一種硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手，包括機(jī)械臂、吸盤及二者的控制器，機(jī)械臂端部設(shè)置吸盤，控制器能夠改變機(jī)械臂的位置并控制吸盤工作，還包括溫度傳感器，溫度傳感器設(shè)置在機(jī)械手上，并將檢測的溫度信號傳遞給控制器。硅片經(jīng)過高溫工藝?yán)鋮s一段時(shí)間后，使用該機(jī)械手進(jìn)行取片，取片時(shí)，溫度傳感器檢測硅片的溫度，并將其傳遞給控制器；控制器根據(jù)硅片的溫度判斷適不適合進(jìn)行取片，經(jīng)過判斷，機(jī)械手進(jìn)行取片操作的硅片，其溫度均適宜取片，取片過程不容易造成碎片，并且吸盤也不會在硅片的氮化硅膜上留下印記。與現(xiàn)有技術(shù)相比，該機(jī)械手在取片過程中，既能夠降低硅片的碎片率，又能夠提高硅片表面的合格率。
【專利說明】—種硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及光伏【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]在太陽能電池片的制作過程中要經(jīng)過制絨、擴(kuò)散、濕法刻蝕、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積和印刷燒結(jié)等重要工序，
[0003]其中，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工序的工藝目的是在硅片表面沉積一層能夠起到減弱反射和鈍化作用的氮化硅膜。此過程通常將硅片放到石墨舟中，在400多攝氏度的高溫下進(jìn)行，此工藝剛剛完成后硅片呈彎曲狀，硅片冷卻后，用帶吸盤的機(jī)械手進(jìn)行取片。
[0004]如果硅片未冷卻至室溫前，用機(jī)械手進(jìn)行取片，很容易造成硅片破碎，機(jī)械手的吸盤也很容易在硅片的氮化硅膜上留下印記，造成硅片的表面不合格。如果硅片的溫度較高，對機(jī)械手自身也有較大的損害，減少設(shè)備的壽命。
[0005]目前，在此工序中，取片過程全靠經(jīng)驗(yàn)來掌握溫度，實(shí)際操作中很難準(zhǔn)確的把握溫度，硅片的碎片率和不合格率均很高。
[0006]因此，如何在機(jī)械手取片過程中，既能夠降低硅片的碎片率，又能夠提高硅片表面的合格率，是本領(lǐng)域技術(shù)人員目前急需解決的技術(shù)問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0007]本實(shí)用新型的目的是提供一種硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手，該機(jī)械手在取片過程中，既能夠降低硅片的碎片率，又能夠提高硅片表面的合格率。
[0008]為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本實(shí)用新型提供了一種硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手，包括機(jī)械臂、吸盤及二者的控制器，所述機(jī)械臂端部設(shè)置所述吸盤，所述控制器能夠改變所述機(jī)械臂的位置并控制所述吸盤工作，還包括溫度傳感器，所述溫度傳感器設(shè)置在所述機(jī)械手上，并將檢測的溫度信號傳遞給所述控制器。
[0009]優(yōu)選地，所述溫度傳感器設(shè)置在所述吸盤上。
[0010]優(yōu)選地，所述控制器為可編程序控制器，所述控制器根據(jù)預(yù)定溫度和實(shí)際溫度控制所述吸盤。
[0011]優(yōu)選地，還包括信號燈，所述控制器根據(jù)預(yù)定溫度和實(shí)際溫度控制所述信號燈。
[0012]本實(shí)用新型提供的硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手，包括機(jī)械臂、吸盤及二者的控制器，所述機(jī)械臂端部設(shè)置所述吸盤，控制器能夠改變機(jī)械臂的位置并控制吸盤工作，還包括溫度傳感器，溫度傳感器設(shè)置在機(jī)械手上，并將檢測的溫度信號傳遞給控制器。
[0013]硅片經(jīng)過高溫工藝?yán)鋮s一段時(shí)間后，使用該機(jī)械手進(jìn)行取片。取片時(shí)，吸盤首先接觸硅片，硅片的溫度能夠通過吸盤傳遞給機(jī)械手，溫度傳感器能夠檢測到硅片的溫度，并將其傳遞給控制器；控制器根據(jù)硅片的溫度判斷適不適合進(jìn)行取片，如果適合，則控制吸盤取片；如果不適合，則移動(dòng)機(jī)械臂到其他硅片并進(jìn)行同樣的判斷。經(jīng)過判斷，機(jī)械手進(jìn)行取片操作的硅片，其溫度均適宜取片，取片過程不容易造成碎片，并且吸盤也不會在硅片的氮化硅膜上留下印記。與現(xiàn)有技術(shù)相比，該機(jī)械手在取片過程中，既能夠降低硅片的碎片率，又能夠提高硅片表面的合格率。
[0014]具體的，溫度傳感器可以設(shè)置在機(jī)械臂上，也可以設(shè)置在吸盤上。設(shè)置在吸盤上時(shí)，直接檢測到吸盤表面接觸的硅片的溫度，并傳遞給控制器。可以在控制器內(nèi)設(shè)定預(yù)定溫度，然后，控制器可根據(jù)預(yù)定溫度和實(shí)際溫度來判斷硅片的溫度是否適合取片，然后控制吸
盤工作。
[0015]優(yōu)選的，該機(jī)械手還包括信號燈，當(dāng)溫度傳感器檢測到的實(shí)際溫度高于控制器內(nèi)設(shè)定的預(yù)定溫度時(shí)，控制器控制信號燈提示溫度超出范圍，并將機(jī)械手轉(zhuǎn)移到其他硅片。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為本實(shí)用新型所提供的硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手一種【具體實(shí)施方式】的示意圖。
