專利名稱：陣列基板及顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及陣列基板及顯示面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置是一種通過位于面板內(nèi)的像素電極和公共電極之間形成的電場，控制液晶分子的排列，并通過控制液晶分子對光的折射率，從而顯示畫面的一種平板顯示裝置。液晶顯示裝置由陣列基板和彩膜基板構(gòu)成，其中，陣列基板由橫向排列的柵線和縱向排列的數(shù)據(jù)線構(gòu)成。特別地，高級超維場轉(zhuǎn)換模式的液晶顯示裝置中，像素電極和公共電極都設(shè)于陣列基板上。在陣列基板的設(shè)計(jì)中，柵線和數(shù)據(jù)線的數(shù)量通常相等，每個(gè)像素分別與柵線和數(shù)據(jù)線相連，但是，DLS(Data line sharing,共享數(shù)據(jù)線)技術(shù)能夠?qū)?shù)據(jù)線的數(shù)量減少一半。示例性的，如圖1所示，陣列基板上設(shè)有橫向排列的第一柵線10、第二柵線11、第三柵線12和第四柵線13，其中，第一柵線10分別與第一像素I和第三像素3連接；第二柵線11分別與第二像素2和第四像素4連接；第三柵線12分別與第五像素5和第七像素7連接；第四柵線13分別與第六像素6和第八像素8連接。陣列基板上設(shè)有縱向排列的第一數(shù)據(jù)線14和第二數(shù)據(jù)線15，其中，第一數(shù)據(jù)線14的左側(cè)分別與第一像素I和第五像素5連接，右側(cè)分別與第二像素2和第六像素6連接；第二數(shù)據(jù)線15的左側(cè)分別與第三像素3和第七像素7連接，右側(cè)分別與第四像素4和第八像素8連接。液晶顯示裝置采用點(diǎn)翻轉(zhuǎn)驅(qū)動方式以避免液晶的極化現(xiàn)象已成為主流，當(dāng)所述液晶顯示裝置采用點(diǎn)翻轉(zhuǎn)驅(qū)動方式工作時(shí)，任一數(shù)據(jù)線輸入點(diǎn)翻轉(zhuǎn)信號，即在形成電場的過程中第一次(即，在掃描某一行柵線時(shí))形成正向電場，第二次(即，在掃描下一行柵線時(shí))形成反向電場。陣列基板采用點(diǎn)翻轉(zhuǎn) 驅(qū)動方式時(shí)實(shí)際產(chǎn)生的像素極性示意圖如圖2所示，第一柵線提供驅(qū)動信號時(shí)，第一數(shù)據(jù)線提供正極信號，第二數(shù)據(jù)線提供負(fù)極信號，此時(shí)第一像素形成正向電場，第三像素形成反向電場；第二柵線提供驅(qū)動信號時(shí)，第一數(shù)據(jù)線提供負(fù)極信號，第二數(shù)據(jù)線提供正極信號，此時(shí)第二像素形成反向電場，第四像素形成正向電場；第三柵線提供驅(qū)動信號時(shí)，第一數(shù)據(jù)線提供正極信號，第二數(shù)據(jù)線提供負(fù)極信號，此時(shí)第五像素形成正向電場，第七像素形成反向電場；第四柵線提供驅(qū)動信號時(shí)，第一數(shù)據(jù)線提供負(fù)極信號，第二數(shù)據(jù)線提供正極信號，此時(shí)第六像素形成反向電場，第八像素形成正向電場。然而，當(dāng)所述液晶顯示裝置采用點(diǎn)翻轉(zhuǎn)驅(qū)動方式工作時(shí)，相鄰像素極性相同有可能會引起像素間的耦合或串?dāng)_，這不符合點(diǎn)翻轉(zhuǎn)驅(qū)動方式所要達(dá)到的相鄰像素的極性相反的要求。這樣導(dǎo)致在液晶面板的部分區(qū)域出現(xiàn)了極性不對稱的現(xiàn)象，從而引發(fā)了像素之間的耦合、串?dāng)_等現(xiàn)象，降低了液晶顯示裝置的畫面質(zhì)量。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種陣列基板及顯示面板，能夠在采用共享數(shù)據(jù)線技術(shù)減少數(shù)據(jù)線用量的同時(shí)，克服點(diǎn)翻轉(zhuǎn)驅(qū)動方式下極性不對稱的現(xiàn)象，降低了像素之間的耦合、串?dāng)_現(xiàn)象，提高了液晶顯示裝置的畫面質(zhì)量。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板，包括:基板；設(shè)置于所述基板上的多個(gè)第一像素組和多個(gè)第二像素組，所述第一像素組和所述第二像素組互相間隔設(shè)置并構(gòu)成像素陣列；其中，每個(gè)所述第一像素組均包括兩個(gè)第一像素單元，各所述第一像素單元包括與公共電極連接的第一像素電極以及與所述第一像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接的第二像素電極，每個(gè)所述第二像素組均包括兩個(gè)第二像素單元，各所述第二像素單元包括與所述第二像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接的第三像素電極以及與所述公共電極連接的第四像素電極。 