半導(dǎo)體制程供氣裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型系提供一種半導(dǎo)體制程供氣裝置，包括一腔體及一擴(kuò)散噴嘴，腔體具有一半導(dǎo)體加工空間，半導(dǎo)體加工空間具有一氣體填充入口及一氣體排放出口，擴(kuò)散噴嘴嵌設(shè)于氣體填充入口，擴(kuò)散噴嘴的一噴出口朝向?qū)?zhǔn)半導(dǎo)體加工空間，其中擴(kuò)散噴嘴為以自噴出口的軸心向外側(cè)擴(kuò)散的方式而噴出氣體至腔體的半導(dǎo)體加工空間，以有效地自腔體趕出氧氣，而可提升制造良率。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體制程供氣裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型系關(guān)于一種半導(dǎo)體制程供氣裝置的設(shè)計(jì)，特別是關(guān)于一種用以排除氧氣的半導(dǎo)體制程供氣裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體可作為集成電路所用的載體，其制造過(guò)程包含了許多種處理方式，包括感光劑涂布、曝光、顯影、腐蝕、及滲透等，以制成具有多層線路的組件，并經(jīng)由檢測(cè)、封裝，而制成實(shí)際可用的集成電路成品。
[0003]半導(dǎo)體的制造過(guò)程須經(jīng)過(guò)反復(fù)進(jìn)行的熱處理，包括熱氧化制程、熱退火處理、Al熱壓法、熱圓滑處理、冷卻硬化等，以逐步制造為成品。在這些處理過(guò)程中，對(duì)于氧氣反應(yīng)敏感的半導(dǎo)體需要進(jìn)行熱退火處理，熱退火處理時(shí)需將半導(dǎo)體與環(huán)境中的氧氣徹底隔離，否則將會(huì)使半導(dǎo)體制造失敗。
[0004]而為了避免半導(dǎo)體接觸到氧氣，習(xí)知的半導(dǎo)體制程通常加入其它填充氣體以排出氧氣，藉此欲使半導(dǎo)體于無(wú)氧環(huán)境中進(jìn)行熱處理。然而在習(xí)知的半導(dǎo)體制程中，并無(wú)法完全將氧氣自制程環(huán)境去除，其原因在于制程環(huán)境中有填充氣體無(wú)法構(gòu)及的區(qū)域，使得氧氣得以殘留，并進(jìn)一步導(dǎo)致氧氣形成回流而接觸到半導(dǎo)體，而導(dǎo)致熱處理不當(dāng)，影響到半導(dǎo)體的制造良率。
[0005]鑒于以上所述，如何在熱處理過(guò)程中徹底將氧氣排出以使半導(dǎo)體與氧氣徹底隔離，系為一項(xiàng)重要的研究課題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型的主要目的是提供一種半導(dǎo)體制程供氣裝置，有效地利用其它填充氣體將氧氣排出，以改善習(xí)知技術(shù)的問題，達(dá)到預(yù)期制造效果。
[0007]本實(shí)用新型為解決習(xí)知技術(shù)的問題所采用的技術(shù)手段為一種半導(dǎo)體制程供氣裝置，用于對(duì)一半導(dǎo)體加工件供氣，半導(dǎo)體制程供氣裝置包含一腔體及一擴(kuò)散噴嘴。腔體具有一半導(dǎo)體加工空間，半導(dǎo)體加工空間具有一氣體填充入口及一氣體排放出口。擴(kuò)散噴嘴嵌設(shè)于氣體填充入口，擴(kuò)散噴嘴的一噴出口朝向?qū)?zhǔn)半導(dǎo)體加工空間，其中擴(kuò)散噴嘴為以自噴出口的軸心向外側(cè)擴(kuò)散的方式而噴出氣體至腔體的半導(dǎo)體加工空間。
[0008]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，擴(kuò)散噴嘴為一均流擴(kuò)散噴嘴。
[0009]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，噴出口呈橢圓狀。
[0010]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，還包括一支撐機(jī)臺(tái)，腔體設(shè)置于支撐機(jī)臺(tái)。
[0011]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，支撐機(jī)臺(tái)具有一出口通道，連通于氣體排放出口。
[0012]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，出口通道具有一主出口及一預(yù)留出口。
[0013]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，主出口且/或預(yù)留出口的內(nèi)壁面形成有一螺紋件，供一螺固件鎖固。
[0014]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，還包括一噴嘴設(shè)置座，設(shè)置于支撐機(jī)臺(tái)。[0015]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，擴(kuò)散噴嘴為數(shù)個(gè)而并排設(shè)置。
[0016]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，氣體填充入口及氣體排放出口分別位于腔體的相對(duì)兩端。
