專利名稱：厚膜抗硫化貼片電阻器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電阻器，尤其是涉及一種厚膜抗硫化貼片電阻器及其制造方法。
背景技術(shù)：
貼片電阻器，也稱貼片電阻，因具有體積小、重量輕、適應(yīng)回流焊與波峰焊、電性能穩(wěn)定、可靠性高、裝配成本低、并與自動裝貼設(shè)備匹配、機(jī)械強(qiáng)度高和高頻特性優(yōu)越等優(yōu)點(diǎn)，而廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、手機(jī)、電子辭典、醫(yī)療電子產(chǎn)品、攝錄機(jī)、電子電度表及VCD機(jī)等領(lǐng)域。但是，在一些硫化氣體濃度較大的場合，譬如，火山氣體排放的地方、農(nóng)場、葡萄酒釀造、停車場、化工廠、礦業(yè)及火力發(fā)電廠等，使用貼片電阻的電子設(shè)備經(jīng)常會產(chǎn)生硫化反應(yīng)而使電阻開路的現(xiàn)象。這是因?yàn)槠胀ǖ馁N片電阻器抗硫化能力不強(qiáng)造成的，普通貼片電阻器通常包括絕緣基板10，背面電極32，正面電極22，電阻層23，第一保護(hù)層25，第二保護(hù)層28，側(cè)面電極33，鎳鍍層40，錫鍍層50，如圖4所示。所述貼片電阻器的抗硫化能力之所以不強(qiáng)，主要是因?yàn)椴牧霞爱a(chǎn)品結(jié)構(gòu)上存在如下缺點(diǎn):其鍍鎳層40和錫鍍層50直接搭接在第二保護(hù)層28的邊緣，而第二保護(hù)層的材料通常為樹脂材料，當(dāng)客戶在PCB板上對貼片電阻器進(jìn)行波峰焊或回流焊接時，由于電鍍鎳層和電鍍錫層與第二保護(hù)層的材料不同，因此其膨脹系數(shù)也就不同。一般來講，第二保護(hù)層的樹脂材料的膨脹系數(shù)大于電鍍鎳層的鎳材料的膨脹系數(shù)和電鍍錫層的錫材料的膨脹系數(shù)。因此，PCB板貼裝后過波峰焊或回流焊時，第二保護(hù)層會將搭接在其邊緣的電鍍鎳層和電鍍錫層頂開一些，使內(nèi)部的正面電極直接接觸到空氣中的硫及硫化物，正面電極的材料為銀，隨著時間的加長，正面電極的銀材料就會被硫化而使電阻開路。
因此，在這些特殊場所，厚膜抗硫化貼片電阻器具有非常廣泛的實(shí)際應(yīng)用，也被越來越多的電子設(shè)備生產(chǎn)廠家所重視。目前，貼片電阻器抗硫化的解決方案常采用耐硫化的貴金屬材料來替換或包覆正面電極的銀材料層，其主要缺點(diǎn)是成本過高。而電阻器作為電子線路上最基本的組件，過高的成本，必然使這類使用貴金屬材料的耐硫化電阻器無法應(yīng)用到普通的電子產(chǎn)品中。
發(fā)明內(nèi)容為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提出一種厚膜抗硫化貼片電阻器，通過選擇合適的材料，并對普通貼片電阻器的結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn)，使普通貼片電阻器具有良好的抗硫化效果的同時，降低其生產(chǎn)成本，使其能夠廣泛應(yīng)用到普通的電子產(chǎn)品中。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種厚膜抗硫化貼片電阻器，包括一方形絕緣基板，以使用方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，所述絕緣基板兩端的下表面分別覆蓋有一層背面電極；所述絕緣基板兩端的上表面分別覆蓋有一層第一正面電極，兩個所述第一正面電極之間的所述絕緣基板的上表面覆蓋有電阻層，兩個所述第一正面電極上覆蓋有一層第二正面電極，然后在所述電阻層上覆蓋第一保護(hù)層，經(jīng)激光切割后，再覆蓋一層第二保護(hù)層；所述電阻層兩端分別延伸覆蓋住所述第一正面電極的一部分；所述第二正面電極延伸擇一覆蓋住所述電阻層的