所述第一像素單元中，所述第二像素電極形成于所述第一像素電極的上方。所述第二像素單元中，所述第四像素電極形成于所述第三像素電極的上方。所述第二像素單元中，所述第三像素電極通過第五像素電極與所述第二像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接，所述第五像素電極與所述第四像素電極同層設(shè)置。所述陣列基板還包括:交叉設(shè)置于所述基板上的2η條柵線以及η條數(shù)據(jù)線，其中，η為正整數(shù)。每個(gè)所述第一或第二像素組`由兩條柵線和一條數(shù)據(jù)線驅(qū)動。所述數(shù)據(jù)線分別與各所述第一像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的源極和各所述第二像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的源極連接。本實(shí)用新型實(shí)施例包括一種顯示面板，包括具有上述任一特征的陣列基板。本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的陣列基板及顯示面板，陣列基板包括基板，以及設(shè)置于所述基板上的多個(gè)第一像素組和多個(gè)第二像素組，所述第一像素組和所述第二像素組互相間隔設(shè)置并構(gòu)成像素陣列，其中，每個(gè)所述第一像素組均包括兩個(gè)第一像素單元，各所述第一像素單元包括與公共電極連接的第一像素電極以及與所述第一像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接的第二像素電極，每個(gè)所述第二像素組均包括兩個(gè)第二像素單元，各所述第二像素單元包括與所述第二像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接的第三像素電極以及與所述公共電極連接的第四像素電極。通過該方案，能夠通過陣列間隔設(shè)置于基板上的第一像素組，以及設(shè)置于各相鄰的第一像素組之間的第二像素組，在采用共享數(shù)據(jù)線技術(shù)減少數(shù)據(jù)線用量的同時(shí)，克服點(diǎn)翻轉(zhuǎn)驅(qū)動方式下極性不對稱的現(xiàn)象，降低了像素之間的耦合、串?dāng)_現(xiàn)象，提高了液晶顯示裝置的畫面質(zhì)量。

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)提供的采用點(diǎn)翻轉(zhuǎn)驅(qū)動方式時(shí)陣列基板的極性示意圖；[0023]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第一像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第一像素單元工作時(shí)的電場方向示意圖；圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第二像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第二像素單元工作時(shí)的電場方向示意圖；圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的采用點(diǎn)翻轉(zhuǎn)驅(qū)動方式時(shí)陣列基板的極性示意圖；圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的制作陣列基板的方法流程圖一；圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的制作陣列基板的方法流程圖二。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板1，如圖3所示，包括:基板10 ；設(shè)置于基板10上的多個(gè)第一像素組11 (圖3中虛線框所示)和多個(gè)第二像素組12(圖3中虛線框所示)，第一像素組11和第二像素組12互相間隔設(shè)置并構(gòu)成像素陣列；其中，每個(gè)第一像素組11均包括兩個(gè)第一像素單元110，各第一像素單元110包括與公共電極連接的第一像素電極以及與第一像素單元110的驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)的漏極連接的第二像素電極，每個(gè)第二像素組12均包括兩個(gè)第二像素單元120，各第二像素單元120包括與第二像素單元120的驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)的漏極連接的第三像素電極以及與公共電極連接的第四像素電極。