高頻脈沖薄膜電容器的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種高頻脈沖薄膜電容器，包括電容芯子、噴涂在該電容芯子的兩末端的噴金層、與噴金層熔接的電極引線、包覆整個電容芯子的內(nèi)包環(huán)氧樹脂層以及包覆該內(nèi)包環(huán)氧樹脂層的外包阻燃環(huán)氧粉末層，所述電容芯子包括第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、并排層疊在該第一介質(zhì)層上的第一金屬箔層和第一雙面金屬化薄膜層以及并排層疊在第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層之間的第二金屬箔層和第二雙面金屬化薄膜層；所述第一金屬箔層和第一雙面金屬化薄膜層呈間隔排列且相互串接，所述第二金屬箔層和第二雙面金屬化薄膜層呈間隔排列且相互串接。本實用新型可適用于交流高頻大脈沖場合，且穩(wěn)定性良好、使用壽命長。
【專利說明】高頻脈沖薄膜電容器【技術領域】
[0001]本實用新型涉及ー種電容器，具體涉及ー種高頻脈沖薄膜電容器。
【背景技術】
[0002]隨著科學技術的發(fā)展，對電容器的結(jié)構及性能要求也越來越高。薄膜電容器為電容器中的ー種，其主要特性在于無極性、絕緣阻抗很高、頻率特性優(yōu)異，而且介質(zhì)損失很小，因此薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。 [0003]薄膜電容器常用的結(jié)構形式是采用金屬化薄膜來制作，普通金屬化電極薄膜電容器是主要采用介質(zhì)薄膜單面或雙面上的金屬鍍層作為電極，其耐電流能力(dV/dt值)都很低，使用壽命受到限制，容易老化失效，這限制了其在高頻、高壓、脈沖大電流工作場合(如高頻開關電源等)的應用。
實用新型內(nèi)容
[0004]針對現(xiàn)有技術的不足，本實用新型提出了ー種高頻脈沖薄膜電容器，可適用于交流高頻大脈沖場合，且穩(wěn)定性良好、使用壽命長。
[0005]為了達到上述目的，本實用新型所采用的技術方案如下:
[0006]高頻脈沖薄膜電容器，包括電容芯子、噴涂在該電容芯子的兩末端的噴金層、與噴金層熔接的電極引線、包覆整個電容芯子的內(nèi)包環(huán)氧樹脂層以及包覆該內(nèi)包環(huán)氧樹脂層的外包阻燃環(huán)氧粉末層，所述電容芯子包括第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、并排層疊在該第一介質(zhì)層上的第一金屬箔層和第一雙面金屬化薄膜層以及并排層疊在第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層之間的第二金屬箔層和第二雙面金屬化薄膜層；所述第一金屬箔層和第一雙面金屬化薄膜層呈間隔排列且相互串接，所述第二金屬箔層和第二雙面金屬化薄膜層呈間隔排列且相互串接。
[0007]優(yōu)選地，所述第一金屬箔層和第一雙面金屬化薄膜層的排列順序與第二金屬箔層和第二雙面金屬化薄膜層的排列順序相反。
[0008]優(yōu)選地，第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的兩端分別對應平齊；所述第一介質(zhì)層對應第一雙面金屬化薄膜層的一端向外延伸出該第一雙面金屬化薄膜層；所述第二介質(zhì)層對應第二雙面金屬化薄膜層的一端向外延伸出該第二雙面金屬化薄膜層。
[0009]優(yōu)選地，所述第一雙面金屬化薄膜層和第二雙面金屬化薄膜層的厚度均為5 ym。
[0010]優(yōu)選地，所述第一雙面金屬化薄膜層和第二雙面金屬化薄膜層的方阻值的范圍均為1.5~2Q。
[0011]優(yōu)選地，第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的兩端分別對應平齊；所述第一金屬箔層遠離第一雙面金屬化薄膜層的一端向外延伸出第一介質(zhì)層，所述第二金屬箔層遠離第二雙面金屬化薄膜層的一端向外延伸出第二介質(zhì)層。
