一種發(fā)光二極管晶片熱壓翻轉(zhuǎn)工藝用壓塊的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種發(fā)光二極管晶片熱壓翻轉(zhuǎn)工藝用壓塊,所述壓塊包括亞克力板層與絨布層，所述壓塊還包括覆銅箔酚醛紙壓板層，所述覆銅箔酚醛紙壓板層位于所述亞克力板層與所述絨布層之間，所述覆銅箔酚醛紙壓板層上表面與所述亞克力板層下表面固定連接，所述覆銅箔酚醛紙壓板層下表面與所述絨布層上表面固定連接。所述壓塊還包括矽膠層，所述矽膠層與所述亞克力板層上表面固定連接。本實用新型的有益效果在于，利用矽膠層柔軟的特性和覆銅箔酚醛紙壓板層結(jié)構(gòu)，有效緩沖了在熱壓時產(chǎn)生的壓力，從而改善LED產(chǎn)品貼附封裝帶時的壓痕過深情況，利于下游用戶取晶封裝。
【專利說明】一種發(fā)光二極管晶片熱壓翻轉(zhuǎn)工藝用壓塊
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體制備技術(shù)，具體的說是一種發(fā)光二極管晶片熱壓翻轉(zhuǎn)工藝用壓塊。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管，即LED (light-emitting diode)是一種把電能轉(zhuǎn)換成光能的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其核心部分由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成的晶片，在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間有一個過渡層，稱為P-N結(jié)。當(dāng)給發(fā)光二極管加上正向電壓后，從P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū)注入到P區(qū)的電子，在PN結(jié)附近數(shù)微米內(nèi)分別與N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴復(fù)合，產(chǎn)生自發(fā)輻射的熒光。
[0003]LED產(chǎn)品于出貨時，需經(jīng)過熱壓翻轉(zhuǎn)工藝后，將LED晶片貼附于封裝帶上，以利于下游用戶封裝使用。
[0004]傳統(tǒng)熱壓翻轉(zhuǎn)工藝所用的壓塊由絨布層和亞克力板層組成，此類壓塊在熱壓時無緩沖效果，造成LED產(chǎn)品出貨時其貼附在封裝帶時均發(fā)生壓痕過深，黏力過大情況，造成下游用戶封裝過程不易取晶等問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本實用新型的目的就是為了克服上述現(xiàn)有壓塊的不足之處，提供一種具有多層結(jié)構(gòu)的熱壓翻轉(zhuǎn)工藝用壓塊，能有效緩沖熱壓的壓力，改善LED產(chǎn)品貼附封裝袋時的壓痕過深情況，以利下游用戶取晶封裝。
[0006]本實用新型的目的是通過如下技術(shù)措施來實現(xiàn)的:
[0007]—種發(fā)光二極管晶片熱壓翻轉(zhuǎn)工藝用壓塊，所述壓塊包括亞克力板層與絨布層，所述壓塊還包括覆銅箔酚醛紙壓板層，所述覆銅箔酚醛紙壓板層位于所述亞克力板層與所述絨布層之間，所述覆銅箔酚醛紙壓板層上表面與所述亞克力板層下表面固定連接，所述覆銅箔酚醛紙壓板層下表面與所述絨布層上表面固定連接。
[0008]進一步地，所述壓塊還包括矽膠層，所述矽膠層與所述亞克力板層上表面固定連接。
[0009]進一步地，所述固定連接方式為粘接方式。
[0010]進一步地,所述覆銅箔酹醒紙壓板層厚度為0.5 μ m-1.2 μ m。
[0011 ] 進一步地，所述矽膠層厚度為0.8 μ m——2.2 μ m。
[0012]本實用新型的有益效果在于，利用矽膠層柔軟的特性和覆銅箔酚醛紙壓板層結(jié)構(gòu)，有效緩沖了在熱壓時產(chǎn)生的壓力，從而改善LED產(chǎn)品貼附封裝帶時的壓痕過深情況，利于下游用戶取晶片進行封裝。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為現(xiàn)有技術(shù)壓塊的示意圖；[0014]圖2為本實用新型一實施例示意圖；
[0015]圖3為本實用新型的又一實施例示意圖；
[0016]圖4為使用現(xiàn)有技術(shù)的壓塊進行熱壓翻轉(zhuǎn)工藝后LED晶片產(chǎn)品的示意圖；
[0017]圖5為使用本實用新型的壓塊進行熱壓翻轉(zhuǎn)工藝后LED晶片產(chǎn)品的示意圖；
