一種半導體塑封結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種半導體塑封結構，包括引線框架、位于引線框架上的芯片及包裹外側的塑封體，所述引線框架與所述塑封體接觸的表面上設有若干個凹槽，相鄰所述凹槽邊線間的距離大于0.120毫米，所述塑封體填充每一所述凹槽內(nèi)。本實用新型通過凹槽的設置，增加了引線框架與塑封體的結合面積，從而實現(xiàn)兩者間臨界結合力的增大，增強產(chǎn)品抵卸分層的能力，提高了產(chǎn)品的可靠性。
【專利說明】一種半導體塑封結構
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種半導體封裝技術，尤其涉及一種半導體塑封結構。
【背景技術】
[0002]半導體塑封是將環(huán)氧樹脂在熔融狀態(tài)下，將芯片(Die)和引線框(Lead Frame)包裹起來，提供物理和電氣保護，防止外界干擾。
[0003]塑封的模具分成上下模，模具上有根據(jù)封裝體尺寸所預先定好的模腔，其工作溫度通常在165°C?185°C范圍內(nèi)。將需要封裝的引線框架42放置到模具上，然后放入固體環(huán)氧樹脂41餅料，再合上模具并施加合模壓力(至少在30噸以上)。合模后，給注塑桿上施加壓力，環(huán)氧樹脂41在高度高壓下開始融化，于是在注塑桿的作用下，環(huán)氧樹脂41被擠入模腔中。由于環(huán)氧樹脂41的特性是先變?yōu)槿廴跔顟B(tài)后再固化，于是在被擠入腔中后，它將再次固化，形成我們所需要的外形尺寸，如圖1所示，為QFN封裝剖視結構圖。
[0004]當前半導體塑料封裝工藝中，塑封樹脂41與引線框架42結合，構成密閉空間，減小外部環(huán)境對芯片的影響。塑封樹脂41與引線框架42結合強度的大小，很大程度上決定了產(chǎn)品的可靠性。由于材料之間熱膨脹系數(shù)影響，產(chǎn)品內(nèi)部存在比較大的內(nèi)部應力。在外部應力(如高溫高壓)條件下，內(nèi)部應力加劇，不同材料的結合處很容易出現(xiàn)裂紋(分層)。傳統(tǒng)引線框表面未經(jīng)任何處理，塑封料與引線框結合后，在完成封裝或可靠性試驗過程中發(fā)現(xiàn)分層，影響到產(chǎn)品可靠性。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型目的是提供一種半導體塑封結構，通過結構的改良，可提高產(chǎn)品的可罪性，減少不良品率。
[0006]為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是:一種半導體塑封結構，包括引線框架、位于引線框架上的芯片及包裹外側的塑封體，所述引線框架與所述塑封體接觸的表面上設有若干個凹槽，相鄰所述凹槽邊線間的距離大于0.120毫米，所述塑封體填充每一所述凹槽內(nèi)。
[0007]在其中一個實施例中，所述凹槽為U型槽，其深度為該凹槽所在處的引線框架厚度的1/5?2/3。
[0008]在其中一個實施例中，所述凹槽位于所述引線框架的正面或背側，以陳列方式均布于所述引線框架上。
[0009]進一步地，所述凹槽截面呈圓形、矩形、多邊形、長圓形、長條形、花瓣形中的一種或幾種。
[0010]由于上述技術方案運用，本實用新型與現(xiàn)有技術相比具有下列優(yōu)點:
[0011]1.本實用新型在引線框架與塑封體接觸表面上設置凹槽，利用下陷來增加塑封體與引線框架之間的結合面積，從而提高兩者之間的臨界結合力，增強產(chǎn)品在內(nèi)外部應力的條件下抵御分層的能力，提高產(chǎn)品可靠性；[0012]2.凹槽的形狀與分布根據(jù)產(chǎn)品引線框架的形狀而定，可通過蝕刻實現(xiàn)，均勻分布，加工方便，易于實現(xiàn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1是本實用新型【背景技術】中QFN封裝結構示意圖；
[0014]圖2是本實用新型實施例一中引線框架的結構示意圖；
[0015]圖3是圖2的A-A剖視示意圖；
[0016]圖4是本實用新型實施例二中引線框架的結構示意圖；
[0017]圖5是本實用新型實施例三中引線框架的結構示意圖。