一部分和所述第一保護(hù)層的一部分；所述第二保護(hù)層延伸覆蓋住所述第二正面電極的一部分；所述絕緣基板兩端的端面上分別覆蓋有一層側(cè)面電極，所述側(cè)面電極延伸覆蓋住所述第一正面電極背向所述電阻層的一端的端面、且延伸覆蓋住所述第二正面電極背向所述第一保護(hù)層的一端的端面，且延伸覆蓋住所述背面電極背向所述絕緣基板中部的一端的端面；所述第二正面電極、所述側(cè)面電極和所述背面電極上覆蓋有一層鎳鍍層，所述鎳鍍層完全覆蓋住所述第二正面電極、所述側(cè)面電極和所述背面電極，且所述鎳鍍層搭接在所述第二保護(hù)層的端面上；所述鎳鍍層上覆蓋有一層錫鍍層，所述錫鍍層完全覆蓋住所述鎳鍍層，且所述錫鍍層搭接在所述第二保護(hù)層的端面上。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述電阻層為通過激光鐳射調(diào)整至設(shè)定阻值的電阻層。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第二保護(hù)層上部分覆蓋有一層標(biāo)識層。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第二保護(hù)層的膨脹系數(shù)與所述第二正面電極的膨脹系數(shù)相匹配。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，另設(shè)有第三正面電極，所述第三正面電極位于所述第二正面電極和所述鎳鍍層之間，且所述第三正面電極延伸擇一覆蓋住所述電阻層的一部分和所述第一保護(hù)層的一部分。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第二保護(hù)層的膨脹系數(shù)與所述第三正面電極的膨脹系數(shù)相匹配。 本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型提供一種厚膜抗硫化貼片電阻器，與現(xiàn)有技術(shù)中厚膜貼片電阻器的結(jié)構(gòu)相比，本實(shí)用新型通過在第一正面電極上增設(shè)一層第二正面電極，形成第二正面電極與電阻層以及第二正面電極與第一保護(hù)層的重疊交錯結(jié)構(gòu)。具體重疊交錯結(jié)構(gòu)可以為:電阻層加長延伸覆蓋住第一正面電極的一部分，然后第二正面電極延伸覆蓋住電阻層的一部分。重疊交錯結(jié)構(gòu)還可以為:第一保護(hù)層加長延伸覆蓋住第一正面電極的一部分，然后第二正面電極延伸覆蓋住第一保護(hù)層的一部分。通過上述重疊交錯結(jié)構(gòu)，達(dá)到延長硫化路徑的目的，從而提高貼片電阻器的抗硫化性能。較佳的，第二保護(hù)層的膨脹系數(shù)與第二正面電極的膨脹系數(shù)相匹配。這樣，在貼片電阻器PCB板波峰焊或回流焊接時，即在溫變過程中，第二保護(hù)層的膨脹收縮和第二正面電極的膨脹收縮一致，可以有效避免了貼片電阻器在PCB板波峰焊或回流焊接時存在的電鍍鎳層和電鍍錫層與第二保護(hù)層因材料膨脹系數(shù)不同而出現(xiàn)裂縫，致使硫化氣體腐蝕電極的現(xiàn)象。較佳的，可以通過在第二正面電極上增設(shè)第三正面電極，形成第一正面電極與電阻層，第二正面電極和第三正面電極與第一保護(hù)層的重疊交錯結(jié)構(gòu)。具體重疊交錯結(jié)構(gòu)可以為:電阻層加長延伸覆蓋住第一正面電極的一部分，然后第二正面電極延伸覆蓋住電阻層的一部分，第一保護(hù)層延伸覆蓋住第二正面電極的一部分，第三正面電極覆蓋住第一保護(hù)層的一部分，第二保護(hù)層覆蓋住第三正面電極的一部分。重疊交錯結(jié)構(gòu)還可以為:第一保護(hù)層加長延伸覆蓋住第一正面電極的一部分，然后第二正面電極延伸覆蓋住第一保護(hù)層的一部分，第三正面電極延伸覆蓋住第一保護(hù)層的一部分，第二保護(hù)層覆蓋住第三正面電極的一部分。