具體地，如圖4所示，第一像素單元110具體包括:設(shè)置于基板10上的第一柵極1100和第一像素電極1101 ;設(shè)置于第一像素電極1101上的公共電極20，其中，第一像素電極1101與公共電極20直接接觸；設(shè)置于第一柵極1100、第一像素電極1101和公共電極20上的柵絕緣層1102 ；設(shè)置于第一柵極1100上方的第一有源層1103、第一源極1104和第一漏極1105 ；設(shè)置于第一有源層1103、第一源極1104、第一漏極1105以及柵絕緣層1102上的絕緣層1106，其中，絕緣層1106的在第一漏極1105上方的位置處形成有第一過孔1107 ；設(shè)置于第一漏極1105以及絕緣層1106上的第二像素電極1108，其中，第二像素電極1108與第一漏極1105通過第一過孔1107直接接觸。需要說明的是，由于第一像素單元110的第一像素電極1101與公共電極20直接接觸，且第二像素電極1108與第一漏極1105通過第一過孔1107直接接觸，因此，如圖5所示，在第一像素單元110工作中收到正極性的顯示信號時(shí)，第一像素電極1101與公共電極20，以及第二像素電極1108與第一漏極1105之間形成向下的電場。進(jìn)一步地，如 圖6所示，第二像素單元120具體包括:設(shè)置于基板10上的第二柵極1200、第三像素電極1201和公共電極20 ；[0046]設(shè)置于第二柵極1200、第三像素電極1201以及公共電極20上的柵絕緣層1202 ；設(shè)置于第二柵極1200上方的第二有源層1203、第二源極1204和第二漏極1205 ；設(shè)置于第二有源層1203、第二源極1204、第二漏極1205以及柵絕緣層1202上的絕緣層1206，其中，絕緣層1206和柵絕緣層1202的在第三像素電極1201上方的位置處形成有第二過孔1207，絕緣層1206和柵絕緣層1202的在公共電極20上方的位置處形成有第三過孔1208，絕緣層1206的在第二漏極1205上方的位置處形成有第四過孔1209 ；設(shè)置于第二漏極1205、第三像素電極1201、公共電極20以及絕緣層1206上的第四像素電極1210 (虛線右側(cè)所示)和第五像素電極1211 (虛線左側(cè)所示)，其中，第四像素電極1210與第五像素電極1211不接觸，第五像素電極1211與第三像素電極1201通過第二過孔1207直接接觸，第四像素電極1210與公共電極20通過第三過孔1208直接接觸，第五像素電極1211與第二漏極1205通過第四過孔1209直接接觸。需要說明的是，由于第二像素單元120的第五像素電極1211與第三像素電極1201通過第二過孔1207直接接觸，且第四像素電極1210與公共電極20通過第三過孔1208直接接觸，第五像素電極1211與第二漏極1205通過第四過孔1209直接接觸，因此，如圖7所示，在第二像素單元120工作中收到正極性的顯示信號時(shí)，第四像素電極1210與第三像素電極1201，以及公共電極20與第二漏極1205之間形成向上的電場。 進(jìn)一步地，陣列基板I還包括:交叉設(shè) 置于基板10上的2η條柵線13以及η條數(shù)據(jù)線14，其中，η為正整數(shù)。進(jìn)一步地，每個(gè)第一或第二像素組由兩條柵線和一條數(shù)據(jù)線驅(qū)動。需要說明的是，具有上述結(jié)構(gòu)的陣列基板在采用點(diǎn)翻轉(zhuǎn)驅(qū)動方式工作時(shí)，數(shù)據(jù)線輸入點(diǎn)翻轉(zhuǎn)信號，即在形成電場的過程中第一次(即掃描某一行柵線時(shí))形成正向電場，第二次(即掃描下一行柵線時(shí))形成反向電場。采用本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的第一像素單元110和第二像素單元120，能夠改變原本現(xiàn)有技術(shù)中像素單元的極性，使陣列基板采用點(diǎn)翻轉(zhuǎn)驅(qū)動方式時(shí)的產(chǎn)生的極性示意圖如圖8所示，從而在采用共享數(shù)據(jù)線技術(shù)減少數(shù)據(jù)線用量的同時(shí)，克服原有的點(diǎn)翻轉(zhuǎn)驅(qū)動方式下極性不對稱的現(xiàn)象，降低了像素之間的耦合、串?dāng)_現(xiàn)象，提高了液晶顯示裝置的畫面質(zhì)量。進(jìn)一步地，數(shù)據(jù)線14分別與各第一像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的源極1104和各第二像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的源極1204連接。