電連接器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種電連接器，用以電性連接一第一電子元件與一第二電子元件，電連接器包括一本體，多個(gè)容納孔設(shè)于本體內(nèi)，容納孔內(nèi)設(shè)有液態(tài)金屬與第一電子元件及第二電子元件電性導(dǎo)接，液態(tài)金屬選自鎵金屬，銦鎵合金，銦錫合金，鎵錫合金及銦鎵錫合金其中任意一種，以及至少一導(dǎo)電體設(shè)于液態(tài)金屬內(nèi)。上述液態(tài)金屬是低熔點(diǎn)金屬，利用液態(tài)金屬進(jìn)行電性傳輸，不僅液態(tài)金屬的阻抗小，液態(tài)金屬與導(dǎo)電體之間的接觸面積大，使得整個(gè)容納孔內(nèi)的液態(tài)金屬及導(dǎo)電體的阻抗小，進(jìn)而電連接器阻抗小，保證電流的正常傳輸，提供清晰、穩(wěn)定的通訊效果。
【專利說明】電連接器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉電連接器，尤指一種阻抗小的電連接器。
【背景技術(shù)】
[0002]習(xí)用的一種電連接器用以與一芯片模塊與一電路板對接，所述電連接器包括一絕緣本體，多個(gè)容納孔設(shè)于所述絕緣本體內(nèi)，每一容納孔內(nèi)設(shè)有一端子，所述端子采用金屬材料沖壓彎折成型，其一端與所述芯片模塊對接，另一端與所述電路板對接。采用所述端子，由于沖壓彎折等條件的限制，所述端子不可能做的很小，使得所述電連接器的體積較大，不適于小型化密集型的發(fā)展趨勢。
[0003]目前有一種技術(shù)是在所述容納孔內(nèi)填充金屬顆粒，主要是金或者銀或者金銀合金顆粒，從而所述容納孔可較小，使得所述電連接器的密度較大，體積也較小。然而所述金屬顆粒彼此點(diǎn)對點(diǎn)接觸，接觸面積小，使得所述容納孔內(nèi)的所述金屬顆粒整體阻抗大，造成正常電流的傳輸受到影響。且采用金或者銀金屬，材料貴，成本增加。
[0004]因此，有必要設(shè)計(jì)一種更好的電連接器，以克服上述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對【背景技術(shù)】所面臨的問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種阻抗小的電連接器。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)手段:
[0007]—種電連接器，用以電性連接一第一電子元件與一第二電子元件，所述電連接器包括一本體；多個(gè)容納孔設(shè)于所述本體內(nèi)，所述容納孔內(nèi)設(shè)有液態(tài)金屬與所述第一電子元件及所述第二電子元件電性導(dǎo)接，所述液態(tài)金屬選自鎵金屬，銦鎵合金，銦錫合金，鎵錫合金及銦鎵錫合金其中任意一種；至少一導(dǎo)電體設(shè)于所述液態(tài)金屬內(nèi)。
[0008]進(jìn)一步，所述導(dǎo)電體是金屬細(xì)絲。
[0009]進(jìn)一步，所述金屬細(xì)絲的至少一端與所述第一電子元件或所述第二電子元件接觸。
[0010]進(jìn)一步，所述金屬細(xì)絲一端與所述第一電子元件接觸，另一端與所述第二電子元件接觸。
[0011]進(jìn)一步，所述金屬細(xì)絲是銅或銀的金屬細(xì)絲。
[0012]進(jìn)一步，所述導(dǎo)電體是多個(gè)金屬顆粒。
[0013]進(jìn)一步,所述金屬顆粒是銅金屬顆?；蜚y金屬顆粒。
[0014]進(jìn)一步，所述金屬顆粒互相導(dǎo)通，形成導(dǎo)電路徑。