通過上述重疊交錯結(jié)構(gòu)，達(dá)到極大延長硫化路徑的目的，從而提高貼片電阻器的抗硫化性能。較佳的，第二保護(hù)層的膨脹系數(shù)與第三正面電極的膨脹系數(shù)相匹配。避免了貼片電阻器在PCB板波峰焊或回流焊接時存在的電鍍鎳層和電鍍錫層與第二保護(hù)層因材料膨脹系數(shù)不同而出現(xiàn)裂縫，致使硫化氣體腐蝕電極的現(xiàn)象。具體生產(chǎn)制造本實(shí)用新型貼片電阻器時，第二保護(hù)層的絕緣材料為樹脂漿料，第三正面電極的電極材料為特殊的低溫樹脂銀漿，且該低溫樹脂銀漿的膨脹系數(shù)與樹脂漿料的膨脹系數(shù)是完全匹配的，這就完全避免了電阻器在PCB板波峰焊或回流焊接時存在的電鍍鎳層和電鍍錫層與第二保護(hù)層因材料膨脹系數(shù)不同而出現(xiàn)裂縫，致使硫化氣體腐蝕電極的現(xiàn)象。本實(shí)用新型重疊交錯結(jié)構(gòu)可以根據(jù)貼片電阻器的功能需要，在第一正面電極上控制增設(shè)正面電極的數(shù)量。比如，為了提高貼片電阻電極的散熱能力，獲得高功率的貼片電阻器，可以在第一正面電極上增設(shè)第二正面電極的同時，在第二正面電極上增設(shè)第三正面電極。由于本實(shí)用新型是從貼片電阻器的結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn)其抗硫化性，而非使用金屬材料來替換或包覆正面電極。因此，能夠大大降低厚膜抗硫化貼片電阻器的生產(chǎn)成本，使其能夠廣泛應(yīng)用到普通的電子產(chǎn)品中。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例1 一剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例1另一剖面結(jié)構(gòu)示意圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例2剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為現(xiàn)有技術(shù)普通貼片電阻器剖面結(jié)構(gòu)示意圖。結(jié)合附圖，作以下說明:10——絕緣基板22——第一正面電極23——電阻層24——第二正面電極25——第一保護(hù)層27——第三正面電極28——第二保護(hù)層32——背面電極33——側(cè)面電極40——鎳鍍層50——錫鍍層
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施進(jìn)行詳細(xì)說明。實(shí)施例1如圖1和圖2所示，一種厚膜抗硫化貼片電阻器，包括一方形絕緣基板10，以使用方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，絕緣基板兩端的下表面分別覆蓋有一層背面電極32 ;絕緣基板兩端的上表面分別覆蓋有一層第一正面電極22，兩個第一正面電極之間的絕緣基板的上表面覆蓋有一層電阻層23，兩個第一正面電極上覆蓋有一層第二正面電極24，然后在電阻層上依次覆蓋第一保護(hù)層25和第二保護(hù)層28 ;電阻層兩端分別延伸覆蓋住第一正面電極的一部分；第二正面電極延伸擇一覆蓋住電阻層的一部分和第一保護(hù)層的一部分；第二保護(hù)層延伸覆蓋住第二正面電極的一部分；與現(xiàn)有技術(shù)中厚膜貼片電阻器的結(jié)構(gòu)相比，本實(shí)用新型通過在第一正面電極上增設(shè)一層第二正面電極，第二正面電極與電阻層以及第二正面電極與第一保護(hù)層的重疊交錯結(jié)構(gòu)，具體重疊交錯結(jié)構(gòu)可以為:電阻層加長延伸覆蓋住第一正面電極的一部分，然后第二正面電極延伸覆蓋住電阻層的一部分，參見圖1。重疊交錯結(jié)構(gòu)還可以為:第一保護(hù)層加長延伸覆蓋住第一正面電極的一部分，然后第二正面電極延伸覆蓋住第一保護(hù)層的一部分，參見圖2。