一種igbt模塊的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種IGBT模塊，IGBT模塊包括殼體、固定于殼體內(nèi)的底座、及安裝于底座的頂面處的電子元器件，且底座上設(shè)置有多組相對應(yīng)的正電極和負(fù)電極；所述底座的邊緣處設(shè)置有若干個(gè)安裝孔及穿過安裝孔將底座固定于殼體上的固定件，所述底座的頂面還設(shè)置有若干個(gè)凹槽，每個(gè)凹槽位于一安裝孔與電子元器件之間。本實(shí)用新型提供的IGBT模塊可以減少安裝時(shí)對電子元器件的損傷，進(jìn)而提高IGBT模塊的電性能及產(chǎn)品良率。
【專利說明】一種IGBT模塊
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及功率模塊領(lǐng)域，尤其涉及一種IGBT模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子技術(shù)的發(fā)展，功率模塊被廣泛的應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品中，尤其是IGBT模塊，其廣泛的應(yīng)用于帶有開關(guān)電源的控制器以及電動汽車控制器等各個(gè)領(lǐng)域。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是80年代中期問世的一種復(fù)合型電力電子器件，從結(jié)構(gòu)上說，相當(dāng)于一個(gè)由MOSFET (Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor,金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效晶體管)驅(qū)動的厚基區(qū)的BJT(Bipolar Junction Transistor,雙極結(jié)型晶體管)，IGBT既有MOSFET的快速響應(yīng)、高輸入阻抗、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單的特性，也具備BJT的電流密度高、通態(tài)壓降低，耐壓高的特性，被廣泛應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。
[0003]現(xiàn)有IGBT模塊底座一般是采用銅材沖壓或鑄造成型，其結(jié)構(gòu)一般都比較簡單。IGBT模塊通常需要安裝到其它部件或電路中，例如通常需要將IGBT模塊安裝到散熱體上后一起連接到電路中。但將IGBT模塊進(jìn)行安裝時(shí)其通常會使得IGBT模塊的底座發(fā)生形變且使底座上的電子元器件容易受到損傷，進(jìn)而降低了 IGBT模塊的電性能的可靠性及產(chǎn)品良率。
[0004]可以理解的是，本部分的陳述僅提供與本實(shí)用新型相關(guān)的背景信息，可能構(gòu)成或不構(gòu)成所謂的現(xiàn)有技術(shù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于針對現(xiàn)有技術(shù)中IGBT模塊由于安裝外力以致電子元器件易受損，進(jìn)而降低了 IGBT模塊的電性能及良率的缺陷，提供一種可以減少電子元器件的損傷、提高產(chǎn)品電性能及良率的IGBT模塊。
[0006]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種IGBT模塊，其包括殼體、固定于殼體內(nèi)的底座、及安裝于底座的頂面處且包括IGBT芯片的電子元器件，所述底座的頂面設(shè)置有多組與所述IGBT芯片相對應(yīng)的正電極及多組與所述正電極相對應(yīng)的負(fù)電極；所述底座的邊緣處設(shè)置有若干個(gè)安裝孔及穿過安裝孔用于將底座固定于殼體內(nèi)的固定件，所述底座的頂面還設(shè)置有若干個(gè)凹槽，每個(gè)所述凹槽位于一安裝孔與電子元器件之間。
[0007]在上述IGBT模塊中，所述凹槽的深度為所述底座的厚度的20% — 95%。
[0008]在上述IGBT模塊中，所述凹槽均勻的分布于所述底座上。
[0009]在上述IGBT模塊中，所述凹槽的中間部分的深度小于凹槽邊緣部分的深度。
[0010]在上述IGBT模塊中，所述凹槽與所述底座一體成型。
[0011]在上述IGBT模塊中，每個(gè)所述安裝孔與電子元器件之間設(shè)置有多個(gè)等間距排列的凹槽。
[0012]在上述IGBT模塊中，所述隔離層、凹槽及底座一體成型。[0013]在上述IGBT模塊中，所述凹槽的深度為2_4mm。
[0014]在上述IGBT模塊中，所述凹槽的寬度為l_2mm。
[0015]在上述IGBT模塊中，所述多個(gè)等間距排列的凹槽呈L型。
[0016]在上述IGBT模塊中，每個(gè)安裝孔與電子元器件之間的凹槽的數(shù)量及形狀均相同。
[0017]本實(shí)用新型提供的IGBT模塊，其主要通過在底座的頂面設(shè)置若干個(gè)凹槽，且使凹槽位于安裝孔與電子元器件之間。當(dāng)IGBT模塊的底座在與外界進(jìn)行安裝固定時(shí)，底座的四周被固定件壓緊了，由于凹槽對力的分解作用，所以外界的安裝力在傳遞到凹槽所在位置時(shí)，由于凹槽處底座較薄，其在力的作用下會發(fā)生塑性變形來緩解安裝力，這樣就會使離凹槽有一定的距離的電子元器件受到的力大大減小，進(jìn)而可以減少外力對電子元器件的損傷，從而提高IGBT模塊的電性能及產(chǎn)品的良率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1是本實(shí)用新型提供的一實(shí)施例中IGBT模塊的部分結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2是本實(shí)用新型提供的一實(shí)施例中IGBT模塊的底座的部分結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖3是本實(shí)用新型提供的又一實(shí)施例中IGBT模塊的底座的部分結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]為了使本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0022]在本實(shí)用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附
圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實(shí)用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本實(shí)用新型的限制。
[0023]參見圖1至圖3所示，本實(shí)用新型提供的IGBT模塊主要包括:殼體10、底座11、電子兀器件14、正電極和負(fù)電極。底座11固定于殼體內(nèi)，具體的,底座11的邊緣處設(shè)置有若干個(gè)安裝孔12及若干個(gè)固定件13，每個(gè)固定件13穿過一安裝孔12以將底座11固定于殼體內(nèi)。底座11的頂面處安裝有包括IGBT芯片的電子元器件14，且底座11的頂面處設(shè)置有多組與IGBT芯片相對應(yīng)的正電極及多組與所述正電極相對應(yīng)的負(fù)電極，即底座11的頂面處設(shè)置有若干個(gè)正電極及與正電極相對應(yīng)的若干個(gè)負(fù)電極。同時(shí)，底座11的頂面處還設(shè)置有若干個(gè)凹槽15，每個(gè)凹槽15位于一安裝孔12與電子元器件14之間。底座11的邊緣通過安裝孔12及固定件13固定在殼體10上。當(dāng)將IGBT模塊與外界進(jìn)行安裝固定時(shí)，通常是將IGBT模塊的底座的邊緣與外界進(jìn)行固定，例如，可直接通過上述固定件及安裝孔將底座安裝于殼體的同時(shí)安裝到散熱體等外部器件上。所以當(dāng)外力作用于底座時(shí)，在底座的四周被壓緊固定時(shí)，外界的安裝力在傳遞到凹槽所在位置時(shí)，由于凹槽處底座較薄，其在力的作用下會發(fā)生塑性變形來緩解外力，這樣就會使離凹槽有一定的距離的電子元器件(由于電子元器件14通常處于底座11的中間部位)受到的外力大大減小，進(jìn)而可以減少外力對電子兀器件的損傷，從而提聞IGBT |旲塊的電性能及廣品的良率。[0024]在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例中，凹槽的深度為底座的厚度的20% — 95%，這樣既可以避免凹槽處太薄易斷裂，也可以同時(shí)保證凹槽對外力的分解作用。更優(yōu)選地，凹槽的深度為底座的厚度的50% — 95%。優(yōu)選地，若干個(gè)凹槽15均勻的分布于底座11上，以使凹槽15在底座11上的分解力均勻分布。更優(yōu)選地，凹槽15呈階梯狀，即凹槽15的中間部分的深度小于凹槽15邊緣部分的深度，這樣既可以避免凹槽15所處的底座較薄帶來的底座損傷，也可以同時(shí)使凹槽15不會太淺，進(jìn)而可以使凹槽15處對外力具有較好的分解及緩解作用。優(yōu)選地，凹槽的深度為2-4mm，凹槽的寬度為l_2mm。底座11通常是通過銅板沖壓形成，優(yōu)選地的凹槽15與底座一體成型，例如通過銅板一體沖壓成型，其工藝簡單快捷。
[0025]在優(yōu)選地實(shí)施中，每個(gè)安裝孔與電子元器件之間設(shè)置有多個(gè)等間距排列的凹槽，這樣可以有效的分解外力對底座的影響。例如，每個(gè)安裝孔與電子元器件之間設(shè)置有多個(gè)凹槽，且這多個(gè)凹槽等間距的排列成L型。例如，每個(gè)所述安裝孔與電子元器件之間設(shè)置有八個(gè)等間距排列的凹槽。更優(yōu)選地，每個(gè)安裝孔與電子元器件之間的凹槽的數(shù)量及形狀均相同。這樣可使得底座每個(gè)安裝孔處受力均勻，例如每個(gè)安裝孔與電子元器件之間均等間距的設(shè)置有六個(gè)月牙形的凹槽。
[0026]在本說明書的描述中，參考術(shù)語“ 一個(gè)實(shí)施例”、“ 一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0027]在本實(shí)用新型的描述中，除非另有規(guī)定和限定，需要說明的是，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是機(jī)械連接或電連接，也可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通，可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語的具體含義。
[0028]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種IGBT模塊，其特征在于:所述IGBT模塊包括殼體、固定于殼體內(nèi)的底座、及安裝于底座的頂面處且包括IGBT芯片的電子元器件，所述底座的頂面設(shè)置有多組與所述IGBT芯片相對應(yīng)的正電極及多組與所述正電極相對應(yīng)的負(fù)電極； 所述底座的邊緣處設(shè)置有若干個(gè)安裝孔及穿過安裝孔用于將底座固定于殼體內(nèi)的固定件，所述底座的頂面還設(shè)置有若干個(gè)凹槽，每個(gè)所述凹槽位于一安裝孔與電子元器件之間。
2.如權(quán)利要求1所述的IGBT模塊，其特征在于，所述凹槽的深度為所述底座的厚度的20% — 95%。
3.如權(quán)利要求1或2所述的IGBT模塊，其特征在于，所述凹槽均勻的分布于所述底座上。
4.如權(quán)利要求3所述的IGBT模塊，其特征在于，所述凹槽的中間部分的深度小于凹槽邊緣部分的深度。
5.如權(quán)利要求4所述的IGBT模塊，其特征在于，每個(gè)所述安裝孔與電子元器件之間設(shè)置有多個(gè)等間距排列的凹槽。
6.如權(quán)利要求5所述的IGBT模塊，其特征在于，所述凹槽與所述底座一體成型。
7.如權(quán)利要求6所述的IGBT模塊，其特征在于，所述凹槽的深度為2-4mm。
8.如權(quán)利要求6所述的IGBT模塊，其特征在于，所述凹槽的寬度為l-2mm。
9.如權(quán)利要求6所述的IGBT模塊，其特征在于，所述多個(gè)等間距排列的凹槽呈L型。
10.如權(quán)利要求6所述的IGBT模塊，其特征在于，每個(gè)安裝孔與電子元器件之間的凹槽的數(shù)量及形狀均相同。
【文檔編號】H01L23/13GK203434140SQ201320452893
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年7月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月29日
【發(fā)明者】劉春江, 薛鵬輝, 陳剛 申請人:比亞迪股份有限公司