層分別覆蓋于所述氮化鋁基片的第一連通孔、氧化鋁基片的第二連通孔各自的端面，由于銀漿未固化前流延性好，大大降了連接孔內(nèi)的金屬表面產(chǎn)生凹陷的幾率，從而有效避免了空洞的產(chǎn)生，提高了產(chǎn)品的可靠性和良率；其次，其第一 U型導(dǎo)電層、第二 U型導(dǎo)電層均包括兩個側(cè)電極和連接兩個側(cè)電極底端的底電極；所述第一 U型導(dǎo)電層的一個側(cè)電極嵌入由第二 U型導(dǎo)電層的側(cè)電極和底電極形成的凹槽區(qū)內(nèi)，減小器件體積時增加了電容量，從而有利于器件小型化，提高了產(chǎn)品的可靠性和良率；再次，陶瓷燒結(jié)體由氮化鋁基片和氧化鋁基片組成，此氮化鋁基片的下表面和氧化鋁基片的上表面之間具有一金屬圖形層，提高了陶瓷燒結(jié)體機械加工性能。上述實施例只為說明本實用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本實用新型的內(nèi)容并據(jù)以實施，并不能以此限制本實用新型的保護范圍。凡根據(jù)本實用新型精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種小型化陶瓷電容器，其特征在于:包括氮化鋁基片(I)和氧化鋁基片(2)，此氮化鋁基片(I)和氧化鋁基片(2)之間夾有具有位于同一平面的第一 U型導(dǎo)電層(3)、第二 U型導(dǎo)電層(4)，此第一 U型導(dǎo)電層(3)和第二 U型導(dǎo)電層(4)之間電隔離；所述氮化鋁基片(I)、第一 U型導(dǎo)電層(3)和氧化鋁基片(2)中具有兩個貫通三者的第一連通孔(5)，此第一連通孔(5)內(nèi)填充有第一金屬柱(6)，所述氮化鋁基片(I)、第二 U型導(dǎo)電層(4)和氧化鋁基片(2)中具有兩個貫通三者的第二連通孔(7)，此第二連通孔(7)內(nèi)填充有第二金屬柱(8);一銀漿焊接層(9)分別覆蓋于所述氮化鋁基片(I)的第一連通孔(5)、氧化鋁基片(2)的第二連通孔(7)各自的端面，一用于與電路板電接觸的金屬貼片(10)固定于所述銀漿焊接層(9)與第一連通孔(5)、第二連通孔(7)相背的表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型化陶瓷電容器，其特征在于:所述第一U型導(dǎo)電層(3)、第二 U型導(dǎo)電層(4)均包括兩個側(cè)電極(11)和連接兩個側(cè)電極(11)底端的底電極(12);所述第一 U型導(dǎo)電層(3)的一個側(cè)電極(11)嵌入由第二 U型導(dǎo)電層(4)的側(cè)電極(11)和底電極(12)形成的凹槽區(qū)(13)內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型化陶瓷電容器，其特征在于:所述氮化鋁基片(I)和氧化鋁基片(2)的厚度比為1:1.2 1.5。
專利摘要本實用新型公開一種小型化陶瓷電容器，包括氮化鋁基片和氧化鋁基片之間夾有第一U型導(dǎo)電層、第二U型導(dǎo)電層；所述氮化鋁基片、第一U型導(dǎo)電層和氧化鋁基片中具有兩個貫通三者的第一連通孔，此第一連通孔內(nèi)填充有第一金屬柱，所述氮化鋁基片、第二U型導(dǎo)電層和氧化鋁基片中具有兩個貫通三者的第二連通孔，此第二連通孔內(nèi)填充有第二金屬柱；一銀漿焊接層分別覆蓋于所述氮化鋁基片的第一連通孔、氧化鋁基片的第二連通孔各自的端面。本實用新型大大降了燒結(jié)時連接孔內(nèi)的金屬表面產(chǎn)生凹陷的幾率，從而有效避免了空洞的產(chǎn)生，提高了產(chǎn)品的可靠性和良率；且減小器件體積時增加了電容量，從而有利于器件小型化。
文檔編號H01G4/224GK203055684SQ20132004117
公開日2013年7月10日 申請日期2013年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月25日
發(fā)明者喬金彪 申請人:蘇州斯爾特微電子有限公司