[0015]進(jìn)一步，所述液態(tài)金屬粘附于所述金屬顆粒。
[0016]進(jìn)一步，所述導(dǎo)電體是金屬細(xì)絲及金屬顆粒的混合物。
[0017]進(jìn)一步，所述本體的上、下表面均設(shè)有一覆蓋層，所述覆蓋層對應(yīng)所述容納孔的位置處開設(shè)有至少一小孔，所述液態(tài)金屬突出于所述小孔，與所述第一電子元件及所述第二電子元件接觸。
[0018]進(jìn)一步，所述液態(tài)金屬粘附于所述小孔的邊緣。
[0019]進(jìn)一步，所述導(dǎo)電體是金屬細(xì)絲，其至少一端進(jìn)入所述小孔內(nèi)，且突出于所述小孔，與所述第一電子元件或所述第二電子元件接觸。
[0020]進(jìn)一步，所述導(dǎo)電體是金屬顆粒。
[0021]進(jìn)一步，所述金屬顆粒的直徑大于所述小孔的直徑。
[0022]進(jìn)一步，所述覆蓋層是硅膠，粘附于所述本體的上、下表面。
[0023]進(jìn)一步，所述第一電子元件與所述第二電子元件均以壓接的方式與所述液態(tài)金屬接觸。
[0024]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下有益效果:
[0025]所述容納孔內(nèi)設(shè)有所述液態(tài)金屬與所述第一電子元件及所述第二電子元件電性導(dǎo)接，所述液態(tài)金屬選自鎵金屬，銦鎵合金，銦錫合金，鎵錫合金及銦鎵錫合金其中任意一種，所述導(dǎo)電體設(shè)于所述液態(tài)金屬內(nèi)，所述液態(tài)金屬是低熔點(diǎn)金屬，利用所述液態(tài)金屬進(jìn)行電性傳輸，不僅所述液態(tài)金屬的阻抗小，所述液態(tài)金屬與所述導(dǎo)電體之間的接觸面積大，使得整個(gè)所述容納孔內(nèi)的所述液態(tài)金屬及所述導(dǎo)電體的阻抗小，進(jìn)而所述電連接器阻抗小，保證電流的正常傳輸，提供清晰、 穩(wěn)定的通訊效果。且采用所述銦鎵錫或其合金金屬材料，節(jié)省成本。
[0026]【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0027]圖1為本實(shí)用新型電連接器的立體分解圖；
[0028]圖2為本實(shí)用新型電連接器覆蓋層未蓋設(shè)于本體的剖視圖；
[0029]圖3為本實(shí)用新型電連接器覆蓋層蓋設(shè)于本體的剖視圖；
[0030]圖4為本實(shí)用新型電連接器與第一電子元件及第二電子元件對接的剖視圖；
[0031]圖5為圖4的局部放大圖；
[0032]圖6為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的局部放大圖；
[0033]圖7為本實(shí)用新型第三實(shí)施例的局部放大圖；
[0034]圖8為本實(shí)用新型第三實(shí)施例的剖視圖；
[0035]圖9為圖8的局部放大圖。
[0036]【具體實(shí)施方式】的附圖標(biāo)號說明:
[0037]
電連接器100 I本體II容納孔11 I液態(tài)金屬2 -
覆蓋層3 _小孔31 _導(dǎo)電體4 金屬細(xì)絲41
金屬顆粒42 _芯片模塊200_錫球210 電路板300
接觸墊310 IIl-
[0038]【【具體實(shí)施方式】】
[0039]為便于更好的理解本實(shí)用新型的目的、結(jié)構(gòu)、特征以及功效等，現(xiàn)結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