[0017]經(jīng)由本實(shí)用新型所采用的技術(shù)手段，藉由擴(kuò)散噴嘴以自噴出口的軸心向外側(cè)擴(kuò)散的方式而噴出填充氣體至腔體的半導(dǎo)體加工空間，使得半導(dǎo)體加工空間中的氧氣可以徹底地被趕出，而可防止半導(dǎo)體加工空間中的半導(dǎo)體加工件接觸到氧氣，以避免半導(dǎo)體加工件的熱處理制程失敗。再者，藉由本實(shí)用新型的設(shè)置方式，可達(dá)到更佳的擴(kuò)散均流效果。藉此而有效地使半導(dǎo)體加工 件隔離氧氣，以提升制造良率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1系顯示依據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的半導(dǎo)體制程供氣裝置的立體圖。
[0019]圖2系顯示依據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的半導(dǎo)體制程供氣裝置的立體分解圖。
[0020]圖3系顯示依據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的半導(dǎo)體制程供氣裝置的剖視圖。
[0021]圖4系顯示依據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的半導(dǎo)體制程供氣裝置的使用示意圖。
[0022]圖5系顯示依據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的半導(dǎo)體制程供氣裝置的供氣狀態(tài)圖。
[0023]圖6系顯示依據(jù)本實(shí)用新型的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體制程供氣裝置的噴出口的示意圖。
[0024]符號(hào)說(shuō)明
[0025]1OO、1OOa 半導(dǎo)體制程供氣裝置
[0026]1腔體
[0027]11氣體填充入口
[0028]12氣體排放出口
[0029]2、2a擴(kuò)散噴嘴
[0030]21、21a噴出口
[0031]3支撐機(jī)臺(tái)
[0032]31第一支撐臺(tái)
[0033]311設(shè)置開口
[0034]32第二支撐臺(tái)
[0035]321設(shè)置開口
[0036]322出口通道
[0037]3221主出口
[0038]3222預(yù)留出口
[0039]4噴嘴設(shè)置座
[0040]41設(shè)置孔
[0041]51氣體輸入管
[0042]52氣體排出管
[0043]A填充氣體
[0044]C軸心
[0045]SI半導(dǎo)體加工空間【具體實(shí)施方式】
[0046]本實(shí)用新型所采用的具體實(shí)施例，將藉由以下的實(shí)施例及附呈圖式作進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0047]請(qǐng)同時(shí)參閱圖1至圖2所示，依據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的一半導(dǎo)體制程供氣裝置100包含一腔體I及一擴(kuò)散噴嘴2。
[0048]腔體I具有一半導(dǎo)體加工空間SI，半導(dǎo)體加工空間SI具有一氣體填充入口 11及一氣體排放出口 12，如圖2所示。
[0049]在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體制程供氣裝置100包括有一支撐機(jī)臺(tái)3，支撐機(jī)臺(tái)3具有一第一支撐臺(tái)31及一第二支撐臺(tái)32。第一支撐臺(tái)31及一第二支撐臺(tái)32分別具有一設(shè)置開口 311、321。在本實(shí)施例中，氣體填充入口 11及氣體排放出口 12分別位于腔體I的相對(duì)兩端。而藉由腔體I兩端分別卡置于設(shè)置開口 311、321的方式，使得腔體I設(shè)置于支撐機(jī)臺(tái)3而受支撐機(jī)臺(tái)3支撐，并且使得氣體填充入口 11及氣體排放出口 12分別對(duì)準(zhǔn)于設(shè)置開口 311、321。其中，支撐機(jī)臺(tái)3的第二支撐臺(tái)32具有一出口通道322，連通于氣體排放出口 12，如圖2、圖3所示。
[0050]在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體制程供氣裝置100包括有一噴嘴設(shè)置座4，設(shè)置于第一支撐臺(tái)31且對(duì)應(yīng)于設(shè)置開口 311與氣體填充入口 11。噴嘴設(shè)置座4具有數(shù)個(gè)并排設(shè)置的設(shè)置孔41。擴(kuò)散噴嘴2為數(shù)個(gè)而分別并排設(shè)置于設(shè)置孔41，藉此而對(duì)應(yīng)嵌設(shè)于氣體填充入口11，使擴(kuò)散噴嘴2的一噴出口 21朝向?qū)?zhǔn)半導(dǎo)體加工空間SI，如圖1、圖2所示。