[0012]優(yōu)選地，所述第一金屬箔層和第二金屬箔層的厚度均為5iim。
[0013]優(yōu)選地，所述第一金屬箔層和第二金屬箔層均為金屬鋁箔層。[0014]優(yōu)選地，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層均為聚丙烯薄膜層。
[0015]與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果如下:
[0016]1、電容芯子利用串聯(lián)分壓原理可使得產(chǎn)品適用于更高的電壓及脈沖場合，有效降低極板邊緣的場強，保證電容器的穩(wěn)定性。
[0017]2、采用金屬鋁箔做引出電極，可保證電容芯子的兩末端與噴金層的接觸電阻足夠小，降低產(chǎn)品的DF值，并可通過更大的沖擊電流，以適用于更高頻率的工作場合。
[0018]3、采用雙面金屬鍍層エ藝的雙面金屬化薄膜，利用并聯(lián)分流原理，使大電流經(jīng)過該雙面金屬鍍層時進行分流，同時借助低方阻的設計，使得流經(jīng)的電流比單面金屬鍍層提聞2倍。
[0019]4、采用聚丙烯薄膜做為介質(zhì)材料，可以抵抗環(huán)境溫度過高導致介質(zhì)材料介電強度下降的困擾，進ー步增強產(chǎn)品穩(wěn)定性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0020]圖1為本實用新型高頻脈沖薄膜電容器的較佳實施例的結(jié)構示意圖；
[0021]圖2為圖1中電容芯子的剖面示意圖。
【具體實施方式】
[0022]下面，結(jié)合附圖以及【具體實施方式】，對本實用新型做進ー步描述，以便于更清楚的理解本實用新型所要求保護的技術思想。
[0023]請參見圖1和圖2，本實用新型涉及ー種高頻脈沖薄膜電容器，其較佳實施方式包括電容芯子10、噴金層20、電極引線30、內(nèi)包環(huán)氧樹脂層40、外包阻燃環(huán)氧粉末層50。
[0024]其中，噴金層20噴涂在電容芯子10的兩末端，電極引線30熔接在噴金層20上。內(nèi)包環(huán)氧樹脂層40用于包覆整個電容芯子10，外包阻燃環(huán)氧粉末層50包覆在該內(nèi)包環(huán)氧樹脂層40的外部。
[0025]電容芯子10包括第一金屬箔層110、第一雙面金屬化薄膜層120、第一介質(zhì)層200、第二雙面金屬化薄膜層310、第二金屬箔層320以及第二介質(zhì)層400。
[0026]其中,第一介質(zhì)層200和第二介質(zhì)層400的兩端分別對應平齊。該第一介質(zhì)層200和第二介質(zhì)層400優(yōu)選采用聚丙烯薄膜層，采用高溫型的聚丙烯薄膜做為介質(zhì)材料，可以抵抗環(huán)境溫度過高導致介質(zhì)材料介電強度下降的困擾，增強產(chǎn)品穩(wěn)定性。在其他一些實施例中，也可以采用聚酯基膜層等。
[0027]第一金屬箔層110和第一雙面金屬化薄膜層120并排層疊在該第一介質(zhì)層200上，且該第一金屬箔層110和第一雙面金屬化薄膜層120呈間隔排列且相互串接。
[0028]第二金屬箔層320和第二雙面金屬化薄膜層310并排層疊在第一介質(zhì)層200和第ニ介質(zhì)層400之間，且該第二金屬箔層320和第二雙面金屬化薄膜層310呈間隔排列且相互串接。
[0029]在本實施例中，第一金屬箔層110和第一雙面金屬化薄膜層120的排列順序與第ニ金屬箔層320和第二雙面金屬化薄膜層310的排列順序相反。如圖2中所示，第一金屬箔層110位于第一介質(zhì)層200的左側(cè)，第二金屬箔層320位于第一介質(zhì)層200的右側(cè)。
[0030]本實用新型的電容芯子利用串聯(lián)分壓原理可使得產(chǎn)品適用于更高的電壓及脈沖場合，有效降低極板邊緣的場強，保證電容器的穩(wěn)定性。