[0018]其中:1.矽膠層；2.亞克力板層；3.覆銅箔酚醛紙壓板層；4.絨布層；5、封裝帶；
6、LED晶片；7、壓痕。
【具體實施方式】
[0019]下面詳細(xì)描述本實用新型的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本實用新型，而不能理解為對本實用新型的限制。
[0020]在本實用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平” “頂”、“底” “內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為
基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本實用新型的限制。
[0021]在本實用新型的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本實用新型中的具體含義。
[0022]實施例一
[0023]下面結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進一步的描述。
[0024]如圖2所示，一種發(fā)光二極管晶片熱壓翻轉(zhuǎn)工藝用壓塊，包括亞克力板層2、絨布層4，還包括覆銅箔酚醛紙壓板層3，覆銅箔酚醛紙壓板層3位于亞克力板層2與絨布層4之間，覆銅箔酚醛紙壓板層3上表面與亞克力板層2下表面固定連接，覆銅箔酚醛紙壓板層3的下表面與絨布層4的上表面固定連接。
[0025]實施例二
[0026]如圖3所示，一種發(fā)光二極管晶片熱壓翻轉(zhuǎn)工藝用壓塊，包括亞克力板層2、絨布層4，還包括覆銅箔酚醛紙壓板層3，覆銅箔酚醛紙壓板層3位于亞克力板層2與絨布層4之間，覆銅箔酚醛紙壓板層3上表面與亞克力板層2下表面固定連接，覆銅箔酚醛紙壓板層3的下表面與絨布層4的上表面固定連接，壓塊還包括矽膠層1，矽膠層I與亞克力板層2固定連接。
[0027]上述固定連接方式為粘接方式。
[0028]此外，矽膠層I的厚度可以為0.8μπι或1.5μπι或2.2μπι中的一種。
[0029]覆銅箔酚醛紙壓板層的厚度可以為0.5μπι或0.8μπι或1.2μ m中的一種。
[0030]如圖4，為采用現(xiàn)有技術(shù)壓塊對LED晶片進行熱壓翻轉(zhuǎn)工藝，將LED晶片貼附于封裝帶上的效果圖，圖中明顯可見LED晶片6貼附在封裝帶5上時出現(xiàn)的壓痕7，黏附于封裝帶5的黏貼力過大，造成下游用戶封裝過程不易取晶片等問題，影響產(chǎn)品質(zhì)量。而圖5為采用本實用新型所述的技術(shù)方案后對晶片進行熱壓翻轉(zhuǎn)工藝，將LED晶片貼附于封裝帶上的效果圖，晶片6貼附在封裝帶5上時，未出現(xiàn)壓痕7。
[0031] 盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解:在不脫離本發(fā)明的原理和宗旨的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管晶片熱壓翻轉(zhuǎn)工藝用壓塊，所述壓塊包括亞克力板層與絨布層，其特征在于，所述壓塊還包括覆銅箔酚醛紙壓板層，所述覆銅箔酚醛紙壓板層位于所述亞克力板層與所述絨布層之間，所述覆銅箔酚醛紙壓板層上表面與所述亞克力板層下表面固定連接，所述覆銅箔酚醛紙壓板層下表面與所述絨布層上表面固定連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶片熱壓翻轉(zhuǎn)工藝用壓塊，其特征在于，所述壓塊還包括矽膠層，所述矽膠層與所述亞克力板層上表面固定連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管晶片熱壓翻轉(zhuǎn)工藝用壓塊，其特征在于，所述固定連接方式為粘接方式。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管晶片熱壓翻轉(zhuǎn)工藝用壓塊，其特征在于，所述覆銅箔酚醛紙壓板層厚度為0.5 μ m——1.2 μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管晶片熱壓翻轉(zhuǎn)工藝用壓塊，其特征在于，所述矽膠層厚度為0.8 μ m——2.2 μ m。
【文檔編號】H01L33/00GK203553202SQ201320620081
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年10月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月9日
【發(fā)明者】胡泰祥 申請人:元茂光電科技(武漢)有限公司