[0017]其中，圖1中的附圖標(biāo)記如下:
[0018]機(jī)械臂I ;吸盤11 ;控制器2 ;溫度傳感器3。
【具體實(shí)施方式】
[0019]本實(shí)用新型的核心是提供一種硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手，該機(jī)械手在取片過程中，既能夠降低硅片的碎片率，又能夠提高硅片表面的合格率。
[0020]為了使本【技術(shù)領(lǐng)域】的人員更好地理解本實(shí)用新型方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
[0021]請參考圖1，圖1為本實(shí)用新型所提供的硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手一種【具體實(shí)施方式】的示意圖。
[0022]在一種具體的實(shí)施方式中，本實(shí)用新型提供了一種硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手，包括機(jī)械臂1、吸盤11及二者的控制器2，機(jī)械臂I的端部設(shè)置吸盤11，控制器2能夠改變機(jī)械臂I的位置并控制吸盤11工作；還包括溫度傳感器3，溫度傳感器3設(shè)置在機(jī)械手上，并將檢測的溫度信號傳遞給控制器2。
[0023]硅片經(jīng)過高溫工藝?yán)鋮s一段時(shí)間后，使用該機(jī)械手進(jìn)行取片。進(jìn)行取片時(shí)，先由吸盤11接觸硅片，硅片的溫度能夠通過吸盤11傳遞給溫度傳感器3，溫度傳感器3能夠檢測到硅片的溫度，并將檢測到的硅片的溫度傳遞給控制器2。
[0024]控制器2獲得硅片的溫度后，根據(jù)硅片的溫度判斷適不適合進(jìn)行取片操作，如果硅片的溫度適合，則控制吸盤11進(jìn)行取片操作；如果硅片的溫度不適合，則改變機(jī)械臂I的位置，控制機(jī)械手對其他硅片進(jìn)行取片，取片過程也與上述類似，先判斷硅片的溫度是否適合進(jìn)行取片操作。
[0025]經(jīng)過判斷，機(jī)械手進(jìn)行取片操作的硅片，其溫度均適宜取片，取片過程不容易造成碎片，并且吸盤11也不會在硅片的氮化硅膜上留下印記。與現(xiàn)有技術(shù)相比，該機(jī)械手在取片過程中，既能夠降低硅片的碎片率，又能夠提高硅片表面的合格率。
[0026]具體的，溫度傳感器3可以設(shè)置在機(jī)械手的機(jī)械臂I上，也可以直接設(shè)置在機(jī)械手的吸盤11上。設(shè)置在吸盤11上時(shí)，需要溫度傳感器3不妨礙吸盤11的取片操作，此時(shí)，溫度傳感器3能夠檢測到吸盤11的表面的溫度，吸盤11的表面直接接觸硅片，可以直接檢測到硅片的溫度。
[0027]—種優(yōu)選的方式中，控制器2為可編程序控制器，可以在控制器2內(nèi)設(shè)定預(yù)定溫度，控制器2可根據(jù)預(yù)定溫度和溫度傳感器3傳遞的實(shí)際溫度來判斷硅片是否適合取片，如果適合，則控制吸盤進(jìn)行取片操作。
[0028]進(jìn)一步的實(shí)施方式中，還可以為此機(jī)械手設(shè)置信號燈，當(dāng)溫度傳感器3檢測到的實(shí)際溫度高于控制器2內(nèi)設(shè)定的預(yù)定溫度時(shí)，控制器2可以控制信號燈提示溫度超出范圍，并將機(jī)械臂I轉(zhuǎn)移到其他硅片位置，繼續(xù)進(jìn)行是否適合取片的判斷。
[0029]以上對本實(shí)用新型所提供的硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手進(jìn)行了詳細(xì)介紹。本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對本實(shí)用新型的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本實(shí)用新型的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以對本實(shí)用新型進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手，包括機(jī)械臂(I)、吸盤(11)及二者的控制器(2)，所述機(jī)械臂(I)端部設(shè)置所述吸盤(11)，所述控制器(2)能夠改變所述機(jī)械臂(I)的位置并控制所述吸盤(11)工作，其特征在于，還包括溫度傳感器(3)，所述溫度傳感器(3)設(shè)置在所述機(jī)械手上，并將檢測的溫度信號傳遞給所述控制器(2 )。
2.如權(quán)利要求1所述的硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手，其特征在于，所述溫度傳感器(3)設(shè)置在所述吸盤(11)上。
3.如權(quán)利要求2所述的硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手，其特征在于，所述控制器(2)為可編程序控制器。
4.如權(quán)利要求3所述的硅片生產(chǎn)中用于取片的機(jī)械手，其特征在于，還包括信號燈。
【文檔編號】H01L21/677GK203398091SQ201320423788
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年7月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月16日
【發(fā)明者】高奎, 李建朋, 鄭志勇, 石亞芬, 張繼偉 申請人:天津英利新能源有限公司