專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示領(lǐng)域，特別涉及一種顯示裝置。
背景技術(shù)：
有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(ActiveMatrix/Organic Light Emitting Diode,簡(jiǎn)稱(chēng)為AMOLED)顯示裝置被稱(chēng)為下一代顯示技術(shù)。因?yàn)锳MOLED顯示裝置不管在畫(huà)質(zhì)、效能及成本上，先天表現(xiàn)都比薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Thin Film Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)為T(mén)FT)液晶顯示裝置有很多優(yōu)勢(shì)。在顯示效能方面，AMOLED顯示裝置反應(yīng)速度較快、對(duì)比度更高、視角也較廣，這些是AMOLED顯示裝置天生就勝過(guò)TFT液晶顯示裝置的地方；另外AMOLED顯示裝置具自發(fā)光的特色，不需使用背光源，因此比TFT液晶顯示裝置更能夠做得輕薄，而且更省電；還有一個(gè)更重要的特點(diǎn)，不需使用背光源的AMOLED顯示裝置可以省下占TFT液晶顯示裝置30% 40%的背光源成本。目前，AMOLED顯示裝置良率較低，以目前的良率，AMOLED顯示裝置的價(jià)格足足高出TFT液晶顯示裝置50%，這對(duì)客戶(hù)大量采用的意愿，絕對(duì)是一個(gè)門(mén)檻。即AMOLED顯示裝置良率較低，導(dǎo)致AMOLED顯示裝置成本很高?，F(xiàn)有的AMOLED顯示裝置，如圖1所示，包括面板100'，電路板200'和覆晶薄膜(Chip On Film，簡(jiǎn)寫(xiě)為COFWOO';如圖2所示，所述面板100'包括基板110'和位于其一面的像素120'。所述覆晶薄膜300'將像素120'和電路板200'電路連接，為像素120'供電。這樣的結(jié)構(gòu)，電路板不可更換，因其連接著像素；導(dǎo)致在電路板損壞時(shí)，不能單獨(dú)更換電路板。這樣，導(dǎo)致AMOLED顯示裝置在在電路板損壞時(shí)，整個(gè)AMOLED顯示裝置都無(wú)法使用，也進(jìn)一步導(dǎo)致AMOLED顯示裝置成本很高。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供了一種顯示裝置，其可以單獨(dú)更換電源發(fā)射單元，從而降低了顯示裝置的成本，增強(qiáng)了顯示裝置的實(shí)用效果。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供以下技術(shù)方案:一種顯示裝置，包括面板，所述面板包括基板和設(shè)置于基板一面的像素，還包括:可將磁能轉(zhuǎn)換為電能的電源接收單元，所述電源接收單元設(shè)置在所述基板的另一面，且所述電源接收單元與像素電路連接；可將電能轉(zhuǎn)化為磁能的電源發(fā)射單元，所述電源發(fā)射單元與電源接收單元緊貼設(shè)置且可與電源接收單元產(chǎn)生互感。優(yōu)選地，所述電源接收單元包括自基板起依次排列的屏蔽層和電感層；其中，所述屏蔽層和電感層之間絕緣。優(yōu)選地，所述電源接收單元還包括磁芯層，所述磁芯層與電感層依次排列；其中，所述電感層和磁芯層之間絕緣。[0013]優(yōu)選地，還包括絕緣層，所述絕緣層設(shè)置在所述屏蔽層和電感層之間以及電感層和磁芯層之間。優(yōu)選地，所述電源發(fā)射單元是設(shè)置在印制電路板或柔性電路板上的電源發(fā)射單
J Li ο優(yōu)選地，所述屏蔽層是鋁制屏蔽層。優(yōu)選地，所述電感層是銅制電感層。優(yōu)選地，所述絕緣層是氮化硅絕緣層。優(yōu)選地，所述磁芯層是錳鋅鐵氧體或鎳鋅鐵氧體的磁芯層。優(yōu)選地，所述電源發(fā)射單元是電感線(xiàn)圈。本實(shí)用新型提供的顯示裝置，電源發(fā)射單元與電源接收單元緊貼設(shè)置且之間可產(chǎn)生互感，通過(guò)互感，電源發(fā)射單元將電能轉(zhuǎn)化為磁能，電源接收單元將磁能轉(zhuǎn)化為電能，并為像素提供供電能?；ジ械哪芰哭D(zhuǎn)化方式，使得電源發(fā)射單元與電源接收單元之間只要緊貼設(shè)置即可，不需要其他的連接；這樣，在電源發(fā)射單元損壞時(shí)，可以單獨(dú)更換電源發(fā)射單元，從而降低了實(shí)用新型的顯示裝置的成本，增強(qiáng)了本實(shí)用新型的顯示裝置的實(shí)用效果。

