方塊狀釹鐵硼磁體的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及磁體，公開了一種方塊狀釹鐵硼磁體，包括磁體（1），所述的磁體（1）為長方體，長方體的中部設(shè)有圓形開孔（2）。本實用新型通過在磁體中部設(shè)置圓形開孔，便于磁體在安裝過程中的定位和裝配，磁體外設(shè)置電鍍層，提高了磁體的磁穩(wěn)定性。
【專利說明】方塊狀釹鐵硼磁體
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及磁體，尤其涉及了一種方塊狀釹鐵硼磁體。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在電機、傳感器等設(shè)備上，都需要應(yīng)用磁體，而現(xiàn)有的磁體，由于其磁性差、磁性不穩(wěn)定，容易損壞等缺點，導(dǎo)致磁性設(shè)備無法正常、高效的運行。同時，由于現(xiàn)有磁體裝配性差，因此磁體無法與磁性設(shè)備精確配合，影響設(shè)備的安裝。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型針對現(xiàn)有技術(shù)中的磁體，由于其磁性差、磁性不穩(wěn)定，容易損壞以及裝配性差等缺點，提供了一種磁性穩(wěn)定，不容易損壞以及裝配性能優(yōu)異的方塊狀釹鐵硼磁體。
[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型通過下述技術(shù)方案得以解決:
[0005]方塊狀釹鐵硼磁體，包括磁體，所述的磁體為長方體，長方體的中部設(shè)有圓形開孔，中間層表面的粗糙度為I一50μπι，磁體沿長方體的棱邊設(shè)置30° — 65°的倒角。圓形開孔設(shè)置在長方體的幾何中心位置。通過在長方體形狀的磁體的中部設(shè)置圓形開孔，有利于磁體在安裝的過程中的裝配和定位，提高了磁體的安裝效率。通過在中間層表面制備I一50 μ m粗糙度，能夠提高中間層與電鍍層的接觸面積，從而提高中間層與電鍍層的結(jié)合力以及電鍍層的厚度，增強磁體的抗腐蝕性能。通過在磁體的棱邊處設(shè)置30° — 65°的倒角，便于磁體的裝配。
[0006]作為優(yōu)選，所述的磁體包括中間層以及電鍍層，電鍍層包裹在中間層外部。中間層為釹鐵硼永磁體，通過在釹鐵硼永磁體外設(shè)置電鍍層，能夠提高釹鐵硼永磁體的耐腐蝕性，提高磁體的使用壽命。
[0007]作為優(yōu)選，所述的電鍍層為鍍鋅層。
[0008]作為優(yōu)選，所述的電鍍層為鍍鎳層。
[0009]實用新型由于采用了以上技術(shù)方案，具有顯著的技術(shù)效果:本實用新型通過在磁體中部設(shè)置圓形開孔，便于磁體在安裝過程中的定位和裝配，磁體外設(shè)置電鍍層，提高了磁體的磁穩(wěn)定性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是本實用新型實施例1的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2是圖中I的A— A面的截面圖。
[0012]以上附圖中各數(shù)字標(biāo)號所指代的部位名稱如下:其中I一磁體、2—圓形開孔、11 一中間層、12 —電鍛層。
【具體實施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖1至圖2與實施例對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述:[0014]實施例1
[0015]方塊狀釹鐵硼磁體，如圖1至圖2所示，包括磁體1，所述的磁體I為長方體，長方體的中部設(shè)有圓形開孔2。圓形開孔2設(shè)置在長方體的幾何中心位置。通過在長方體形狀的磁體I的中部設(shè)置圓形開孔2，有利于磁體I在安裝的過程中的裝配和定位，提高了磁體的安裝效率。
[0016]磁體I包括中間層11以及電鍍層12，電鍍層12包裹在中間層11外部。中間層11為釹鐵硼永磁體，通過在釹鐵硼永磁體外設(shè)置電鍍層12，能夠提高釹鐵硼永磁體的耐腐蝕性，提高磁體的使用壽命。
[0017]電鍍層12為鍍鋅層。中間層11表面的粗糙度為6 μ m。通過在中間層11表面制備6μπι粗糙度，能夠提高中間層11與電鍍層12的接觸面積，從而提高中間層11與電鍍層12的結(jié)合力以及電鍍層12的厚度，增強磁體的抗腐蝕性能。
[0018]實施例2
[0019]本實施例與實施例1的區(qū)別在于:電鍍層12為鍍鎳層。電鍍層12為鍍鋅層。中間層11表面的粗糙度為15μπι。中間層11表面的粗糙度更大，更加有利于提高電鍍層12的厚度，提高磁體的抗腐蝕性能。磁體I沿長方體的棱邊設(shè)置45°的倒角。通過在磁體I的棱邊處設(shè)置45°的倒角，便于磁體的裝配。
[0020]總之，以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，凡依本實用新型申請專利范圍所作的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本實用新型專利的涵蓋范圍。
【權(quán)利要求】
1.方塊狀釹鐵硼磁體，包括磁體(I)，其特征在于:所述的磁體(I)為長方體，長方體的中部設(shè)有圓形開孔(2)，中間層(11)表面的粗糙度為I一50 μ m，磁體(I)沿長方體的棱邊設(shè)置30° — 65°的倒角。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方塊狀釹鐵硼磁體，其特征在于:所述的磁體(I)包括中間層(11)以及電鍍層(12)，電鍍層(12)包裹在中間層(11)外部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方塊狀釹鐵硼磁體，其特征在于:所述的電鍍層(12)為鍍鋅層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方塊狀釹鐵硼磁體，其特征在于:所述的電鍍層(12)為鍍鎳層。
【文檔編號】H01F41/02GK203480980SQ201320449711
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年7月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月24日
【發(fā)明者】鮑金勝 申請人:浙江鑫盛永磁科技有限公司