一種高精密新型電容器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種高精密新型電容器，它涉及電容器領(lǐng)域。它包括鋁/聚偏氟乙烯薄膜、金電極和銅絲引腳，鋁/聚偏氟乙烯薄膜上濺射有金電極，金電極與銅絲引腳相連，兩層鋁/聚偏氟乙烯薄膜、金電極卷繞成薄膜電容。所述的薄膜電容通過(guò)石蠟封裝。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，耗損小，性能穩(wěn)定，實(shí)用性強(qiáng)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種高精密新型電容器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及的是一種電容器，具體涉及一種高精密新型電容器。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜電容一般采用聚酯、聚丙烯或聚碳酸酯等作為電介質(zhì)。而采用這種電介質(zhì)電容的性能并不特別優(yōu)越，在一定條件下，這些電容的性能會(huì)影響器件工作的穩(wěn)定性，而且電容損耗大。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)上存在的不足，本實(shí)用新型目的是在于提供一種高精密新型電容器，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，耗損小，性能穩(wěn)定，實(shí)用性強(qiáng)。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型是通過(guò)如下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):一種高精密新型電容器，包括鋁/聚偏氟乙烯薄膜、金電極和銅絲引腳，鋁/聚偏氟乙烯薄膜上濺射有金電極，金電極與銅絲引腳相連，兩層鋁/聚偏氟乙烯薄膜、金電極卷繞成薄膜電容。
[0005]作為優(yōu)選，所述的薄膜電容通過(guò)石蠟封裝。
[0006]作為優(yōu)選，所述的鋁/聚偏氟乙烯薄膜的厚度為20微米。
[0007]本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，耗損小，性能穩(wěn)定，實(shí)用性強(qiáng)。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型；
[0009]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]為使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。
[0011]參照?qǐng)D1，本【具體實(shí)施方式】采用以下技術(shù)方案:一種高精密新型電容器，包括鋁/聚偏氟乙烯薄膜1、金電極2和銅絲引腳3，鋁/聚偏氟乙烯薄膜I上濺射有金電極2，金電極2與銅絲引腳3相連，兩層鋁/聚偏氟乙烯薄膜1、金電極2卷繞成薄膜電容。
[0012]值得注意的是，所述的薄膜電容通過(guò)石蠟封裝。
[0013]此外，所述的鋁/聚偏氟乙烯薄膜I的厚度為20微米。
[0014]本【具體實(shí)施方式】采用鋁/聚偏氟乙烯薄膜作為介質(zhì)薄膜，其性能相比聚酯、聚丙烯或聚碳酸酯等薄膜更加優(yōu)異，它的電容性能更加優(yōu)越，耗損小，絕緣強(qiáng)度高，電容值在一定范圍內(nèi)能夠保持穩(wěn)定。
[0015]本【具體實(shí)施方式】結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，耗損小，性能穩(wěn)定，實(shí)用性強(qiáng)。
[0016]以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)中描述的只是說(shuō)明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)及其等效物界定。
【權(quán)利要求】
1.一種高精密新型電容器，其特征在于，包括鋁/聚偏氟乙烯薄膜(I)、金電極(2)和銅絲引腳(3)，鋁/聚偏氟乙烯薄膜(I)上濺射有金電極(2)，金電極⑵與銅絲引腳(3)相連，兩層鋁/聚偏氟乙烯薄膜(I)、金電極(2)卷繞成薄膜電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精密新型電容器，其特征在于，所述的薄膜電容通過(guò)石蠟封裝。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精密新型電容器，其特征在于，所述的鋁/聚偏氟乙烯薄膜⑴的厚度為20微米。
【文檔編號(hào)】H01G4/32GK203397907SQ201320498488
【公開(kāi)日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2013年8月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月15日
【發(fā)明者】羅學(xué)民, 劉宇, 羅浩民 申請(qǐng)人:長(zhǎng)興友暢電子有限公司