[0040]如圖1及圖3，本實(shí)用新型電連接器100用以電性連接一第一電子元件和一第二電子元件，通常的所述第一電子元件是芯片模塊200，其底部設(shè)有多個(gè)錫球210，所述第二電子元件是電路板300，其表面設(shè)有多個(gè)接觸墊310，優(yōu)選的，所述芯片模塊200及所述電路板300以壓接的方式與所述電連接器100電性接觸。[0041]如圖1及圖2，所述電連接器100具有一本體I，所述本體I設(shè)有多個(gè)容納孔11，所述容納孔11內(nèi)設(shè)有低熔點(diǎn)的液態(tài)金屬2，所述液態(tài)金屬2選自鎵金屬，銦鎵合金，銦錫合金，鎵錫合金及銦鎵錫合金其中任意一種。由于鎵的熔點(diǎn)在29.76V左右，因此，所述液態(tài)金屬2可直接使用鎵金屬；由于銦的熔點(diǎn)在156.61°C左右，錫的熔點(diǎn)在231.93°C左右，但銦、鎵、錫的二元或者三元合金的熔點(diǎn)卻可以大幅降低，上述合金的熔點(diǎn)根據(jù)不同比例而異，例如，銦-鎵比例為24.5:75.5時(shí)，銦鎵二元合金的熔點(diǎn)為15.7°C，銦-鎵-錫比例為20.5:66.5:13.0時(shí)，銦鎵錫三元合金的熔點(diǎn)為10.7°C，因此所述液態(tài)金屬2還可以是銦-鎵，銦-錫，鎵-錫，銦-鎵-錫其中任意一種。使用者可使用鎵金屬，或利用銦、鎵、錫金屬根據(jù)比例配出合金，使得在常溫下，所述鎵金屬和所述銦鎵合金，所述銦錫合金，所述鎵錫合金及所述銦鎵錫合金呈液態(tài)，從而金屬之間的接觸面積大，阻抗小，整個(gè)所述容納孔11內(nèi)的所述液態(tài)金屬2阻抗小，在電流傳輸時(shí)，不會因阻抗消耗能量，從而保證所述電流傳輸?shù)姆€(wěn)定性，電性連接效果好。且所述鎵金屬，銦鎵合金，銦錫合金，鎵錫合金及銦鎵錫合金比金或銀金屬價(jià)格低，可節(jié)省成本。
[0042]如圖2及圖3，所述本體I的上、下表面分別設(shè)有一覆蓋層3，在本實(shí)施例中，所述覆蓋層3是硅膠，粘附于所述本體I的上、下表面，擋止于所述液態(tài)金屬2，防止其流出。所述覆蓋層3對應(yīng)所述容納孔11的位置處設(shè)有多個(gè)小孔31，所述小孔31的面積遠(yuǎn)小于所述容納孔11的面積，部分所述液態(tài)金屬2進(jìn)入所述小孔31內(nèi)，且填充于所述小孔31，在表面張力的作用下，部分所述液態(tài)金屬2粘附于所述小孔31的邊緣，使得所述液態(tài)金屬2突出于所述小孔31，與所述芯片模塊200上的所述錫球210及所述電路板300上的所述接觸墊310接觸，實(shí)現(xiàn)電性連接。
[0043]如圖2，所述容納孔11內(nèi)還設(shè)有多個(gè)導(dǎo)電體4。在本實(shí)施例中，所述導(dǎo)電體4是金屬細(xì)絲41，所述金屬細(xì)絲41是銅或者銀的金屬細(xì)絲41，所述金屬細(xì)絲41放置于所述液態(tài)金屬2內(nèi)，使得所述液態(tài)金屬2完全包覆其表面，使得所述液態(tài)金屬2與所述金屬細(xì)絲41之間的接觸面積是所述金屬細(xì)絲41的全部表面積，因此接觸面積較大，阻抗小。所述金屬細(xì)絲41可縮短導(dǎo)電路徑，也可降低阻抗。
[0044]如圖4及圖5，在第一實(shí)施例中，所述金屬細(xì)絲41的上、下兩端分別進(jìn)入所述小孔31內(nèi)，并突出于所述小孔31，分別與所述芯片模塊200及所述電路板300抵接。如圖6，在第二實(shí)施例中，所述金屬細(xì)絲41僅有一端進(jìn)入所述小孔31內(nèi)，且與所述芯片模塊200或所述電路板300接觸，此時(shí)所述金屬細(xì)絲41的另一端可在所述液態(tài)金屬2內(nèi)移動，使得所述金屬細(xì)絲41的彈性較好，可與所述芯片模塊200或所述電路板300形成較好的彈性接觸。如圖7，在第三實(shí)施例中，所述金屬細(xì)絲41的兩端位于所述容納孔11內(nèi)，均未進(jìn)入所述小孔31，僅利用所述液態(tài)金屬2突出于所述小孔31，與所述芯片模塊200及所述電路板300電性連接。