通過上述重疊交錯結(jié)構(gòu)，達(dá)到延長硫化路徑的目的，從而提高貼片電阻器的抗硫化性能。絕緣基板兩端的端面上分別覆蓋有一層側(cè)面電極33，側(cè)面電極延伸覆蓋住第一正面電極背向電阻層的一端的端面、且延伸覆蓋住第二正面電極背向第一保護(hù)層的一端的端面，且延伸覆蓋住背面電極背向絕緣基板中部的一端的端面；第二正面電極、側(cè)面電極和背面電極上覆蓋有一層鎳鍍層40，鎳鍍層完全覆蓋住第二正面電極、側(cè)面電極和背面電極，且鎳鍍層搭接在第二保護(hù)層的端面上；鎳鍍層上覆蓋有一層錫鍍層50，錫鍍層完全覆蓋住鎳鍍層，且錫鍍層搭接在第二保護(hù)層的端面上。優(yōu)選的，電阻層為通過激光鐳射調(diào)整至設(shè)定阻值的電阻層。優(yōu)選的，第二保護(hù)層上部分覆蓋有一層標(biāo)識層。優(yōu)選的，第二保護(hù)層的膨脹系數(shù)與第二正面電極的膨脹系數(shù)相匹配。這樣，在貼片電阻器在PCB板波峰焊或回流焊接時，即在溫變過程中，第二保護(hù)層的膨脹收縮和第二正面電極的膨脹收縮一致，可以有效避免了貼片電阻器在PCB板波峰焊或回流焊接時存在的電鍍鎳層和電鍍錫層與第二保護(hù)層因材料膨脹系數(shù)不同而出現(xiàn)裂縫，致使硫化氣體腐蝕電極的現(xiàn)象。實(shí)施例2如圖3所示，本實(shí)施例包括實(shí)施例1中的全部技術(shù)特征，其區(qū)別在于:另設(shè)有第三正面電極27，第三正面電··極位于第二正面電極和鎳鍍層之間，且第三正面電極延伸擇一覆蓋住電阻層的一部分和第一保護(hù)層的一部分。通過在第二正面電極上增設(shè)第三正面電極，形成第一正面電極與電阻層，第二正面電極和第三正面電極與第一保護(hù)層的重疊交錯結(jié)構(gòu)。具體重疊交錯結(jié)構(gòu)可以為:電阻層加長延伸覆蓋住第一正面電極的一部分，然后第二正面電極延伸覆蓋住電阻層的一部分，第一保護(hù)層延伸覆蓋住第二正面電極的一部分，第三正面電極覆蓋住第一保護(hù)層的一部分，第二保護(hù)層覆蓋住第三正面電極的一部分。重疊交錯結(jié)構(gòu)還可以為:第一保護(hù)層加長延伸覆蓋住第一正面電極的一部分，然后第二正面電極延伸覆蓋住第一保護(hù)層的一部分，第三正面電極延伸覆蓋住第一保護(hù)層的一部分，第二保護(hù)層覆蓋住第三正面電極的一部分。通過上述重疊交錯結(jié)構(gòu)，達(dá)到延長硫化路徑的目的，從而提高貼片電阻器的抗硫化性能。綜上，本實(shí)用新型重疊交錯結(jié)構(gòu)還可以根據(jù)貼片電阻器的功能需要，在第一正面電極上控制增設(shè)正面電極的數(shù)量。比如，本實(shí)施例為了提高貼片電阻電極的散熱能力，獲得高功率的貼片電阻器，是在第一正面電極上增設(shè)第二正面電極的同時，在第二正面電極上增設(shè)第三正面電極。由于本實(shí)用新型是從貼片電阻器的結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn)其抗硫化性，而非使用金屬材料來替換或包覆正面電極。因此，能夠大大降低厚膜抗硫化貼片電阻器的生產(chǎn)成本，使其能夠廣泛應(yīng)用到普通的電子產(chǎn)品中。[0043]以上實(shí)施例是參照附圖，對本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員通過對上述實(shí)施例進(jìn)行各種形式上的修改或變更，但不背離本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)的情況下，都落在本實(shí)用 