本發(fā)明涉及一種過孔刻蝕方法，具體涉及一種針對(duì)金屬自容觸控基板的過孔刻蝕方法。

背景技術(shù)：

對(duì)于tft-lcd(薄膜場效應(yīng)晶體管lcd)自容技術(shù)產(chǎn)品，其結(jié)構(gòu)建立在現(xiàn)有的水平電場驅(qū)動(dòng)lcd基礎(chǔ)上。通過像素電極和最上層的公共電極形成水平電場，驅(qū)動(dòng)盒內(nèi)液晶進(jìn)行偏轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)顯示功能。隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，fic即內(nèi)置觸控技術(shù)成為主流，通過在tft中放置觸控金屬走線，探測走線之間的電容變化，即可實(shí)現(xiàn)觸控功能。

觸控金屬走線放置于tft中，主要作用在于探測手指觸控后的電容變化，探測到變化后，將信號(hào)從觸控綁定金屬引出到觸控ic，觸控ic判定觸控動(dòng)作發(fā)生的位置。該技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單，可以直接集成在tft工藝中。但是觸控金屬走線的引入，尤其是觸控綁定金屬上需要干法刻蝕形成過孔。而干法刻蝕深度不一，容易造成觸控過孔搭接不良的情況。

金屬自容觸控基板的結(jié)構(gòu)如1所示，該結(jié)構(gòu)為七道掩膜案(即利用七道掩膜完成制作工藝)，包括：柵線2→有源層11→像素電極12→源漏層(即圖1中的源極5和漏極6)→觸控走線層8→過孔層(包括柵線過孔13和觸控過孔14)→公共電極16。其中，在過孔層，需要形成觸控過孔14和柵線過孔13，觸控過孔14厚度為3000a，在第二絕緣層10加工。柵線過孔13總厚度大于10000a，加工柵線過孔13需貫通柵線綁定金屬3上方的柵絕緣層4、第一絕緣層7和第二絕緣層10。由于過孔是一次刻蝕形成，兩種類型過孔過大的厚度差異會(huì)造成過孔成型不良，由于柵線過孔13刻蝕結(jié)束所需要的工藝時(shí)間為100秒，而觸控過孔14需要20秒即可完成，即觸控過孔14刻蝕完成后，柵線過孔13仍然沒有刻蝕出來；由此會(huì)造成觸控過孔14底部的觸控綁定金屬過刻蝕。所造成的不良現(xiàn)象如2圖所示，觸控過孔14處只有很少一部分的觸控綁定金屬側(cè)壁與ito(導(dǎo)電玻璃)搭接，搭接面積過小，很容易造成搭接不良。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，為解決金屬自容觸控基板不同位置過孔的刻蝕問題，本發(fā)明提供一種金屬自容觸控基板的過孔刻蝕方法，能夠在不增加額外工藝過程的前提下，只是通過變更掩膜結(jié)構(gòu)或者變更tft(薄膜場效應(yīng)晶體管)結(jié)構(gòu)，改善觸控過孔搭接不良的現(xiàn)象。

所述金屬自容觸控基板上的過孔包括柵線過孔和觸控過孔；所述柵線過孔要刻蝕的膜層為柵絕緣層、第一絕緣層和第二絕緣層，所述觸控過孔要刻蝕的膜層為第二絕緣層。

本發(fā)明的一種方案為：掩膜版上用于加工柵線過孔的圖形采用100％透光；在掩膜版上用于加工觸控過孔的圖形內(nèi)部設(shè)置有設(shè)定厚度的光刻膠，所述光刻膠的厚度滿足在相同刻蝕速度的前提下，所述柵線過孔和觸控過孔同時(shí)刻蝕成型。

本發(fā)明的一種方案為：在觸控綁定金屬下方，第一絕緣層內(nèi)部與所述觸控過孔對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置數(shù)據(jù)線金屬緩沖層；所述數(shù)據(jù)線金屬緩沖層的厚度保證當(dāng)所述柵線過孔刻蝕成型時(shí)，所述觸控綁定金屬在厚度方向被完全刻蝕，所述數(shù)據(jù)線金屬緩沖層在厚度方向沒有被完全刻蝕；對(duì)所述觸控過孔進(jìn)行ito圖形工藝形成所述觸控過孔后，所述觸控過孔在側(cè)面與ito接觸，底部與所述數(shù)據(jù)線金屬緩沖層接觸。所述數(shù)據(jù)線金屬緩沖層的寬度大于觸控綁定金屬的寬度，高度小于第一絕緣層的高度。

有益效果：

(1)通過該方法能夠在不增加額外工藝過程的前提下，改善觸控過孔搭接不良的現(xiàn)象。

(2)通過在掩膜版上放置灰階掩膜圖形，控制灰階掩膜曝光區(qū)域光刻膠的厚度，使得柵線過孔和觸控過孔同時(shí)被刻蝕成型，同時(shí)也可以保證觸控過孔較低的過刻蝕率。