[0051]如圖4所不,在實(shí)際應(yīng)用時(shí),擴(kuò)散噴嘴2連接有一氣體輸入管51以輸入一填充氣體A，出口通道322則連接有一氣體排出管52。擴(kuò)散噴嘴2為以自噴出口 21噴出填充氣體A，使填充氣體A為經(jīng)由氣體填充入口 11至半導(dǎo)體加工空間SI中，用于對(duì)一半導(dǎo)體加工件(圖未示)供氣，再經(jīng)由氣體排放出口 12至出口通道322而離開半導(dǎo)體加工空間SI。在本實(shí)施例中，填充氣體A可為惰性氣體或其它氣體，藉此可以將半導(dǎo)體加工空間SI中的氧氣趕出，以避免半導(dǎo)體加工空間SI中的半導(dǎo)體加工件接觸到氧氣，并在此同時(shí)對(duì)于半導(dǎo)體加工件進(jìn)行熱處理。
[0052]如圖5所示，為了更為徹底地趕出半導(dǎo)體加工空間SI中的氧氣，更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，擴(kuò)散噴嘴2為以自噴出口的軸心C向外側(cè)擴(kuò)散的方式而噴出填充氣體A至腔體I的半導(dǎo)體加工空間SI，而更有效地使填充氣體A抵達(dá)半導(dǎo)體加工空間SI中的任何區(qū)域。并且，在本實(shí)施例中，擴(kuò)散噴嘴2為一均流擴(kuò)散噴嘴，而可使填充氣體A均勻地填充于半導(dǎo)體加工空間SI中。
[0053]返回參閱圖3及圖4所示，在本實(shí)施例中，支撐機(jī)臺(tái)3的出口通道322具有一主出口 3221及一預(yù)留出口 3222。再者，預(yù)留出口 3222的內(nèi)壁面形成有一螺紋件，供一螺固件(圖未示)鎖固。藉此預(yù)留出口 3222可為選擇性地開放，在主出口 3221阻塞時(shí)或需要加快氣體排出速率時(shí)可提供良好的作用。當(dāng)然，本實(shí)用新型不限于此，主出口 3221的內(nèi)壁面也可形成有一螺紋件，供一螺固件鎖固，以提供使用者選擇氣體為自主出口 3221或預(yù)留出口3222的其中之一或兩者排出，或是將主出口 3221或預(yù)留出口 3222皆以螺固件鎖固封閉。
[0054]請(qǐng)參閱如圖6所示，本實(shí)施例的半導(dǎo)體制程供氣裝置IOOa與半導(dǎo)體制程供氣裝置100的結(jié)構(gòu)大致相同，其差別在于，在本實(shí)施例中，擴(kuò)散噴嘴2a的噴出口 21a呈橢圓狀，而可達(dá)到更佳的擴(kuò)散均流效果。
[0055]以上的敘述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例說(shuō)明，凡精于此項(xiàng)技藝者當(dāng)可依據(jù)上述的說(shuō)明而作其它種種的改良，然而這些改變?nèi)詫儆诒緦?shí)用新型的創(chuàng)作精神及所界定的專利范圍中。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體制程供氣裝置，系用于對(duì)一半導(dǎo)體加工件供氣，其特征在于，該半導(dǎo)體制程供氣裝置包含: 一腔體，具有一半導(dǎo)體加工空間，該半導(dǎo)體加工空間具有一氣體填充入口及一氣體排放出口；以及 一擴(kuò)散噴嘴，嵌設(shè)于該氣體填充入口，該擴(kuò)散噴嘴的一噴出口系朝向?qū)?zhǔn)該半導(dǎo)體加工空間。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制程供氣裝置，其特征在于，該擴(kuò)散噴嘴系為一均流擴(kuò)散噴嘴。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制程供氣裝置，其特征在于，該噴出口系呈橢圓狀。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制程供氣裝置，其特征在于，還包括一支撐機(jī)臺(tái)，該腔體設(shè)置于該支撐機(jī)臺(tái)。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體制程供氣裝置，其特征在于，該支撐機(jī)臺(tái)具有一出口通道，連通于該氣體排放出口。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體制程供氣裝置，其特征在于，該出口信道具有一主出口及一預(yù)留出口。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體制程供氣裝置，其特征在于，該主出口且/或該預(yù)留出口的內(nèi)壁面形成有一螺紋件，供一螺固件鎖固。
8.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體制程供氣裝置，其特征在于，還包括一噴嘴設(shè)置座，設(shè)置于該支撐機(jī)臺(tái)。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制程供氣裝置，其特征在于，該擴(kuò)散噴嘴系為數(shù)個(gè)而并排設(shè)置。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制程供氣裝置，其特征在于，該氣體填充入口及該氣體排放出口系分別位于該腔體的相對(duì)兩端。
【文檔編號(hào)】H01L21/324GK203573955SQ201320737269
【公開日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2013年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月13日
【發(fā)明者】林武郎, 鄭煌玉, 方建利, 陳世敏, 劉又瑋, 范釗杰 申請(qǐng)人:技鼎股份有限公司