新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種厚膜抗硫化貼片電阻器，其特征在于:包括一方形絕緣基板(10)，以使用方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，所述絕緣基板兩端的下表面分別覆蓋有一層背面電極(32);所述絕緣基板兩端的上表面分別覆蓋有一層第一正面電極(22)，兩個所述第一正面電極之間的所述絕緣基板的上表面覆蓋有電阻層(23)，兩個所述第一正面電極上覆蓋有一層第二正面電極(24)，然后在所述電阻層上覆蓋第一保護(hù)層(25)，經(jīng)激光切割后，再覆蓋一層第二保護(hù)層(28);所述電阻層兩端分別延伸覆蓋住所述第一正面電極的一部分；所述第二正面電極延伸擇一覆蓋住所述電阻層的一部分和所述第一保護(hù)層的一部分；所述第二保護(hù)層延伸覆蓋住所述第二正面電極的一部分； 所述絕緣基板兩端的端面上分別覆蓋有一層側(cè)面電極(33)，所述側(cè)面電極延伸覆蓋住所述第一正面電極背向所述電阻層的一端的端面、且延伸覆蓋住所述第二正面電極背向所述第一保護(hù)層的一端的端面，且延伸覆蓋住所述背面電極背向所述絕緣基板中部的一端的端面； 所述第二正面電極、所述側(cè)面電極和所述背面電極上覆蓋有一層鎳鍍層(40)，所述鎳鍍層完全覆蓋住所述第二正面電極、所述側(cè)面電極和所述背面電極，且所述鎳鍍層搭接在所述第二保護(hù)層的端面上；所述鎳鍍層上覆蓋有一層錫鍍層(50)，所述錫鍍層完全覆蓋住所述鎳鍍層，且所述錫鍍層搭接在所述第二保護(hù)層的端面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的厚膜抗硫化貼片電阻器，其特征在于:所述電阻層為通過激光鐳射調(diào)整至設(shè)定阻值的電阻層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的厚膜抗硫化貼片電阻器，其特征在于:所述第二保護(hù)層上部分覆蓋有一層標(biāo)識層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的厚膜抗硫化貼片電阻器，其特征在于:所述第二保護(hù)層的膨脹系數(shù)與所述第二正面電極的膨脹系數(shù)相匹配。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的厚膜抗硫化貼片電阻器，其特征在于:另設(shè)有第三正面電極(27)，所述第三正面電極位于所述第二正面電極和所述鎳鍍層之間，且所述第三正面電極延伸擇一覆蓋住所述電阻層的一部分和所述第一保護(hù)層的一部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的厚膜抗硫化貼片電阻器，其特征在于:所述第二保護(hù)層的膨脹系數(shù)與所述第三正面電極的膨脹系數(shù)相匹配。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種厚膜抗硫化貼片電阻器，在第一正面電極上增設(shè)一層第二正面電極，形成第二正面電極與電阻層以及第二正面電極與第一保護(hù)層的重疊交錯結(jié)構(gòu)，且第二保護(hù)層的膨脹系數(shù)與第二正面電極的膨脹系數(shù)相匹配。上述結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，極大地延長了硫化路徑，從而達(dá)到了提高貼片電阻器的抗硫化性能的目的，且避免了電阻器在PCB板波峰焊或回流焊接時存在的電鍍鎳層和電鍍錫層與第二保護(hù)層因材料膨脹系數(shù)不同而出現(xiàn)裂縫，致使硫化氣體腐蝕電極的現(xiàn)象。因此，本實(shí)用新型能夠大大降低厚膜抗硫化貼片電阻器的生產(chǎn)成本，使其能夠廣泛應(yīng)用到普通的電子產(chǎn)品中。
文檔編號H01C1/02GK203165596SQ20132017355
公開日2013年8月28日 申請日期2013年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月9日
發(fā)明者彭榮根, 徐玉花, 杜杰霞, 王晨 申請人:昆山厚聲電子工業(yè)有限公司