圖1為現(xiàn)有的AMOLED顯示裝置的示意圖；圖2為圖1所示的AMOLED顯示裝置的面板的A-A剖視圖；圖3為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置的示意圖；圖4為圖3所示顯示裝置的B-B剖視圖；圖5為圖4所示顯示裝置面板和電源接收單元的示意圖。主要元件附圖標(biāo)記說(shuō)明:現(xiàn)有技術(shù):100'面板，110'基板，120'像素，200'電路板，300'覆晶薄膜；本實(shí)用新型:100面板，110基板，120像素，200電源接收單元，210屏蔽層，220電感層，230磁芯層，240絕緣層，300電源發(fā)射單元。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。本實(shí)用新型的第一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置，如圖3和圖4所示，包括:面板100，所述面板包括基板110和設(shè)置于基板一面的像素120 ；可將磁能轉(zhuǎn)換為電能的電源接收單元200，所述電源接收單元200設(shè)置在所述基板110的另一面，且所述電源接收單元200與像素120電路連接；[0038]可將電能轉(zhuǎn)化為磁能的電源發(fā)射單元300，所述電源發(fā)射單元300與電源接收單元200緊貼設(shè)置且之間可產(chǎn)生互感。本實(shí)施例的顯示裝置，電源發(fā)射單元與電源接收單元緊貼設(shè)置且之間可產(chǎn)生互感，通過(guò)互感，電源發(fā)射單元將電能轉(zhuǎn)化為磁能，電源接收單元將磁能轉(zhuǎn)化為電能，并為像素提供供電能?；ジ械哪芰哭D(zhuǎn)化方式，使得電源發(fā)射單元與電源接收單元之間只要緊貼設(shè)置即可，不需要其他的連接；這樣，在電源發(fā)射單元損壞時(shí)，可以單獨(dú)更換電源發(fā)射單元，從而降低了本實(shí)施例的顯示裝置的成本，增強(qiáng)了本實(shí)施例的顯示裝置的實(shí)用性。具體地，所述電源發(fā)射單元是電感線(xiàn)圈。需要說(shuō)明的是，電源發(fā)射單元的形式并不限于本實(shí)施例中限定的這一種，只要可以實(shí)現(xiàn)電源發(fā)射的即可，本處只是舉例說(shuō)明。本實(shí)施例的顯示裝置還包括信號(hào)發(fā)射單元和信號(hào)接收單元。信號(hào)發(fā)射單元發(fā)射面板需要顯示的視頻信號(hào)，通過(guò)無(wú)線(xiàn)方式傳輸至信號(hào)接收單元，信號(hào)接收單元接收面板需要顯示的視頻信號(hào)，之后經(jīng)過(guò)進(jìn)一步轉(zhuǎn)換傳輸至面板，面板將視頻信號(hào)顯示。視頻信號(hào)的發(fā)射，接收，轉(zhuǎn)換和顯示是現(xiàn)有技術(shù)中較為成熟的技術(shù)且不是本實(shí)施例的重點(diǎn)，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)自己的需要而選擇不同的技術(shù)，在此不再詳述。作為本實(shí)用新型的第二個(gè)實(shí)施例，本實(shí)施例在第一個(gè)實(shí)施例的基礎(chǔ)上，對(duì)電源接收單元進(jìn)行進(jìn)一步闡述:如圖5所示，所述電源接收單元200包括自基板向外依次排列的屏蔽層210和電感層220 ;其中，所述屏蔽210和電感層220之間絕緣。其中，屏蔽層用于屏蔽面板和電源接收單元，電源發(fā)射單元之間的干擾，電感層用于與電源發(fā)射單元之間產(chǎn)生互感。作為本實(shí)用新型的第三個(gè)實(shí)施例，本實(shí)施例在第二個(gè)實(shí)施例的基礎(chǔ)上，對(duì)電源接收單元進(jìn)行進(jìn)一步闡述:如圖5所示，所述電源接`收單元還包括磁芯層230，所述磁芯層230與電感層220依次排列；其中，所述電感層220和磁芯層230之間絕緣。其中，磁芯層用來(lái)增強(qiáng)電源接收單元和電源發(fā)射單元之間的互感。作為本實(shí)用新型的第四個(gè)實(shí)施例，本實(shí)施例第三個(gè)實(shí)施例的基礎(chǔ)上，對(duì)顯示裝置進(jìn)行進(jìn)一步闡述:如圖5所示,還包括絕緣層240,所述絕緣層240設(shè)置在所述屏蔽層210和電感層220之間以及電感層220和磁芯層230之間。作為本實(shí)用新型的第五個(gè)實(shí)施例，本實(shí)施例在第三個(gè)實(shí)施例的基礎(chǔ)上，對(duì)顯示裝置進(jìn)行進(jìn)一步闡述:所述電源發(fā)射單元轉(zhuǎn)化的電能是中頻方波，所述電感層所需電感量用L表示，L=PXD^-FXI,其中，P為功率，由顯示裝置所消耗的功率決定；D為占空比，是電源發(fā)射單元轉(zhuǎn)化的電能中有效電平所占時(shí)間與周期的比值，F(xiàn)為電源發(fā)射單元轉(zhuǎn)化的電能的頻率，I為電源發(fā)射單元中的電流大小。作為本實(shí)用新型的第六個(gè)實(shí)施例，本實(shí)施例在上述任一個(gè)實(shí)施例的基礎(chǔ)上，對(duì)電源發(fā)射單元進(jìn)行進(jìn)一步闡述:所述電源發(fā)射單元是設(shè)置在印制電路板或柔性電路板上的電源發(fā)射單元。需要說(shuō)明的是，電源發(fā)射單元的設(shè)置形式并不限于本實(shí)施例中限定的這兩種，只要可以實(shí)現(xiàn)電源發(fā)射單元的設(shè)置的即可，本處只是舉例說(shuō)明。