[0018]其中:11、引線框架；12、四瓣花瓣形U型凹槽；13、芯片；14、L型長條形凹槽；15、長圓形的凹槽；21、引線框架；22、長條形凹槽；23、圓形；24、長圓形；31、引線框架；32、凹槽；33、芯片；41、環(huán)氧樹脂。
【具體實施方式】
[0019]下面結合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述:
[0020]實施例一:參見圖2、3所示，一種半導體塑封結構，包括引線框架11、位于引線框架11上的芯片13及包裹外側的塑封體，所述引線框架11與所述塑封體接觸的表面上設有若干個凹槽12，相鄰所述凹槽邊線間的距離大于0.120毫米，所述塑封體填充每一所述凹槽內(nèi)。
[0021]如圖2所示，在本實施例中，待塑封產(chǎn)品為QFN3X4。所述引線框架11正面，位于所述芯片13周圍的空閑區(qū)域內(nèi)，以陳列方式均布有四瓣花瓣形U型凹槽12和L型長條形凹槽14，其深度為凹槽所在處的引線框架11厚度的1/2 (如圖3所示)，深度為0.101毫米，相鄰所述四瓣花瓣形U型凹槽12邊線間的距離為0.125毫米。
[0022]在引線框架11上盡可能多的分布凹槽，只要滿足相鄰凹槽邊線之間的距離大于
0.120毫米的最小臨界值即可，如在芯片的引腳處引線框架21上，也可設有長圓形的凹槽15，以此增加引線框架11與塑封體之間的結合面積，有效提高兩者之間的臨界結合力。在加工時，引線框架21上的凹槽通過蝕刻工藝獲得，環(huán)氧樹脂在熔融狀態(tài)充滿整個模具腔，實現(xiàn)對每一凹槽的填充。
[0023]實施例二:參見圖4所示，一種半導體塑封結構，包括引線框架21、位于引線框架21上的芯片及包裹外側的塑封體，所述引線框架21與所述塑封體接觸的表面上設有若干個凹槽，相鄰所述凹槽邊線間的距離大于0.120毫米，所述塑封體填充每一所述凹槽內(nèi)。
[0024]在本實施例中，所述引線框架21背側，相對于所述芯片的另一側，分布有U型的長條形凹槽22，槽寬為5mils (0.127毫米)，深度為該凹槽所在處的引線框架21厚度的1/3，包圍一組對角，長條形凹槽22的中間區(qū)域均布有圓形凹槽23，相鄰所述凹槽邊線間的距離為0.150毫米。芯片的引腳處引線框架21上，設有長圓形凹槽24，槽寬為5mils(0.127毫米)，深度為該凹槽所在處的引線框架21厚度的1/3，如圖4所示。
[0025]實施例三，參見圖4所示，一種半導體塑封結構，其結構與實施例一相類似，不同點在于:所述凹槽32由截面為六邊形及正方形的凹槽32組合構成，交叉均布于芯片33周圍的閑置區(qū)域內(nèi)，相鄰所述凹槽32邊線間的距離0.130毫米。[0026]綜上所述實施例僅表達了本實用新型的集中實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本實用新型專利范圍的限制。應當指出的是對于本領域的普通技術人員來說，在不拖累本實用新型構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都是屬于本實用新型的保護范圍。因此，本實用新型專利的保護范圍應以權利要求為準。
【權利要求】
1.一種半導體塑封結構，包括引線框架、位于引線框架上的芯片及包裹外側的塑封體，其特征在于:所述引線框架與所述塑封體接觸的表面上設有若干個凹槽，相鄰所述凹槽邊線間的距離大于0.120毫米，所述塑封體填充每一所述凹槽內(nèi)。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體塑封結構，其特征在于:所述凹槽為U型槽，其深度為該凹槽所在處的引線框架厚度的1/5?2/3。
3.根據(jù)權利要求2所述的半導體塑封結構，其特征在于:所述凹槽位于所述引線框架的正面或背側，以陳列方式均布于所述引線框架上。
4.根據(jù)權利要求1所述的半導體塑封結構，其特征在于:所述凹槽位于所述引線框架的正面或背側，以陳列方式均布于所述引線框架上。
5.根據(jù)權利要求1?4中的任一項所述的半導體塑封結構，其特征在于:所述凹槽截面呈圓形、矩形、多邊形、長圓形、長條形中的一種或幾種。
【文檔編號】H01L23/495GK203491253SQ201320454363
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年7月26日 優(yōu)先權日:2013年7月26日
【發(fā)明者】司文全 申請人:無錫華潤安盛科技有限公司