需要補(bǔ)充的是，本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的第一像素單元110的結(jié)構(gòu)和第二像素單元120的結(jié)構(gòu)的區(qū)別在于，第一像素單元110工作時(shí)，第一像素電極1101與公共電極20，以及第二像素電極1108與第一漏極1105之間形成向下的電場；第二像素單元120工作時(shí)，第四像素電極1210與第三像素電極1201，以及公共電極20與第二漏極1205之間形成向上的電場。其目的在于使陣列基板采用點(diǎn)翻轉(zhuǎn)驅(qū)動方式時(shí)的產(chǎn)生的極性示意圖如圖8所示，從而在采用共享數(shù)據(jù)線技術(shù)減少數(shù)據(jù)線用量的同時(shí)，克服點(diǎn)翻轉(zhuǎn)驅(qū)動方式下極性不對稱的現(xiàn)象，降低了像素之間的耦合、串?dāng)_現(xiàn)象，提高了液晶顯示裝置的畫面質(zhì)量。同理的，本實(shí)用新型所提供的第一像素單元110可以在工作時(shí)，第一像素電極1101與公共電極20，以及第二像素電極1108與第一漏極1105之間形成向上的電場；第二像素單元120工作時(shí)，第四像素電極1210與第三像素電極1201，以及公共電極20與第二漏極1205之間形成向下的電場，本實(shí)用新型不做限制。[0058]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板，包括基板，以及設(shè)置于基板上的多個(gè)第一像素組和多個(gè)第二像素組，第一像素組和第二像素組互相間隔設(shè)置并構(gòu)成像素陣列，其中，每個(gè)第一像素組均包括兩個(gè)第一像素單元，各第一像素單元包括與公共電極連接的第一像素電極以及與第一像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接的第二像素電極，每個(gè)第二像素組均包括兩個(gè)第二像素單元，各第二像素單元包括與第二像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接的第三像素電極以及與公共電極連接的第四像素電極。通過該方案，能夠通過陣列間隔設(shè)置于基板上的第一像素組，以及設(shè)置于各相鄰的第一像素組之間的第二像素組，在采用共享數(shù)據(jù)線技術(shù)減少數(shù)據(jù)線用量的同時(shí)，克服點(diǎn)翻轉(zhuǎn)驅(qū)動方式下極性不對稱的現(xiàn)象，降低了像素之間的耦合、串?dāng)_現(xiàn)象，提高了液晶顯示裝置的畫面質(zhì)量。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，如圖9所示，包括:S101、在基板上交叉設(shè)置2η條柵線以及η條數(shù)據(jù)線。其中，η為正整數(shù)。數(shù)據(jù)線與第一源極和/或第二源極連接。采用共享數(shù)據(jù)線技術(shù)，在基板上交叉設(shè)置2η條柵線以及η條數(shù)據(jù)線。S102、在基板上設(shè)置多個(gè)第一像素組和第二像素組，第一像素組和第二像素組互相間隔設(shè)置并構(gòu)成像素陣列。其中，每個(gè)第一像素組均包括兩個(gè)第一像素單元，各第一像素單元包括與公共電極連接的第一像素電極以及與第一像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接的第二像素電極，每個(gè)第二像素組均包括兩個(gè)第二像素單元，各第二像素單元包括與第二像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接的第三像素電極以及與公共電極連接的第四像素電極。[0066]具體的，在基板上設(shè)置多個(gè)第一像素組和第二像素組的方法，如圖10所示，具體包括:S201、在基板上設(shè)置第一像素電極以及第三像素電極。S202、在基板上設(shè)置第一柵極、第二柵極并在第一像素電極以及基板上設(shè)置公共電極，其中，第一像素電極與公共電極直接接觸。其中，第一柵極與對應(yīng)的柵線相連，第二柵極與對應(yīng)的柵線相連。需要說明的是，在制作第一像素單元時(shí)，由于柵極和公共電極的材料相同，通常通過一次刻蝕掩膜工藝就可同時(shí)制作獲得，因此，本實(shí)用新型實(shí)施例在制作第一像素單元時(shí)，先在基板上設(shè)置第一像素電極，再通過刻蝕掩膜工藝同時(shí)形成第一柵極，以及位于第一像素電極上的公共電極，其中，第一像素電極與公共電極直接接觸。S203、至少在第一柵極、第二柵極、第一像素電極、第三像素電極以及公共電極上設(shè)置柵絕緣層。S204、在第一柵極上方隔著柵絕緣層設(shè)置第一有源層、第一源極和第一漏極，以及在第二柵極上方隔著柵絕緣層設(shè)置第二有源層、第二源極和第二漏極。