[0031]對于第一雙面金屬化薄膜層120和第二雙面金屬化薄膜層310，在本實施例中，第一介質(zhì)層200對應第一雙面金屬化薄膜層120的一端向外延伸出該第一雙面金屬化薄膜層120 ;第二介質(zhì)層400對應第二雙面金屬化薄膜層310的一端向外延伸出該第二雙面金屬化薄膜層310。另外，第一雙面金屬化薄膜層120和第二雙面金屬化薄膜層310的厚度均為5 ym，方阻值的范圍均為1.5?2Q。本實用新型采用雙面金屬鍍層エ藝的雙面金屬化薄膜，利用并聯(lián)分流原理，使大電流經(jīng)過該雙面金屬鍍層時進行分流，同時借助低方阻的設計，使得流經(jīng)的電流比單面金屬鍍層提高2倍。
[0032]對于第一金屬箔層110和第二金屬箔層320，在本實施例中，它們均采用金屬鋁箔層，且厚度均為5iim;且第一金屬箔層110遠離第一雙面金屬化薄膜層120的一端向外延伸出第一介質(zhì)層200，第二金屬箔層320遠離第二雙面金屬化薄膜層310的一端向外延伸出第二介質(zhì)層400。本實用新型采用金屬鋁箔做引出電極，可保證電容芯子的兩末端與噴金層的接觸電阻足夠小，降低產(chǎn)品的DF值，并可通過更大的沖擊電流，以適用于更高頻率的エ作場合。
[0033]對于本領域的技術人員來說，可根據(jù)以上描述的技術方案以及構思，做出其它各種相應的改變以及變形，而所有的這些改變以及變形都應該屬于本實用新型權利要求的保護范圍之內(nèi)。
【權利要求】
1.高頻脈沖薄膜電容器，包括電容芯子、噴涂在該電容芯子的兩末端的噴金層、與噴金層熔接的電極引線、包覆整個電容芯子的內(nèi)包環(huán)氧樹脂層以及包覆該內(nèi)包環(huán)氧樹脂層的外包阻燃環(huán)氧粉末層，其特征在干:所述電容芯子包括第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、并排層疊在該第一介質(zhì)層上的第一金屬箔層和第一雙面金屬化薄膜層以及并排層疊在第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層之間的第二金屬箔層和第二雙面金屬化薄膜層；所述第一金屬箔層和第一雙面金屬化薄膜層呈間隔排列且相互串接，所述第二金屬箔層和第二雙面金屬化薄膜層呈間隔排列且相互串接。
2.如權利要求1所述的高頻脈沖薄膜電容器，其特征在于:所述第一金屬箔層和第一雙面金屬化薄膜層的排列順序與第二金屬箔層和第二雙面金屬化薄膜層的排列順序相反。
3.如權利要求1所述的高頻脈沖薄膜電容器，其特征在于:第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的兩端分別對應平齊；所述第一介質(zhì)層對應第一雙面金屬化薄膜層的一端向外延伸出該第一雙面金屬化薄膜層；所述第二介質(zhì)層對應第二雙面金屬化薄膜層的一端向外延伸出該第ニ雙面金屬化薄膜層。
4.如權利要求1所述的高頻脈沖薄膜電容器，其特征在于:所述第一雙面金屬化薄膜層和第二雙面金屬化薄膜層的厚度均為5 u m。
5.如權利要求1所述的高頻脈沖薄膜電容器，其特征在于:所述第一雙面金屬化薄膜層和第二雙面金屬化薄膜層的方阻值的范圍均為1.。
6.如權利要求1所述的高頻脈沖薄膜電容器，其特征在于:第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的兩端分別對應平齊；所述第一金屬箔層遠離第一雙面金屬化薄膜層的一端向外延伸出第一介質(zhì)層，所述第二金屬箔層遠離第二雙面金屬化薄膜層的一端向外延伸出第二介質(zhì)層。
7.如權利要求1所述的高頻脈沖薄膜電容器，其特征在于:所述第一金屬箔層和第二金屬箔層的厚度均為5 ii m。
8.如權利要求1所述的高頻脈沖薄膜電容器，其特征在于:所述第一金屬箔層和第二金屬箔層均為金屬鋁箔層。
9.如權利要求1所述的高頻脈沖薄膜電容器，其特征在于:所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層均為聚丙烯薄膜層。
【文檔編號】H01G4/33GK203456292SQ201320615336
【公開日】2014年2月26日 申請日期:2013年9月30日 優(yōu)先權日:2013年9月30日
【發(fā)明者】陶文濤, 何群利 申請人:東莞市緯迪實業(yè)有限公司