(3)在觸控過孔下方設(shè)置緩沖金屬，使得ito與緩沖金屬直接接觸，降低ito的阻值，同時(shí)ito與觸控過孔橫向接觸，較小的ito和數(shù)據(jù)線金屬的組合與ito進(jìn)行接觸，能夠有效降低觸控過孔接觸不良的發(fā)生率。

附圖說明

圖1為金屬自容觸控基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中實(shí)際工藝制作后的金屬自容觸控基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為實(shí)施例1中采用灰階掩膜版在金屬自容觸控基板上加工觸控過孔的示意圖；

圖4為設(shè)置數(shù)據(jù)線金屬緩沖層，尚未進(jìn)行過孔刻蝕時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為設(shè)置數(shù)據(jù)線金屬緩沖層，刻蝕柵線過孔和觸控過孔后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為ito與觸控金屬、數(shù)據(jù)線金屬接觸后的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中：1-玻璃基板，2-柵線，3-柵線綁定金屬，4-柵絕緣層，5-源極，6-漏極，7-第一絕緣層，8-觸控金屬走線，9-觸控綁定金屬，10-第二絕緣層，11-有源層，12-像素電極，13-柵線過孔，14-觸控過孔，15-數(shù)據(jù)線金屬緩沖層，16-公共電極

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖并舉實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。

實(shí)施例1：

本實(shí)施例通過改變掩膜板16的結(jié)構(gòu)來改善現(xiàn)有觸控過孔過刻導(dǎo)致搭接不良的現(xiàn)象，該方法通過改變掩膜板16的結(jié)構(gòu)，使柵線過孔13和觸控過孔14同時(shí)被刻蝕成型，從而避免兩種類型過孔過大的厚度差異會(huì)造成過孔成型不良。

如圖3所示，掩膜版16采用灰階掩膜版，即掩膜版上的圖形為灰階圖形，將掩膜版上的圖形設(shè)置成100％透光和部分透光的區(qū)域。具體為：在掩膜版16上分別設(shè)置有用于加工柵線過孔13和觸控過孔14的圖形，對(duì)于用于加工柵線過孔13的圖形采用100％透光，其要刻蝕的膜層為柵絕緣層4、第一絕緣層7和第二絕緣層10，厚度大于10000a，所需工藝時(shí)間為100s。對(duì)于觸控過孔14，其要刻蝕的膜層為第二絕緣層10，深度3000a，工藝時(shí)間20s。為了減緩80s的刻蝕時(shí)間差對(duì)觸控綁定金屬9的影響，在考慮到干法刻蝕對(duì)光刻膠的刻蝕速度為10000a/60s的前提下，在掩膜版16上用于加工觸控過孔14的圖形與觸控綁定金屬9之間殘留1.3um～1.6um的光刻膠厚度(由此該部分圖形為部分透光區(qū)域)，在該光刻膠厚度范圍內(nèi)，可以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)過孔的同時(shí)導(dǎo)通。

實(shí)施例2：

考慮到現(xiàn)有技術(shù)中，觸控過孔14只有橫向小面積與ito(導(dǎo)電玻璃)電性接觸，ito本身阻值偏大，容易造成接觸電阻過大。本實(shí)施例采用在觸控綁定金屬9底層放置數(shù)據(jù)線金屬緩沖層15的方案，改善現(xiàn)有觸控過孔14過刻導(dǎo)致搭接不良的現(xiàn)象。如圖4所示，在觸控綁定金屬9下方的第一絕緣層7內(nèi)放置數(shù)據(jù)線金屬緩沖層15，數(shù)據(jù)線金屬緩沖層15的寬度大于觸控綁定金屬9的寬度，數(shù)據(jù)線金屬緩沖層15的高度小于第一絕緣層7的高度。隨后形成光刻膠過孔并進(jìn)行干法刻蝕，由于金屬刻蝕速度慢，同時(shí)數(shù)據(jù)線金屬緩沖層15上有第一絕緣層7和第二絕緣層10，所以，當(dāng)柵線綁定金屬3上的過孔(即柵線過孔13)形成時(shí)，數(shù)據(jù)線金屬緩沖層15仍有部分殘留，而觸控綁定金屬9則在豎向被完全刻蝕掉，如圖5所示。隨后進(jìn)行公共電極圖形工藝，所形成圖形如圖6所示。雖然觸控綁定金屬9在豎向被刻蝕掉，但是橫向仍然可以與公共電極電性連接，并導(dǎo)通到數(shù)據(jù)線金屬緩沖層15上，從而實(shí)現(xiàn)安全的電性連接。

綜上所述，以上僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。