[0045]如圖8及圖9，在第四實(shí)施例中，所述導(dǎo)電體4是多個(gè)金屬顆粒42，所述金屬顆粒42是銅或者銀金屬顆粒42，利用銅或者銀金屬顆粒42填充部分所述容納孔11，使得所述容納孔11內(nèi)的液態(tài)金屬2可減少，而銅和銀的價(jià)錢遠(yuǎn)比銦、鎵、錫金屬及其合金價(jià)錢低，因此可減少銦、鎵、錫金屬及其合金的用量，進(jìn)而節(jié)省成本。優(yōu)選的，所述金屬顆粒42彼此接觸，形成導(dǎo)電路徑，所述金屬顆粒42被所述液態(tài)金屬2包圍，使得所述液態(tài)金屬2與所述金屬顆粒42之間的接觸面積增大，由【背景技術(shù)】中金屬顆粒42之間的點(diǎn)對點(diǎn)接觸，變?yōu)樗鲆簯B(tài)金屬2包覆所述金屬顆粒42的表面,兩者之間的接觸面積是所述金屬顆粒42的表面積,兩者之間的接觸面積增加，阻抗小。且所述液態(tài)金屬2粘附于所述金屬顆粒42的表面而不會流出。所述金屬顆粒42的直徑大于所述小孔31的直徑，使得所述金屬顆粒42保持于所述容納孔11內(nèi)，而不會從所述小孔31內(nèi)掉落。當(dāng)然，也可以有部分所述金屬顆粒42進(jìn)入所述小孔31內(nèi)。
[0046]在第五實(shí)施例中，所述導(dǎo)電體4是所述金屬顆粒42與所述金屬細(xì)絲41的混合物，通過所述金屬顆粒42與所述金屬細(xì)絲41，連通所述液態(tài)金屬2中的金屬，形成較短的導(dǎo)電路徑，降低阻抗。
[0047]當(dāng)所述電連接器100與所述芯片模塊200及所述電路板300導(dǎo)接時(shí)，所述芯片模塊200的所述錫球210壓接上方的所述液態(tài)金屬2，所述電路板300的所述接觸墊310壓接下方的所述液態(tài)金屬2，當(dāng)然所述下方的液態(tài)金屬2也可焊接于所述電路板300上。
[0048]綜上所述，本實(shí)用新型電連接器100有下列有益效果:
[0049](I)所述容納孔11內(nèi)設(shè)有低熔點(diǎn)的液態(tài)金屬2,所述液態(tài)金屬2選自鎵金屬,銦鎵合金，銦錫合金，鎵錫合金及銦鎵錫合金其中任意一種，在常溫下，所述鎵金屬和所述銦鎵合金，所述銦錫合金，所述鎵錫合金及所述銦鎵錫合金呈液態(tài)，從而金屬之間的接觸面積大，阻抗小，整個(gè)所述容納孔11內(nèi)的所述液態(tài)金屬2阻抗小，在電流傳輸時(shí)，不會因阻抗消耗能量，從而保證所述電流傳輸?shù)姆€(wěn)定性，電性連接效果好。
[0050](2)述導(dǎo)電體4是多個(gè)金屬顆粒42，所述金屬顆粒42是銅或者銀金屬顆粒42，利用銅或者銀金屬顆粒42填充部分所述容納孔11，使得所述容納孔11內(nèi)的液態(tài)金屬2可減少，而銅和銀的價(jià)錢遠(yuǎn)比銦、鎵、錫金屬及其合金價(jià)錢低，因此可減少銦、鎵、錫金屬及其合金的用量，進(jìn)而節(jié)省成本。
[0051](3)所述金屬顆粒42被所述液態(tài)金屬2包圍，使得所述液態(tài)金屬2與所述金屬顆粒42之間的接觸面積增大，由【背景技術(shù)】中金屬顆粒42之間的點(diǎn)對點(diǎn)接觸，變?yōu)樗鲆簯B(tài)金屬2包覆所述金屬顆粒42的表面，兩者之間的接觸面積是所述金屬顆粒42的表面積，兩者之間的接觸面積增加，阻抗小。