S205、在第一有源層、第二有源層、第一源極、第二源極、第一漏極、第二漏極以及柵絕緣層上設(shè)置鈍化絕緣層，其中，第一漏極上方形成有延伸至第一漏極的第一過孔，第三像素電極上方形成有延伸至第三像素電極的第二過孔，公共電極上方形成有延伸至公共電極的第三過孔，第二漏極上方形成有延伸至第二漏極的第四過孔。S206、在第一漏極以及鈍化絕緣層上設(shè)置第二像素電極，其中，第二像素電極與第一漏極通過第一過孔直接接觸，以及在第二漏極、第三像素電極、公共電極以及鈍化絕緣層上設(shè)置第四像素電極和第五像素電極，其中，第五像素電極與第三像素電極通過第二過孔直接接觸，第四像素電極與公共電極通過第三過孔直接接觸，第五像素電極與第二漏極通過第四過孔直接接觸。需要說明的是，由于第一像素單元的第一像素電極與公共電極直接接觸，且第二像素電極與第一漏極通過第一過孔直接接觸，因此，如圖5所示，在第一像素單元工作時(shí)，第一像素電極與公共電極，以及第二像素電極與第一漏極之間形成向下的電場。由于第二像素單元的第四像素電極與第三像素電極通過第二過孔直接接觸，且第四像素電極與公共電極通過第三過孔直接接觸，第四像素電極與第二漏極通過第四過孔直接接觸，因此，如圖7所示，在第二像素單元工作時(shí)，第四像素電極與第三像素電極，以及公共電極與第二漏極之間形成向上的電場。需要說明的是，具有上述結(jié)構(gòu)的陣列基板在采用點(diǎn)翻轉(zhuǎn)驅(qū)動方式工作時(shí)，數(shù)據(jù)線輸入點(diǎn)翻轉(zhuǎn)信號，即在形成電場的過程中第一次形成正向電場，第二形成反向電場。米用本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的第一像素單元和第二像素單元，能夠改變原本現(xiàn)有技術(shù)中像素單元的極性，使陣列基板采用點(diǎn)翻轉(zhuǎn)驅(qū)動方式時(shí)的產(chǎn)生的極性示意圖如圖8所示，從而在采用共享數(shù)據(jù)線技術(shù)減少數(shù)據(jù)線用量的同時(shí)，克服點(diǎn)翻轉(zhuǎn)驅(qū)動方式下極性不對稱的現(xiàn)象，降低了像素之間的耦合、串?dāng)_現(xiàn)象，提高了液晶顯示裝置的畫面質(zhì)量。需要補(bǔ)充的是，本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的第一像素單元的結(jié)構(gòu)和第二像素單元的結(jié)構(gòu)的區(qū)別在于，第一像素單元工作時(shí)，第一像素電極與公共電極，以及第二像素電極與第一漏極之間形成向下的電場；第二像素單元工作時(shí)，第四像素電極與第三像素電極，以及公共電極與第二漏極之間形成向上的電場。其目的在于使陣列基板采用點(diǎn)翻轉(zhuǎn)驅(qū)動方式時(shí)的產(chǎn)生的極性，如圖8所示，從而在采用共享數(shù)據(jù)線技術(shù)減少數(shù)據(jù)線用量的同時(shí)，克服點(diǎn)翻轉(zhuǎn)驅(qū)動方式下極性不對稱的現(xiàn)象，降低了像素之間的耦合、串?dāng)_現(xiàn)象，提高了液晶顯示裝置的畫面質(zhì)量。同理的，本實(shí)用新型所提供的第一像素單元可以在工作時(shí)，第一像素電極與公共電極，以及第二像素電極與·第一漏極之間形成向上的電場；第二像素單元工作時(shí)，第四像素電極與第三像素電極，以及公共電極與第二漏極之間形成向下的電場，本實(shí)用新型不做限制。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，包括在基板上設(shè)置第一像素電極以及第三像素電極，在基板上設(shè)置第一柵極、第二柵極并在第一像素電極以及基板上設(shè)置公共電極，其中，第一像素電極與公共電極直接接觸，至少在第一柵極、第二柵極、第一像素電極、第三像素電極以及公共電極上設(shè)置柵絕緣層，在第一柵極上方隔著柵絕緣層設(shè)置第一有源層、第一源極和第一漏極，以及在第二柵極上方隔著柵絕緣層設(shè)置第二有源層、第二源極和第二漏極，在第一有源層、第二有源層、第一源極、第二源極、第一漏極、第二漏極以及柵絕緣層上設(shè)置鈍化絕緣層，其中，第一漏極上方形成有延伸至第一漏極的第一過孔，第三像素電極上方形成有延伸至第三像素電極的第二過孔，公共電極上方形成有延伸至公共電極的第三過孔，第二漏極上方形成有延伸至第二漏極的第四過孔，在第一漏極以及鈍化絕緣層上設(shè)置第二像素電極，其中，第二像素電極與第一漏極通過第一過孔直接接觸，以及在第二漏極、第三像素電極、公共電極以及鈍化絕緣層上設(shè)置第四像素電極和第五像素電極，其中，第五像素電極與第三像素電極通過第二過孔直接接觸，第四像素電極與公共電極通過第三過孔直接接觸，第五像素電極與第二漏極通過第四過孔直接接觸。通過該方案，能夠通過陣列間隔設(shè)置于基板上的第一像素組，以及設(shè)置于各相鄰的第一像素組之間的第二像素組，在采用共享數(shù)據(jù)線技術(shù)減少數(shù)據(jù)線用量的同時(shí)，克服點(diǎn)翻轉(zhuǎn)驅(qū)動方式下極性不對稱的現(xiàn)象，降低了像素之間的耦合、串?dāng)_現(xiàn)象，提高了液晶顯示裝置的畫面質(zhì)量。