作為本實(shí)用新型的第七個(gè)實(shí)施例，本實(shí)施例在第二個(gè)至第五個(gè)實(shí)施例任一個(gè)的基礎(chǔ)上，對(duì)屏蔽層一種優(yōu)選的方式進(jìn)行闡述:所述屏蔽層是鋁制屏蔽層。作為本實(shí)用新型的第八個(gè)實(shí)施例，本實(shí)施例在第二個(gè)至第五個(gè)實(shí)施例任一個(gè)的基礎(chǔ)上，對(duì)電感層一種優(yōu)選的方式進(jìn)行闡述:所述電感層是銅制電感層。作為本實(shí)用新型的第九個(gè)實(shí)施例，本實(shí)施例在第四個(gè)實(shí)施例的基礎(chǔ)上，對(duì)對(duì)絕緣層一種優(yōu)選的方式進(jìn)行闡述:所述絕緣層是氮化硅絕緣層。作為本實(shí)用新型的第十個(gè)實(shí)施例，本實(shí)施例在第三個(gè)實(shí)施例的基礎(chǔ)上，對(duì)磁芯層一種優(yōu)選的方式進(jìn)行闡述:所述磁芯層是錳鋅鐵氧體或鎳鋅鐵氧體的磁芯層。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。例如，盡管上述實(shí)施例中，以AMOLED顯示裝置為例進(jìn)行了說(shuō)明，然而本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，也可以將本實(shí)用新型應(yīng)用于其他顯示裝置，例如無(wú)源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Passive matrix/OrganicLight Emitting Diode,簡(jiǎn)稱(chēng)為 PM0LED)等不需要背光的顯示裝置。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種顯示裝置，包括面板，所述面板包括基板和設(shè)置于基板一面的像素，其特征在于，還包括: 可將磁能轉(zhuǎn)換為電能的電源接收單元，所述電源接收單元設(shè)置在所述基板的另一面，且所述電源接收單元與像素電路連接； 可將電能轉(zhuǎn)化為磁能的電源發(fā)射單元，所述電源發(fā)射單元與電源接收單元緊貼設(shè)置且可與電源接收單元產(chǎn)生互感。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述電源接收單元包括自基板起依次排列的屏蔽層和電感層； 其中，所述屏蔽層和電感層之間絕緣。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，所述電源接收單元還包括磁芯層，所述磁芯層與電感層依次排列； 其中，所述電感層和磁芯層之間絕緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于，還包括絕緣層，所述絕緣層設(shè)置在所述屏蔽層和電感層之間以及電感層和磁芯層之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一所述的顯示裝置，其特征在于，所述電源發(fā)射單元是設(shè)置在印制電路板或柔性電路板上的電源發(fā)射單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一所述的顯示裝置，其特征在于，所述屏蔽層是鋁制屏蔽層。
7.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一所述的顯示裝置，其特征在于，所述電感層是銅制電感層。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于，所述絕緣層是氮化硅絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于，所述磁芯層是錳鋅鐵氧體或鎳鋅鐵氧體的磁芯層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一所述的顯示裝置，其特征在于，所述電源發(fā)射單元是電感線(xiàn)圈。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種顯示裝置，包括面板，所述面板包括基板和設(shè)置于基板一面的像素；可將磁能轉(zhuǎn)換為電能的電源接收單元，所述電源接收單元設(shè)置在所述基板的另一面，且所述電源接收單元與像素電路連接；可將電能轉(zhuǎn)化為磁能的電源發(fā)射單元，所述電源發(fā)射單元與電源接收單元緊貼設(shè)置且可與電源接收單元產(chǎn)生互感。本實(shí)用新型的顯示裝置可以單獨(dú)更換電源發(fā)射單元，從而降低了顯示裝置的成本，增強(qiáng)了顯示裝置的實(shí)用效果。
文檔編號(hào)H01L27/32GK203055912SQ20132004314
公開(kāi)日2013年7月10日 申請(qǐng)日期2013年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月25日
發(fā)明者張春兵, 王崢, 徐利燕, 張紅濤 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司