[0052]上詳細(xì)說明僅為本實(shí)用新型之較佳實(shí)施例的說明，非因此局限本實(shí)用新型的專利范圍，所以，凡運(yùn)用本創(chuàng)作說明書及圖示內(nèi)容所為的等效技術(shù)變化，均包含于本實(shí)用新型的專利范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電連接器，用以電性連接一第一電子元件與一第二電子元件，其特征在于，包括: 一本體； 多個(gè)容納孔設(shè)于所述本體內(nèi)，所述容納孔內(nèi)設(shè)有液態(tài)金屬與所述第一電子元件及所述第二電子元件電性導(dǎo)接，所述液態(tài)金屬選自鎵金屬，銦鎵合金，銦錫合金，鎵錫合金及銦鎵錫合金其中任意一種； 至少一導(dǎo)電體設(shè)于所述液態(tài)金屬內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述導(dǎo)電體是金屬細(xì)絲。
3.如權(quán)利要求2所述的電連接器，其特征在于:所述金屬細(xì)絲的至少一端與所述第一電子元件或所述第二電子元件接觸。
4.如權(quán)利要求3所述的電連接器，其特征在于:所述金屬細(xì)絲一端與所述第一電子元件接觸，另一端與所述第二電子元件接觸。
5.如權(quán)利要求2所述的電連接器，其特征在于:所述金屬細(xì)絲是銅或銀的金屬細(xì)絲。
6.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述導(dǎo)電體是多個(gè)金屬顆粒。
7.如權(quán)利要求6所述的電連接器，其特征在于:所述金屬顆粒是銅金屬顆粒或銀金屬顆粒。
8.如權(quán)利要求6所述的電連接器，其特征在于:所述金屬顆粒互相導(dǎo)通，形成導(dǎo)電路徑。
9.如權(quán)利要求6所述的電連接器，其特征在于:所述液態(tài)金屬粘附于所述金屬顆粒。
10.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述導(dǎo)電體是金屬細(xì)絲及金屬顆粒的混合物。
11.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述本體的上、下表面均設(shè)有一覆蓋層，所述覆蓋層對應(yīng)所述容納孔的位置處開設(shè)有至少一小孔，所述液態(tài)金屬突出于所述小孔，與所述第一電子元件及所述第二電子元件接觸。
12.如權(quán)利要求11所述的電連接器，其特征在于:所述液態(tài)金屬粘附于所述小孔的邊緣。
13.如權(quán)利要求11所述的電連接器，其特征在于:所述導(dǎo)電體是金屬細(xì)絲，其至少一端進(jìn)入所述小孔內(nèi)，且突出于所述小孔，與所述第一電子元件或所述第二電子元件接觸。
14.如權(quán)利要求11所述的電連接器，其特征在于:所述導(dǎo)電體是金屬顆粒。
15.如權(quán)利要求14所述的電連接器，其特征在于:所述金屬顆粒的直徑大于所述小孔的直徑。
16.如權(quán)利要求11所述的電連接器，其特征在于:所述覆蓋層是硅膠，粘附于所述本體的上、下表面。
17.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述第一電子元件與所述第二電子元件均以壓接的方式與所述液態(tài)金屬接觸。
【文檔編號】H01R3/08GK203536572SQ201320601089
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】朱德祥 申請人:番禺得意精密電子工業(yè)有限公司