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種顯示面板，包括具有上述任意特征的陣列基板。本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的顯示面板可以為液晶顯示裝置，液晶顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有顯示功能的產(chǎn)品或者部本實(shí)用新型不做限制。以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn) 。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，其特征在于，包括: 基板； 設(shè)置于所述基板上的多個(gè)第一像素組和多個(gè)第二像素組，所述第一像素組和所述第二像素組互相間隔設(shè)置并構(gòu)成像素陣列； 其中，每個(gè)所述第一像素組均包括兩個(gè)第一像素單元，各所述第一像素單元包括與公共電極連接的第一像素電極以及與所述第一像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接的第二像素電極，每個(gè)所述第二像素組均包括兩個(gè)第二像素單元，各所述第二像素單元包括與所述第二像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接的第三像素電極以及與所述公共電極連接的第四像素電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一像素單元中，所述第二像素電極形成于所述第一像素電極的上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二像素單元中，所述第四像素電極形成于所述第三像素電極的上方。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第二像素單元中，所述第三像素電極通過第五像素電極與所述第二像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接，所述第五像素電極與所述第四像素電極同層設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括: 交叉設(shè)置于所述基板上的2η條柵線以及η條數(shù)據(jù)線，其中，η為正整數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，每個(gè)所述第一或第二像素組由兩條柵線和一條數(shù)據(jù)線驅(qū)動。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線分別與各所述第一像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的源極和各所述第二像素單元的驅(qū)動薄膜晶體管的源極連接。
8.—種顯 示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的陣列基板。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例提供陣列基板及顯示面板，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，能夠在采用共享數(shù)據(jù)線技術(shù)減少數(shù)據(jù)線用量的同時(shí)，克服點(diǎn)翻轉(zhuǎn)驅(qū)動方式下極性不對稱的現(xiàn)象，降低了像素之間的耦合、串?dāng)_現(xiàn)象，提高了液晶顯示裝置的畫面質(zhì)量。陣列基板包括基板；設(shè)置于基板上的多個(gè)第一像素組和多個(gè)第二像素組，第一像素組和第二像素組互相間隔設(shè)置并構(gòu)成像素陣列；每個(gè)第一像素組均包括兩個(gè)第一像素單元，各第一像素單元包括與公共電極連接的第一像素電極以及與第一像素單元的漏極連接的第二像素電極，每個(gè)第二像素組均包括兩個(gè)第二像素單元，各第二像素單元包括與第二像素單元的漏極連接的第三像素電極以及與公共電極連接的第四像素電極。
文檔編號H01L27/12GK203117621SQ201320135708
公開日2013年8月7日 申請日期2013年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月22日
發(fā)明者石領(lǐng), 史世明 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司